無機材料科學基礎(chǔ)課后習題答案2_第1頁
無機材料科學基礎(chǔ)課后習題答案2_第2頁
無機材料科學基礎(chǔ)課后習題答案2_第3頁
無機材料科學基礎(chǔ)課后習題答案2_第4頁
無機材料科學基礎(chǔ)課后習題答案2_第5頁
已閱讀5頁,還剩2頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、2-1 名詞解釋:配位數(shù)與配位體,同質(zhì)多晶與多晶轉(zhuǎn)變,位移性轉(zhuǎn)變與重建性轉(zhuǎn)變,晶體場理論與配位場理論。答:配位數(shù):晶體結(jié)構(gòu)中與一個離子直接相鄰的異號離子數(shù)。配位體:晶體結(jié)構(gòu)中與某一個陽離子直接相鄰、形成配位關(guān)系的各個陰離子中心連線所構(gòu)成的多面體。同質(zhì)多晶:同一化學組成在不同外界條件下(溫度、壓力、pH值等),結(jié)晶成為兩種以上不同結(jié)構(gòu)晶體的現(xiàn)象。多晶轉(zhuǎn)變:當外界條件改變到一定程度時,各種變體之間發(fā)生結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變,從一種變體轉(zhuǎn)變成為另一種變體的現(xiàn)象。位移性轉(zhuǎn)變:不打開任何鍵,也不改變原子最鄰近的配位數(shù),僅僅使結(jié)構(gòu)發(fā)生畸變,原子從原來位置發(fā)生少許位移,使次級配位有所改變的一種多晶轉(zhuǎn)變形式。重建性轉(zhuǎn)變:破

2、壞原有原子間化學鍵,改變原子最鄰近配位數(shù),使晶體結(jié)構(gòu)完全改變原樣的一種多晶轉(zhuǎn)變形式。晶體場理論:認為在晶體結(jié)構(gòu)中,中心陽離子與配位體之間是離子鍵,不存在電子軌道的重迭,并將配位體作為點電荷來處理的理論。配位場理論:除了考慮到由配位體所引起的純靜電效應以外,還考慮了共價成鍵的效應的理論。       圖2-1  MgO晶體中不同晶面的氧離子排布示意圖2-2 面排列密度的定義為:在平面上球體所占的面積分數(shù)。(a)畫出MgO(NaCl型)晶體(111)、(110)和(100)晶面上的原子排布圖;(b)計算這三個晶面的面排列密度。解

3、:MgO晶體中O2-做緊密堆積,Mg2+填充在八面體空隙中。(a)(111)、(110)和(100)晶面上的氧離子排布情況如圖2-1所示。(b)在面心立方緊密堆積的單位晶胞中, (111)面:面排列密度=(110)面:面排列密度=(100)面:面排列密度=2-3 試證明等徑球體六方緊密堆積的六方晶胞的軸比c/a1.633。證明:六方緊密堆積的晶胞中,a軸上兩個球直接相鄰,a0=2r;c軸方向上,中間的一個球分別與上、下各三個球緊密接觸,形成四面體,如圖2-2所示:圖2-2 六方緊密堆積晶胞中有關(guān)尺寸關(guān)系示意圖 2-4 設原子半徑為R,試計算體心立方堆積結(jié)構(gòu)的(100)、(110)、(

4、111)面的面排列密度和晶面族的面間距。解:在體心立方堆積結(jié)構(gòu)中: (100)面:面排列密度=面間距=(110)面:面排列密度=面間距=(111)面:面排列密度=面間距=2-5 以NaCl晶胞為例,試說明面心立方緊密堆積中的八面體和四面體空隙的位置和數(shù)量。答:以NaCl晶胞中(001)面心的一個球(Cl-離子)為例,它的正下方有1個八面體空隙(體心位置),與其對稱,正上方也有1個八面體空隙;前后左右各有1個八面體空隙(棱心位置)。所以共有6個八面體空隙與其直接相鄰,由于每個八面體空隙由6個球構(gòu)成,所以屬于這個球的八面體空隙數(shù)為6×1/6=1。在這個晶胞中,這個球還與另外2個面心、1個

5、頂角上的球構(gòu)成4個四面體空隙(即1/8小立方體的體心位置);由于對稱性,在上面的晶胞中,也有4個四面體空隙由這個參與構(gòu)成。所以共有8個四面體空隙與其直接相鄰,由于每個四面體空隙由4個球構(gòu)成,所以屬于這個球的四面體空隙數(shù)為8×1/4=2。2-6 臨界半徑比的定義是:緊密堆積的陰離子恰好互相接觸,并與中心的陽離子也恰好接觸的條件下,陽離子半徑與陰離子半徑之比。即每種配位體的陽、陰離子半徑比的下限。計算下列配位的臨界半徑比:(a)立方體配位;(b)八面體配位;(c)四面體配位;(d)三角形配位。解:(1)立方體配位在立方體的對角線上正、負離子相互接觸,在立方體的棱上兩個負離子相互接觸。因此

6、:(2)八面體配位在八面體中,中心對稱的一對陰離子中心連線上正、負離子相互接觸,棱上兩個負離子相互接觸。因此:(3)四面體配位在四面體中中心正離子與四個負離子直接接觸,四個負離子之間相互接觸(中心角)。因此:底面上對角中心線長為:(4)三角體配位在三角體中,在同一個平面上中心正離子與三個負離子直接接觸,三個負離子之間相互接觸。因此:2-7 一個面心立方緊密堆積的金屬晶體,其原子量為M,密度是8.94g/cm3。試計算其晶格常數(shù)和原子間距。解:根據(jù)密度定義,晶格常數(shù)原子間距=2-8 試根據(jù)原子半徑R計算面心立方晶胞、六方晶胞、體心立方晶胞的體積。解:面心立方晶胞: 六方晶胞(1/3): 體心立方

7、晶胞: 2-9 MgO具有NaCl結(jié)構(gòu)。根據(jù)O2-半徑為0.140nm和Mg2+半徑為0.072nm,計算球狀離子所占據(jù)的體積分數(shù)和計算MgO的密度。并說明為什么其體積分數(shù)小于74.05%?解:在MgO晶體中,正負離子直接相鄰,a0=2(r+r-)=0.424(nm)體積分數(shù)=4×(4/3)×(0.143+0.0723)/0.4243=68.52%密度=4×(24.3+16)/6.023×1023×(0.424×10-7)3=3.5112(g/cm3)MgO體積分數(shù)小于74.05%,原因在于r+/r-=0.072/0.14=0.423

8、5>0.414,正負離子緊密接觸,而負離子之間不直接接觸,即正離子將負離子形成的八面體空隙撐開了,負離子不再是緊密堆積,所以其體積分數(shù)小于等徑球體緊密堆積的體積分數(shù)74.05%。2-10 半徑為R的球,相互接觸排列成體心立方結(jié)構(gòu),試計算能填入其空隙中的最大小球半徑r。體心立方結(jié)構(gòu)晶胞中最大的空隙的坐標為(0,1/2,1/4)。解:在體心立方結(jié)構(gòu)中,同樣存在八面體和四面體空隙,但是其形狀、大小和位置與面心立方緊密堆積略有不同(如圖2-3所示)。設:大球半徑為R,小球半徑為r。則位于立方體面心、棱心位置的八面體空隙能夠填充的最大的小球尺寸為:位于立方體(0.5,0.25,0)位置的四面體空隙能夠填充的最大的小球尺寸為:2-11 純鐵在912由體心立方結(jié)

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論