高中化學(xué)選修3練習(xí)：?jiǎn)卧獪y(cè)評(píng) 三 B

1、.宋以后，京師所設(shè)小學(xué)館和武學(xué)堂中的教師稱(chēng)謂皆稱(chēng)之為“教諭”。至元明清之縣學(xué)一律循之不變。明朝入選翰林院的進(jìn)士之師稱(chēng)“教習(xí)”。到清末，學(xué)堂興起，各科教師仍沿用“教習(xí)”一稱(chēng)。其實(shí)“教諭”在明清時(shí)還有學(xué)官一意，即主管縣一級(jí)的教育生員。而相應(yīng)府和州掌管教育生員者則謂“教授”和“學(xué)正”?！敖淌凇薄皩W(xué)正”和“教諭”的副手一律稱(chēng)“訓(xùn)導(dǎo)”。于民間，特別是漢代以后，對(duì)于在“?！被颉皩W(xué)”中傳授經(jīng)學(xué)者也稱(chēng)為“經(jīng)師”。在一些特定的講學(xué)場(chǎng)合，比如書(shū)院、皇室，也稱(chēng)教師為“院長(zhǎng)、西席、講席”等。單元測(cè)評(píng) 三 B時(shí)間:45分鐘分值:100分一、選擇題(本題包括10小題,每小題4分,共40分,每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題意)1.

2、下列有關(guān)晶體和非晶體的說(shuō)法中正確的是()A.具有規(guī)則幾何外形的固體均為晶體B.晶體具有自范性,非晶體沒(méi)有自范性C.晶體研碎后即變?yōu)榉蔷wD.將玻璃加工成規(guī)則的固體即變成晶體2.2019·河北定州中學(xué)期中 下列說(shuō)法正確的是()A.體心立方是金屬最密堆積的形式B.在SiO2晶體中,并不存在單個(gè)“SiO2”分子C.干冰中,與CO2等距緊鄰的CO2有8個(gè)D.31 g P4含有PP鍵的個(gè)數(shù)為4NA3.下列敘述中正確的是 ()A.干冰升華時(shí)碳氧鍵發(fā)生斷裂B.CaO和SiO2晶體中都不存在單個(gè)小分子C.Na2O與Na2O2所含的化學(xué)鍵類(lèi)型完全相同D.Br2蒸氣被木炭吸附時(shí)共價(jià)鍵被破壞4.制造光導(dǎo)纖

3、維的材料是一種很純的硅氧化物,它是具有立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體,如圖CB3-1所示是簡(jiǎn)化了的平面示意圖,關(guān)于這種制造光纖的材料,下列說(shuō)法正確的是 ()圖CB3-1A.它的晶體中硅原子與氧原子數(shù)目比是14B.它的晶體中硅原子與氧原子數(shù)目比是16C.這種氧化物是原子晶體D.這種氧化物是分子晶體5.“類(lèi)推”是一種重要的學(xué)習(xí)方法,但有時(shí)會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤的結(jié)論,下列類(lèi)推結(jié)論中正確的是 ()A.NaCl晶體中只含有離子鍵,則 MgCl2晶體中也只含有離子鍵B.第A族元素氣態(tài)氫化物沸點(diǎn)順序是GeH4>SiH4>CH4;則第A族元素氣態(tài)氫化物沸點(diǎn)順序也是AsH3>PH3>NH3C.晶體中有陰離子,

4、必有陽(yáng)離子;則晶體中有陽(yáng)離子,必有陰離子D.干冰(CO2)是分子晶體,則SiO2也是分子晶體6.下列對(duì)各組物質(zhì)性質(zhì)的比較中,正確的是()A.硬度:Li>Na>KB.熔點(diǎn):金剛石>晶體硅>碳化硅C.第一電離能:Na<Mg<AlD.空間利用率:六方最密堆積<面心立方最密堆積<體心立方堆積7.關(guān)于含正離子的化合物N5AsF6,下列敘述中正確的是()A.共有35個(gè)核外電子 B.中氮原子間以離子鍵結(jié)合C.化合物N5AsF6中As的化合價(jià)為+1價(jià) D.化合物N5AsF6為離子化合物8.在解釋下列物質(zhì)的變化規(guī)律與物質(zhì)結(jié)構(gòu)間的因果關(guān)系時(shí),與化學(xué)鍵的強(qiáng)弱無(wú)關(guān)的是

5、()A.鈉、鎂、鋁的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)逐漸升高,硬度逐漸增大B.金剛石的硬度大于晶體硅的硬度,其熔點(diǎn)也高于晶體硅的熔點(diǎn)C.KF、KCl、KBr、KI的熔點(diǎn)依次降低D.F2、Cl2、Br2、I2的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)逐漸升高9.釔鋇銅氧化合物在90 K時(shí)即具有超導(dǎo)性,該化合物的部分結(jié)構(gòu)如圖CB3-2所示:圖CB3-2該化合物以Y2O3、BaCO3和CuO為原料,經(jīng)研磨燒結(jié)而成,其原料配比(物質(zhì)的量之比)為()A.111B.146C.123D.22310.根據(jù)下列結(jié)構(gòu)示意圖,判斷下列說(shuō)法中正確的是()圖CB3-3A.在CsCl晶體中,Cs+周?chē)嚯x最近的Cl-有6個(gè)B.在CaF2晶體中,Ca2+周?chē)嚯x最近的F-有

6、4個(gè)C.在SiO2晶體中,每個(gè)晶胞中含有4個(gè)Si原子和8個(gè)O原子D.在SiO2晶體中,最小環(huán)上有12個(gè)原子二、非選擇題(本題包括4小題,共60分)11.(14分)現(xiàn)有幾組物質(zhì)的熔點(diǎn)()數(shù)據(jù):A組B組C組D組金剛石:3550Li:181HF:-83NaCl:801硅晶體:1410Na:98HCl:-115KCl:776硼晶體:2300K:64HBr:-89RbCl:718二氧化硅:1723Rb:39HI:-51CsCl:645據(jù)此回答下列問(wèn)題:(1)A組屬于晶體,其熔化時(shí)克服的微粒間的作用力是。 (2)B組晶體共同的物理性質(zhì)是(填序號(hào))。 有金屬光澤導(dǎo)電性導(dǎo)熱性延展性(3)C

7、組中HF熔點(diǎn)反常是由于  。 (4)D組晶體可能具有的性質(zhì)是(填序號(hào))。 硬度小 水溶液能導(dǎo)電固體能導(dǎo)電熔融狀態(tài)能導(dǎo)電(5)D組晶體的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)镹aCl>KCl>RbCl>CsCl,其原因?yàn)?#160;   。 12.(10分)(1)分析下列物質(zhì)的物理性質(zhì),判斷其晶體類(lèi)型:要練說(shuō)，得練看?？磁c說(shuō)是統(tǒng)一的，看不準(zhǔn)就難以說(shuō)得好。練看，就是訓(xùn)練幼兒的觀察能力，擴(kuò)大幼兒的認(rèn)知范圍，讓幼兒在觀察事物、觀察生活、觀察自然的活動(dòng)中，積累詞匯、理解詞義、發(fā)展語(yǔ)言。在運(yùn)用觀察法組織活動(dòng)時(shí)，我著眼觀察于觀察對(duì)象的選擇，著力于觀

8、察過(guò)程的指導(dǎo)，著重于幼兒觀察能力和語(yǔ)言表達(dá)能力的提高。A.碳化鋁,黃色晶體,熔點(diǎn)2200 ,熔融態(tài)不導(dǎo)電。 B.溴化鋁,無(wú)色晶體,熔點(diǎn)98 ,熔融態(tài)不導(dǎo)電 。 C.溴化鉀,無(wú)色晶體,熔融狀態(tài)或溶于水中能導(dǎo)電。 D.三氯化鐵,棕黃色晶體,熔點(diǎn)282 ,沸點(diǎn)315 ,在300 以上易升華,易溶于水,也易溶于乙醚、丙酮。 (2)已知MgO的晶體結(jié)構(gòu)屬于NaCl型。某同學(xué)畫(huà)出的MgO晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如圖CB3-4所示,請(qǐng)改正圖中錯(cuò)誤:(用文字?jǐn)⑹?。 圖CB3-413.(16分)圖CB3-5為CaF2、H3BO3(層狀結(jié)構(gòu),層內(nèi)的H3BO3分子通過(guò)氫鍵結(jié)

9、合)、金屬銅三種晶體的結(jié)構(gòu)示意圖,請(qǐng)回答下列問(wèn)題:(1)圖所示的CaF2晶體中與Ca2+最近且等距離的F-的數(shù)目為個(gè);圖中未標(biāo)號(hào)的銅原子形成晶體后周?chē)o鄰的銅原子數(shù)為個(gè)。 (2)圖所示的物質(zhì)結(jié)構(gòu)中最外層已達(dá)8電子結(jié)構(gòu)的原子是;H3BO3晶體中B原子個(gè)數(shù)與極性鍵個(gè)數(shù)之比為。 圖CB3-5(3)金屬銅具有很好的延展性、導(dǎo)電傳熱性,對(duì)此現(xiàn)象最簡(jiǎn)單的解釋是用“”理論。 (4)三種晶體中熔點(diǎn)最低的是,其晶體受熱熔化時(shí),克服的微粒間的相互作用為。 14.(20分)2019·四川成都龍泉中學(xué)質(zhì)檢 已知A、B、C、D、E、F為元素周期表中原子序數(shù)依次增大的前2

10、0號(hào)元素,A與B,C、D與E分別位于同一周期。A原子L層上有2對(duì)成對(duì)電子,B、C、D的核外電子排布相同的簡(jiǎn)單離子可形成一種C3DB6型離子晶體X,CE、FA為電子數(shù)相同的離子晶體。(1)寫(xiě)出A元素的基態(tài)原子價(jià)電子排布式:。F離子電子排布式:。 (2)寫(xiě)出X的化學(xué)式:。X的化學(xué)名稱(chēng)為。 (3)寫(xiě)出化工生產(chǎn)中涉及X的一個(gè)化學(xué)方程式:。 (4)試解釋工業(yè)冶煉D時(shí),原料選擇D2A3而不選DE3的原因: 。 (5)CE、FA的晶格能分別為786 kJ·mol-1、3401 kJ·mol-1,試分析導(dǎo)致二者晶格能差異的主要原因是。 (6

11、)F與B可形成離子化合物,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖CB3-6所示。F與B形成的離子化合物的化學(xué)式為;該離子化合物晶體的密度為a g·cm-3,則晶胞的體積是(只要求列出算式)。 其實(shí),任何一門(mén)學(xué)科都離不開(kāi)死記硬背,關(guān)鍵是記憶有技巧,“死記”之后會(huì)“活用”。不記住那些基礎(chǔ)知識(shí),怎么會(huì)向高層次進(jìn)軍?尤其是語(yǔ)文學(xué)科涉獵的范圍很廣,要真正提高學(xué)生的寫(xiě)作水平,單靠分析文章的寫(xiě)作技巧是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的,必須從基礎(chǔ)知識(shí)抓起,每天擠一點(diǎn)時(shí)間讓學(xué)生“死記”名篇佳句、名言警句,以及豐富的詞語(yǔ)、新穎的材料等。這樣,就會(huì)在有限的時(shí)間、空間里給學(xué)生的腦海里注入無(wú)限的內(nèi)容。日積月累,積少成多,從而收到水滴石穿,繩鋸木

12、斷的功效。死記硬背是一種傳統(tǒng)的教學(xué)方式,在我國(guó)有悠久的歷史。但隨著素質(zhì)教育的開(kāi)展,死記硬背被作為一種僵化的、阻礙學(xué)生能力發(fā)展的教學(xué)方式,漸漸為人們所摒棄;而另一方面,老師們又為提高學(xué)生的語(yǔ)文素養(yǎng)煞費(fèi)苦心。其實(shí),只要應(yīng)用得當(dāng),“死記硬背”與提高學(xué)生素質(zhì)并不矛盾。相反,它恰是提高學(xué)生語(yǔ)文水平的重要前提和基礎(chǔ)。圖CB3-6*;第 8 頁(yè)單元測(cè)評(píng)(三)B1.B2.B解析 六方最密堆積和面心立方最密堆積是空間利用率最高的結(jié)構(gòu),A項(xiàng)錯(cuò)誤;SiO2晶體屬于原子晶體,由原子構(gòu)成,不存在單個(gè)“SiO2”分子,B項(xiàng)正確;CO2晶體中,每個(gè)CO2周?chē)?2個(gè)CO2分子緊鄰且等距,C項(xiàng)錯(cuò)誤;31 g P4(即0.25

13、 mol),1個(gè)分子中含6個(gè)PP鍵,31 g(0.25 mol)P4含有PP鍵的數(shù)目為1.5NA,D項(xiàng)錯(cuò)誤。3.B解析 A、D兩項(xiàng)所述變化屬于物理變化,故化學(xué)鍵未被破壞,所以A、D兩項(xiàng)錯(cuò)誤;C選項(xiàng)中,Na2O只含離子鍵,Na2O2既有離子鍵又有非極性鍵,所以C項(xiàng)錯(cuò)誤,故選B。4.C解析 由題意可知,該晶體具有立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),是原子晶體,一個(gè)Si原子與4個(gè)O原子形成4個(gè)SiO鍵,一個(gè)O原子與2個(gè)Si原子形成2個(gè)SiO鍵,所以在晶體中硅原子與氧原子數(shù)目比是12。5.A解析 B項(xiàng)第A族元素氣態(tài)氫化物中的NH3分子之間有氫鍵,沸點(diǎn)高于AsH3;C項(xiàng)金屬晶體只有陽(yáng)離子,沒(méi)有陰離子;D項(xiàng)SiO2為原子晶體。

14、6.A解析 堿金屬元素的硬度隨著原子序數(shù)的增大而減小,即硬度為L(zhǎng)i>Na>K,A項(xiàng)正確;原子晶體的鍵長(zhǎng)越長(zhǎng)鍵能越小,晶體的熔點(diǎn)越低,鍵能大小順序是CC鍵>CSi鍵>SiSi鍵,即熔點(diǎn)順序?yàn)榻饎偸?gt;碳化硅>晶體硅,B項(xiàng)錯(cuò)誤;同周期元素第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而增大,但第A族、第A族的元素第一電離能大于相鄰主族的元素,第一電離能:Mg>Al>Na,C項(xiàng)錯(cuò)誤;空間利用率:六方最密堆積=面心立方最密堆積>體心立方堆積,D項(xiàng)錯(cuò)誤。7.D解析 7號(hào)氮元素的核外電子數(shù)為7,5個(gè)原子核外電子總數(shù)為35,失去1個(gè)電子變成,其核外電子數(shù)為34,A項(xiàng)錯(cuò)誤;中

15、氮原子間只能以共價(jià)鍵結(jié)合,B項(xiàng)錯(cuò)誤;由于F在化合物中只有-1價(jià),由5個(gè)氮原子形成的的總化合價(jià)為+1價(jià),結(jié)合化合價(jià)代數(shù)和為0,可知砷元素的化合價(jià)為+5價(jià),C項(xiàng)錯(cuò)誤;化合物N5AsF6由和As構(gòu)成,該化合物是離子化合物,D項(xiàng)正確。8.D解析 鈉、鎂、鋁的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)逐漸升高,硬度逐漸增大,這是因?yàn)樗鼈冎械慕饘冁I逐漸增強(qiáng),與化學(xué)鍵的強(qiáng)弱有關(guān);金剛石的硬度大于晶體硅的硬度,其熔點(diǎn)也高于晶體硅的熔點(diǎn),這是因?yàn)镃C鍵的鍵長(zhǎng)比SiSi鍵的鍵長(zhǎng)短,CC鍵的鍵能比SiSi鍵的鍵能大,也與化學(xué)鍵的強(qiáng)弱有關(guān);KF、KCl、KBr、KI的熔點(diǎn)依次降低,這是因?yàn)樗鼈冎械碾x子鍵的強(qiáng)度逐漸減弱,與化學(xué)鍵的強(qiáng)弱有關(guān);F2、Cl

16、2、Br2、I2的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)逐漸升高,這是因?yàn)榉肿娱g作用力隨相對(duì)分子質(zhì)量的增大而增大,與化學(xué)鍵的強(qiáng)弱無(wú)關(guān)。9.B解析 晶胞中鋇原子個(gè)數(shù)為2個(gè),銅原子個(gè)數(shù)為×8+×8=3個(gè),釔原子個(gè)數(shù)為1個(gè),則Y2O3、BaCO3、CuO物質(zhì)的量之比為23=146。10.D解析 CsCl晶體中,Cs+周?chē)嚯x最近的Cl-有8個(gè),A項(xiàng)錯(cuò)誤;CaF2晶體中,Ca2+周?chē)嚯x最近的F-有8個(gè),B項(xiàng)錯(cuò)誤;二氧化硅晶胞中有8個(gè)硅原子位于立方晶胞的8個(gè)頂角,有6個(gè)硅原子位于晶胞的6個(gè)面心,還有4個(gè)硅原子與16個(gè)氧原子在晶胞內(nèi)構(gòu)成4個(gè)硅氧四面體,所以每個(gè)晶胞中含有8個(gè)Si原子和16個(gè)O原子,C項(xiàng)錯(cuò)誤;Si

17、O2晶體中,最小環(huán)上有6個(gè)Si和6個(gè)O,D項(xiàng)正確。11.(1)原子共價(jià)鍵(2)(3)HF分子間能形成氫鍵,其熔化時(shí)需要消耗的能量更多(只要答出HF分子間能形成氫鍵即可)(4)(5)D組晶體都為離子晶體,r(Na+)<r(K+)<r(Rb+)<r(Cs+),在離子所帶電荷相同的情況下,離子半徑越小,晶格能越大,熔點(diǎn)就越高12.(1)原子晶體分子晶體離子晶體分子晶體(2)8應(yīng)為灰色的O2-13.(1)812(2)O16(3)電子氣(4)H3BO3分子間作用力14.(1)2s22p41s22s22p63s23p6(2)Na3AlF6六氟合鋁酸鈉(3)2Al2O3(熔融)4Al+3O

18、2(4)Al2O3為離子晶體,而AlCl3為分子晶體,熔融狀態(tài)下AlCl3不導(dǎo)電(5)CaO晶體中Ca2+、O2-帶的電荷數(shù)大于NaCl晶體中Na+、Cl-帶的電荷數(shù)(6)CaF2V=解析 A原子L層上有2對(duì)成對(duì)電子,即A為O,其基態(tài)原子價(jià)電子排布式為2s22p4。由于B與A同周期且原子序數(shù)比A大,則B為F,則C、D、E位于第三周期。B、C、D的核外電子排布相同的簡(jiǎn)單離子可形成一種C3DB6型離子晶體X,分析可知C是Na、D是Al,即X為Na3AlF6,CE、FA為電子數(shù)相同的離子晶體,則E為Cl、F為Ca。(1)A為O,其基態(tài)原子價(jià)電子排布式為2s22p4,F離子為Ca2+,其電子排布式為1s