ch2_3 單片機(jī)芯片的硬件結(jié)構(gòu)part 1 80C51

1、2.4 80C51的時鐘電路及工作時序 時鐘電路用于產(chǎn)生單片機(jī)工作所需要的時鐘信號。 時序所研究的是指令執(zhí)行中各信號之間的相互時間關(guān)系。 單片機(jī)本身就是一個復(fù)雜的同步時序電路。 2.4.1 時鐘電路 在80C51內(nèi)帶有時鐘電路，只需要在片外通過XTAL1和XTAL2引腳接入定時控制元件晶體振蕩器和電容，即可構(gòu)成一個穩(wěn)定的自激振蕩器。在80C51芯片內(nèi)部有一個高增益反相放大器，而在芯片的外部，XTAL1和XTAL2之間跨接晶體振蕩器和微調(diào)電容。80C51的時鐘電路如下圖見教材P30圖2.12。 由圖可見，時鐘電路由以下幾局部組成：振蕩器及定時控制元件、時鐘發(fā)生器、地址鎖存允許信號 ALE。振蕩器

2、及定時控制元件 在80C51芯片內(nèi)部有一個高增益反相放大器，其輸入端為芯片引腳XTAL1，其輸出端為引腳XTAL2。圖 80C51單片機(jī)的時鐘電路 2 只需要在片外通過XTAL1和XTAL2引腳跨接晶體振蕩器和微調(diào)電容，形成反響電路，振蕩器即可工作。振蕩電路原理如下圖見教材P30圖2.11。 振蕩器的工作可以由PD位特殊功能存放器PCON中的一位控制。當(dāng) PD置1時，振蕩器停止工作，系統(tǒng)進(jìn)入低功耗工作狀態(tài)。 振蕩器的工作頻率一般在1.212 MHz之間，由于制造工藝的改進(jìn)，有些單片機(jī)的頻率范圍正向兩端延伸，高端可達(dá)40 MHZ，低端可達(dá)0Hz。 在由多片單片機(jī)組成的系統(tǒng)中，為了使各單片機(jī)之間時

3、鐘信號的同步，應(yīng)當(dāng)引入唯一的公用外部脈沖信號作為各單片機(jī)的振蕩脈沖。 當(dāng)由外部輸入時鐘信號時，外部信號接入XTAL1端，XTAL2端懸空不用。對外部信號的占空比沒有要求，高/低電平持續(xù)時間應(yīng)不小于 20 ns。內(nèi)部時鐘發(fā)生器 內(nèi)部時鐘發(fā)生器實質(zhì)上是一個2分頻的觸發(fā)器。其輸入由振蕩器引入的，輸出為兩個節(jié)拍的時鐘信號。輸出的前半周期，節(jié)拍1P1信號有效；后半周期，節(jié)拍2P2信號有效。每個輸出周期為一個計算機(jī)CPU的狀態(tài)周期，即時鐘發(fā)生器的輸出為狀態(tài)時鐘。每個狀態(tài)周期內(nèi)包括一個P1節(jié)拍和一個P2節(jié)拍，形成CPU內(nèi)的根本定時時鐘。ALE信號 一般地說，狀態(tài)時鐘經(jīng)過3分頻之后，產(chǎn)生ALE引腳上的信號輸出

4、。2.4.2 時序定時單位 單片機(jī)執(zhí)行指令是在時序電路的控制下一步一步進(jìn)行的。時序是用定時單位來說明的。80C51的時序定時單位共有4個：振蕩周期/節(jié)拍、時鐘周期/狀態(tài)、機(jī)器周期和指令周期。單片機(jī)各周期的關(guān)系見圖所示。P1P2S1P2振蕩周期時鐘周期/狀態(tài)周期機(jī)器周期機(jī)器周期指令周期OSCS2S3S4S5S6S1S2S4S5S3S6P1P1P1P1P1P1P1P1P1P1P1P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2圖 80C51單片機(jī)各種周期的相互關(guān)系1振蕩周期/節(jié)拍P 為單片機(jī)提供定時信號的振蕩脈沖的周期稱為振蕩周期。振蕩周期也稱為節(jié)拍P。2時鐘周期/狀態(tài)周期/狀態(tài)S 時鐘周期是振蕩周期的兩

5、倍，又稱狀態(tài)周期或狀態(tài)S。一個狀態(tài)S有兩個節(jié)拍，其前半周期對應(yīng)的節(jié)拍叫P1，后半周期對應(yīng)的節(jié)拍叫P2 。3機(jī)器周期 通常將完成一個根本操作所需的時間稱為機(jī)器周期。 80C51采用定時控制方式，因此它有固定的機(jī)器周期。 規(guī)定一個機(jī)器周期的寬度為6個狀態(tài)，并依次表示為S1S6。由于一個機(jī)器周期共有12個振蕩脈沖周期，因此機(jī)器周期就是振蕩脈沖的12分頻。 當(dāng)振蕩脈沖頻率為 12 MHZ時，一個機(jī)器周期為 lS；當(dāng)振蕩脈沖頻率為6MHZ時，一個機(jī)器周期為2 S。 機(jī)器周期是單片機(jī)的最小時間單位。4指令周期 執(zhí)行一條指令所需要的時間稱為指令周期。它是最大的時序定時單位。80C51的指令周期根據(jù)指令的不同

6、，可包含有一、二、三、四個機(jī)器周期。 例如，設(shè)單片機(jī)外接晶振為12MHz時，那么單片機(jī)的四個周期的具體值為： 振蕩周期1/12MHz1/12s0.0833s 時鐘周期1/6s0.167s 機(jī)器周期1s 指令周期14s2.4.3. 80C51指令時序 80C51共有111條指令，全部指令按其長度可分為單字節(jié)指令、雙字節(jié)指令和三字節(jié)指令。 以下圖(見教材P33圖2.15)所表示的是幾種典型單機(jī)器周期和雙機(jī)器周期指令的時序。.單機(jī)器周期指令，如圖a、b所示。 雙字節(jié)時，執(zhí)行在S1P2開始，操作碼被讀入指令存放器；在S4P2時，再讀入第二個字節(jié)。單字節(jié)時，執(zhí)行在S1P2開始，操作碼被讀入指令存放器；在

7、S4P2時仍有讀操作，但被讀入的字節(jié)即下一操作碼被忽略，且此時PC并不增量。 以上兩種情況均在S6P2時結(jié)束操作。圖 80C51單片機(jī)典型指令時序.雙機(jī)器周期指令，如圖c、d所示。 單字節(jié)第一種情況：執(zhí)行在S1P2開始，在整個兩個機(jī)器周期中，共發(fā)生四次讀操作，但是后三次操作都無效。 單字節(jié)第二種情況：執(zhí)行在S1P2開始，操作碼被讀入指令存放器；在S4P2時，再讀入的字節(jié)被忽略。由S5開始送出外部數(shù)據(jù)存儲器的地址，隨后是讀或?qū)懙牟僮鳌Ｔ谧x、寫期間，ALE不輸出有效信號。在第二個機(jī)器周期，片外數(shù)據(jù)存儲器也尋址和選通，但不產(chǎn)生取指操作。 一般，算術(shù)/邏輯操作發(fā)生在節(jié)拍1期間，內(nèi)部存放器對存放器的傳送

8、發(fā)生在節(jié)拍2期間。 圖中的ALE信號是為地址鎖存而定義的，該信號每有效一次對應(yīng)單片機(jī)進(jìn)行一次讀指令操作。ALE信號以振蕩脈沖六分之一的頻率出現(xiàn)，因此在一個機(jī)器周期中，ALE信號兩次有效，第一次在S1P2和S2P1期間，第二次在S4P2和S5P1期間，有效寬度為一個狀態(tài)周期S。 單字節(jié)或雙字節(jié)指令可能是單機(jī)器周期或雙機(jī)器周期的，三字節(jié)指令是雙機(jī)器周期的，乘除指令是四個機(jī)器周期的。1單字節(jié)單周期指令如 INC A 只需進(jìn)行一次讀指令操作。當(dāng)?shù)诙€ALE有效時，由于PC沒有加1，所以讀出的還是原指令。2雙字節(jié)單周期指令如 ADD A，data ALE的兩次讀操作都是有效的，第一次是讀指令操作碼，第二

9、次是讀指令第二字節(jié)#data。3單字節(jié)雙周期指令如 INC DPTR 兩個機(jī)器周期共進(jìn)行四次讀指令的操作，但其中后三次的讀操作全是無效的。 (4) 單字節(jié)雙周期指令如MOVX MOVX類指令情況有所不同。因為執(zhí)行這類指令時，先在ROM讀取指令，然后對外部RAM進(jìn)行讀/寫操作。第一機(jī)器周期時，與其它指令一樣，第一次讀指令操作碼有效，第二次讀指令操作無效。第二周期時，進(jìn)行外部RAM訪問，此時與ALE信號無關(guān)，因此不產(chǎn)生讀指令操作。2.4.5 訪問外部ROM和RAM的時序1.訪問外部ROM的時序圖 訪問外部ROM的時序 對外部程序存貯器的訪問使用/PSEN作讀選通信號，當(dāng)從外部程序存貯器讀取指令時，

10、需要使用16位地址，且高8位地址從從P2口輸出，并且在整個機(jī)器周期內(nèi)保持不變。圖 訪問外部RAM的時序2.訪問外部RAM的時序DPH輸出/P2輸出2.5 80C51單片機(jī)的工作方式80C51單片機(jī)有復(fù)位、程序執(zhí)行、低功耗、編程和校驗等幾種工作方式。復(fù)位方式 復(fù)位操作 復(fù)位是單片機(jī)的初始化操作，其主要功能是把PC初始化為0000H，使單片機(jī)從0000H單元開始執(zhí)行程序。當(dāng)由于程序運行出錯或操作錯誤使系統(tǒng)處于死鎖狀態(tài)時，為擺脫困境，可以按復(fù)位鍵以重新啟動，也可以通過WDT看門狗定時器來強(qiáng)迫復(fù)位WDT可在單片機(jī)系統(tǒng)受干擾使程序不能正常運行時，自動產(chǎn)生復(fù)位信號。目前不少集成電路廠家已生產(chǎn)集成WDT芯片

11、，如DALLAS公司生產(chǎn)的DS1232芯片就是使用較多一種集成WDT。 。 除PC之外，復(fù)位操作還對其它一些特殊功能存放器有影響，它們的復(fù)位狀態(tài)見下表或見教材P34表 特殊功能存放器SFR的復(fù)位狀態(tài)特殊功能寄存器初始狀態(tài)特殊功能寄存器初始狀態(tài)ACC/A00HTMOD00HB00HTCON00HPSW00HTH000HSP07HTL000HDPL00HTH100HDPH00HTL100HP0P3FFHSBUFxxxxxxxxBIPxx0000000BSCON00HIE0 x000000BPCON0 xxx0000B 復(fù)位操作還對單片機(jī)的個別引腳信號有影響。例如在復(fù)位期間，ALE和/PSEN信號變

12、為無效狀態(tài)，即 ALE=0， /PSEN =l。 復(fù)位信號及其產(chǎn)生 復(fù)位信號 RST引腳是復(fù)位信號的輸入端。復(fù)位信號是高電平有效，其有效時間應(yīng)持續(xù)24個振蕩周期(即2個機(jī)器周期) 以上。 假設(shè)使用頻率為6MHz的晶振，那么復(fù)位信號應(yīng)持續(xù)4s以上。產(chǎn)生復(fù)位信號的電路邏輯圖如圖教材P34圖2.16)所示。 圖 復(fù)位電路邏輯圖 整個復(fù)位電路包括芯片內(nèi)、外兩局部。 外部電路產(chǎn)生的復(fù)位信號RST送施密特觸發(fā)器，再由片內(nèi)復(fù)位操作。有上電自動復(fù)位、按鍵復(fù)位兩種方式，示于以下圖中或見教材P35圖2.17)。 上電自動復(fù)位是通過外部復(fù)位電路的電容充電來實現(xiàn)的，見圖(a)所示。這樣只要電源的上升時間不超過1ms，

13、就可以實現(xiàn)上電自動復(fù)位，即接通電源就完成了系統(tǒng)的復(fù)位初始化。 按鍵復(fù)位有電平方式和脈沖方式兩種。其中按鍵電平復(fù)位是通過使復(fù)位端經(jīng)電阻與Vcc電源接通而實現(xiàn)的，見圖(b)所示。而按鍵脈沖復(fù)位那么是利用RC微分電路產(chǎn)生的正脈沖來實現(xiàn)的，見圖(c)所示。 這里的電路圖中，電阻電容參數(shù)適用于6MHz晶振，能保證復(fù)位信號高電平持續(xù)時間大于2個機(jī)器周期。22F C1RST R11KVcc22F C1RSTVccR2200RSTR1 R21KVccC1 C222F 80C5180C5180C51（a）上電復(fù)位電路（c）按鍵脈沖復(fù)位電路（b）按鍵電平復(fù)位電路 R11K圖 幾種復(fù)位電路2.5.2 程序執(zhí)行方式

14、程序執(zhí)行方式是單片機(jī)的根本工作方式。由于復(fù)位后PC0000H，因此程序執(zhí)行總是從0000H開始的。一般在0000H開始的單元中存放一條無條件轉(zhuǎn)移指令，以便跳轉(zhuǎn)到實際主程序的入口去執(zhí)行。比方：ORG0000HSJMPMAIN；轉(zhuǎn)主程序2.5.3 低功耗工作方式 80C51有兩種低功耗方式，即待機(jī)/空閑IDLE方式和掉電Power down)保護(hù)方式。待機(jī)方式和掉電保護(hù)方式時涉及的硬件如以下圖所示。 待機(jī)方式和掉電保護(hù)方式都是由電源控制存放器PCON的有關(guān)位來控制的。 80C51掉電保護(hù)的一般做法是：先將有用數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到內(nèi)部RAM中，然后接通備用電源供電見教材P34圖2.16,備用電源由單片機(jī)的RS

15、T/VPD接入，備用電源VPD與電源VCC的切換電路由D1和D2兩只二極管組成，當(dāng)電源電壓VCC 高于引腳RST/VPD 引腳的備用電源電壓時，D1導(dǎo)通，D2截止，內(nèi)部RAM由VCC電源供電。而當(dāng)VCC電源降至備用電源電壓以下時，那么D1截止，D2導(dǎo)通，內(nèi)部RAM由備用電源供電。此時單片機(jī)即進(jìn)入掉電保護(hù)方式。-掉電保護(hù)方式詳細(xì)說明可參閱教材節(jié)。圖 80C51待機(jī)和掉電方式內(nèi)部結(jié)構(gòu)/PD/IDL 電源控制存放器PCON是一個逐位定義的8位存放器，其格式如下： 其中： SMOD：波特率倍增位，在串行通訊時使用。 GF1、GF0：通用標(biāo)志位1、0。 PD：掉電方位式，PD1，那么進(jìn)入掉電方式。由上圖

16、可知，此時時鐘凍結(jié)。 IDL：待機(jī)方式位，IDL1，那么進(jìn)入待機(jī)方式。這時CPU因無時鐘控制而停止運作。 假設(shè)同時向PD和IDL兩位寫1，那么PD優(yōu)先。 待機(jī)方式 使用指令使PCON存放器IDL位置1，那么80C51進(jìn)入待機(jī)方式。SMOD GF1 GF0 PD IDL由上面的80C51單片機(jī)低功耗方式的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖中可看出這時振蕩器仍然運行，并向中斷邏輯、串行口和定時器/計數(shù)器電路提供時鐘，中斷功能繼續(xù)存在。 向CPU提供時鐘的電路被阻斷，因此CPU不能工作，與CPU有關(guān)的如SP、PC、PSW、ACC以及全部通用存放器都被凍結(jié)在原狀態(tài)。 可以采用中斷方式或硬件復(fù)位方法退出待機(jī)方式。 在待機(jī)方式下

17、，假設(shè)產(chǎn)生一個外部中斷請求信號，在單片機(jī)響應(yīng)中斷的同時，PCON.0位IDL位被硬件自動清0， 單片機(jī)就退出待機(jī)方式而進(jìn)入正常工作方式。在中斷效勞程序中安排一條RETI指令，就可以使單片機(jī)恢復(fù)正常工作，從設(shè)置待機(jī)方式指令的下一條指令開始繼續(xù)執(zhí)行程序。 PCON的兩個通用標(biāo)志位GF1和GF0，可用來指示中斷是在正常運行期間，還是在待機(jī)方式期間發(fā)生的。如，待機(jī)方式的啟動指令也可同時把其中一個或兩個通用標(biāo)志位置1，各中斷效勞程序根據(jù)對此二個標(biāo)志的檢查結(jié)果，就可判斷出中斷是在什么情況下發(fā)生的。 掉電保護(hù)方式(Power Down Mode)PCON存放器的PD位控制單片機(jī)進(jìn)入掉電保護(hù)方式。 當(dāng)80C5

18、1檢測到電源故障時，除進(jìn)行信息保護(hù)外，還應(yīng)把PCON.1(PD)位置1，使之進(jìn)入掉電保護(hù)方式。此時單片機(jī)一切工作都停止，只有內(nèi)部RAM單元的內(nèi)容被保護(hù)。 只能依靠復(fù)位退出掉電保護(hù)方式。 80C51備用電源由RST/VPD端引入。當(dāng)Vcc恢復(fù)正常后，只要硬件復(fù)位信號維持10ms，就能使單片機(jī)退出掉電保護(hù)方式，CPU那么從進(jìn)入掉電方式的下一條指令開始重新執(zhí)行程序。 在待機(jī)和掉電保護(hù)期間引腳的狀態(tài)見下表。表 待機(jī)和掉電保護(hù)方式時引腳狀態(tài) 由上表可知，80C51處于掉電方式時，ALE和/PSEN引腳輸出均為低電平。這樣設(shè)計的目的主要是為了便于在掉電方式下撤消對片內(nèi)RAM以外電路的供電，從而進(jìn)一步降低功

19、耗。如果在執(zhí)行片內(nèi)程序時啟動了掉電方式，那么各引腳將繼續(xù)輸出其相應(yīng)的SFR的內(nèi)容。即使80C51由片外程序進(jìn)入掉電方式，P1P2口也輸出其SFR的數(shù)據(jù)，但P0口處于高阻狀態(tài)。 掉電方式下，Vcc供電可降至2V。 2.5.4編程方式*：選學(xué)內(nèi)容，不做考試要求 對于片內(nèi)具有EPROM型程序存儲器的87C51(87C52) 和片內(nèi)具有閃速存儲器的89C51 (89C52) 、78E51 (78E52) 等單片機(jī)可以通過編程來修改程序存儲器中的程序。 89C51內(nèi)部有一個4KB的Flash EEROM。編程接口可接收高電壓(12V) 或低電壓(Vcc) 的允許編程信號。低電壓編程方式可以很方便地與89

20、C51內(nèi)的用戶系統(tǒng)進(jìn)行編程；而高壓編程方式那么可與通用的EPROM編程器兼容。對于這二種編程方式的芯片面上的型號和片內(nèi)特征字節(jié)的內(nèi)容不同。 閃速存儲器編程方式 表A列出了89C51閃速存儲器的編程、校驗、寫鎖定位等時的邏輯電平。 表A 89C51閃速存儲器的編程方式注意： 根據(jù)特征字節(jié)(地址為032H) 的內(nèi)容選擇適宜的編程電壓(VPP=12V或5V) 片擦除操作時，要求PROG的脈沖寬度為10ms。 閃速存儲器編程 在對89C51編程前，地址、數(shù)據(jù)、控制信號必須按表A和圖A設(shè)置。對89C51的編程的步驟如下：在地址線上輸入要編程存儲器單元地址。在數(shù)據(jù)線上輸入要寫入的數(shù)據(jù)。按圖B的要求輸出編程

21、和校驗的時序。對于高壓編程模式，將VPP升至12V。圖A 89C51的閃速存儲器編程和校驗見表A見表A圖B 89C51的閃速存儲器的編程和校驗每對Flash存儲陣列寫入一個字節(jié)或每寫入一個程序加密位，要向ALE/PROG輸出一個編程脈沖。改變地址和數(shù)據(jù)，重復(fù)以上幾步操作，直至目標(biāo)程序(OBJ文件) 結(jié)束。 字節(jié)寫周期是自動定時的，一般不超過1.5ms 。 查詢數(shù)據(jù) 89C51可以通過數(shù)據(jù)查詢來檢測一個寫周期是否結(jié)束。假設(shè)數(shù)據(jù)未寫完，那么從P0.7引腳上讀到的是該數(shù)據(jù)的最高位的反碼。當(dāng)寫周期結(jié)束后，讀出值即為寫入值。 準(zhǔn)備好/忙(RDY/BSY) 信號 從圖B中可看出，編程期間ALE(/PROG

22、)為高電平后，P3.4引腳被拉成低電平，表示BUSY編程結(jié)束后，ALE(/PROG)為低電平，表示READY 。 編程校驗 如果鎖定位LB1和LB2沒有被編程，代碼數(shù)據(jù)那么可讀回，用來校驗。鎖定位不能直接被校驗，只能通過觀察它們的功能是否被允許而間接得到證實。 芯片擦除 通過正確的控制信號的組合，并保持ALE/PROG引腳脈沖寬度(低電平) 約10ms，那么可對EEPROM陣列和三個鎖定位進(jìn)行電擦除，擦除后代碼陣列全為1 。注意，在對程序存儲器進(jìn)行重新編程前必須執(zhí)行片擦除操作。 讀特征字節(jié) 89C51單片機(jī)內(nèi)有三個特征字節(jié)，地址為030H、031H和032H，分別用來指示該器件的生產(chǎn)廠商、型號

23、和編程電壓。 比方： ( 030H)=1EH 表示ATMER公司生產(chǎn)。 (031H)=51H表示型號為89C51 =61H表示型號為89LV51 (032H)=FFH表示編程電壓為12V =05H表示編程電壓為5V 程序鎖定位的功能和編程 80C51片內(nèi)有三個鎖定位，但不含密碼陣列。其編程狀況和特點參見表B。當(dāng)?shù)谝患壖用軙r，邏輯電壓被取樣并鎖存。在復(fù)位期間，假設(shè)器件為上電而不是復(fù)位，那么鎖存器內(nèi)容初始化為一個隨機(jī)值，直到復(fù)位操作結(jié)束。 鎖定位的編程參照表B的邏輯電平進(jìn)行。表B 89C51程序鎖定位不同的編程狀態(tài)及其特點2.6 布爾位處理器 在80C51單片機(jī)中，與字節(jié)處理器相對應(yīng)，還特別設(shè)置了

24、一個結(jié)構(gòu)完整、功能極強(qiáng)的布爾位處理器。位處理器在開關(guān)決策、邏輯電路仿真和實時控制方面非常有效。 位處理器系統(tǒng)包括以下幾個功能部件： 位累加器：借用進(jìn)位標(biāo)志位CY/C。在布爾運算中CY是數(shù)據(jù)源之一，又是運算結(jié)果的存放處，位數(shù)據(jù)傳送的中心。根據(jù)CY的狀態(tài)實現(xiàn)程序條件轉(zhuǎn)移：JC rel、JNC rel、JBC rel位尋址的RAM：內(nèi)部RAM位尋址區(qū)中的0127位(20H2FH)；位尋址的存放器：特殊功能存放器SFR中的可以位尋址的位。位尋址的I/O口：并行I/O口中的可以位尋址的位(如P1.0)。位操作指令：位操作指令可實現(xiàn)對位的置位、清0、取反、位狀態(tài)判跳、傳送、位邏輯運算、位輸入/輸出等操作。

25、小結(jié) 本章主要介紹了80C51單片機(jī)的硬件結(jié)構(gòu)及特點。其主要內(nèi)容有：1、80C51單片機(jī)的邏輯結(jié)構(gòu)及信號引腳2、80C51單片機(jī)的存貯器3、80C51單片機(jī)并行I/O口P0P34、 80C51單片機(jī)的時鐘電路與時序5、80C51單片機(jī)的工作方式6、布爾處理器課外作業(yè)一：1. 堆棧指示器SP的作用是什么? 80C51單片機(jī)的堆棧的容量不能超過多少個字節(jié)?2. 什么是指令周期? 什么是機(jī)器周期? 80C51的一個機(jī)器周期包括多少時鐘周期?3. MOV P1, #0FFH應(yīng)當(dāng)理解為輸出全“1到P1口，還是理解為從P1口讀引腳輸入的預(yù)備動作呢？4. 把累加器寫成A與寫成ACC有何不同？ 問題討論Q1：MOV P1, #0FFH應(yīng)當(dāng)理解為輸出全“1到P1口，還是理解為從P1口讀引腳輸入的預(yù)備動作呢？Q2：把累加器寫成A與寫成ACC有何不同？Ans1：假設(shè)所接外設(shè)為單純輸出設(shè)備，那么理解為送出全“1信號；假設(shè)所接外設(shè)為單純輸入設(shè)備，那么理解為讀并行口數(shù)據(jù)之前的預(yù)備動作。Ans2：A和ACC雖指同一個存放器，但在指令中它們是有區(qū)別的。ACC在匯編后的機(jī)器指令中必有一個字節(jié)的操作數(shù)是ACC的字