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文檔簡(jiǎn)介
1、電磁爐燒保險(xiǎn)絲維修 電磁爐燒保險(xiǎn)絲大部分為整流橋堆或IGBT燒壞(一般都是擊穿損壞且95%是IGBT擊穿損壞),下面是IGBT簡(jiǎn)介:結(jié)構(gòu) IGBT結(jié)構(gòu)圖左邊所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+ 區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。P+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)(包括P+ 和P 一區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)( Subchannel region )。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能區(qū),與漏區(qū)和亞
2、溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,向漏極注入空穴,進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT 的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導(dǎo)通。反之,加反向門(mén)極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后,從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子),對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N 一層的電阻,使IGBT 在高電壓時(shí),也具有低的通態(tài)電壓。工作特性靜態(tài)特性IGBT 的靜
3、態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開(kāi)關(guān)特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí),漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān),反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無(wú)N+ 緩沖區(qū),則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平,加入N+緩沖區(qū)后,反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平,因此限制了IGBT 的某些應(yīng)用范圍。IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性
4、相同,當(dāng)柵源電壓小于開(kāi)啟電壓Ugs(th) 時(shí),IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT 導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi), Id 與Ugs呈線性關(guān)系。最高柵源電壓受最大漏極電流限制,其最佳值一般取為15V左右。IGBT 的開(kāi)關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時(shí),由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管,所以其B 值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu),但流過(guò)MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。此時(shí),通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示Uds(on) Uj1 Udr IdRoh式中Uj1 JI 結(jié)的正向電壓,其值為0.7 1V ;Udr 擴(kuò)展電阻Rdr 上的壓降;Roh
5、溝道電阻。通態(tài)電流Ids 可用下式表示:Ids=(1+Bpnp)Imos式中Imos 流過(guò)MOSFET 的電流。由于N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),所以IGBT 的通態(tài)壓降小,耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 3V 。IGBT 處于斷態(tài)時(shí),只有很小的泄漏電流存在。動(dòng)態(tài)特性IGBT 在開(kāi)通過(guò)程中,大部分時(shí)間是作為MOSFET 來(lái)運(yùn)行的,只是在漏源電壓Uds 下降過(guò)程后期, PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,又增加了一段延遲時(shí)間。td(on) 為開(kāi)通延遲時(shí)間, tri 為電流上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏極電流開(kāi)通時(shí)間ton 即為td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時(shí)間由tfe1 和tfe2
6、組成。IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓,柵極電壓可由不同的驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這些驅(qū)動(dòng)電路時(shí),必須基于以下的參數(shù)來(lái)進(jìn)行:器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因?yàn)镮GBT柵極- 發(fā)射極阻抗大,故可使用MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行觸發(fā),不過(guò)由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大,故IGBT的關(guān)斷偏壓應(yīng)該比許多MOSFET驅(qū)動(dòng)電路提供的偏壓更高。IGBT在關(guān)斷過(guò)程中,漏極電流的波形變?yōu)閮啥?。因?yàn)镸OSFET關(guān)斷后,PNP晶體管的存儲(chǔ)電荷難以迅速消除,造成漏極電流較長(zhǎng)的尾部時(shí)間,td(off)為關(guān)斷延遲時(shí)間,trv為電壓Uds(f)的上升時(shí)間。實(shí)際
7、應(yīng)用中常常給出的漏極電流的下降時(shí)間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成,而漏極電流的關(guān)斷時(shí)間t(off)=td(off)+trv十t(f)式中,td(off)與trv之和又稱為存儲(chǔ)時(shí)間。IGBT的開(kāi)關(guān)速度低于MOSFET,但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時(shí)不需要負(fù)柵壓來(lái)減少關(guān)斷時(shí)間,但關(guān)斷時(shí)間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開(kāi)啟電壓約34V,和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時(shí)的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近,飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。正式商用的IGBT器件的電壓和電流容量還很有限,遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的需求;高壓領(lǐng)域的許多應(yīng)用中,要求器件的電壓等級(jí)
8、達(dá)到10KV以上,目前只能通過(guò)IGBT高壓串聯(lián)等技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)高壓應(yīng)用。國(guó)外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件,德國(guó)的EUPEC生產(chǎn)的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經(jīng)獲得實(shí)際應(yīng)用,日本東芝也已涉足該領(lǐng)域。與此同時(shí),各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷開(kāi)發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術(shù),主要采用1m以下制作工藝,研制開(kāi)發(fā)取得一些新進(jìn)展。發(fā)展歷史1979年,MOS柵功率開(kāi)關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成),其特點(diǎn)是通過(guò)強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期,用
9、于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體)工藝被采用到IGBT中來(lái)。2在那個(gè)時(shí)候,硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設(shè)計(jì)。后來(lái),通過(guò)采用PT(穿通)型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個(gè)顯著改進(jìn),這是隨著硅片上外延的技術(shù)進(jìn)步,以及采用對(duì)應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計(jì)的n+緩沖層而進(jìn)展的3。幾年當(dāng)中,這種在采用PT設(shè)計(jì)的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu),其設(shè)計(jì)規(guī)則從5微米先進(jìn)到3微米。90年代中期,溝槽柵結(jié)構(gòu)又返回到一種新概念的IGBT,它是采用從大規(guī)模集成(LSI)工藝借鑒來(lái)的硅干法刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)的新刻蝕工藝,但仍然是穿通(PT)型芯片結(jié)構(gòu)。4在這種溝槽結(jié)構(gòu)中,實(shí)現(xiàn)了
10、在通態(tài)電壓和關(guān)斷時(shí)間之間折衷的更重要的改進(jìn)。硅芯片的重直結(jié)構(gòu)也得到了急劇的轉(zhuǎn)變,先是采用非穿通(NPT)結(jié)構(gòu),繼而變化成弱穿通(LPT)結(jié)構(gòu),這就使安全工作區(qū)(SOA)得到同表面柵結(jié)構(gòu)演變類似的改善。這次從穿通(PT)型技術(shù)先進(jìn)到非穿通(NPT)型技術(shù),是最基本的,也是很重大的概念變化。這就是:穿通(PT)技術(shù)會(huì)有比較高的載流子注入系數(shù),而由于它要求對(duì)少數(shù)載流子壽命進(jìn)行控制致使其輸運(yùn)效率變壞。另一方面,非穿通(NPT)技術(shù)則是基于不對(duì)少子壽命進(jìn)行殺傷而有很好的輸運(yùn)效率,不過(guò)其載流子注入系數(shù)卻比較低。進(jìn)而言之,非穿通(NPT)技術(shù)又被軟穿通(LPT)技術(shù)所代替,它類似于某些人所謂的“軟穿通”(S
11、PT)或“電場(chǎng)截止”(FS)型技術(shù),這使得“成本性能”的綜合效果得到進(jìn)一步改善。1996年,CSTBT(載流子儲(chǔ)存的溝槽柵雙極晶體管)使第5代IGBT模塊得以實(shí)現(xiàn)6,它采用了弱穿通(LPT)芯片結(jié)構(gòu),又采用了更先進(jìn)的寬元胞間距的設(shè)計(jì)。目前,包括一種“反向阻斷型”(逆阻型)功能或一種“反向?qū)ㄐ汀保鎸?dǎo)型)功能的IGBT器件的新概念正在進(jìn)行研究,以求得進(jìn)一步優(yōu)化。IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng),各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術(shù),從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展,其產(chǎn)品水平為12001800A/180033
12、00V,IPM除用于變頻調(diào)速外,600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車(chē)VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB,大大降低電路接線電感,提高系統(tǒng)效率,現(xiàn)已開(kāi)發(fā)成功第二代IPEM,其中所有的無(wú)源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點(diǎn)?,F(xiàn)在,大電流高電壓的IGBT已模塊化,它的驅(qū)動(dòng)電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外,現(xiàn)在已制造出集成化的IGBT專用驅(qū)動(dòng)電路.其性能更好,整機(jī)的可靠性更高及體積更小。輸出特性與轉(zhuǎn)移特性IGBT與MOSFET的對(duì)比MOSEFT全稱功率場(chǎng)效
13、應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。主要優(yōu)點(diǎn):熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。缺點(diǎn):擊穿電壓低,工作電流小。IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。特點(diǎn):擊穿電壓可達(dá)1200V,集電極最大飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上,工作頻率可達(dá)20kHz。模塊簡(jiǎn)介IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫(xiě),IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFE
14、T,輸出極為PNP晶體管,它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn),既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn),又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn),其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi),在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOS 截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極
15、發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓,只有在uA級(jí)的漏電流流過(guò),基本上不消耗功率。等效電路IGBT模塊的選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見(jiàn)下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí),所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí),開(kāi)關(guān)損耗增大,使原件發(fā)熱加劇,因此,選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí),由于開(kāi)關(guān)損耗增大,發(fā)熱加劇,選用時(shí)應(yīng)該降等使用。使用中的注意事項(xiàng)由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到2030V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之
16、一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn):在使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸;在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊; 盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極最大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào),以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外,在柵極發(fā)射極間開(kāi)路時(shí),若在集電極與發(fā)射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過(guò),柵極電
17、位升高,集電極則有電流流過(guò)。這時(shí),如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。在使用IGBT的場(chǎng)合,當(dāng)柵極回路不正?;驏艠O回路損壞時(shí)(柵極處于開(kāi)路狀態(tài)),若在主回路上加上電壓,則IGBT就會(huì)損壞,為防止此類故障,應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10K左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時(shí),應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻,最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇,當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱,而發(fā)生故障。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查,一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器
18、,當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作。保管時(shí)的注意事項(xiàng)一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所,應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài),不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為535 ,常濕的規(guī)定在4575左右。在冬天特別干燥的地區(qū),需用加濕機(jī)加濕; 盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合;在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象,因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方;保管時(shí),須注意不要在IGBT模塊上堆放重物; 裝IGBT模塊的容器,應(yīng)選用不帶靜電的容器。IGBT模塊由于具有多種優(yōu)良的特性,使它得到了快速的發(fā)展和普及,已應(yīng)用到電力電子的各方各面。因此熟悉IGBT模塊性能,了解選擇及使用時(shí)的注意事項(xiàng)對(duì)實(shí)際中的應(yīng)用是
19、十分必要的。 IGBT的判斷1、 判斷極性首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1K擋,用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí),若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大,調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大,則判斷此極為柵極(G )。其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量,若測(cè)得阻值為無(wú)窮大,調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。2、 判斷好壞將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10K擋,用黑表筆接IGBT 的集電極(C),紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E),此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,萬(wàn)用表的指
20、針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E),這時(shí)IGBT 被阻斷,萬(wàn)用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。3、 注意事項(xiàng)任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測(cè)IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí),一定要將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10K擋,因R×1K擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通,而無(wú)法判斷IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。 在電磁爐的維修中,功率管的損壞占有相當(dāng)大的比例,若沒(méi)詞條圖冊(cè)更多圖冊(cè)有查明故障原因就貿(mào)然更換功率管,會(huì)引起再次
21、損壞 IGBT損壞原因原因一:0.3uf/1200v諧振電容,5uf/400v濾波損壞或容量不足。 在電磁爐中,若0.3uf諧振電容,5uf濾波電容容量變小,失效或特性不良,將導(dǎo)致電磁爐LC振蕩電路頻率偏高,從而引起IGBT管的損壞,經(jīng)查其他電路無(wú)異常時(shí),我們必須將這兩個(gè)電容一起更換。 原因二:IGBT管激勵(lì)電路異常 振蕩電路輸出的脈沖信號(hào)不能直接控制IGBT管飽和,導(dǎo)通,截止,必須通過(guò)激勵(lì)電路脈沖信號(hào)放大來(lái)完成,如果激勵(lì)電路出現(xiàn)問(wèn)題,高電壓就會(huì)加到IGBT管的G極,導(dǎo)致IGBT管瞬
22、間擊穿,常見(jiàn)為驅(qū)動(dòng)管S8050,S8550連帶損壞。 原因三:同步電路異常 同步電路在電磁爐的主要作用是保證加到IGBT管的G極上的開(kāi)關(guān)脈沖前沿與IGBT管上的VCE脈沖后沿同步,當(dāng)同步電路工作異常時(shí),導(dǎo)致IGBT管瞬間擊穿損壞。 原因四:18V工作電壓異常 在電磁爐中,當(dāng)18V工作電壓異常時(shí)會(huì)使IGBT管激勵(lì)電路,風(fēng)扇散熱系統(tǒng)及LM339工作異常,導(dǎo)致IGBT管上電瞬間損壞。 原因五:散熱系統(tǒng)異常 電磁爐工作在大電流狀態(tài)下,其發(fā)熱量大,如果散熱系統(tǒng)出現(xiàn)故障會(huì)導(dǎo)致IGBT管過(guò)熱損壞。 原因六:?jiǎn)纹瑱C(jī)異常 單片機(jī)內(nèi)部
23、異常會(huì)因工作頻率異常而燒毀IGBT管 原因七:VCE檢測(cè)電路異常 VCE檢測(cè)電路將IGBT管的集電極上的脈沖電壓通過(guò)電阻分壓,取樣獲得其取樣電壓,此電壓變化的信息送人CPU,CPU監(jiān)測(cè)該電壓的變化,發(fā)出各種相應(yīng)指令,當(dāng)VCE檢測(cè)電路異常時(shí),VCE脈沖幅度值超過(guò)IGBT的極限值,從而導(dǎo)致IGBT 的損壞 原因八:用戶鍋具變形或鍋底凹凸不平電路板燒IGBT或保險(xiǎn)絲的維修程序電流保險(xiǎn)絲或IGBT燒壞,不能馬上換上該零件,必須確認(rèn)下列其它零件是在正常狀態(tài)時(shí)才能進(jìn)行更換,否則,IGBT和保險(xiǎn)絲又會(huì)燒壞。 一、電路板燒IGBT或保
24、險(xiǎn)絲的維修程序 保險(xiǎn)絲或IGBT燒壞,不能馬上換上該零件,必須確認(rèn)下列其它零件是在正常狀態(tài)時(shí)才能進(jìn)行更換,否則,IGBT和保險(xiǎn)絲又會(huì)燒壞。這樣付出的代價(jià)就大了。 1檢查保險(xiǎn)絲是否燒斷 2檢測(cè)IGBT是否擊穿: 用萬(wàn)用表二極管檔測(cè)量IGBT的“E”;“C”;“G”三極間是否擊穿短路。 A:“E”極與“G”極;“C”極與“G”極,正反測(cè)試均不導(dǎo)通(正常)。
25、160; B:萬(wàn)用表紅筆接”E“極,黑筆接“C”極有0.4V左右的電壓降(型號(hào)為GT40T101三極全不通)。 3測(cè)量互感器是否斷腳,正常狀態(tài)如下: 用萬(wàn)用表電阻檔測(cè)量互感器次級(jí)電阻約80;初極為0。 4整流橋是否正常(用萬(wàn)用表二極管檔測(cè)試): A:數(shù)字萬(wàn)用表紅筆接“-”,黑筆接“+”有0.9V左右的電壓降,調(diào)反無(wú)顯示。 B:萬(wàn)用表紅筆接“-”,
26、黑筆分別接兩個(gè)輸入端均有0.5V左右的電壓降,調(diào)反無(wú)顯示。 C:萬(wàn)用表黑筆接“+”,紅筆分別接兩個(gè)輸入端均有0.5V左右的電壓降,調(diào)反無(wú)顯示。 5檢查電容C301;C302;C303;是否受熱損壞。(如果損壞已變形或燒熔) 6檢測(cè)芯片8316是否擊穿: 測(cè)量方法:用萬(wàn)用表測(cè)量8316引腳,要求1和2;1和4;7和2;7和4之間不能短路。 7IGBT處熱敏開(kāi)關(guān)絕緣保護(hù)是
27、否損壞。按鍵動(dòng)作不良的檢測(cè)測(cè)量CPU口線是否擊穿: 二、按鍵動(dòng)作不良 用萬(wàn)用表二極管檔測(cè)量CPU極與接地端,均有0.7V左右的電壓降,萬(wàn)用表紅筆接“地”;黑筆接“CPU每一極口線”。否則,說(shuō)明CPU口線擊穿。 三、功率不能達(dá)到到要求 1線圈盤(pán)短路:測(cè)試線圈盤(pán)的電感量:PSD系數(shù)為L(zhǎng)=157±5µH,PD系列為L(zhǎng)=140±5µH。 &
28、#160; 2鍋具與線圈盤(pán)距離是否正常。 3鍋具是否是指定的鍋具。 四、檢查各元?dú)饧欠袼蓜?dòng),是否齊全。 裝配后不良狀況的檢查: 1.不加熱:檢查互感器是否斷腳。 2.插電后長(zhǎng)鳴:檢查溫度開(kāi)關(guān)端子是否接插良好。 3.無(wú)法開(kāi)機(jī):檢查熱敏電阻端子是否接插良好。 4.無(wú)小物
29、檢知(不報(bào)警):檢查電阻R301R307是否正常。 R301R302為68K R303R306為130K R307為3.0K 5.風(fēng)扇不轉(zhuǎn);檢查三極管Q2是否燒壞。(一般燒壞三極管引腳跟部已發(fā)黃;也可用萬(wàn)用表二極管檔測(cè)量) 在鍋底產(chǎn)生的渦流不能均勻的使變形的鍋具加熱,從而鍋底溫度傳感器檢測(cè)失常,CPU因檢測(cè)不到異常的溫度而繼續(xù)加熱,導(dǎo)致了IGBT 的損壞。試機(jī) ()首先將電磁爐的電
30、源串聯(lián)一個(gè)燈泡(150W-200W最好200W)不放鍋開(kāi)機(jī)200W燈泡不亮,自檢通過(guò),然后將電磁爐火候調(diào)到小檔位后再放鍋燈泡有規(guī)律的一亮一暗(注意亮度很高,且能夠正常工作,會(huì)有加熱的聲音),拿走鍋,燈泡即滅不亮不閃爍。將電磁爐火候調(diào)到最高后放鍋燈泡會(huì)突然亮起不閃爍然后電磁爐會(huì)因?yàn)殡妷汗β什粔蜃詣?dòng)停機(jī),會(huì)伴隨有滴滴滴滴滴的聲音(燈泡恢復(fù)不亮)然后關(guān)機(jī)。這樣電磁爐是正常的。請(qǐng)各位愛(ài)好維修的同志們,分享一下維修知識(shí) (二)用40-60w燈泡,并在諧振電容兩端,不接線盤(pán),通電,開(kāi)機(jī),如燈不亮,并伴有電子開(kāi)關(guān)的聲音,就可以接線盤(pán)加熱了,如燈一通電就亮,主電源有短路,如開(kāi)機(jī)后滴一下燈亮一下,一般
31、諧振電容,對(duì)管,339,和pwm脈沖有問(wèn)題 。 在交流220v上串接一只40或60w燈泡,用來(lái)限流.電磁爐面 板,主板,線盤(pán),風(fēng)扇等均裝進(jìn)外殼並連接.進(jìn)行下面操作試機(jī), 若出現(xiàn)下列情況表示正常.1: 不接線盤(pán),插上電源,蜂鳴器發(fā)出"B"一聲,燈泡暗紅.2: 接上線盤(pán),開(kāi)機(jī),燈泡仍暗紅,蜂鳴器發(fā)出間隔"B","B"聲.3: 放鍋具,插上電源,燈暗紅,開(kāi)機(jī),燈閃亮一下即轉(zhuǎn)暗紅,風(fēng)扇轉(zhuǎn)而即停,轉(zhuǎn)入待機(jī)狀態(tài). 斷開(kāi)線
32、盤(pán),在接線盤(pán)處接入燈泡,或?qū)襞荽c線盤(pán),進(jìn)行下面試機(jī)操作,出現(xiàn)下列情況表示正常. 1: 在接線盤(pán)處接入燈泡,插上電源,燈泡不亮;開(kāi)機(jī),燈泡仍不亮,蜂鳴器冹出"B""B"間隔短聲.2: 燈泡與線盤(pán)串聯(lián),插上電源,燈泡不亮,開(kāi)機(jī),燈泡仍不亮,也不閃,蜂鳴器發(fā)出"B""B"間隔短聲,風(fēng)扇轉(zhuǎn),一分鐘后,聲消,風(fēng)扇停,轉(zhuǎn)入待機(jī)狀態(tài).以上各步均正常,表明電磁爐己經(jīng)OK! 三: 假負(fù)載,代線盤(pán),妙驗(yàn)OK! &
33、#160;將假負(fù)載(見(jiàn)附件)接于線盤(pán)兩端子(線盤(pán)拆下),進(jìn)行下面操作,出現(xiàn)下列情況表示正常1: 插上電源,蜂鳴器發(fā)出"B"一聲,待機(jī)指示燈亮,假負(fù)載指示燈不亮,無(wú)其它反應(yīng).2; 開(kāi)機(jī),數(shù)碼管顯示相應(yīng)功率,1_2秒后轉(zhuǎn)顯E0並與相應(yīng)檔指示燈及蜂鳴器"B"聲,假負(fù)載指示燈(4只)同步間隔約1秒閃爍,聲響,風(fēng)扇轉(zhuǎn)動(dòng),持續(xù)一分鐘左右,轉(zhuǎn)入待機(jī)狀態(tài)(即數(shù)顯及閃爍燈停止閃爍,"B"聲消失,風(fēng)扇停轉(zhuǎn),只有待機(jī)指示燈亮).出現(xiàn)上述情況,驗(yàn)證電路已無(wú)故障,整理裝機(jī)后可正常使用了.
34、60; 各種電磁爐錯(cuò)誤代碼格蘭士電磁爐代碼表:II型電磁爐故障代碼表(CXXA-X(X)P1II) “”表示滅,“”表示亮。15分鐘燈 30分鐘燈 45分鐘燈 60分鐘燈
35、0; 數(shù)碼顯示 故障原因 E0 硬件故障
36、160; E1 IGBT超溫 E2 電源過(guò)壓
37、 E3 電源欠壓 E4 爐面?zhèn)鞲衅鏖_(kāi)路
38、60; E5 爐面?zhèn)鞲衅鞫搪?#160; E6 爐面超溫
39、 E7 IGBT傳感器開(kāi)路格蘭士電磁爐代碼表:故障代碼 HYP1HNP1HVP1IMP1JMP1系列(II型板) X1YP3X8VP3X6BP3系列E0 電路故障
40、160;電路故障E1 IGBT超溫 無(wú)鍋或鍋具材料不合適E2 電源電壓過(guò)高 電源電壓過(guò)高(250V)E3 電源電壓過(guò)低 電源電壓過(guò)低(180V)E4 爐面?zhèn)鞲衅鏖_(kāi)路
41、60; 爐面?zhèn)鞲衅鏖_(kāi)路E5 爐面?zhèn)鞲衅鞫搪?#160; 爐面?zhèn)鞲衅鞫搪稥6 爐面超溫 爐面超溫E7 IGBT傳感器開(kāi)路 IGBT傳感器開(kāi)路E8 IGBT傳感器短路
42、; IGBT傳感器短路E9 電路故障 IGBT超溫萬(wàn)和電磁爐故障對(duì)照表:100W燈 E0 斷路開(kāi)路(主傳感器壞) 400W燈
43、0; E5 短路(主傳感器壞) 800W燈 E3 高壓保護(hù)
44、 1200W燈 E4 低壓保護(hù) 1500W燈 E2
45、0; IGBT超溫 1900W燈 E6 鍋下超溫美的電磁爐SF164/174/184/194/204/214對(duì)照表:E01
46、60; 斷路(主傳感器壞) E02 短路(主傳感器壞) E03
47、60; 高溫(主傳感器壞) E04 斷路(散熱片傳感器壞) E05&
48、#160; 短路(散熱片傳感器壞) E06 高溫(散熱片傳感器壞)
49、 E07 低壓保護(hù) E08 高壓保護(hù)
50、0; E10 干燒保護(hù) E11 主傳感器壞康寶電磁爐故障對(duì)照表:70度燈
51、0; E1 電壓過(guò)高或過(guò)低 100度燈 E2 鍋底傳感器開(kāi)路、短路
52、160; 140度燈 E3 IGBT傳感器開(kāi)路、短路 170度燈 E4
53、 電壓過(guò)大TCL電磁爐故障對(duì)照表:E0 IGBT傳感器開(kāi)路 E1 無(wú)鍋 E2
54、60; IGBT傳感器短路、超溫 E3 電壓過(guò)高 E4 電壓過(guò)低
55、60;E5 鍋底傳感器開(kāi)路、短路 E6 鍋超溫(干燒保護(hù)格力電磁爐故障對(duì)照表:E0 電壓過(guò)低
56、 E1 電壓過(guò)高 E2 鍋底傳感器開(kāi)路 E3 鍋底傳感器短路
57、 E4 IGBT傳感器開(kāi)路、短路 E5 鍋超溫(干燒保護(hù))東菱電磁爐故障代碼:故障代碼 代碼保護(hù)說(shuō)明
58、60; 備注說(shuō)明E0 無(wú)鍋、或鍋具材質(zhì)不對(duì)保護(hù) 檢鍋電路故障E1 電路系統(tǒng)保護(hù) &
59、#160; 系統(tǒng)失靈、干擾故障E2 溫度傳感器失靈保護(hù) 開(kāi)路或短路故障E3 市電壓過(guò)高保護(hù) &
60、#160; 市電壓保護(hù)電路誤動(dòng)作故障E4 市電壓過(guò)低保護(hù) 市電壓保護(hù)電路誤動(dòng)作故障E5 爐面溫度過(guò)高保護(hù)
61、 爐面控溫電路失控故障E6 IGBT功率管過(guò)溫保護(hù) IBGT控溫電路失控故障格蘭士電磁爐代碼表:A方案的故障代碼匯總(原方案CXXA-X(X)P1)E-0 或15分鐘定時(shí)燈閃亮 電源電壓過(guò)低造成電機(jī)轉(zhuǎn)速過(guò)慢或電機(jī)風(fēng)葉脫落;E-1 或30分鐘定時(shí)燈閃亮
62、;電源電壓過(guò)高造成電機(jī)轉(zhuǎn)速過(guò)快或電機(jī)卡轉(zhuǎn);E-2 或45分鐘定時(shí)燈閃亮 機(jī)器內(nèi)部散熱器溫度過(guò)高或溫控器插座脫落;E-3 或60分鐘定時(shí)燈閃亮 熱敏電阻開(kāi)路或損壞或是連接線脫落。B方案的故障代碼匯總(原方案CXXB-IMP1、CXXB-HYP1)E1 IGBT高壓保護(hù) 一般不出現(xiàn)。
63、160;E2 無(wú)鍋 鍋具位置放置不正或者鍋底面積過(guò)小。(較多出現(xiàn),有時(shí)會(huì)誤報(bào)警。如果短暫報(bào)E2很快恢復(fù)加熱可以認(rèn)為正常)。E3 熱敏電阻傳感器斷路 E4 電源電壓過(guò)壓/欠壓 即超過(guò)限定最高最低工作電壓。E
64、5 整機(jī)過(guò)流 超出設(shè)定電流值。 E6 熱敏電阻傳感器短路 E7 風(fēng)扇供電故障。
65、60; E8 干燒或者鍋體超溫保護(hù)(超260度)II型電磁爐故障代碼表(CXXA-X(X)P1II) “”表示滅,“”表示亮。15分鐘燈 30分鐘燈 45分鐘燈 60分鐘燈 數(shù)碼顯示 故障原因
66、160; E0 硬件故障
67、160; E1 IGBT超溫
68、 E2 電源過(guò)壓
69、 E3 電源欠壓 E4
70、0; 爐面?zhèn)鞲衅鏖_(kāi)路 E5 爐面?zhèn)鞲衅鞫搪?#160;
71、 E6 爐面超溫
72、 E7 IGBT傳感器開(kāi)路 &
73、#160; E8 IGBT傳感器短路故障代碼 HYP1HNP1HVP1IMP1JMP1系列(II型板) X1YP3X8VP3X6BP3系列E0
74、;電路故障 電路故障E1 IGBT超溫 無(wú)鍋或鍋具材料不合適E2 電源電壓過(guò)高 電源電壓過(guò)高(250V)E3 電源電壓過(guò)低 電源電壓過(guò)低(180V)E4
75、60; 爐面?zhèn)鞲衅鏖_(kāi)路 爐面?zhèn)鞲衅鏖_(kāi)路E5 爐面?zhèn)鞲衅鞫搪?#160; 爐面?zhèn)鞲衅鞫搪稥6 爐面超溫 爐面超溫E7 IGBT傳感器開(kāi)路
76、 IGBT傳感器開(kāi)路E8 IGBT傳感器短路 IGBT傳感器短路E9 電路故障 IGBT超溫富士寶電磁爐維修手冊(cè)代碼表:第二:故障顯示標(biāo)識(shí):E2:傳感器開(kāi)路及附件。E3:電壓過(guò)高,測(cè)R26、R17是否為2V、R29、CPU變壓器是否正常.E4:電壓過(guò)低R26、R17、R29、CPU變壓器是否正常。E5:瓷板溫度過(guò)高,傳感器是否足夠散熱油。E6:散熱片溫度過(guò)
77、高,溫控器CPU是否正常。E7:NTC傳感器開(kāi)路及附件是否正常。澳柯瑪C-18C1型電磁灶維修代碼表:E0(E-0) 電源電壓過(guò)低E1(E-1) 電源電壓過(guò)高E2(E-2) IGBT熱敏電阻開(kāi)路E3(E-3) IGBT熱敏電
78、阻短路或溫度過(guò)高E4(E-4) 爐面熱敏電阻開(kāi)路E5(E-5) 爐面熱敏電阻短路或溫度過(guò)高澳柯瑪電磁爐數(shù)碼管顯示故障代碼及排除故障(無(wú)數(shù)碼顯示的電磁爐不在范圍之內(nèi))現(xiàn)象 故障原因
79、0; 檢修方法 顯示E1 爐面溫度超過(guò)235并持續(xù)3S
80、 電磁爐爐面溫度冷卻后再開(kāi)機(jī) 顯示E2 IGBT溫度超過(guò)85并持續(xù)3S 電磁爐內(nèi)部溫度冷卻后再開(kāi)機(jī) 顯示E3
81、; 檢測(cè)電流過(guò)大 檢測(cè)電壓是否正?;蜇?fù)載是否過(guò)大 顯示E4 輸入電壓過(guò)低
82、0; 調(diào)節(jié)電源電壓或更換主控板 顯示E5 輸入電壓過(guò)高
83、 調(diào)節(jié)電源電壓或更換主控板 顯示E6 爐面上熱敏電阻短路
84、; 檢查線路或更換熱敏電阻 顯示E7 爐面上熱敏電阻斷路 檢查線路或更換熱敏電阻
85、 顯示E8 IGBT處的熱敏電阻短路 檢查線路或更換熱敏電阻 顯示E9 IGBT處的熱敏電阻斷
86、路 檢查線路或更換熱敏電阻 注:線路板為PD版本的機(jī)型,增加E0代碼,缺少E5、E6、E9代碼,E0表示內(nèi)部故障,E4表示電源欠壓/過(guò)壓,E7表示爐面的熱敏電阻斷路/開(kāi)路,E8表示IGBT處的熱敏電阻短路/短路。數(shù)碼管顯示故障代碼及排除故正夫人電磁爐維修維修代碼表:無(wú)鍋
87、; E1 每隔3秒一聲短 5秒后進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)電壓過(guò)低 E
88、2 每隔3秒一聲短 5秒后進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)電壓過(guò)高 E3 &
89、#160; 每隔3秒一聲短 5秒后進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)干燒保護(hù) E4
90、60; 每隔3秒一聲短 5秒后進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)IGBT超溫 E5 5秒后進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)
91、 TH1開(kāi)路 E6 不能開(kāi)機(jī)TH2開(kāi)路 E7
92、 不能開(kāi)機(jī)電流過(guò)大 E0 不能開(kāi)機(jī)
93、0; 定時(shí)結(jié)束 立即關(guān)機(jī)保溫狀態(tài)
94、0; 間歇工作坂田20LS8系列電磁爐故障代碼:E0-過(guò)流保護(hù)E1-爐面?zhèn)鞲衅鏖_(kāi)路,短路保護(hù).E2-1GBT傳感器開(kāi)路,短路保護(hù).E3-電源電壓過(guò)高過(guò)低保護(hù).E8-無(wú)鍋或鍋具不符保護(hù).格蘭士C20-H8B故障代碼:E0-內(nèi)部電路出現(xiàn)故障.E1-無(wú)鍋或鍋具不合適.E2-電源電壓過(guò)高.E3-電源電壓過(guò)低.E4-爐面?zhèn)鞲衅鏖_(kāi)路.E5-爐面?zhèn)鞲?/p>
95、器短路.E6-爐面溫度過(guò)高或干燒.E7-1GBT傳感器開(kāi)路.E8-1GBT傳感器短路.E9-1GBT傳感器溫度過(guò)高.九陽(yáng)電磁爐故障代碼:E0 內(nèi)部電路故障E1 無(wú)鍋或鍋具(材質(zhì)、大小、形狀、位置)不合適;E2 機(jī)器內(nèi)部散熱不暢或機(jī)內(nèi)溫度傳感器故障;E3 電網(wǎng)電壓過(guò)高;E4 電網(wǎng)電壓過(guò)低;E5
96、60; 陶瓷板溫度傳感器斷裂;E6 鍋具發(fā)生干燒、鍋具溫度過(guò)高;E8 機(jī)器內(nèi)部潮濕或有臟物造成按鍵閉合。力邦電磁爐故障代碼:E1: 無(wú)鍋.每隔3秒一聲短笛音報(bào)警.連續(xù)性分鐘轉(zhuǎn)入待機(jī).E2: 電源電壓過(guò)低.兩長(zhǎng)三短笛音報(bào)警.響兩次轉(zhuǎn)入待機(jī).(間隔5秒).E3: 電源電壓過(guò)高.兩
97、長(zhǎng)四短笛音報(bào)警.間隔5秒響一次.E4: 鍋超溫.三長(zhǎng)三短笛音報(bào)警.響兩次轉(zhuǎn)入待機(jī).(間隔5秒).E6: 鍋空燒.兩長(zhǎng)三短笛音報(bào)警.響兩次轉(zhuǎn)入待機(jī).(間隔5秒).E0: IGBT超溫.四長(zhǎng)三短笛音報(bào)警.響兩次轉(zhuǎn)入待機(jī).(間隔5秒).E7: TH開(kāi)路(管溫傳感器).四長(zhǎng)五短笛音報(bào)警.間隔5秒響一次.E8: TH短
98、路(管溫傳感器).四長(zhǎng)四短笛音報(bào)警.間隔5秒響一次.E9: 鍋傳感器開(kāi)路.三長(zhǎng)五短笛音報(bào)警.間隔5秒響一次.EE: 鍋傳感器短路.三長(zhǎng)四短笛音報(bào)警.間隔5秒響一次.E5: VCE過(guò)高.無(wú)聲.重新試探啟動(dòng).定時(shí)結(jié)束:響一長(zhǎng)聲轉(zhuǎn)入待機(jī).無(wú)時(shí)基信號(hào).燈不亮.響兩秒停兩秒.連續(xù).美聯(lián)電磁爐自動(dòng)保護(hù)出錯(cuò)屏顯代碼:E-0 輸入電壓過(guò)低E-1 &
99、#160; 輸入電壓過(guò)高E-2 IGBT溫度傳感器開(kāi)路或溫度過(guò)低保護(hù)E-3 IGBT溫度傳感器短路或溫度過(guò)高保護(hù)E-4 灶面溫度傳感器開(kāi)路或溫度過(guò)低保護(hù)E-5 灶面溫度傳感器短路或溫度過(guò)高保護(hù)三角牌電磁爐故障對(duì)照表:電壓過(guò)低電壓過(guò)高傳感器開(kāi)路傳感器短路爐面?zhèn)鞲衅鏖_(kāi)路爐面?zhèn)鞲衅鞫搪访赖碾姶艩t:火力燈1
100、; 主傳感器開(kāi)路火力燈2 主傳感器短路火力燈1、2 &
101、#160; 主傳感器高溫火力燈3 散熱片傳感器斷路火力燈1、3 散熱片傳感器短路火力燈2、3
102、; 散熱片傳感器高溫火力燈1、2、3 電壓工作保護(hù)火力燈4 高電壓保護(hù)火力燈2、4
103、0; 鍋具干燒保護(hù)火力燈1、2、4 傳感器失效保護(hù)九陽(yáng)JYC-18B故障代碼:E0 內(nèi)部電路故障E1 &
104、#160; 無(wú)鍋或鍋具才質(zhì)/大小/形狀/位置不合適E2 機(jī)器內(nèi)部散熱不暢或機(jī)內(nèi)溫度傳感器故障E3 電網(wǎng)電壓過(guò)高E4 電網(wǎng)電壓過(guò)低E5
105、0; 陶瓷板溫度傳感器斷裂E6 鍋具發(fā)生干燒,鍋具溫度過(guò)高,陶瓷板溫度傳感器短路蘇泊爾電磁爐常見(jiàn)故障代碼:E0 內(nèi)部線路故障E1 無(wú)鍋具或鍋具不適用于電磁爐E3 過(guò)載保護(hù)(一般是電壓高于253V)E4 欠壓保護(hù)(一般是電壓低于175V)E5 傳感器開(kāi)路E6 爐面溫度過(guò)熱保護(hù)福田電磁爐代碼表:安全保護(hù) 鍋具檢測(cè)功能: &
106、#160; 電磁爐在使用過(guò)程中,如將鍋具移開(kāi),蜂鳴器每1.5秒報(bào)警一次,顯示EO,功率停止輸出,30秒內(nèi)無(wú)鍋具重新放置于面板上,電磁爐將自動(dòng)關(guān)機(jī)。材質(zhì)不適檢測(cè)功能:電磁爐使用非鐵質(zhì)或凹凸太大的鍋具時(shí),蜂鳴器每1.5秒報(bào)警一次,顯示E0,無(wú)功率輸出,30秒后自動(dòng)關(guān)機(jī)。小件檢測(cè)功能: 電磁爐使用鍋具小于8CM時(shí),蜂鳴器每1.5秒報(bào)警一次,顯示EO,無(wú)功率輸出,30秒自動(dòng)關(guān)機(jī)。 兩小時(shí)無(wú)按鍵操作自動(dòng)關(guān)機(jī):為防止人離開(kāi)后發(fā)生意外,兩小時(shí)內(nèi)無(wú)按鍵操作將自動(dòng)關(guān)機(jī)。鍋底過(guò)溫保護(hù):
107、160; 當(dāng)電磁爐檢測(cè)到鍋底溫度過(guò)高時(shí),功率暫停輸出,待溫度降下后再繼續(xù)加熱。 高壓保護(hù)功能: 當(dāng)電磁爐檢測(cè)到輸入電壓超過(guò)270V時(shí),顯示E3,功率暫停輸出,待電壓正常后再繼續(xù)加熱。低壓保護(hù)功能: 當(dāng)電磁爐檢測(cè)到輸入電壓低于170V時(shí),顯示E4,功率暫停輸出,待電壓正常后再繼續(xù)加熱。
108、功率管過(guò)溫保護(hù): 當(dāng)電磁爐檢測(cè)到功率管溫度過(guò)高時(shí),功率暫停輸出,待溫度隆下后再繼續(xù)加熱??垢蓴_保護(hù): 當(dāng)電磁爐檢測(cè)到瞬間輸入電壓超大型過(guò)330V,功率暫停輸出,待電壓正常駐后再繼續(xù)加熱。 傳感器檢測(cè)功能: 當(dāng)電磁爐檢測(cè)到功率管傳感器開(kāi)路或短路時(shí),顯示E1,不輸出功率;當(dāng)電磁爐檢測(cè)到爐面?zhèn)鞲虚_(kāi)路或短路時(shí),顯示E2,不輸出功率。奔騰電
109、磁爐的故障顯示代碼:一、奔騰新款電磁爐PC19N-B,PC19N-C故障顯示代碼01、IGBT傳感器開(kāi)路時(shí),顯示屏顯示E002、電磁爐上電無(wú)鍋時(shí),顯示屏顯示EI3、IGBT超溫時(shí)或傳感器短路時(shí),顯示屏顯示E24、電網(wǎng)電壓過(guò)高時(shí),電磁爐過(guò)壓保護(hù),顯示屏顯示E3(260V)5、電網(wǎng)電壓過(guò)低時(shí),電磁爐欠壓保護(hù),顯示屏顯示E4 (160V)6、電磁爐鍋底傳感器開(kāi)路,顯示屏顯示E57、電磁爐上電干燒時(shí),顯示屏顯示E6注:有故障后,電磁爐停止工作,故障代碼一直顯示, 蜂鳴器 “BBBB” 報(bào)警10S,只有按 “開(kāi)關(guān)”鍵才可以進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)(其它按鍵無(wú)效)再按“開(kāi)關(guān)”鍵重新開(kāi)機(jī)。
110、60; 開(kāi)機(jī)后,延時(shí)3分鐘再判兩個(gè)傳感器是否開(kāi)路報(bào)警二、奔騰電磁爐PC10N-A故障顯示代碼1、電網(wǎng)電壓過(guò)高時(shí),顯示板顯示E12、電網(wǎng)電壓過(guò)低時(shí),顯示板顯示E03、主傳感器開(kāi)路時(shí),顯示板顯示E34、當(dāng)IGBT傳感器開(kāi)路和短路時(shí),顯示板顯示E45、當(dāng)電磁爐干燒/過(guò)熱時(shí),顯示板顯示 E6三、奔騰其它型號(hào)電磁爐故障顯示代碼是相同的1、電磁爐按鍵短路時(shí),顯示屏顯示E02、電磁爐主傳感器開(kāi)路時(shí),顯示屏顯示E13、電磁爐主傳感器短路時(shí),顯示屏顯示E24、電磁爐散熱片傳感器開(kāi)路時(shí),顯示屏顯示E35、電磁爐散熱片傳感器短路時(shí),顯示屏顯示E46、電磁爐工作電壓過(guò)低時(shí),顯示屏顯示
111、E57、電磁爐工作電壓過(guò)高時(shí),顯示屏顯示E68、電磁爐主傳感器高溫時(shí),顯示屏顯示E7三洋電磁爐:E0內(nèi)部電路故障E1無(wú)鍋或鍋具(材質(zhì)、大小、形狀、位置)不合適;E2機(jī)器內(nèi)部散熱不暢或機(jī)內(nèi)溫度傳感器故障;E3電網(wǎng)電壓過(guò)高;E4電網(wǎng)電壓過(guò)低;E5陶瓷板溫度傳感器斷裂;E6鍋具發(fā)生干燒、鍋具溫度過(guò)高萬(wàn)家樂(lè)故障代碼:E0 內(nèi)部故障E1 爐面溫度過(guò)高E2 IGBT溫度過(guò)高E4 電壓過(guò)低E5 電壓過(guò)高E6 鍋具傳感器 短路E7 鍋具傳感器開(kāi)路E8 IGBT傳感器短路E9 IGBT傳感器開(kāi)路好妻子電磁爐代碼:E0 無(wú)鍋E2
112、160; 傳感器開(kāi)路或短路E3 電壓高(260V)E4 電壓不高(170V)E5 防空燒E6 機(jī)內(nèi)溫度過(guò)高南寧多麗電磁爐:電流過(guò)大度燈閃亮電壓過(guò)低度燈閃亮電壓過(guò)高度燈閃亮傳感器開(kāi)路或短路度燈閃亮電流信號(hào)過(guò)零檢測(cè)度燈閃亮爐面?zhèn)鞲衅鏖_(kāi)路或短路火鍋燈閃亮爐面干燒引起超溫保護(hù)保溫?zé)糸W亮萬(wàn)和電磁爐故障對(duì)照表:100W燈
113、 E0 斷路開(kāi)路(主傳感器壞) 400W燈 E5 短路(主傳感器壞) &
114、#160; 800W燈 E3 高壓保護(hù) 1200W燈 E4
115、 低壓保護(hù) 1500W燈 E2 IGBT超溫 1900W燈
116、 E6 鍋下超溫美的電磁爐SF164/174/184/194/204/214對(duì)照表:E01 斷路(主傳感器壞) E02
117、; 短路(主傳感器壞) E03 高溫(主傳感器壞)
118、160; E04 斷路(散熱片傳感器壞) E05 短路(散熱片傳感器壞) E06
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