第匯編語言5章

1、1微機原理、匯編與接口技術(shù)25 5.1 .15 5.2 .25 5.3 .3存儲器概述存儲器概述常用的存儲器芯片常用的存儲器芯片存儲器與存儲器與CPUCPU的接口的接口35.1 5.1 存儲器概述存儲器概述 存儲器是計算機系統(tǒng)中的存儲器是計算機系統(tǒng)中的記憶功能部件記憶功能部件，是，是用來存放程序和數(shù)據(jù)的硬件裝置用來存放程序和數(shù)據(jù)的硬件裝置 45.1.1 5.1.1 存儲器的類型存儲器的類型1.1.按工作時與按工作時與CPUCPU聯(lián)系密切程度分為：聯(lián)系密切程度分為：l 主存（內(nèi)存）主存（內(nèi)存）直接和直接和CPUCPU交換信息交換信息, ,且按存儲單元且按存儲單元讀讀/ /寫數(shù)據(jù)寫數(shù)據(jù), ,速度快

2、速度快. .l 輔存（外存）輔存（外存）不能直接和不能直接和CPUCPU交換信息交換信息，作主存，作主存的外援的外援, ,存放暫時不執(zhí)行的程序和數(shù)據(jù)存放暫時不執(zhí)行的程序和數(shù)據(jù), ,它只是在需要它只是在需要時與主存進(jìn)行批量數(shù)據(jù)交換時與主存進(jìn)行批量數(shù)據(jù)交換, ,容量大容量大, ,速度慢速度慢 2.2.按存儲單元材料分為：按存儲單元材料分為：l 半導(dǎo)體存儲器半導(dǎo)體存儲器常作主存常作主存l 磁存儲器磁存儲器磁帶磁帶, ,磁盤磁盤l 光存儲器光存儲器光盤光盤55.1.1 5.1.1 存儲器的類型存儲器的類型3.3.按存儲器讀寫工作方式分為：按存儲器讀寫工作方式分為：l 隨機存儲器隨機存儲器( (RAMR

3、AM) )任何存儲單元都能隨時讀寫任何存儲單元都能隨時讀寫l 只讀存儲器只讀存儲器( (ROMROM) )聯(lián)機工作時只能讀出不能寫聯(lián)機工作時只能讀出不能寫入入 4.4.按存儲器讀寫數(shù)據(jù)的方式分為：按存儲器讀寫數(shù)據(jù)的方式分為：l 并行并行存儲器存儲器l 串行串行存儲器存儲器65.1.2 5.1.2 存儲器的性能指標(biāo)與分級結(jié)構(gòu)存儲器的性能指標(biāo)與分級結(jié)構(gòu) 1.1. 存儲器的性能指標(biāo)存儲器的性能指標(biāo) 4 4項：項：存儲容量存儲容量、存取速度存取速度、可靠性可靠性、性能價格比性能價格比l 存儲容量存儲容量用其存儲的二進(jìn)制位信息量描述，表用其存儲的二進(jìn)制位信息量描述，表示為：示為：容量容量= =字?jǐn)?shù)字?jǐn)?shù)字

4、長字長. . 微機中均以字節(jié)編址，常表示為微機中均以字節(jié)編址，常表示為：容量容量= =字?jǐn)?shù)字?jǐn)?shù)8 8 如，如，486486主存主存8MB=8M8MB=8M* *8 8 75.1.2 5.1.2 存儲器的性能指標(biāo)與分級結(jié)構(gòu)存儲器的性能指標(biāo)與分級結(jié)構(gòu) 1.1. 存儲器的性能指標(biāo)存儲器的性能指標(biāo) l存取速度是指從存取速度是指從CPUCPU給出有效的存儲器地址到存給出有效的存儲器地址到存儲器輸入或輸出有效數(shù)據(jù)所需要的時間儲器輸入或輸出有效數(shù)據(jù)所需要的時間 l對存儲器的要求是容量大、速度快、可靠性高、對存儲器的要求是容量大、速度快、可靠性高、成本低，但在一個存儲器中難以全部達(dá)到成本低，但在一個存儲器中難

5、以全部達(dá)到. .目前在目前在計算機系統(tǒng)中，采用分級結(jié)構(gòu)計算機系統(tǒng)中，采用分級結(jié)構(gòu) 85.1.2 5.1.2 存儲器的性能指標(biāo)與分級結(jié)構(gòu)存儲器的性能指標(biāo)與分級結(jié)構(gòu) 2.2. 存儲器的分級結(jié)構(gòu)存儲器的分級結(jié)構(gòu) 目前采用較多的是目前采用較多的是3 3級存儲器結(jié)構(gòu)級存儲器結(jié)構(gòu), ,即高速緩沖存儲器（即高速緩沖存儲器（CacheCache）、內(nèi)存和輔存、內(nèi)存和輔存.CPU.CPU能直接訪問高速緩存和內(nèi)存能直接訪問高速緩存和內(nèi)存, ,不能直接訪問輔不能直接訪問輔存存, ,輔存中的信息必須先調(diào)入內(nèi)存才能由輔存中的信息必須先調(diào)入內(nèi)存才能由CPUCPU進(jìn)行處理進(jìn)行處理 95.1.2 5.1.2 存儲器的性能指標(biāo)

6、與分級結(jié)構(gòu)存儲器的性能指標(biāo)與分級結(jié)構(gòu) 2.2. 存儲器的分級結(jié)構(gòu)存儲器的分級結(jié)構(gòu) l 高速緩存高速緩存CACHECACHE又稱快存，由又稱快存，由SRAMSRAM構(gòu)成，用來臨時構(gòu)成，用來臨時存放指令和數(shù)據(jù)，速度快，容量小存放指令和數(shù)據(jù)，速度快，容量小l 內(nèi)存存放運行期間的大量程序和數(shù)據(jù)，多由內(nèi)存存放運行期間的大量程序和數(shù)據(jù)，多由MOSMOS動動態(tài)隨機存儲器態(tài)隨機存儲器(DRAM)(DRAM)組成組成 l 輔存一般由磁表面存儲器構(gòu)成，用來存放系統(tǒng)程序、輔存一般由磁表面存儲器構(gòu)成，用來存放系統(tǒng)程序、大型文件及數(shù)據(jù)庫等大型文件及數(shù)據(jù)庫等l 三種存儲器構(gòu)成三種存儲器構(gòu)成3 3級存儲管理，各級職能和要求

7、不級存儲管理，各級職能和要求不同同. .快存追求速度，以和快存追求速度，以和CPUCPU速度匹配；輔存追求容量速度匹配；輔存追求容量大；主存介于兩者之間，對容量，速度都有一定要求大；主存介于兩者之間，對容量，速度都有一定要求105 5. .1 15 5.3 .3存儲器概述存儲器概述常用的存儲器芯片常用的存儲器芯片存儲器與存儲器與CPUCPU的接口的接口5 5. .2 2115.2 5.2 常用的存儲器芯片常用的存儲器芯片5.2.1 5.2.1 半導(dǎo)體存儲器芯片的結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體存儲器芯片的結(jié)構(gòu)存儲器芯片的組成存儲器芯片的組成 12掩模掩模ROMROM內(nèi)容由廠家在生產(chǎn)過程中按用戶要求寫內(nèi)容由廠家在生產(chǎn)

8、過程中按用戶要求寫 入，用戶不可更改入，用戶不可更改 可編程可編程ROMROM（PROMPROM）內(nèi)容由用戶自行寫入，寫入內(nèi)容由用戶自行寫入，寫入 后不可更改后不可更改紫外線擦除紫外線擦除PROMPROM（EPROMEPROM）使用前內(nèi)容可由用戶使用前內(nèi)容可由用戶 更改，工作過程中只能讀不能再寫更改，工作過程中只能讀不能再寫電擦除電擦除PROMPROM（EEPROMEEPROM）可隨時進(jìn)行讀可隨時進(jìn)行讀/寫，能長寫，能長 保存信息，斷電后不丟失保存信息，斷電后不丟失5.2.2 5.2.2 只讀存儲器只讀存儲器ROMROM131.EPROM 常用常用EPROMEPROM以以1 1片片2716(2

9、K2716(2K8)8)為最基本容量為最基本容量. .如：如：273227324K4K8 8，276427648K8K8 8，271282712816K16K8 8，272562725632K32K8 8右圖為右圖為27162716等只讀存儲等只讀存儲器芯片的引器芯片的引線排列：線排列： 5.2.2 5.2.2 只讀存儲器只讀存儲器ROMROM142.EEPROM 常用芯片有常用芯片有2816(2K2816(2K8)8)、2817(2K2817(2K8)8)和和2864(8K2864(8K8).8).28162816和和28642864的引線排列與同容量的的引線排列與同容量的61166116和

10、和62646264兼容，兼容，28172817和和2864A2864A的引線排列如圖所示：的引線排列如圖所示： 5.2.2 5.2.2 只讀存儲器只讀存儲器ROMROM15uCECE芯片允許信號芯片允許信號 WE WE寫允許信號寫允許信號 OE OE輸出允許信號輸出允許信號 RDY/BUSY RDY/BUSY擦寫狀態(tài)信號線擦寫狀態(tài)信號線. . 擦除和寫入時，置擦除和寫入時，置為高電平；寫入完成，置為低電平為高電平；寫入完成，置為低電平u28162816、28172817和和28642864的主要性能指標(biāo)：讀取時間的主要性能指標(biāo)：讀取時間250ns250ns、寫入時間、寫入時間10ns(2816

11、10ns(2816為為15ns)15ns)、字節(jié)擦除、字節(jié)擦除時間時間10ns10ns（28162816為為15ns15ns）、讀操作電壓）、讀操作電壓5V5V、擦寫、擦寫操作電壓操作電壓5V5V、操作電流、操作電流110mA 110mA 5.2.2 5.2.2 只讀存儲器只讀存儲器ROMROM2.EEPROM 1628172817和和2864A2864A的引線排列如圖所示：的引線排列如圖所示： 173.3.閃速存儲器閃速存儲器 閃速存儲器與一般閃速存儲器與一般EEPROMEEPROM不同之處在于，閃速存儲不同之處在于，閃速存儲器芯片為整體電擦除并需要為其提供器芯片為整體電擦除并需要為其提供1

12、2V12V編程電壓編程電壓. .但它的擦除和編程速度高、集成度高、可靠性高、但它的擦除和編程速度高、集成度高、可靠性高、功耗低、價格低，其整體性能優(yōu)于一般功耗低、價格低，其整體性能優(yōu)于一般EEPROM EEPROM 5.2.2 5.2.2 只讀存儲器只讀存儲器ROMROM18雙極型雙極型RAMRAM主要用在高速微機中主要用在高速微機中. . 靜態(tài)靜態(tài)RAMRAM不需刷新不需刷新; ;功耗大功耗大; ;適宜于適宜于MOSMOS型型RAMRAM 存儲容量較小的系統(tǒng)中使用存儲容量較小的系統(tǒng)中使用 動態(tài)動態(tài)RAMRAM需刷新需刷新; ;集成度高集成度高; ;功耗低功耗低; ; 適于構(gòu)成大容量的存儲器系

13、統(tǒng)適于構(gòu)成大容量的存儲器系統(tǒng)1. 1. 靜態(tài)靜態(tài)RAMRAM 常用的靜態(tài)常用的靜態(tài)RAMRAM（SRAMSRAM）芯片有：）芯片有： 6116 6116、62646264、6212862128、62256622565.2.3 5.2.3 隨機讀寫存儲器隨機讀寫存儲器RAMRAM19如：如：61166116芯片（存儲容量芯片（存儲容量2KB2KB）的引線和功能如下）的引線和功能如下u 2K2K8=20488=20488=163848=16384個存儲元件，用個存儲元件，用1111根地址線對其根地址線對其進(jìn)行地址譯碼，以便對進(jìn)行地址譯碼，以便對2K2K個單元進(jìn)行選擇，選中的個單元進(jìn)行選擇，選中的8

14、 8個存?zhèn)€存儲元件的二進(jìn)制信息同時輸入儲元件的二進(jìn)制信息同時輸入/ /輸出，數(shù)據(jù)的方向由輸出，數(shù)據(jù)的方向由CECE，WEWE，OEOE一起控制一起控制5.2.3 5.2.3 隨機讀寫存儲器隨機讀寫存儲器RAMRAM20如：如：62646264芯片的引線和功能如下芯片的引線和功能如下A12A12A0 A0 地址輸入地址輸入D7D7D0 D0 數(shù)據(jù)輸入輸出數(shù)據(jù)輸入輸出 CE1 CE1 片選片選1 1 CE2 CE2 片選片選2 2 WE WE 寫允許寫允許 OE OE 輸出允許輸出允許 5.2.3 5.2.3 隨機讀寫存儲器隨機讀寫存儲器RAMRAM212. 2. 動態(tài)動態(tài)RAMRAM和內(nèi)存條和內(nèi)

15、存條(1) (1) 動態(tài)動態(tài)RAMRAM常用芯片有常用芯片有64K64K1 1、64K64K4 4、1M1M1 1、1M1M4 4等。等。 2164A2164A芯片的引線和功能如下圖所示。芯片的引線和功能如下圖所示。4 4個個128128128128的存的存儲矩陣、儲矩陣、128128選選1 1行譯碼器、行譯碼器、128128選選1 1列譯碼器、行地址列譯碼器、行地址鎖存器、列地址鎖存器、鎖存器、列地址鎖存器、“4 4選選1 1”I/OI/O控制門和多路開控制門和多路開關(guān)關(guān) 22(2)(2)內(nèi)存條內(nèi)存條 內(nèi)存條是一塊焊接了多片存儲器并帶接口引腳的小內(nèi)存條是一塊焊接了多片存儲器并帶接口引腳的小型

16、印刷電路板，將其插入主板上的存儲器插槽中即型印刷電路板，將其插入主板上的存儲器插槽中即可?？?。 SIMM(single in-line memory modules)SIMM(single in-line memory modules) 8 8位數(shù)據(jù)位數(shù)據(jù)寬，帶寬，帶3232條單邊引線或條單邊引線或3232位數(shù)據(jù)寬度帶位數(shù)據(jù)寬度帶7272條引線的條引線的內(nèi)存條內(nèi)存條 。 DIMM(dual in-line memory modules)DIMM(dual in-line memory modules) 6464位數(shù)據(jù)寬位數(shù)據(jù)寬度帶度帶168168條引線的內(nèi)存條，條引線的內(nèi)存條，PentiumP

17、entium系列微機主板上系列微機主板上只要插上一條即可工作。只要插上一條即可工作。DIMMDIMM內(nèi)存條由內(nèi)存條由8 8片片8 8位數(shù)據(jù)位數(shù)據(jù)寬度的同型號寬度的同型號ICIC芯片組成，有的則由芯片組成，有的則由9 9片組成，增片組成，增加的加的1 1片作校驗位用。有的片作校驗位用。有的DIMMDIMM內(nèi)存條的邊角上還內(nèi)存條的邊角上還附有一塊小芯片，這是一片串行接口的附有一塊小芯片，這是一片串行接口的EEPROMEEPROM，稱，稱為串行在片檢測為串行在片檢測(serial presence detect)(serial presence detect)。 233. 3. 非易失性隨機存儲器非

18、易失性隨機存儲器 NVRAM(non volatile RAM)NVRAM(non volatile RAM) 斷電后信息不丟失的斷電后信息不丟失的RAMRAM。目前。目前NVRAMNVRAM主要有兩種形式：主要有兩種形式：電池式電池式NVRAMNVRAM和形影式和形影式NVRAMNVRAM。 電池式電池式NVRAMNVRAM由靜態(tài)隨機存儲器由靜態(tài)隨機存儲器SRAMSRAM、備用電池和切換電、備用電池和切換電路組成。備用電池在外接電源斷開或下降至路組成。備用電池在外接電源斷開或下降至3V3V時自動接時自動接入電路繼續(xù)供電，以免信息丟失。電池式入電路繼續(xù)供電，以免信息丟失。電池式NVRAMNVR

19、AM芯片的引芯片的引線排列與線排列與SRAMSRAM芯片兼容。芯片兼容。 形影式形影式NVRAMNVRAM由由SRAMSRAM和和EEPROMEEPROM組成。組成。SRAMSRAM和和EEPROMEEPROM的存儲的存儲容量相同，且逐位一一對應(yīng)。容量相同，且逐位一一對應(yīng)。EEPROMEEPROM中的信息必須調(diào)出中的信息必須調(diào)出后存放到后存放到SRAMSRAM中（有些芯片上電后自動電池）才能與中（有些芯片上電后自動電池）才能與CPUCPU交換信息。在正常運行時對形影式交換信息。在正常運行時對形影式NVRAMNVRAM的讀或?qū)懖僮髦坏淖x或?qū)懖僮髦慌c與SRAMSRAM交換信息。交換信息。SRAMS

20、RAM中的信息也可以存入中的信息也可以存入EEPROMEEPROM中，中，但在外接電源斷開或發(fā)生故障時，它可以立即把但在外接電源斷開或發(fā)生故障時，它可以立即把SRAMSRAM中中的信息保存到的信息保存到EEPROMEEPROM中，使信息得到自動保護(hù)。中，使信息得到自動保護(hù)。245 5. .1 15 5. .2 2存儲器概述存儲器概述常用的存儲器芯片常用的存儲器芯片存儲器與存儲器與CPUCPU的接口的接口5 5. .3 325在在CPUCPU對存儲器進(jìn)行讀對存儲器進(jìn)行讀/ /寫操作時，首先要由地址寫操作時，首先要由地址總線給出地址，然后要發(fā)出相應(yīng)的讀總線給出地址，然后要發(fā)出相應(yīng)的讀/ /寫控制信

21、寫控制信號，最后才能在數(shù)據(jù)總線上進(jìn)行信息交換號，最后才能在數(shù)據(jù)總線上進(jìn)行信息交換. .所以，存儲器和所以，存儲器和CPUCPU的的連接連接，有三個部分：，有三個部分：（1 1）地址線的連接；）地址線的連接；（2 2）數(shù)據(jù)線的連接；）數(shù)據(jù)線的連接；（3 3）控制線的連接。）控制線的連接。5.3 5.3 存儲器存儲器與與CPUCPU的接口的接口26計算機應(yīng)用系統(tǒng)的存儲器通常由多片存儲器芯片組計算機應(yīng)用系統(tǒng)的存儲器通常由多片存儲器芯片組成成. .芯片內(nèi)部的存儲單元由片內(nèi)的譯碼電路對芯片的芯片內(nèi)部的存儲單元由片內(nèi)的譯碼電路對芯片的地址線輸入的地址進(jìn)行譯碼來選擇，稱之為地址線輸入的地址進(jìn)行譯碼來選擇，稱

22、之為字選字選. .字字選只要從地址總線的選只要從地址總線的最低位最低位A0A0開始開始，把它們與存儲，把它們與存儲器芯片的地址線依次相連即可完成器芯片的地址線依次相連即可完成. .而存儲器芯片則而存儲器芯片則由地址總線中剩余的由地址總線中剩余的高位線高位線來選擇，這就是來選擇，這就是片選片選 5.3.1 5.3.1 存儲器芯片與地址總線的連接存儲器芯片與地址總線的連接 27地址線數(shù)與存儲單元數(shù)間的關(guān)系為：地址線數(shù)與存儲單元數(shù)間的關(guān)系為： 存儲單元存儲單元=2=2x x（x x為地址線數(shù)為地址線數(shù) ）如下表所列如下表所列地址線數(shù)地址線數(shù) 1 2 3 4 1 2 3 4 8 9 10 11 12

23、13 14 15 16 8 9 10 11 12 13 14 15 16單元數(shù)單元數(shù) 2 4 8 16 2 4 8 16 256 512 1K 2K 4K 8K 16K 32K 64K 256 512 1K 2K 4K 8K 16K 32K 64K5.3.1 5.3.1 存儲器芯片與地址總線的連接存儲器芯片與地址總線的連接 281.1.存儲器芯片的地址線與地址總線的連接存儲器芯片的地址線與地址總線的連接 原則是，原則是，從地址總線的最低位從地址總線的最低位A0A0開始開始，把它們與，把它們與存儲器芯片的地址線存儲器芯片的地址線依次相連依次相連 5.3.1 5.3.1 存儲器芯片與地址總線的連接

24、存儲器芯片與地址總線的連接 292.2.存儲器芯片的片選線與地址總線的連接存儲器芯片的片選線與地址總線的連接 5.3.1 5.3.1 存儲器芯片與地址總線的連接存儲器芯片與地址總線的連接 直接直接以系統(tǒng)的高位地址作為存儲器芯片的片選信以系統(tǒng)的高位地址作為存儲器芯片的片選信號，號，將用到的高位地址線將用到的高位地址線接往存儲器芯片的片選端接往存儲器芯片的片選端. .當(dāng)該地址線為當(dāng)該地址線為0 0或或1 1時，就選中該芯片，即用一根地址時，就選中該芯片，即用一根地址線選通一塊芯片線選通一塊芯片（1 1）線選法）線選法302.2.存儲器芯片的片選線與地址總線的連接存儲器芯片的片選線與地址總線的連接

25、5.3.1 5.3.1 存儲器芯片與地址總線的連接存儲器芯片與地址總線的連接 （2 2）譯碼法）譯碼法 使用譯碼器對系統(tǒng)總線中字選余下的使用譯碼器對系統(tǒng)總線中字選余下的高位地址線高位地址線進(jìn)行譯碼，以其進(jìn)行譯碼，以其譯碼輸出譯碼輸出作為存儲器芯片的片選信號作為存儲器芯片的片選信號 312.2.存儲器芯片的片選線與地址總線的連接存儲器芯片的片選線與地址總線的連接 5.3.1 5.3.1 存儲器芯片與地址總線的連接存儲器芯片與地址總線的連接 （2 2）譯碼法）譯碼法常用典型譯碼常用典型譯碼器器：74LS13874LS138（3-83-8譯碼器），其譯碼器），其引線與功能引線與功能如下圖：如下圖：

26、32例例5.1 5.1 用譯碼法連接容量為用譯碼法連接容量為64K64K8 8的存儲器，若用的存儲器，若用8K8K8 8的存儲器芯片，共需多少片？共需多少根地址的存儲器芯片，共需多少片？共需多少根地址線？其中幾根作字選線？幾根作片選線？試用線？其中幾根作字選線？幾根作片選線？試用74LS13874LS138畫出譯碼電路，并標(biāo)出其輸出線的選址范圍畫出譯碼電路，并標(biāo)出其輸出線的選址范圍. .若改用線選法能夠組成多大容量的存儲器？試寫出若改用線選法能夠組成多大容量的存儲器？試寫出各線選線的選址范圍各線選線的選址范圍 5.3.1 5.3.1 存儲器芯片與地址總線的連接存儲器芯片與地址總線的連接 336

27、4K64K8/8K8/8K8=8, 8=8, 即共需要即共需要8 8片存儲器芯片片存儲器芯片64K=65536=264K=65536=21616，故組成，故組成64K64K的存儲器共需的存儲器共需1616根地址線根地址線8K=8192=28K=8192=21313， 即即1313根作字選線，選擇片內(nèi)單元根作字選線，選擇片內(nèi)單元16-13=316-13=3， 即即3 3根作片選線根作片選線芯片的芯片的1313根地址線為根地址線為A12A12A0A0，余下的高位地址線是，余下的高位地址線是A15A15A13A13，所以譯碼電路，所以譯碼電路對對A15A15A13A13進(jìn)行譯碼，譯進(jìn)行譯碼，譯碼電路

28、及譯碼輸出線的碼電路及譯碼輸出線的選址范圍如圖所示選址范圍如圖所示 5.3.1 5.3.1 存儲器芯片與地址總線的連接存儲器芯片與地址總線的連接 34若改為線選法：若改為線選法：A15A15A13 3A13 3根地址線各選一片根地址線各選一片8K8K8 8的存儲器芯片，的存儲器芯片，故僅能組成容量為故僅能組成容量為24K24K8 8的存儲器的存儲器A15A15、A14A14和和A13A13所選芯片的地址范圍分別為：所選芯片的地址范圍分別為：6000H6000H7FFFH7FFFH、A000HA000HBFFFHBFFFH和和C000HC000HDFFFH DFFFH 5.3.1 5.3.1 存

29、儲器芯片與地址總線的連接存儲器芯片與地址總線的連接 351 1位、位、4 4位和位和8 8位位的存儲器芯片，其數(shù)據(jù)線分別為的存儲器芯片，其數(shù)據(jù)線分別為1 1根、根、2 2根和根和8 8根根，在與，在與8088 CPU8088 CPU總線的總線的8 8根數(shù)據(jù)線相連時，根數(shù)據(jù)線相連時，采用采用并聯(lián)并聯(lián)方式：方式：l 1 1位的存儲器芯片，用位的存儲器芯片，用8 8片，將每片的數(shù)據(jù)線依次片，將每片的數(shù)據(jù)線依次與數(shù)據(jù)總線的與數(shù)據(jù)總線的8 8根數(shù)據(jù)線相連，根數(shù)據(jù)線相連，8 8片的地址相同片的地址相同l 4 4位的存儲器芯片，用位的存儲器芯片，用2 2片，將每片的片，將每片的4 4根數(shù)據(jù)線分根數(shù)據(jù)線分別與

30、數(shù)據(jù)總線的高別與數(shù)據(jù)總線的高4 4位和低位和低4 4位相連，位相連，2 2片的地址相同片的地址相同l 8 8位的存儲器芯片，則將它的位的存儲器芯片，則將它的8 8根數(shù)據(jù)線分別與根數(shù)據(jù)線分別與8 8根根數(shù)據(jù)線相連數(shù)據(jù)線相連5.3.2 5.3.2 存儲器芯片與數(shù)據(jù)總線的連接存儲器芯片與數(shù)據(jù)總線的連接 36ROMROM將芯片的輸出允許線將芯片的輸出允許線OEOE直接與直接與80888088的存儲的存儲器讀信號器讀信號MEMRMEMR相連相連 RAMRAM將各芯片的輸出允許線將各芯片的輸出允許線OEOE（或（或RDRD）并聯(lián)后）并聯(lián)后與與CPUCPU總線的總線的MEMRMEMR相連相連; ;寫允許線寫

31、允許線WEWE（或（或WRWR）并聯(lián)）并聯(lián)后與后與MEMWMEMW相連相連 5.3.3 5.3.3 存儲器芯片與控制總線的連接存儲器芯片與控制總線的連接 37例例5.2 1K5.2 1K靜態(tài)靜態(tài)RAMRAM的數(shù)據(jù)線和地址線的連接的數(shù)據(jù)線和地址線的連接 1K1K位存儲器芯片，有位存儲器芯片，有102410241 1位、位、2562564 4位和位和1281288 8位等不同結(jié)構(gòu)位等不同結(jié)構(gòu). .因此與因此與80888088的的8 8位數(shù)據(jù)總線位數(shù)據(jù)總線相連時，相連時，字向字向采用采用地址串聯(lián)地址串聯(lián)，位向位向采用采用位并聯(lián)位并聯(lián)來來滿足存儲器需要的容量和位數(shù)滿足存儲器需要的容量和位數(shù). .如要組

32、成如要組成1K1K8 8位的存儲器，可以采用位的存儲器，可以采用102410241 1位位的存儲器芯片，也可采用的存儲器芯片，也可采用2562564 4位的存儲器芯片位的存儲器芯片 5.3.4 5.3.4 連接舉例連接舉例 38例例5.2 1K5.2 1K靜態(tài)靜態(tài)RAMRAM的數(shù)據(jù)線和地址線的連接的數(shù)據(jù)線和地址線的連接 1K1K位存儲器芯片，有位存儲器芯片，有102410241 1位、位、2562564 4位和位和1281288 8位等不同結(jié)構(gòu)位等不同結(jié)構(gòu). .因此與因此與80888088的的8 8位數(shù)據(jù)總線位數(shù)據(jù)總線相連時，相連時，字向字向采用采用地址串聯(lián)地址串聯(lián)，位向位向采用采用位并聯(lián)位并聯(lián)來來滿足存儲器需要的容量和位數(shù)