第十章靜電場中的導(dǎo)體和電介質(zhì)

1、第十章 靜電場中的導(dǎo)體和電介質(zhì) 在上一章中，我們討論了真空中的靜電場。實際上，在靜電場中總有導(dǎo)體或電介質(zhì)存在，而且在靜電的應(yīng)用中也都要涉及導(dǎo)體和電介質(zhì)的影響，因此，本章主要討論靜電場中的導(dǎo)體和電介質(zhì)。本章所討論的問題，不僅在理論上有重大意義，使我們對靜電場的認識更加深入，而且在應(yīng)用上也有重大作用。§10-1 靜電場中的導(dǎo)體一、靜電平衡條件1、導(dǎo)體與電介質(zhì)的區(qū)別：（1）宏觀上，它們的電導(dǎo)率數(shù)量級相差很大（相差10多個數(shù)量級，而不同導(dǎo)體間電導(dǎo)率數(shù)量級最多就相差幾個數(shù)量級）。（2）微觀上導(dǎo)體內(nèi)部存在大量的自由電子，在外電場下會發(fā)生定向移動，產(chǎn)生宏觀上的電流而電介質(zhì)內(nèi)部的電子處于束縛狀態(tài)，在

2、外場下不會發(fā)生定向移動（電介質(zhì)被擊穿除外）。2、導(dǎo)體的靜電平衡條件（1）導(dǎo)體內(nèi)部任何一點處的電場強度為零；（2）導(dǎo)體表面處的電場強度的方向,都與導(dǎo)體表面垂直.導(dǎo)體處于靜電平衡狀態(tài)的必要條件:（當(dāng)導(dǎo)體處于靜電平衡狀態(tài)時，導(dǎo)體內(nèi)部不再有自由電子定向移動，導(dǎo)體內(nèi)電荷宏觀分布不再隨時間變化，自然其內(nèi)部電場（指外場與感應(yīng)電荷產(chǎn)生的電場相疊加的總電場）必為0。 二、靜電平衡時導(dǎo)體上的電荷分布1、導(dǎo)體內(nèi)部沒有凈電荷，電荷（包括感應(yīng)電荷和導(dǎo)體本身帶的電荷）只分布在導(dǎo)體表面。這個可以由高斯定理推得：，S是導(dǎo)體內(nèi)“緊貼”表面的高斯面，所以。2、導(dǎo)體是等勢體，導(dǎo)體表面是等勢面。顯然，a,b為導(dǎo)體內(nèi)或?qū)w表面的任意兩

3、點，只需將積分路徑取在導(dǎo)體內(nèi)部即可。3、導(dǎo)體表面以處附近空間的場強為：，為鄰近場點的導(dǎo)體表面面元處的電荷密度，為該面元的處法向。簡單的證明下：以導(dǎo)體表面面元為中截面作一穿過導(dǎo)體的高斯柱面，柱面的處底面過場點，下底面處于導(dǎo)體內(nèi)部。由高斯定理可得：，,分別為高斯柱面的上、下底面。因為導(dǎo)體表面為等勢面所以，所以而=0所以，即（沿導(dǎo)體表面面元處法線方向，沿導(dǎo)體表面面元處法線指向?qū)w內(nèi)部）。4、導(dǎo)體表面的靜電壓強：證明：任取導(dǎo)體表面的一個電荷元，設(shè)除去該電荷元外其它場源（包括外場源、導(dǎo)體表面的其它電荷元）在該電荷元處產(chǎn)生的電場為；由高斯定理可算出電荷元在導(dǎo)體表面外鄰近點的電場強度。而，所以，電荷元受到的

4、靜電力，所以。 導(dǎo)體所受靜電力由給出（s是導(dǎo)體表面）。三、靜電屏蔽在靜電場中，因?qū)w的存在是某些特定的區(qū)域不受電場影響的現(xiàn)象稱之為靜電屏蔽。1、 屏蔽外電場空腔導(dǎo)體可以屏蔽外電場, 使空腔內(nèi)物體不受外電場影響.這時,整個空腔導(dǎo)體和腔內(nèi)的電勢也必處處相等.假設(shè)腔內(nèi)有電場線，由（1）可知電場線不能貫穿于導(dǎo)體內(nèi)表面之間，又由于腔內(nèi)無電荷所以電場線不能以腔內(nèi)某點為終點或起點，這樣電場線只能在腔內(nèi)形成閉合曲線這與靜電場線的性質(zhì)不符合，所以腔內(nèi)必?zé)o電場，自然空腔成為等勢區(qū)，與導(dǎo)體電勢相等。2、屏蔽腔內(nèi)電場接地空腔導(dǎo)體將使外部空間不受空腔內(nèi)的電場影響.§10-2 靜電場中的電介質(zhì)一、電介質(zhì)對電場的

5、影響 相對電容率實驗測得兩板間電介質(zhì)中的電場強度僅是兩板間為真空時電場強度的倍(此處是大于1的純數(shù))，即 叫做電介質(zhì)的相對電容率。二、電介質(zhì)的極化 構(gòu)成電介質(zhì)的分子分為兩種：（1）無極分子，電荷中心重合 （2）有極分子，電荷中心不重所謂電介質(zhì)的極化是指在外電場作用下電介質(zhì)出現(xiàn)極化電荷的現(xiàn)象。對于各向同性的均勻電介質(zhì)而言，極化時其體內(nèi)無未被抵消的凈極化電荷，極化電荷只分布在它的表面上。對于各向異性的非均勻電介質(zhì)而言，一般說來，極化時其體內(nèi)有未被抵消的極化電荷，其表面上也分布有極化電荷。1、電介質(zhì)極化的微觀機制按電介質(zhì)分子的電結(jié)構(gòu)分類：無極分子電介質(zhì)和有極分子電介質(zhì)兩類，它們極化的微觀機制是：無極

6、分子電介質(zhì)：在無外場作用時，分子的正、負電荷的中心是重合的。在外電場作用下，分子的正、負電荷中心錯開，形成電偶極子，這種分子的極化機制是位移極化。有極分子電介質(zhì)：在無外場作用時，分子的正、負電荷的中心亦不重合，即分子具有固有電矩，但由于分子的無規(guī)則熱運動，分子的固有電矩取向雜亂無章，在介質(zhì)內(nèi)的任一體積中所有分子的固有電矩的矢量和為零。在外電場作用下，有極分子受到力矩分子×。作用使分子電矩分子方向轉(zhuǎn)向外電場0方向。外電場愈強，分子電矩轉(zhuǎn)向排列愈整齊。這種極化機制是取向極化。無論是無極分子電介質(zhì)或有極分子電介質(zhì)極化后，極化電荷在介質(zhì)內(nèi)所產(chǎn)生的場強總是削弱介質(zhì)內(nèi)的場強。2、極化強度(1)

7、極化強度的定義在電介質(zhì)中，單位體積內(nèi)分子電矩的矢量和稱為極化強度，即極化強度是在宏觀上用來描述電介質(zhì)極化狀態(tài)的物理量，亦描述電介質(zhì)的極化程度（強度）和極化方向。在靜電場中，一般說來，e是空間坐標的函數(shù)。如果在電介質(zhì)內(nèi)各點的e大小相等和方向相同，亦e =常矢，則電介質(zhì)的極化是均勻的，否則極化是非均勻的。(2) 極化強度與極化電荷的關(guān)系上式表明：介質(zhì)表面某處的極化電荷面密度等于該處極化強度e沿介質(zhì)表面外法線方向上的分量。當(dāng)e與介質(zhì)表面外法線方向的單位矢量的夾角為銳角的地方， >0，為正的極化電荷；當(dāng)為鈍角的地方，<0，為負的極化電荷。極化強度的通量公式：即介質(zhì)內(nèi)通過任一閉合曲面的極化強

8、度的通量等于該閉合曲面所包圍的極化電荷的代數(shù)和的負值。上式表明，極化強度的源是極化電荷，因電矩的方向總是從負電荷指向正電荷，所以e的源頭必須是負極化電荷，它的尾閭必是正極化電荷。在各向同性的均勻電介質(zhì)中，上式變?yōu)椋罕硎緲O化電荷只可能出現(xiàn)在各向同性的均勻電質(zhì)表面。 (3) 電介質(zhì)的極化規(guī)律對于各向同性的電介質(zhì)有：式中x是電介質(zhì)的極化率，由介質(zhì)的性質(zhì)決定。應(yīng)指出：上式在外電場0較小時，只對各向同性的電介質(zhì)成立。所謂各向同性的電介質(zhì)是電介質(zhì)的電性質(zhì)不隨量度的方向而變化。在這里是指電介質(zhì)的x（或）值不隨量度的方向而變化。也就是說，當(dāng)外電場沿不同方向作用時，電介質(zhì)的極化情況相同，亦極化程度相同，極化方向

9、（e的方向）均沿外電場方向。上式對各向異性的電介質(zhì)不成立，e既不與成正比，且e的方向也不與的方向相同。在普通物理學(xué)中，主要討論各向同性的均勻電介質(zhì)。另外，上式中的場強必須是所求極化強度處的總場強。二、電介質(zhì)中的電場強度 極化電荷與自由電荷的關(guān)系1、電介質(zhì)中的電場強度由場強的迭加原理：介質(zhì)內(nèi)任一點的場強是外電場在該點的場強0（由自由電荷產(chǎn)生）和極化電荷在該點產(chǎn)生的場強的矢量和。即：=0+2、極化電荷：介質(zhì)中，取向與外電場一致的分子電偶極子穿出面s的電荷總和就是面S上的極化電荷。3、極化強度與極化電荷分布的關(guān)系：設(shè)介質(zhì)里的任一面元，設(shè)分子的電偶極距,以為底，為斜高作一圓柱體，圓柱體體積記為dV，設(shè)

10、dV內(nèi)取向與外電場一致的分子電偶矩數(shù)量為N，顯然在圓柱體內(nèi)的分子電偶矩都穿出面元又，所以就是穿過面元的極化電量。在介質(zhì)里任取一閉合曲面S，則穿出S的極化電量,由電荷守恒（原來電介質(zhì)是呈電中性）可知面內(nèi)有等值異號的極化電荷。§10-3 電位移 有電介質(zhì)時的高斯定理- - - - - - + + + + + + + + + + +- - - - - - - - - - -如圖所示，取一閉合的正柱面作為高斯面，高斯面的兩端面與極板平行，其中一個端面在電介質(zhì)內(nèi)，端面的面積為。設(shè)極板上的自由電荷面密度為，電介質(zhì)表面上的極化電荷為。對此高斯面來說，由高斯定理，有將代入上式，得令其中為電介質(zhì)的電容

11、率。那么式可寫成式中稱作電位移，而則是通過任意閉合曲面S的電位移通量。電位移的單位為。 因此，有電介質(zhì)時的高斯定理可敘述為：在靜電場中，通過任意閉合曲面的電位移通量等于該閉合曲面內(nèi)所包圍的自由電荷的代數(shù)和，其數(shù)學(xué)表達式為應(yīng)指出：(1) 電介質(zhì)中的高斯定理是電磁學(xué)中的基本定理之一。它對于任何電介質(zhì)，對于無論是靜電場，還是變化的電場亦適用，是麥克斯韋方程組的四個方程之一。(2) 在有介質(zhì)時的高斯定理中， 并不表示電位移 本身與極化電荷無關(guān)。 事實上，=0+e，而和e均與極化電荷有關(guān)，因此，應(yīng)與極化電荷有關(guān)。就是在各向同性的電介質(zhì)中，=中的因子和（是由自由電荷和極化電荷共同決定的）已把極化電荷的影響

12、考慮進去了。(3) 在利用介質(zhì)中的高斯定理求電介質(zhì)中的場強時，可使其計算大為簡化。但只有自由電荷分布具有一定的對稱性，且各向同性的均勻電介質(zhì)充滿電場所在空間，或各向同性的均勻介質(zhì)表面是等勢面時，則無需知道極化電荷的多少，方可用高斯定理求出，然后利用=求出場強。其原因在于只有電介質(zhì)各向同性的，在電介質(zhì)中才有=的關(guān)系；只有自由電荷分布具有一定的對稱性，才有0的分布具有一定的對稱性；只有均勻電介質(zhì)充滿電場所在的空間或介質(zhì)的表面是等勢面時，才有極化電荷分布具有一定的對稱性，即分布也具有一定的對稱性。從而才能保證=0+和=都具有一定對稱性。這樣方有可能使D從積分號內(nèi)提出來，進而才能利用高斯定理和=求場強

13、。§10-4 電容電容是表征導(dǎo)體由于帶電而引起本身電勢改變的物理量。導(dǎo)體可容納電荷，利用導(dǎo)體的這一性質(zhì)制成的電容器是電子技術(shù)中最基本的元件之一。本節(jié)主要介紹幾種電容器及其計算。一、電容1、孤立導(dǎo)體的電容在真空中設(shè)有一半徑為R的孤立的球形導(dǎo)體，它的電量為q，那么它的電勢為（取無限遠處電勢=0）對于給定的導(dǎo)體球，R一定，當(dāng)增大時，U也變大，變小時，U則變小，而比值卻不變，此結(jié)論雖然是對球形孤立導(dǎo)體而言的，但對一定形狀的其它導(dǎo)體也是如此，比值僅與導(dǎo)體大小和形狀等有關(guān)，稱為孤立導(dǎo)體電容，用C表示，記作：對于孤立導(dǎo)體球，其電容為。對給定的孤立導(dǎo)體，其電容是一個恒量，只與導(dǎo)體的形狀和尺寸有關(guān)，而

14、與、U無關(guān)，即與電量的存在與否無關(guān)。在SI制中，電容的單位為：法拉，符號為F，1F=1C/1V。孤立導(dǎo)體的電容都很小，如把地球看作是一個導(dǎo)體球，它的電容可以計算出來，約為7×10-4F，所以在實際應(yīng)用中F太大，常用或，他們之間換算關(guān)系為。2、電容器及其電容實際上，絕對孤立的導(dǎo)體是不存在的，一個帶電導(dǎo)體附近總會有其它導(dǎo)體，當(dāng)有其它導(dǎo)體存在時，則必然因靜電感應(yīng)而改變原來的電場分布，當(dāng)然會影響導(dǎo)體電容。為了使導(dǎo)體的電容不受其它導(dǎo)體影響，可以設(shè)計一個導(dǎo)體組合，形成一種器件，如在金屬殼B中放置另一導(dǎo)體A構(gòu)成一導(dǎo)體組，根據(jù)靜電屏蔽原理，那么，分布在殼外的電荷不會影響殼內(nèi)空間的狀態(tài)。所以，我們將兩

15、個帶有等值而異號電荷的導(dǎo)體所組成的帶電系統(tǒng)稱為電容器。電容器可以儲存電荷，以后將看到電容器也可以儲存能量。下面我們具體討論電容器的電容。 如圖所示，兩個導(dǎo)體A、B放在真空中，它們所帶的電量分別為+q，-q，如果A、B電勢分別為、，那么A、B電勢差為，電容器的電容定義為： 電容器的概念由式可知，如將B移至無限遠處，=0，式就變?yōu)楣铝?dǎo)體的電容，所以，孤立導(dǎo)體的電勢相當(dāng)于孤立導(dǎo)體與無限遠處導(dǎo)體之間的電勢差。所以，孤立導(dǎo)體電容是B放在無限遠處時電容的特例。導(dǎo)體A、B常稱電容器的兩個電極。通常實用的電容器是由兩個距離很近的導(dǎo)體板構(gòu)成（如平板電容器），或是把電容器的一個極板做成一個導(dǎo)體空腔，另一個極板放

16、在空腔之內(nèi)形成屏蔽（如圓柱形電容器，和球形電容器），這樣做可以使電容器的電容較大而且不容易受到外電場的影響。在實際問題中，對電容器的屏蔽要求并不那么嚴密，只要兩片導(dǎo)體（即極板）相距很近，電荷將集中分布在兩極板的相對表面上，電場集中分布在兩表面之間的狹窄空間里，外界干擾對兩極板間的電勢差的影響可以忽略不計，類似這樣的裝置都可看成電容器。二、電容器電容的計算1、平行板電容器的電容設(shè)A、B二極板平行，面積均為S，相距為d，電量為+q，-q，極板線度比d大得多，且不計邊緣效應(yīng)，所以兩極板A、B間接近于為均勻電場。當(dāng)電容器內(nèi)部為真空或空氣時，由高斯定理知，A、B間場強大小為式中，A、B兩極板的電勢差為由

17、電容器電容的定義式得即平行板電容器的電容為 2、球形電容器的電容設(shè)二均勻帶電同心球面A、B，半徑分別為、，設(shè)分別帶有電荷+q，-q，如圖1所示。則A、B間任一點場強大小為A、B間的電勢差為所以，球形電容器的電容為對于上式進行討論如下：（1）當(dāng)時，有，令，則上式即平行板電容器結(jié)果。（2）當(dāng)趨于無限大，趨于零，則有此即為孤立球形導(dǎo)體電容的公式。圖2圖13、圓柱形電容器的電容圓柱形電容器是兩個同軸柱面極板構(gòu)成的，且圓柱體的長度比半徑大得多，如圖2所示。設(shè)A、B半徑分別為、，所帶電荷分別為+q，-q，不考慮邊緣效應(yīng)，電荷均勻分布在內(nèi)外兩圓柱面上，則單位長柱面帶電量。因為,所以可將兩圓柱面間的電場看成是

18、無限長圓柱面的電場，由高斯定理得A、B間任一點P處場強的大小為A、B間的電勢差為 根據(jù)電容器電容的定義式得圓柱形電容器的電容為從以上計算可以知道，在計算電容器時主要是計算兩極間的電勢差。以上討論的是幾種典型電容器的電容，實際上任何導(dǎo)體間都存在著電容，如導(dǎo)線與導(dǎo)線間、元件與元件間、元件與金屬外殼間等，都存在著電容，這些電容在電工和電子技術(shù)中通常叫分布電容。分布電容比較小，且不易計算，一般情況下可忽略不計，但在安裝電子設(shè)備時，尤其是在高頻電路中，必須考慮分布電容的影響。三、電容器的并聯(lián)和串聯(lián)1、電容器的并聯(lián)設(shè)n個電容并聯(lián)起來，其電容與極板電量分別為、,加在電容的兩端電壓為（i=1,2n）?，F(xiàn)計算其等效電容C。因為各電容并聯(lián)所以等效電容兩端的電壓為，此時等效電容的帶電量為，所以2、電容器的串聯(lián)現(xiàn)將這n