SL-PE-012阻抗設(shè)計(jì)指示

1、深圳市深聯(lián)電路有限公司SHEN ZHEN SUN&LYNN CIRCUITS CO.,LTD. 文件編號(hào)SL-PE-012版 本A修 改 號(hào)01頁(yè) 碼36 of 36文件 名稱阻抗設(shè)計(jì)工作指示文件修改記錄更改性質(zhì)更改內(nèi)容更改人生效日期修改號(hào)由00改為01新發(fā)行修改7.1.2中S1170介電常數(shù)表，增加S1000-2介電常數(shù)表尹華章尹華章30.Oct.200915.May.2010制訂欄部門及職務(wù)：PE部/高級(jí)工程師審批欄部門及職務(wù)：PE部/經(jīng)理姓名：尹華章姓名：劉井基簽名：簽名：受控文件簽發(fā)記錄部門分發(fā)會(huì)簽部門分發(fā)會(huì)簽HR/人政部PC/計(jì)劃部ACC/財(cái)務(wù)部MAINT/維修部MK/市場(chǎng)部ENV/

2、環(huán)境保護(hù)部PU&MC/采購(gòu)&物控部QA/品質(zhì)保證部ME/工藝工程部CS/客戶服務(wù)部PE/產(chǎn)品工程部COO/營(yíng)運(yùn)總監(jiān)RD/研發(fā)部CEO/行政總裁PD/生產(chǎn)部Chairman/主席1.0 目的: 確定阻抗控制的要求，規(guī)范阻抗計(jì)算方法，擬定阻抗測(cè)試COUPON設(shè)計(jì)之準(zhǔn)則,確保產(chǎn)品能夠滿足生產(chǎn)的需要及客戶要求。2.0 范圍: 所有需要阻抗控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制作及審核。3.0 職責(zé):3.1工程部負(fù)責(zé)本文件的編制及修訂。3.2 MI設(shè)計(jì)人員負(fù)責(zé)對(duì)客戶資料中阻抗要求的理解及轉(zhuǎn)換，負(fù)責(zé)編寫(xiě)阻抗控制的流程指示、菲林修改指示及阻抗測(cè)試COUPON的設(shè)計(jì)。MI在生產(chǎn)使用過(guò)程中負(fù)責(zé)解釋相關(guān)條款內(nèi)容。3.3 品保部QAE

3、負(fù)責(zé)對(duì)工程資料的檢查及認(rèn)可。4.0 定義:4.1 特性阻抗的定義：在某一頻率下，電子器件傳輸信號(hào)線中，相對(duì)某一參考層，其高頻信號(hào)或電磁波在傳播過(guò)程中所受的阻力稱之為阻抗，它是電阻抗，電感抗，電容抗的一個(gè)矢量總和。4.2阻抗的分類：目前我司常見(jiàn)的阻抗分為：?jiǎn)味?線)阻抗、差分(動(dòng))阻抗、共面阻抗此三種情況。4.2.1單端(線)阻抗：英文single ended impedance ,指單根信號(hào)線測(cè)得的阻抗 。4.2.2差分(動(dòng))阻抗：英文differential impedance,指差分驅(qū)動(dòng)時(shí)在兩條等寬等間距的傳輸線中測(cè)試到的阻抗。4.2.3 共面阻抗：英文coplanar impedance

4、 ,指信號(hào)線在其周圍GND/VCC(信號(hào)線到其兩側(cè)GND/VCC間距相等)之間傳輸時(shí)所測(cè)試到的阻抗。5.0 內(nèi)容:5.1 阻抗設(shè)計(jì)流程： 5.1.1 客戶指定壓合結(jié)構(gòu)阻抗設(shè)計(jì)流程：按客戶壓合結(jié)構(gòu)要求計(jì)算出阻抗值是否可達(dá)到客戶要求YES按客戶壓合結(jié)構(gòu)制作內(nèi)審核實(shí)阻抗要求完成內(nèi)審核實(shí)阻抗要求完成NO按客戶回復(fù)要求制作咨詢客戶：建議一、保證阻抗值更改壓合結(jié)構(gòu);建議二、更改阻抗線寬/線距;建議三、按客戶壓合結(jié)構(gòu)更改阻抗值; 注意：PP片的選擇須按廠內(nèi)常規(guī)PP選擇5.1.2 客戶未指定壓合結(jié)構(gòu)阻抗設(shè)計(jì)流程：客戶未提供壓合結(jié)構(gòu)根據(jù)客戶所提供要求將阻抗線的線寬、線距、阻抗值、銅厚、阻焊厚度、介電常數(shù)輸入阻抗

5、計(jì)算軟件得出介質(zhì)層厚度值所得出介質(zhì)層厚度通過(guò)匹配廠內(nèi)常規(guī)PP片可以達(dá)到所得出介質(zhì)層厚度通過(guò)匹配廠內(nèi)常規(guī)PP片無(wú)法達(dá)到直接選擇此PP片制作內(nèi)審核實(shí)阻抗要求完成選擇廠內(nèi)最接近介質(zhì)層厚度的PP片咨詢客戶：建議一：保證阻抗值更改阻抗線寬線距; 建議二：不更改阻抗線寬線距，更改阻抗值; 按客戶回復(fù)要求制作內(nèi)審核實(shí)阻抗要求完成5.2 阻抗控制需求的決定條件：當(dāng)信號(hào)在PCB導(dǎo)線中傳輸時(shí)，若導(dǎo)線的長(zhǎng)度接近信號(hào)波長(zhǎng)的1/7，此時(shí)的導(dǎo)線便成為信號(hào)傳輸線，一般信號(hào)傳輸線均需做阻抗控制。PCB制作時(shí)，依客戶要求決定是否需管控阻抗，若客戶要求某一線寬需做阻抗控制，生產(chǎn)時(shí)則需管控該線寬的阻抗。5.3 阻抗匹配的三個(gè)要素：

6、5.3.1 輸出阻抗(原始主動(dòng)零件) 特性阻抗（信號(hào)線） 輸入阻抗（被動(dòng)零件） （PCB板） 阻抗匹配5.3.2 當(dāng)信號(hào)在PCB上傳輸時(shí)，PCB板的特性阻抗必須與頭尾元件的電子阻抗相匹配，一但阻抗值超出公差，所傳出的信號(hào)能量將出現(xiàn)反射、散射、衰減或延誤等現(xiàn)象，從而導(dǎo)致信號(hào)不完整，信號(hào)失真。5.4 阻抗影響因素：5.4.1 Er：介電常數(shù)，與阻抗值成反比。內(nèi)層介質(zhì)介電常數(shù)外層介質(zhì)介電常數(shù)阻焊油墨介電常數(shù)介質(zhì)層介電常數(shù)查詢方法詳見(jiàn)附頁(yè)3.45.4.2 H1，H2，H3.：線路層與接地層間介質(zhì)厚度,與阻抗值成正比。5.4.3 W1：阻抗線線底寬度；W2：阻抗線線面寬度,與阻抗成反比。(W2=W1-A

7、) 基材銅厚側(cè)蝕量（A）內(nèi)層外層H OZ0.5MIL0.8MIL1 OZ0.8MIL1.2MIL2 OZ1.5MIL1.6MIL 5.4.4 T：銅厚,與阻抗值成反比。 A：內(nèi)層為基板銅厚。 B：外層為基板銅厚+(孔銅厚度+5)*1.2 um。 C：基板銅厚對(duì)應(yīng)表：基銅Hoz1oz2oz3oz以此類推成品銅厚13um28um60um90um以此類推5.4.5 S：相鄰線路與線路之間的間距,與阻抗值成正比（差動(dòng)阻抗）。5.4.6 C1：基材阻焊厚度,與阻抗值成反比； C2：線面阻焊厚度,與阻抗值成反比；C3：線間阻焊厚度, 與阻抗值成反比；CEr：阻焊介電常數(shù)，與阻抗值成反比?？蛻粢筱~厚線路上

8、阻焊油墨厚度基材上阻焊油墨厚度無(wú)要求底銅Hoz15um成品銅厚-5um底銅1oz10um成品銅厚-10um有阻焊厚度要求且15um/按客戶要求阻焊厚度成品銅厚5.5 阻抗的計(jì)算:(POLAR SI9000 計(jì)算模式)5.5.1 所有計(jì)算出來(lái)的阻抗值與名義值差別應(yīng)小于阻抗范圍的10%，例如客戶要求60+/-10%ohm， 阻抗范圍=上限66-下限54=12ohms，阻抗范圍的10%=12X10%=1.2ohms，如超出須請(qǐng)示上級(jí)。5.5.2 常見(jiàn)的單端(線)阻抗計(jì)算模式：5.5.2.1 Surface Microstrip設(shè)計(jì)說(shuō)明適用范圍：外層阻焊前阻抗計(jì)算：參數(shù)說(shuō)明：H1：外層到VCC/GND

9、間的介質(zhì)厚度W2：阻抗線線面寬度W1: 阻抗線線底寬度Er1: 介質(zhì)層介電常數(shù)T1：線路銅厚=基板銅厚+(孔銅+5)*1.25.5.2.2 Coated Microstrip適用范圍：外層阻焊后阻抗計(jì)算：參數(shù)說(shuō)明：H1：外層到VCC/GND間的介質(zhì)厚度W2：阻抗線線面寬度W1: 阻抗線線底寬度Er1:介質(zhì)層介電常數(shù)T1：線路銅厚=基板銅厚+(孔銅+5)*1.2CEr：阻焊介電常數(shù)C1: 基材阻焊厚度 C2: 線面阻焊厚度5.5.2.3 Embedded Microstrip適用范圍:與外層相鄰的第二個(gè)線路層阻抗計(jì)算例如一個(gè)6層板,L1、L2均為線路層,L3為GND或VCC層,則L2層的阻抗用此

10、方式計(jì)算. 參數(shù)說(shuō)明:H1:線路層到相鄰VCC/GND間介質(zhì)厚度H2:外層到第二個(gè)線路層間的介質(zhì)厚度+第二個(gè)線路層銅厚W2:阻抗線線面寬度 W1:阻抗線線底寬度T1:阻抗線銅厚=基板銅厚Er1:介質(zhì)層介電常數(shù)(線路層到相鄰VCC/GND間介質(zhì))Er2:介質(zhì)層介電常數(shù)(外層到第二個(gè)線路層間)5.5.2.4 Offset stripline適用范圍:兩個(gè)VCC/GND夾一個(gè)線路層之阻抗計(jì)算參數(shù)說(shuō)明：H1:線路層到較近之VCC/GND間距離H2:線路層到較遠(yuǎn)之VCC/GND間距離+線路層銅厚Er1:介質(zhì)層介電常數(shù)(線路層到相鄰VCC/GND間介質(zhì))Er2:介質(zhì)層介電常數(shù)(線路層到較遠(yuǎn)VCC/GND間

11、介質(zhì))W2：阻抗線線面寬度 W1: 阻抗線線底寬度T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚5.5.2.5 Offset stripline適用范圍：兩個(gè)VCC/GND夾兩個(gè)線路層之阻抗計(jì)算;例如一個(gè)6層板，L2,L5層為GND/VCC，L3,L4層為線路層需控制阻抗.參數(shù)說(shuō)明：H1:線路層1到較近之VCC/GND間距離H2:線路層1到線路層2間距離+線路層1和線路層2銅厚。H3:線路層2到較遠(yuǎn)之VCC/GND間距離Er1:介質(zhì)層介電常數(shù)(線路層1到相鄰VCC/GND間介質(zhì))Er2:介質(zhì)層介電常數(shù)(線路層1到線路層2間介質(zhì))Er3:介質(zhì)層介電常數(shù)(線路層2到較遠(yuǎn)VCC/GND間介質(zhì))。T1: 阻抗線銅厚=基

12、板銅厚W2：阻抗線線面寬度;W1: 阻抗線線底寬度。5.5.2.6 Coated Microstrip阻抗計(jì)算模式同5.5.2.2，僅多一介質(zhì)層（比如一個(gè)4層板,L1層需做阻抗控制,L2層為線路層，L3層為GND/VCC參考層）。5.5.2.7 OffsetStripline阻抗計(jì)算模式同5.5.2.4，僅多兩個(gè)介質(zhì)層(比如一個(gè)8層板，L4層需做阻抗控制,L2,L6 層為GND/VCC參考層，L2,L5為線路層）。5.5.3 常見(jiàn)的差分(動(dòng))阻抗計(jì)算模式：5.5.3.1 Edge-coupled Surface Microstrip 適用范圍：外層阻焊前差動(dòng)阻抗計(jì)算參數(shù)說(shuō)明:H1：外層到VCC

13、/GND間的介質(zhì)厚度W2：阻抗線線面寬度W1: 阻抗線線底寬度S1：差動(dòng)阻抗線間隙Er1: 介質(zhì)層介電常數(shù)T1：線路銅厚=基板銅厚+(孔銅+5)*1.25.5.3.2 Edge-coupled Coated Microstrip適用范圍：外層阻焊后差動(dòng)阻抗計(jì)算參數(shù)說(shuō)明:H1：外層到VCC/GND間的介質(zhì)厚度W2：阻抗線線面寬度 W1: 阻抗線線底寬度S1：差動(dòng)阻抗線間隙 Er1: 介質(zhì)層介電常數(shù)T1：線路銅厚=基板銅厚+(孔銅+5)*1.2CEr: 阻焊介電常數(shù)C1: 基材阻焊厚度C2:線面阻焊厚度 C3:差動(dòng)阻抗線間阻焊厚度5.5.3.3 Edge-coupled Embedded Micr

14、ostrip適用范圍:與外層相鄰的第二個(gè)線路層差動(dòng)阻抗計(jì)算，例如一個(gè)6層板,L1、L2均為線路層,L3為GND或VCC層,則L2層的阻抗用此方式計(jì)算.參數(shù)說(shuō)明:H1:線路層到相鄰VCC/GND間介質(zhì)厚度H2:外層到第二個(gè)線路層間的介質(zhì)厚度+第二個(gè)線路層銅厚W2：阻抗線線面寬度 W1: 阻抗線線底寬度T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚Er1: 介質(zhì)層介電常數(shù)（線路層到相鄰VCC/GND間介質(zhì)）Er2: 介質(zhì)層介電常數(shù)（外層到第二個(gè)線路層間介質(zhì)）S1：差動(dòng)阻抗線間隙5.5.3.4 Edge-coupled Offset stripline適用范圍：兩個(gè)VCC/GND夾一個(gè)線路層之阻抗計(jì)算;參數(shù)說(shuō)明：H1

15、:線路層到較近之VCC/GND間距離H2:線路層到較遠(yuǎn)之VCC/GND間距離+阻抗線路層銅厚Er1:介質(zhì)層介電常數(shù)（線路層到相鄰VCC/GND間介質(zhì)）Er2:介質(zhì)層介電常數(shù)（線路層到較遠(yuǎn)VCC/GND間介質(zhì)）W2：阻抗線線面寬度 W1: 阻抗線線底寬度T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚S1：差動(dòng)阻抗線間隙5.5.3.5 Edge-coupled Offset stripline適用范圍：兩個(gè)VCC/GND夾兩個(gè)線路層之阻抗計(jì)算:例如一個(gè)6層板,L2、L5層為GND/VCC,L3、L4層為線路層需控制阻抗參數(shù)說(shuō)明：H1:線路層1到較近之VCC/GND間距離H2:線路層1到線路層2間距離+線路層1,線路

16、層2銅厚H3:線路層2到較遠(yuǎn)之VCC/GND間距離Er1:介質(zhì)層介電常數(shù)(線路層1到相鄰VCC/GND間介質(zhì)) Er2:介質(zhì)層介電常數(shù)（線路層1到線路層2間介質(zhì)）Er3: 介質(zhì)層介電常數(shù)（線路層2到較遠(yuǎn)VCC/GND間介質(zhì)）W2：阻抗線線面寬度 W1: 阻抗線線底寬度T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚 S1：差動(dòng)阻抗線間隙5.5.3.6 Edge-coupled Offset stripline適用范圍：兩個(gè)VCC/GND夾兩個(gè)線路層之阻抗計(jì)算:例如一個(gè)6層板,L2、L5層為GND/VCC,L3、L4層為線路層需控制阻抗參數(shù)說(shuō)明：H1:線路層1到較近之VCC/GND間距離；H2:線路層1到線路層2間

17、距離+線路層1,線路層2銅厚；H3:線路層2到較遠(yuǎn)之VCC/GND間距離Er1:介質(zhì)層介電常數(shù)(線路層1到相鄰VCC/GND間介質(zhì)) Er2:介質(zhì)層介電常數(shù)（線路層1到線路層2間介質(zhì)）Er3:介質(zhì)層介電常數(shù)（線路層2到較遠(yuǎn)VCC/GND間介質(zhì)）W2:阻抗線線面寬度 W1: 阻抗線線底寬度T1:阻抗線銅厚=基板銅厚 S1：差動(dòng)阻抗線間隙REr:差分阻抗線間填充樹(shù)脂的介電常數(shù)備注：當(dāng)REr=Er2時(shí)，5.5.3.5計(jì)算的阻抗值會(huì)等于5.5.3.6計(jì)算的阻抗值，因此一般情況下不用類似于5.5.3.6模式（含線間填充樹(shù)脂）計(jì)算阻抗值。5.5.3.7 Edge-coupled Coated Micros

18、trip阻抗計(jì)算模式同5.5.3.2，僅多一介質(zhì)層（比如一個(gè)4層板,L1層需做阻抗控制,L2層為線路層，L3層為GND/VCC參考層）。阻抗計(jì)算模式同5.5.3.4，僅多兩個(gè)介質(zhì)層(比如一個(gè)8層板，L4層需做阻抗控制,L2,L6層為GND/VCC參考層，L2,L5為線路層）。5.5.4 常見(jiàn)的共面阻抗計(jì)算模式5.5.4.1 Surface coplanar waveguide適用范圍：外層蝕刻后單線共面阻抗，參考層與阻抗線在同一層面，即阻抗線被周圍GND/VCC包圍，周圍GND/VCC即為參考層面。而次外層（innerlayer 2）為線路層，非GND/VCC（即非參考層）。參數(shù)說(shuō)明：H1：外

19、層到次外層之間的介質(zhì)厚度W2:阻抗線線面寬度W1: 阻抗線線底寬度D1：阻抗線與GND/VCC之間的距離T1：線路銅厚=基板銅厚+(孔銅+5)*1.2Er1：介質(zhì)層介電常數(shù)5.5.4.2 Coated coplanar strips適用范圍：阻焊后單線共面阻抗，參考層與阻抗線在同一層面，即阻抗線被周圍GND/VCC包圍，周圍GND/VCC即為參考層面。而次外層（innerlayer 2）為線路層，非GND/VCC（即非參考層）。參數(shù)說(shuō)明：H1：外層到次外層之間的介質(zhì)厚度W2: 阻抗線線面寬度W1: 阻抗線線底寬度D1：阻抗線與GND/VCC之間的距離T1：線路銅厚=基板銅厚+(孔銅+5)*1.

20、2Er1：介質(zhì)層介電常數(shù)C1：阻抗線與GND之間阻焊厚度C2：線面阻焊厚度CEr：阻焊介電常數(shù)5.5.4.3 Surface coplanar waveguide with ground適用范圍：外層蝕刻后單線共面阻抗，參考層為同一層面的GND/VCC和次外層GND/VCC層。（阻抗線被周圍GND/VCC包圍，周圍GND/VCC即為參考層面）。參數(shù)說(shuō)明：H1：外層到次外層GND/VCC之間的介質(zhì)厚度W2:阻抗線線面寬度W1: 阻抗線線底寬度D1：阻抗線與GND/VCC之間的距離T1：線路銅厚=基板銅厚+(孔銅+5)*1.2Er1：介質(zhì)層介電常數(shù)5.5.4.4 Coated coplanar w

21、aveguide with grond適用范圍：阻焊后單線共面阻抗，參考層為同一層面的GND/VCC和次外層GND/VCC層。（阻抗線被周圍GND/VCC包圍，周圍GND/VCC即為參考層面）。參數(shù)說(shuō)明：H1：外層到次外層GND/VCC之間的介質(zhì)厚度W2: 阻抗線線面寬度W1: 阻抗線線底寬度D1：阻抗線與GND/VCC之間的距離T1：線路銅厚=基板銅厚+(孔銅+5)*1.2Er1：介質(zhì)層介電常數(shù)C1：阻抗線與GND之間阻焊厚度C2：線面阻焊厚度CEr：阻焊介電常數(shù)5.5.4.5 Embedded coplanar waveguide 適用范圍：內(nèi)層單線共面阻抗，參考層為同一層面的GND/VC

22、C（阻抗線被周圍GND/VCC包圍，周圍GND/VCC即為參考層面）。而與其鄰近層為線路層，非GND/VCC。參數(shù)說(shuō)明：H1：阻抗線路層到其下一線路層之間的介質(zhì)厚度H2：阻抗線路層到其上一線路層之間的介質(zhì)厚度W2:阻抗線線面寬度W1: 阻抗線線底寬度D1：阻抗線與GND/VCC之間的距離T1：線路銅厚=基板銅厚Er1：H1對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù)Er2：H2對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù)5.5.4.6 Embedded coplanar waveguide with ground適用范圍：內(nèi)層單線共面阻抗,參考層為同一層面的GND/VCC及與其鄰近GND/VCC層。（阻抗線被周圍GND/VCC包圍，周圍GND/

23、VCC即為參考層面）。參數(shù)說(shuō)明：H1：阻抗線路層到鄰近GND/VCC之間的介質(zhì)厚度H2：阻抗線路層到其上一線路層之間的介質(zhì)厚度W2: 阻抗線線面寬度W1: 阻抗線線底寬度D1：阻抗線與GND/VCC之間的距離T1：線路銅厚=基板銅厚Er1：H1對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù)Er2：H2對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù)5.5.4.7 Offset coplanar waveguide 適用范圍：內(nèi)層單線共面阻抗,參考層為同一層面的GND/VCC及與其鄰近的兩個(gè)GND/VCC層。（阻抗線被周圍GND/VCC包圍，周圍GND/VCC即為參考層面）。參數(shù)說(shuō)明：H1：阻抗線路層到其鄰近GND/VCC層之間的介質(zhì)厚度H2：阻抗線路

24、層到其較遠(yuǎn)GND/VCC層之間的介質(zhì)厚度W2: 阻抗線線面寬度W1: 阻抗線線底寬度D1：阻抗線與GND/VCC之間的距離T1：線路銅厚=基板銅厚Er1：H1對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù)Er2：H2對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù)5.5.4.8 Diff surface coplanar waveguide適用范圍：外層蝕刻后差分共面阻抗，參考層為同一層面的GND/VCC。（阻抗線被周圍GND/VCC包圍，周圍GND/VCC即為參考層面）。而次外層（innerlayer 2）為線路層，非GND/VCC（即非參考層）。參數(shù)說(shuō)明：H1：外層到次外層線路層之間的介質(zhì)厚度W2: 阻抗線線面寬度W1: 阻抗線線底寬度D1：阻抗

25、線與GND/VCC之間的距離S1：差分阻抗線之間的間距T1：線路銅厚=基板銅厚+(孔銅+5)*1.2Er1：介質(zhì)層介電常數(shù)5.5.4.9 Diff coated coplanar waveguide 適用范圍：阻焊后差分共面阻抗，參考層與阻抗線在同一層面，即阻抗線被周圍GND/VCC包圍，周圍GND/VCC即為參考層面。而次外層（innerlayer 2）為線路層，非GND/VCC（即非參考層）。參數(shù)說(shuō)明：H1：外層到次外層之間的介質(zhì)厚度W2:阻抗線線面寬度 W1: 阻抗線線底寬度D1：阻抗線與GND/VCC之間的距離S1：差分阻抗線之間的間距T1：線路銅厚=基板銅厚+(孔銅+5)*1.2Er

26、1：介質(zhì)層介電常數(shù)C1：阻抗線與GND之間阻焊厚度 C2：線面阻焊厚度C3：阻抗線間阻焊厚度 CEr：阻焊介電常數(shù)5.5.4.10 Diff surface coplanar waveguide 適用范圍：蝕刻后差分共面阻抗，參考層為同一層面的GND/VCC和次外層GND/VCC層。（阻抗線被周圍GND/VCC包圍，周圍GND/VCC即為參考層面）。參數(shù)說(shuō)明：H1：外層到次外層之間的介質(zhì)厚度W2: 阻抗線線面寬度W1: 阻抗線線底寬度D1：阻抗線與GND/VCC之間的距離S1：差分阻抗線之間的間距T1：線路銅厚=基板銅厚+(孔銅+5)*1.2Er1：介質(zhì)層介電常數(shù)5.5.4.11 Diff c

27、oated coplanar waveguide 適用范圍：阻焊后差分共面阻抗，參考層為同一層面的GND/VCC和次外層GND/VCC層。（阻抗線被周圍GND/VCC包圍，周圍GND/VCC即為參考層面）。參數(shù)說(shuō)明：H1：外層到次外層之間的介質(zhì)厚度W2: 阻抗線線面寬度W1: 阻抗線線底寬度D1：阻抗線與GND/VCC之間的距離S1：差分阻抗線之間的間距T1：線路銅厚=基板銅厚+(孔銅+5)*1.2Er1：介質(zhì)層介電常數(shù)C1：阻抗線與GND之間阻焊厚度C2：線面阻焊厚度C3：阻抗線間阻焊厚度CEr：阻焊介電常數(shù)5.5.4.12 Diff embedded coplanar waveguide適

28、用范圍：內(nèi)層差動(dòng)共面阻抗，參考層為同一層面的GND/VCC（阻抗線被周圍GND/VCC包圍，周圍GND/VCC即為參考層面）。而與其鄰近層為線路層，非GND/VCC。參數(shù)說(shuō)明：H1：阻抗線路層到其下一線路層之間的介質(zhì)厚度H2：阻抗線路層到其上一線路層之間的介質(zhì)厚度W2:阻抗線線面寬度 W1: 阻抗線線底寬度D1：阻抗線與GND/VCC之間的距離T1：線路銅厚=基板銅厚 S1：差分阻抗線間隙Er1：H1對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù)Er2：H2對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù)5.5.4.13 Diff embedded coplanar waveguide with ground適用范圍：內(nèi)層差分共面阻抗,參考層為同一層

29、面的GND/VCC及與其鄰近GND/VCC層。（阻抗線被周圍GND/VCC包圍，周圍GND/VCC即為參考層面）。參數(shù)說(shuō)明：H1：阻抗線路層到鄰近GND/VCC之間的介質(zhì)厚度H2：阻抗線路層到其上一線路層之間的介質(zhì)厚度W2: 阻抗線線面寬度 W1: 阻抗線線底寬度D1：阻抗線與GND/VCC之間的距離T1：線路銅厚=基板銅厚 S1：差分阻抗線間隙Er1：H1對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù)Er2：H2對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù)5.5.4.14 Diff offset coplanar waveguide適用范圍：內(nèi)層差分共面阻抗,參考層為同一層面的GND/VCC及與其鄰近的兩個(gè)GND/VCC層。（阻抗線被周圍GND

30、/VCC包圍，周圍GND/VCC即為參考層面）。參數(shù)說(shuō)明：H1：阻抗線路層到其鄰近GND/VCC層之間的介質(zhì)厚度H2：阻抗線路層到其較遠(yuǎn)GND/VCC層之間的介質(zhì)厚度W2: 阻抗線線面寬度 W1: 阻抗線線底寬度D1：阻抗線與GND/VCC之間的距離T1：線路銅厚=基板銅厚 S1：差分阻抗線間隙Er1：H1對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù)Er2：H2對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù)5.6 阻抗測(cè)試COUPON的設(shè)計(jì)：5.6.1 COUPON添加位置：阻抗測(cè)試COUPON一般放置于PNL中間，不允許放置于PNL板邊，特殊情況（比如1PNL=1PCS）除外。5.6.2 COUPON設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)：為保證阻抗測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，C

31、OUPON設(shè)計(jì)必須完全模擬板內(nèi)線路的形式，若板內(nèi)阻抗線周圍被銅皮保護(hù)，則COUPON上需設(shè)計(jì)銅皮替代保護(hù)線；若板內(nèi)阻抗線為“蛇形”走線，則COUPON上也需設(shè)計(jì)為“蛇形”走線(蛇形走線拐角處應(yīng)為圓孔，不可為斜角)。5.6.3 阻抗測(cè)試COUPON設(shè)計(jì)規(guī)范：5.6.3.1 單端(線)阻抗：5.6.3.1.a 測(cè)試COUPON主要參數(shù)：A：測(cè)試孔直徑1.10MM（2X/COUPON），此為測(cè)試儀探頭大?。籅：兩測(cè)試孔間距為：3.59MM；C：測(cè)試定位孔：統(tǒng)一按2.0MM制作（2個(gè)/COUPON），鑼板定位用；5.6.3.1.b 圖形注解：5.6.3.1.c 設(shè)計(jì)COUPON注意事項(xiàng)：5.6.3.1

32、.c.1 保護(hù)線與阻抗線之間距需大于阻抗線寬。5.6.3.1.c.2 阻抗線長(zhǎng)度一般設(shè)計(jì)在6-12INCH范圍內(nèi)。5.6.3.1.c.3相鄰信號(hào)層之最近GND或POWER層為阻抗測(cè)量之接地參考層。5.6.3.1.c.4兩GND及POWER之間所加信號(hào)線的保護(hù)線不可遮蔽到GND及POWER層之間任一層信號(hào)線。5.6.3.1.c.5為保證鍍銅的均勻性，需在外層空板位加搶電PAD或銅皮。5.6.3.2 差分（動(dòng)）阻抗：5.6.3.2.a 測(cè)試COUPON主要參數(shù)：A：測(cè)試孔直徑0.65MM（4X/COUPON），其中兩個(gè)為信號(hào)孔，另外兩個(gè)為接地孔，均為測(cè)試儀探頭大??；B：測(cè)試定位孔：統(tǒng)一按2.0MM

33、制作（23個(gè)/COUPON），鑼板定位用； C：兩信號(hào)孔間距為：5.08MM，兩接地孔間距為：10.16MM。5.6.3.2.b 圖形注解：5.6.3.2.c 設(shè)計(jì)COUPON注意事項(xiàng)：5.6.3.2.c.1 保護(hù)線與阻抗線之間距需大于阻抗線寬。5.6.3.2.c.2 阻抗線長(zhǎng)度一般設(shè)計(jì)在6-12INCH范圍內(nèi)。5.6.3.2.c.3 相鄰信號(hào)層之最近GND或POWER層為阻抗測(cè)量之接地參考層。5.6.3.2.c.4 兩GND及POWER之間所加信號(hào)線的保護(hù)線不可遮蔽到GND及POWER層之間任一層信號(hào)線。5.6.3.2.c.5 兩信號(hào)孔引出差分阻抗線，兩接地孔在參考層需同時(shí)接地。5.6.3.

34、2.c.6 為保證鍍銅的均勻性，需在外層空板位加搶電PAD或銅皮。5.6.3.3 共面阻抗:5.6.3.3.a 單端共面阻抗:5.6.3.3.a.1 測(cè)試COUPON主要參數(shù)：同單端阻抗。5.6.3.3.a.2 單端共面阻抗的類型：5.6.3.3.a.2.1 參考層與阻抗線在同一層面，即阻抗線被周圍GND/VCC包圍，周圍GND/VCC即為參考層面。而與信號(hào)層臨近的層面非GND/VCC（即非參考層）。POLAR軟件計(jì)算模式見(jiàn)5.5.4.1；5.5.4.2； 5.5.4.5 。5.6.3.3.a.2.1.1設(shè)計(jì)COUPON注意事項(xiàng)：5.6.3.3.a.2.1.1.1 阻抗線與保護(hù)銅皮之間距需與G

35、ERBER中一致。5.6.3.3.a.2.1.1.2 阻抗線長(zhǎng)度一般設(shè)計(jì)在6-12INCH范圍內(nèi)。5.6.3.3.a.2.1.1.3 阻抗線與其參考層面在同一層，參考層面為周圍大銅皮。5.6.3.3.a.2.1.1.4為保證鍍銅的均勻性，需在外層空板位加搶電PAD或銅皮。5.6.3.3.a.2.1.1.5 接地孔在信號(hào)線的同一層面與GND相連。5.6.3.3.a.2.1.2 圖形注釋(參考層與阻抗線在同一層面，即阻抗線被周圍GND/VCC包圍，周圍GND/VCC即為參考層)：5.6.3.3.a.2.2 參考層為同一層面的GND/VCC和與信號(hào)層臨近的GND/VCC層。（阻抗線被周圍GND/VC

36、C包圍，周圍GND/VCC即為參考層）。POLAR軟件計(jì)算模式見(jiàn)5.5.4.4。 5.6.3.3.a.2.2.1 設(shè)計(jì)COUPON注意事項(xiàng)： 5.6.3.3.a.2.2.1.1 阻抗線與保護(hù)銅皮之間距需與GERBER中一致。5.6.3.3.a.2.2.1.2 阻抗線長(zhǎng)度一般設(shè)計(jì)在6-12INCH范圍內(nèi)。5.6.3.3.a.2.2.1.3 參考層為同一層面GND/VCC和與信號(hào)層鄰近的GND/VCC層。5.6.3.3.a.2.2.1.4接地孔在信號(hào)線的同一層面與GND相連，且在與信號(hào)層鄰近的GND/VCC層接地。5.6.3.3.a.2.2.1.5 為保證鍍銅均勻性，需在外層空板位加搶電PAD或銅

37、皮。5.6.3.3.a.2.2.2 參考層為同一層面的GND/VCC和與信號(hào)層臨近的GND/VCC層。（阻抗線被周圍GND/VCC包圍，周圍GND/VCC和與信號(hào)層臨近的GND/VCC為參考層）。5.6.3.3.b 差分共面阻抗：5.6.3.3.b.1 測(cè)試COUPON主要參數(shù)：同差分阻抗。5.6.3.3.b.2 差分共面阻抗類型：5.6.3.3.b.2.1 參考層與阻抗線在同一層面，即阻抗線被周圍GND/VCC包圍，周圍GND/VCC即為參考層面。而與信號(hào)層臨近的層面非GND/VCC（即非參考層）。POLAR軟件計(jì)算模式見(jiàn)5.5.4.8 ；5.5.4.9 ；5.5.4.12 。5.6.3.3

38、.b.2.1.1 圖形注解：參考層為同一層面的GND/VCC和與信號(hào)層鄰近的GND/VCC層。（阻抗線被周圍GND/VCC包圍，周圍GND/VCC即為參考層面）。5.6.3.3.b.2.1.2 設(shè)計(jì)COUPON注意事項(xiàng)：5.6.3.3.b.2.1.2.1 阻抗線與保護(hù)銅皮之間距需與GERBER中一致。5.6.3.3.b.2.1.2.2 阻抗線長(zhǎng)度一般設(shè)計(jì)在6-12INCH范圍內(nèi)。5.6.3.3.b.2.1.2.3 參考層為同一層面的GND/VCC，即參考層為周圍大銅皮。5.6.3.3.b.2.1.2.4需在外層空板位加搶電PAD或銅皮，以保證電鍍勻性。5.6.3.3.b.2.1.2.5 接地孔在信號(hào)線的同一層面與GND相連。5.6.3.3.b.2.2 參考層為同一層面的GND/VCC和與信號(hào)層鄰近的GND/VCC層。（阻抗線被同一層面的GND/VCC和與信號(hào)層鄰近的GND/VCC包圍）。POLAR軟件計(jì)算模式見(jiàn)：5.5.4.10，5.5.4.11。5.6.3.3.b.2.2.1圖形注解：參考層為同一層面的GND/VCC和與信號(hào)層鄰近的GND/VCC層。（阻抗線被同一層面的GND/VCC和與信號(hào)層鄰近的GND/VCC包圍）。5.6.3.3.b.2.2.2設(shè)計(jì)COUPON注意事項(xiàng)：5.6.3.3.b.2.2.2.1 阻抗線與保護(hù)銅皮之間距需與GE