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1、 最新模電復(fù)習(xí)要點詳解 第一章 半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識1.半導(dǎo)體-導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。2.特性-光敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導(dǎo)體-純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。 4. 兩種載流子 -帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。 5.雜質(zhì)半導(dǎo)體-在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。 *P型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價元素(多子是空穴,少子是電子)。 *N型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價元素(多子是電子,少子是空穴)。6. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性 *載流子的濃度-多子濃度決定于雜質(zhì)濃度,少子濃度與溫度有
2、關(guān)。 *體電阻-通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。 *轉(zhuǎn)型-通過改變摻雜濃度,一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。7. PN結(jié) * PN結(jié)的接觸電位差-硅材料約為0.60.8V,鍺材料約為0.20.3V。 * PN結(jié)的單向?qū)щ娦?正偏導(dǎo)通,反偏截止。 8. PN結(jié)的伏安特性二. 半導(dǎo)體二極管 *單向?qū)щ娦?正向?qū)?,反向截止?*二極管伏安特性-同結(jié)。 *正向?qū)▔航?硅管0.60.7V,鍺管0.20.3V。 *死區(qū)電壓-硅管0.5V,鍺管0.1V。3.分析方法-將二極管斷開,分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 >V陰( 正偏 ),二極管導(dǎo)通(短路); 若 V陽 <V
3、陰( 反偏 ),二極管截止(開路)。1)圖解分析法 該式與伏安特性曲線的交點叫靜態(tài)工作點Q。 2) 等效電路法Ø 直流等效電路法 *總的解題手段-將二極管斷開,分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 >V陰( 正偏 ),二極管導(dǎo)通(短路); 若 V陽 <V陰( 反偏 ),二極管截止(開路)。 *三種模型Ø 微變等效電路法 3. 穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路*穩(wěn)壓二極管的特性-正常工作時處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū),所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。第一章重點掌握內(nèi)容:一、 概念1、 半導(dǎo)體:導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。2、 半導(dǎo)體奇妙特性:熱敏性、光敏性、摻雜性。3、
4、 本征半導(dǎo)體:完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的、晶格狀的半導(dǎo)體。4、 本征激發(fā):環(huán)境溫度變化或光照產(chǎn)生本征激發(fā),形成電子和空穴,電子帶負(fù)電,空穴帶正電。它們在外電場作用下均能移動而形成電流,所以稱載流子。5、 P型半導(dǎo)體:在純凈半導(dǎo)體中摻入三價雜質(zhì)元素,便形成P型半導(dǎo)體,使導(dǎo)電能力大大加強,此類半導(dǎo)體,空穴為多數(shù)載流子(稱多子)而電子為少子。6、 N型半導(dǎo)體:在純凈半導(dǎo)體中摻入五價雜質(zhì)元素,便形成N型半導(dǎo)體,使導(dǎo)電能力大大加強,此類半導(dǎo)體,電子為多子、而空穴為少子。7、 PN結(jié)具有單向?qū)щ娦裕篜接正、N接負(fù)時(稱正偏),PN結(jié)正向?qū)?,P接負(fù)、N接正時(稱反偏),PN結(jié)反向截止。所以正向電流主要由多子的
5、擴散運動形成的,而反向電流主要由少子的漂移運動形成的。8、 二極管按材料分有硅管(Si管)和鍺管(Ge管),按功能分有普通管,開關(guān)管、整流管、穩(wěn)壓管等。9、 二極管由一個PN結(jié)組成,所以二極管也具有單向?qū)щ娦裕赫珪r導(dǎo)通,呈小電阻,大電流,反偏時截止,呈大電阻,零電流。其死區(qū)電壓:Si管約0。5V,Ge管約為0。1V ,其死區(qū)電壓:Si管約0.5V,Ge管約為0.1V 。其導(dǎo)通壓降:Si管約0.7V,Ge管約為0.2V 。這兩組數(shù)也是判材料的依據(jù)。10、穩(wěn)壓管是工作在反向擊穿狀態(tài)的: 加正向電壓時,相當(dāng)正向?qū)ǖ亩O管。(壓降為0.7V,) 加反向電壓時截止,相當(dāng)斷開。 加反向電壓并擊穿(即滿
6、足UUZ)時便穩(wěn)壓為UZ 。11、二極管主要用途:整流、限幅、繼流、檢波、開關(guān)、隔離(門電路)等。二、應(yīng)用舉例:(判二極管是導(dǎo)通或截止、并求有關(guān)圖中的輸出電壓U0 。三極管復(fù)習(xí)完第二章再判)參考答案:a、因陽極電位比陰極高,即二極管正偏導(dǎo)通。是硅管。b 、二極管反偏截止。 f 、因V的陽極電位比陰極電位高,所以二極管正偏導(dǎo)通,(將二極管短路)使輸出電壓為U0=3V 。G、因V1正向電壓為10V,V2正向電壓13V,使V2先導(dǎo)通,(將V2短路)使輸出電壓U0=3V,而使V1反偏截止。h 、同理,因V1正向電壓10V、V2正向電壓為7V,所以V1先導(dǎo)通(將V1短路),輸出電壓U0=0V,使V2反偏
7、截止。(當(dāng)輸入同時為0V或同時為3V,輸出為多少,請同學(xué)自行分析。)第二章 三極管及其基本放大電路一. 三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點1.類型-分為NPN和PNP兩種。2.特點-基區(qū)很薄,且摻雜濃度最低;發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高,與基區(qū)接觸 面積較?。患妳^(qū)摻雜濃度較高,與基區(qū)接觸面積較大。 二. 三極管的工作原理1. 三極管的三種基本組態(tài)2. 三極管內(nèi)各極電流的分配 * 共發(fā)射極電流放大系數(shù) (表明三極管是電流控制器件 式子 稱為穿透電流。3. 共射電路的特性曲線*輸入特性曲線-同二極管。* 輸出特性曲線(飽和管壓降,用UCES表示放大區(qū)-發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。 截止區(qū)-發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏。4.
8、溫度影響溫度升高,輸入特性曲線向左移動。溫度升高ICBO、 ICEO 、 IC以及均增加。三. 低頻小信號等效模型(簡化)hie-輸出端交流短路時的輸入電阻, 常用rbe表示; hfe-輸出端交流短路時的正向電流傳輸比, 常用表示;四. 基本放大電路組成及其原則1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2的作用。2.組成原則-能放大、不失真、能傳輸。五. 放大電路的圖解分析法1. 直流通路與靜態(tài)分析 *概念-直流電流通的回路。 *畫法-電容視為開路。 *作用-確定靜態(tài)工作點 *直流負(fù)載線-由VCC=ICRC+UCE 確定的直線。*電路參數(shù)對靜態(tài)工作點的影響 1)改變Rb :Q點將沿直流負(fù)
9、載線上下移動。 2)改變Rc :Q點在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動。 3)改變VCC:直流負(fù)載線平移,Q點發(fā)生移動。 2. 交流通路與動態(tài)分析*概念-交流電流流通的回路*畫法-電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。 *作用-分析信號被放大的過程。*交流負(fù)載線- 連接Q點和V CC點 V CC= UCEQ+ICQR L的 直線。 3. 靜態(tài)工作點與非線性失真(1)截止失真*產(chǎn)生原因-Q點設(shè)置過低 *失真現(xiàn)象-NPN管削頂,PNP管削底。*消除方法-減小Rb,提高Q。(2) 飽和失真*產(chǎn)生原因-Q點設(shè)置過高 *失真現(xiàn)象-NPN管削底,PNP管削頂。*消除方法-增大Rb、減小Rc、增大VCC
10、。 4. 放大器的動態(tài)范圍(1) Uopp-是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。 (2)范圍 *當(dāng)(UCEQUCES)(VCC UCEQ )時,受截止失真限制,UOPP=2UOMAX=2ICQRL。*當(dāng)(UCEQUCES)(VCC UCEQ )時,受飽和失真限制,UOPP=2UOMAX=2 (UCEQUCES)。*當(dāng)(UCEQUCES)(VCC UCEQ ),放大器將有最大的不失真輸出電壓。 六. 放大電路的等效電路法1. 靜態(tài)分析(1)靜態(tài)工作點的近似估算(2)Q點在放大區(qū)的條件 欲使Q點不進(jìn)入飽和區(qū),應(yīng)滿足RBRc 。2. 放大電路的動態(tài)分析 * 放大倍數(shù) * 輸入電阻* 輸出電阻7.
11、分壓式穩(wěn)定工作點共射 放大電路的等效電路法1靜態(tài)分析2動態(tài)分析*電壓放大倍數(shù)在Re兩端并一電解電容Ce后輸入電阻在Re兩端并一電解電容Ce后* 輸出電阻八. 共集電極基本放大電路1靜態(tài)分析2動態(tài)分析* 電壓放大倍數(shù)* 輸入電阻* 輸出電阻3. 電路特點 * 電壓放大倍數(shù)為正,且略小于1,稱為射極跟隨器,簡稱射隨器。 * 輸入電阻高,輸出電阻低。 第三章 場效應(yīng)管及其基本放大電路 一. 結(jié)型場效應(yīng)管( JFET ) 1.結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號2. 輸出特性曲線 (可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū))轉(zhuǎn)移特性曲線UP - 截止電壓 二. 絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET)分為增強型(EMOS)和耗盡型
12、(DMOS)兩種。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號2. 特性曲線*N-EMOS的輸出特性曲線* N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線式中,IDO是UGS=2UT時所對應(yīng)的iD值。* N-DMOS的輸出特性曲線注意:uGS可正、可零、可負(fù)。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP,此曲線表示式與結(jié)型場效應(yīng)管一致。三. 場效應(yīng)管的主要參數(shù)1.漏極飽和電流IDSS2.夾斷電壓Up3.開啟電壓UT4.直流輸入電阻RGS5.低頻跨導(dǎo)gm (表明場效應(yīng)管是電壓控制器件)四. 場效應(yīng)管的小信號等效模型E-MOS 的跨導(dǎo)gm - 五. 共源極基本放大電路1.自偏壓式偏置放大電路* 靜態(tài)分析動態(tài)分析 若帶有Cs,則 2.分壓式偏置
13、放大電路* 靜態(tài)分析* 動態(tài)分析 若源極帶有Cs,則 六.共漏極基本放大電路* 靜態(tài)分析或* 動態(tài)分析 第四章 模擬集成電路重點:差動放大電路圖3.2.1 基本差動式放大器6.2.1 基本差動放大電路在直接耦合放大電路中提到了零漂的問題,抑制零漂的方法一般有如下幾個方面:(1)選用高質(zhì)量的硅管。(2)采用補償?shù)姆椒?,用一個熱敏元件,抵消IC受溫度影響的變化。(3)采用差動放大電路。本節(jié)詳細(xì)討論差動放大器的工作原理和基本性能,如圖3.2.1所示。基本差動式放大器如圖3.2.1所示。T1、T2特性相同的晶體管。電路對稱,參數(shù)也對稱,如:VBE1=VBE2=VBE,Rc1=Rc2=Rc,Rb1=Rb
14、2=Rb,Rs1=Rs2=Rs,1=2=;電路有兩個輸入端:b1端,b2端;有個輸出端:c1端,c2端。在分析電路特性之前,必須熟悉兩個基本概念共模信號和差模信號。1. 差放有兩輸入端,可分別加上輸入信號vs1、vs2若vs1=-vs2差模輸入信號,大小相等,對共同端極性相反的兩個信號,用vsd表示。若vs1=vs2共模輸入信號,大小相等,對共同端的極性相同,按共同模式變化的信號,用vsc表示。實際上,對于任何輸入信號和輸出信號,都是差模信號和共模信號的合成,為分析簡便,將它們分開討論??紤]到電路的對稱性和兩信號共同作用的效果有:vs1vs2于是,此時相應(yīng)的差模輸入信號為:vsd=vs1-vs
15、2差模信號是兩個輸入信號之差,即vs1、vs2中含有大小相等極性相反的一對信號。共模信號:vsc=(vs1+vs2)/2 共模信號則是二者的算術(shù)平均值,即vs1、vs2中含有大小相等,極性相同的一對信號。即對于差放電路輸入端的兩個任意大小和極性的輸入信號vs1和vs2均可分解為相應(yīng)的差模信號和共模輸入信號兩部分。例:如圖3.2.2所示,vs1=5mV,vs2=1mV,則vsd=5-1=4mV,vsc=0.5(5+1)=3mV。圖3.2.2 差動式放大電路也就是說,兩個輸入信號可看作是vs1=5mV3mV+2mVvs2=1mV-3mV+2mV差模輸入信號vsd=4mV和共模輸入信號vsc=3mV
16、疊加而成。2差模信號和共模信號的放大倍數(shù)放大電路對差模輸入信號的放大倍數(shù)稱為差模電壓放大倍數(shù)AVD:AVD=vo/vsd。放大電路對共模輸入信號的放大倍數(shù)稱為共模電壓放大倍數(shù)AVC:AVC=vo/vsc。在差、共模信號同存情況下,線性工作情況中,可利用疊加原理求放大電路總的輸出電壓vo。vo=AVDvsd+AVCvsc例:設(shè)有一個理想差動放大器,已知:vs1=25mV,vs2=10mV,AVD=100,AVC=0。差模輸入電壓vsd=_mV;共模輸入電壓vsc=_mV;輸出電壓vo=_mV。答案vsd=vs1-vs2=15mVvsc=(vs1+vs2)/2=35/2=17.5mV,vo=AVD
17、vsd+AVCvsc =100×15+0×17.5 =1500mV6.2.2 差放電路的工作原理圖3.2.3 差動式放大電路1靜態(tài)分析,因沒有輸入信號,即vs1=vs2=0時,由于電路完全對稱:所以輸入為0時,輸出也為0。2. 加入差模信號時,即。從電路看:vb1增大使得ib1增大,使ic1增大使得vc1減小。vb2減小使得ib2減小,又使ic2減小,使得vc2增大。由此可推出:vo=vc1-vc2=2v(v為每管變化量)。若在輸入端加共模信號,即vs1=vs2。由于電路的對稱性和恒流源偏置,理想情況下,vo=0,無輸出。這就是所謂“差動”的意思:兩個輸入端之間有差別,輸出
18、端才有變動。3. 在差動式電路中,無論是溫度的變化,還是電流源的波動都會引起兩個三極管的ic及vc的變化。這個效果相當(dāng)于在兩個輸入端加入了共模信號,理想情況下,vo不變從而抑制了零漂。當(dāng)然實際情況下,要做到兩管完全對稱和理想恒流源是比較困難的,但輸出漂移電壓將大為減小。綜上分析,放大差模信號,抑制共模信號是差放的基本特征。通常情況下,我們感興趣的是差模輸入信號,對于這部分有用信號,希望得到盡可能大的放大倍數(shù);而共模輸入信號可能反映由于溫度變化而產(chǎn)生的漂移信號或隨輸入信號一起進(jìn)入放大電路的某種干擾信號,對于這樣的共模輸入信號我們希望盡量地加以抑制,不予放大傳送。凡是對差放兩管基極作用相同的信號都
19、是共模信號。常見的有:(1)vi1不等于-vi2,信號中含有共模信號;(2)干擾信號(通常是同時作用于輸入端);(3)溫漂。靜態(tài)估算: 6.2.3 差放電路的動態(tài)分析差放電路有兩個輸入端和兩個輸出端。同樣,輸出也分雙端輸出和單端輸出方式。組合起來,有4種連接方式:雙端輸入雙端輸出、雙入單出、單入雙出、單入單出。1雙入雙出(1)輸入為差模方式:,若ic1上升,而ic2下降。電路完全對稱時,則|ic1| =|ic2|因為I不變,因此ve=0(vo1=vc1,vo2=vc2)。即AVC=A1(共發(fā)射單管放大電路的放大倍數(shù))。有負(fù)載RL時圖3.2.4 差動放大器共模輸入交流通路及其等效電路因為RL的中
20、點是交流地電位,因此在其交流通路中,電路中線上各點均為交流接地,由此可畫出信號的交流通路如圖3.2.4所示,由上面的計算可見,負(fù)載在電路完全對稱,雙入雙出的情況下,AVD=A1,可見該電路使用成倍的元器件換取抑制零漂的能力。差模輸入電阻Ri從兩個輸入端看進(jìn)去的等效電阻Ri=2rbe。差模輸出電阻Ro的值為Ro=2Rc Ro、Ri是單管的兩倍。(2)輸入為共模方式:vs1=vs2,此時變化量相等,vc1=vc2 實際上,電路完全對稱是不容易的,但即使這樣,AVC也很小,放大電路的抑制共模能力還是很強的。2雙入單出對于差模信號:由于另一三極管的c極沒有利用,因此vo只有雙出的一半。差模輸入電阻:由
21、于輸入回路沒變, Ri=2rbe差模輸出電阻: Ro=Rc1。對于共模信號,因為兩邊電流同時增大或同時減小,因此在e處得到的是兩倍的ie。ve=2ieRe,這相當(dāng)于其交流通路中每個射極接2Re電阻。(Re恒流源交流等效電阻)當(dāng)Re上升,即恒流源越接近理想的情況,AVC越小,抑制共模信號能力越強。3單入雙出、單出若vs1=vi0,則ic1增大,使ie1也增大,ve增大。由于T2的b級通過Rs接地,如圖3.2.6所示,則vBE2=0-ve=-ve,所以有vBE2減小,ic2也減小。整個過程,在單端輸入vs的作用下,兩T的電流為ic1增加,ic2減少。所以單端輸入時,差動放大的T1、T2仍然工作在差
22、動 狀態(tài)。圖3.2.5 2Re為等效電阻圖3.2.6 單端輸入、雙端輸出電路從另一方面理解:vs1=vi,vs2=0將單端輸入信號分解成為一個差模信號vsd和共模信號vsc 將兩個輸入端的信號看作由共模信號和差模信號疊加而成,即:電路輸出端總電壓為:vo=AVCvsc+AVDvsd經(jīng)過這樣的變換后,電路便可按雙入情況分析:(1)如為雙端輸出,則似雙入雙出中分析:即可看為單入雙出時的輸出vo與雙入雙出相同。(2)如為單端輸出(設(shè)從T1,c極輸出),則似雙入單出中分析 (3)差模輸入電阻:當(dāng)Re很大時(開路),可近似認(rèn)為Ri與差動輸入時相似Ri2rbe (4)輸出電阻:雙出:Ro=2Rc單出:Ro
23、=Rc注:對于單入單出的情況,從T1的c極輸出,和從T2的c極輸出時輸入,輸出的相位關(guān)系是不同的。從T1的c極輸出如圖3.2.7所示。設(shè)vi的瞬時極性大于零,則ic1增大,vc1減小,所以輸出與輸入電壓相位相反,所以AVD<0。從T2的c極輸出如圖3.2.8所示。設(shè)vi的瞬時極性大于零,則ic1增大,ve增大,使得vBE2減小,所以ic2減小,vc2增大,輸入輸出相位相同。所以AVD>0。由以上分析可知在單入單出差放電路中,如果從某個三極管的b極輸入,然后從同一個T的c極輸出,則vo和vi反相;如果從另一T的c極輸出,則vo和vi同相。順便提一下,在單出的情況下,常將不輸出的三極管
24、的Rc省去,而將T的c極直接接到電源VCC上。圖3.2.7 從T1的c極輸出圖3.2.8 從T2的c極輸出6.2.4 共模抑制比共模抑制比KCMR是衡量差放抑制共模信號能力的一項技術(shù)指標(biāo)。定義:有時用分貝數(shù)表示:AVD越大,AVC越小,則共模抑制能力越強,放大器的性能越優(yōu)良,所以K越大越好。在差放電路中,若電路完全對稱,如圖3.2.9所示,則有:圖3.2.9 基本差動放大電路在共模輸入時的交流通路(1)雙端輸出時,KCMR趨于無窮(AVC0)。(2)單端輸出時,由此得,恒流源的交流電阻Re越大,K越大,抑制共模信號能力越強。由此知,設(shè)計放大器時,必須至少使 KCMR>vsc/vsd。例如
25、:設(shè)KCMR=1 000,vsc=1mV,vsd=1µV,則。這就是說,當(dāng)K=1 000時,兩端輸入信號差為1µV時所得輸出vo與兩端加同極性信號1mV所得輸出vo相等。若KCMR=10 000,則后項只有前項1/10,再一次說明K越大,抑制共模信號的能力越強。例題一 設(shè)長尾式差放電路中,Rc=30k,Rs=5k,Re=20k,VCC=VEE=15V,=50,rbe=4k。本題電路如圖3.2.10所示。(1)求雙端輸出時的AVD;(2)從T1的c極單端輸出,求AVD、AVC、KCMR;(3)在(b)的條件下,設(shè)vs1=5mV,vs2=1mV,求
26、vo;(4)設(shè)原電路的Rc不完全對稱,而是Rc1=30k,Rc2=29k,求雙出時的KCMR。解:圖3.2.10 長尾式差放電路(1)雙出時:(2)單出時,AVD為雙出時的一半: (3) vs1=5mV,vs2=1mV則 vsd=vs1-vs2=5-1=4mVvsc=0.5(vs1+vs2)=0.5×(5+1)=3mVvo=Avdvsd+ Avcvsc=(-83.3×4)+(0.732×3) =-335.4mV(4)Rc1不等于Rc2,則所以結(jié)果說明,在雙出時,若參數(shù)有差別,由于利用了兩個T的輸出電壓的互相抵消作用,因此|AVC|仍比單出時小得多;而|AVD|比單
27、出大。所以KCMR比單出時高得多。第五章 放大電路中的反饋1. 反饋概念的建立開環(huán)放大倍數(shù)閉環(huán)放大倍數(shù) 反饋深度環(huán)路增益: 1當(dāng)時,下降,這種反饋稱為負(fù)反饋。 2當(dāng)時,表明反饋效果為零。3當(dāng)時,升高,這種反饋稱為正反饋。4當(dāng)時 , 。放大器處于 “ 自激振蕩”狀態(tài)。二反饋的形式和判斷1. 反饋的范圍-本級或級間。2. 反饋的性質(zhì)-交流、直流或交直流。直流通路中存在反饋則為直流反饋,交流通路中存在反饋則為交流反饋,交、直流通路中都存在反饋則為交、直流反饋。 3. 反饋的取樣-電壓反饋:反饋量取樣于輸出電壓;具有穩(wěn)定輸出電壓的作用。 (輸出短路時反饋消失) 電流反饋:反饋量取樣于輸出電流。具有穩(wěn)定
28、輸出電流的作用。 (輸出短路時反饋不消失)4. 反饋的方式-并聯(lián)反饋:反饋量與原輸入量在輸入電路中以電 流形式相疊加。Rs越大反饋效果越好。 反饋信號反饋到輸入端) 串聯(lián)反饋:反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓 的形式相疊加。 Rs越小反饋效果越好。 反饋信號反饋到非輸入端) 5. 反饋極性-瞬時極性法:(1)假定某輸入信號在某瞬時的極性為正(用+表示),并設(shè)信號 的頻率在中頻段。 (2)根據(jù)該極性,逐級推斷出放大電路中各相關(guān)點的瞬時極性(升 高用 + 表示,降低用 表示)。(3)確定反饋信號的極性。(4)根據(jù)Xi 與X f 的極性,確定凈輸入信號的大小。Xid 減小為負(fù)反 饋;Xid 增大為
29、正反饋。 三. 反饋形式的描述方法 某反饋元件引入級間(本級)直流負(fù)反饋和交流電壓(電流)串 聯(lián)(并聯(lián))負(fù)反饋。四. 負(fù)反饋對放大電路性能的影響 1. 提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性2.3. 擴展頻帶4. 減小非線性失真及抑制干擾和噪聲5. 改變放大電路的輸入、輸出電阻 *串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加1+AF倍 *并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小1+AF倍 *電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小1+AF倍 *電流負(fù)反饋使輸出電阻增加1+AF倍五. 自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件1. 產(chǎn)生自激振蕩的原因 附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。 2. 產(chǎn)生自激振蕩的條件 若表示為幅值和相位的條件則為: 第六章 功率放大電路一. 功率放大電路的三
30、種工作狀態(tài)1.甲類工作狀態(tài) 導(dǎo)通角為360o,ICQ大,管耗大,效率低。 2.乙類工作狀態(tài) ICQ0, 導(dǎo)通角為180o,效率高,失真大。3.甲乙類工作狀態(tài) 導(dǎo)通角為180o360o,效率較高,失真較大。 二. 乙類功放電路的指標(biāo)估算1. 工作狀態(tài)Ø 任意狀態(tài):UomUim Ø 盡限狀態(tài):Uom=VCC-UCESØ 理想狀態(tài):UomVCC 2. 輸出功率3. 直流電源提供的平均功率4. 管耗 Pc1m=0.2Pom 5.效率 理想時為78.5% 三. 甲乙類互補對稱功率放大電路1. 問題的提出 在兩管交替時出現(xiàn)波形失真交越失真(本質(zhì)上是截止失真)。 2. 解決辦法
31、Ø 甲乙類雙電源互補對稱功率放大器OCL-利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置電壓。 動態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算。 Ø 甲乙類單電源互補對稱功率放大器OTL-電容 C2 上靜態(tài)電壓為VCC/2,并且取代了OCL功放中的負(fù)電源-VCC。 動態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算,只是用VCC/2代替。四. 復(fù)合管的組成及特點1. 前一個管子c-e極跨接在后一個管子的b-c極間。2. 類型取決于第一只管子的類型。3. =1· 2 第七章 信號的運算與處理分析依據(jù)- “虛斷”和“虛短”1. 基本運算電路1. 反相比例運算電路 R2 =R1/Rf 2. 同相比例運算電路 R2=R1/Rf 3. 反相求和運算電路 R4=R1/R2/R3/Rf 4. 同相求和運算電路 R1/R2/R3/R4=Rf/R55. 加減運算電路 R1/R2/Rf=R3/R4/R52. 積分和微分運算電路1. 積分運算2. 微分運算 三. 集成運放的電壓傳輸特性當(dāng)uI在+Uim與-Uim之間,運放工作在線性區(qū)域 : 4. 理想集成運放的參數(shù)及分析方法1. 理想集成運放的參數(shù)特征* 開環(huán)電壓放大倍數(shù) Aod;* 差模輸入電阻 Rid;* 輸出電阻 Ro0;* 共模抑制比KCMR;2. 理想集成運放的分析方法 1) 運放工作在線性區(qū):* 電路特征引入負(fù)反饋* 電路特點“虛
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