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1、n+n+p-襯底D+S-GBVGS+-耗盡層n-溝道多晶硅硅化合物(降低阻抗)源/漏柵氧化層DSGDSGGSDDSGNMOS增強(qiáng)型增強(qiáng)型NMOS耗盡型耗盡型PMOS增強(qiáng)型增強(qiáng)型B帶襯底觸點(diǎn)的帶襯底觸點(diǎn)的NMOSn+n+p+p+n+n+p+p+wLVDDRpsubsRnwellp-源n-源n+n+p+p+p+n+p-襯底R(shí)psubsRnwellVDDn-阱開(kāi)關(guān)金屬1(VDD)p-阱p+柵襯底SiO2xoxVg+-tttVVV0(a) ID是VDS的函數(shù)。nMOS增強(qiáng)型晶體管: W = 100um, L = 20um 0.01.02.03.04.05.0VDS (V)12ID (mA)線性區(qū)飽和區(qū)

2、VGS = 5VVGS = 3VVGS = 4VVGS = 2VVGS = 1V VDS = VGS-VT平方關(guān)系0.01.02.03.0VGS (V)0.0100.020VTDI亞閾值電流(b) 是VGS的函數(shù) (VDS=5V) 。DI柵漏源電流IdVds Vgs - Vtp-阱柵柵n+n+金屬1金屬3金屬2過(guò)孔n+ (ND)耗盡層襯底 (NA)底墻電容邊墻電容平板邊緣3 m0.75 m1 m1.5 m2.5 m金屬2金屬1金屬1低頻高頻低頻高頻dwL633323231325414241aout+晶體管GNDVDDaout阱結(jié)金屬3金屬2金屬1多晶硅n擴(kuò)散p擴(kuò)散nMOSpMOS電氣連接過(guò)孔VDDaVSSoutbVDDVSSN1(NAND)selectoutabN1(NAND)outabN1(NAND)outabselectaibiVSSm2(1位多路選擇器)selectselectVDDVSSoiaibim2(1位多路選擇器)selectselectVDDVSSoiaibim2(1位多路選擇器)selectselectVDDVSSoiaibis

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