離子晶體_選修3課件.

1、干冰干冰水水晶晶明礬明礬雪花雪花氯氯化化鈉鈉金剛石金剛石常見常見知識(shí)回顧：離子鍵思考思考u 哪些物質(zhì)中含有離子鍵？哪些物質(zhì)中含有離子鍵？1、活潑的、活潑的金屬元素金屬元素（IA、IIA）和活潑的）和活潑的非金非金屬元素屬元素（VIA、VIIA）形成的化合物。）形成的化合物。 2、活潑的、活潑的金屬元素金屬元素和和酸根離子（或氫氧根離子）酸根離子（或氫氧根離子）形成的化合物形成的化合物 3、銨根銨根和和酸根酸根離子（或活潑離子（或活潑非金屬元素離子非金屬元素離子）形成的鹽。形成的鹽。 4、從物質(zhì)類別的角度來說，離子化合物通常包、從物質(zhì)類別的角度來說，離子化合物通常包括括_、_和和_。5.常見的離

2、子化合物常見的離子化合物6、離子鍵的特征 沒有方向性： 陰陽離子是球形對(duì)稱的，電荷的分布也是球形對(duì)稱的，它們?cè)诳臻g各個(gè)方向上的靜電作用相同，都可以和帶不同電荷的離子發(fā)生作用 沒有飽和性： 在靜電作用能達(dá)到的范圍內(nèi)，只要空間條件允許，一個(gè)離子可以多個(gè)離子發(fā)生作用一、離子晶體一、離子晶體(2) 硬度硬度 。5. 離子晶體物理性質(zhì)的特點(diǎn)離子晶體物理性質(zhì)的特點(diǎn)：(1) 熔沸點(diǎn)熔沸點(diǎn) , 難揮發(fā)難壓縮。難揮發(fā)難壓縮。較高較高較大較大(3) 水溶性水溶性(4) 導(dǎo)電性導(dǎo)電性 離子電荷越多離子電荷越多,核間距離越小核間距離越小,熔沸點(diǎn)越高。熔沸點(diǎn)越高。一般易溶于水一般易溶于水,而難溶于非極性溶劑。而難溶于非

3、極性溶劑。固態(tài)不導(dǎo)電固態(tài)不導(dǎo)電,水溶液或者熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電。水溶液或者熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電。1、NaCl晶體中陰、陽離子配位數(shù)晶體中陰、陽離子配位數(shù)（1）每個(gè)晶胞含鈉離子、）每個(gè)晶胞含鈉離子、氯離子的個(gè)數(shù)？氯離子的個(gè)數(shù)？Na+銫離子銫離子 氯離子氯離子 氯化銫晶體中氯化銫晶體中氯離子和銫離氯離子和銫離子分別處于晶子分別處于晶胞的什么位置？胞的什么位置？氯離子位于頂點(diǎn)，氯離子位于頂點(diǎn)，銫離子位于體心。銫離子位于體心。2、氯化銫晶體、氯化銫晶體 CsClCsCl晶體中離子的配位數(shù)晶體中離子的配位數(shù)（1 1）每個(gè)晶胞含銫離子、）每個(gè)晶胞含銫離子、氯離子的個(gè)數(shù)？氯離子的個(gè)數(shù)？8立方體立方體8立方體立方體3

4、 3、CaFCaF2 2型晶胞型晶胞2 2CaCa2+2+的配位數(shù)：的配位數(shù)：F F- -的配位數(shù)：的配位數(shù)：1 1一個(gè)一個(gè)CaFCaF2 2晶胞中含：晶胞中含： 個(gè)個(gè)Ca2+和和 個(gè)個(gè)F84484 4、ZnSZnS型晶胞型晶胞2陽離子的配位數(shù)：陽離子的配位數(shù)： 陰離子的配位數(shù)：陰離子的配位數(shù)：1一個(gè)一個(gè)ZnS晶胞中含：晶胞中含： 個(gè)陽離子和個(gè)陽離子和 個(gè)陰離子個(gè)陰離子4444科學(xué)探究：科學(xué)探究： 找出找出NaCl、CsCl兩種離子晶體中陽離子和兩種離子晶體中陽離子和陰離子的配位數(shù)，它們是否相等？陰離子的配位數(shù)，它們是否相等？離子晶體離子晶體陰離子的配位數(shù)陰離子的配位數(shù)陽離子的配位數(shù)陽離子的配

5、位數(shù)NaClNaClCsClCsCl6 66 68 88 8科學(xué)探究：科學(xué)探究： 你認(rèn)為是什么因素決定了離子晶體中離子你認(rèn)為是什么因素決定了離子晶體中離子的配位數(shù)？根據(jù)表的配位數(shù)？根據(jù)表3 35 5、表、表3 36 6分析影響分析影響離子晶體中離子配位數(shù)的因素。離子晶體中離子配位數(shù)的因素。配位數(shù)配位數(shù)4 46 68 8半徑比半徑比0.20.2 0.40.40.40.4 0.70.70.70.7 1.01.0空間構(gòu)型空間構(gòu)型四面體四面體八面體八面體立方體立方體例子例子ZnSZnSNaClNaClCsClCsCl1 1、幾何因素、幾何因素配位數(shù)與配位數(shù)與 r +/ rr +/ r 之比相關(guān)：之比相

6、關(guān)：0.225 0.414 4 配位配位 0.414 0.732 6 配位配位0.732 1.000 8 配位配位NaCl:95/181=0.525 CsCl:169/181=0.933晶體中正負(fù)離子的半徑比晶體中正負(fù)離子的半徑比三、決定離子晶體結(jié)構(gòu)的因素三、決定離子晶體結(jié)構(gòu)的因素2 2、電荷因素、電荷因素CaF2的晶胞的晶胞例：例：CaF2的晶體中，的晶體中，Ca2和和F的個(gè)數(shù)之比的個(gè)數(shù)之比_，電，電荷數(shù)之比荷數(shù)之比_，Ca2配位配位數(shù)是數(shù)是_，F(xiàn)的配位數(shù)是的配位數(shù)是_。由由正負(fù)離子的電荷比正負(fù)離子的電荷比影響影響離子晶體的配位數(shù)的因素，離子晶體的配位數(shù)的因素，稱為電荷因素稱為電荷因素。1:

7、22:184NaClCsCl熔點(diǎn)熔點(diǎn)沸點(diǎn)沸點(diǎn) 801 645 1413 1290 為什么為什么NaCl的熔沸點(diǎn)比的熔沸點(diǎn)比CsCl高？高？結(jié)論: 對(duì)于組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，對(duì)于組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，陰、陽離子半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，陰、陽離子半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)較高，晶體越穩(wěn)定。熔沸點(diǎn)較高，晶體越穩(wěn)定。 離子鍵的強(qiáng)弱在一定程度上可以離子鍵的強(qiáng)弱在一定程度上可以用離子晶體的晶格能來衡量。用離子晶體的晶格能來衡量。 1.1.概念：概念：氣態(tài)離子形成氣態(tài)離子形成1mol1mol離子晶體釋離子晶體釋放的能量，通常取正值?；蚍诺哪芰浚ǔＨ≌?。或指拆開指拆開1mol1mol離子晶離子晶體使之形成

8、氣態(tài)陰離子和氣態(tài)陽離子所吸收的能量體使之形成氣態(tài)陰離子和氣態(tài)陽離子所吸收的能量四、離子晶體的晶格能四、離子晶體的晶格能 2 2、影響晶格能大小因素、影響晶格能大小因素離子晶體中陰陽離子半徑越小，所帶電荷越多，離子晶體中陰陽離子半徑越小，所帶電荷越多，離子鍵越強(qiáng)，晶格能越大離子鍵越強(qiáng)，晶格能越大3、 晶格能的作用：晶格能的作用： 晶格能越大，離子晶體越穩(wěn)定，離子晶體晶格能越大，離子晶體越穩(wěn)定，離子晶體的熔沸點(diǎn)越高，硬度越大的熔沸點(diǎn)越高，硬度越大。練習(xí) 1 1、下表列出了有關(guān)晶體的知識(shí)，其中錯(cuò)誤的是（）、下表列出了有關(guān)晶體的知識(shí)，其中錯(cuò)誤的是（）2 2、下列物質(zhì)的晶體，按其熔點(diǎn)由低到高的排列順序正

9、確的是、下列物質(zhì)的晶體，按其熔點(diǎn)由低到高的排列順序正確的是（）（） A AN NC C、S SO O2 2、COCO2 2B BN NC C、COCO2 2、S SO O2 2 C CN NC C、M MO O、S SO O2 2 D DN NC C、S SO O2 2、M MO OA AB BC CD D晶體晶體硫化鉀硫化鉀干冰干冰金剛石金剛石碘碘組成晶體的微粒組成晶體的微粒陰陽離子陰陽離子分子分子原子原子分子分子晶體微粒間存在的作用力晶體微粒間存在的作用力離子鍵離子鍵共價(jià)鍵共價(jià)鍵共價(jià)鍵共價(jià)鍵范德華力范德華力BC3.下列物質(zhì)中，化學(xué)式能準(zhǔn)確表示該物質(zhì)分子組成的是A.NH4Cl B.SiO2 C.P4 D.Na2SO4問題反思化學(xué)式能否表示分子，關(guān)鍵能判斷該物質(zhì)是否分子