幾種典型晶體模型_第1頁(yè)
幾種典型晶體模型_第2頁(yè)
幾種典型晶體模型_第3頁(yè)
幾種典型晶體模型_第4頁(yè)
幾種典型晶體模型_第5頁(yè)
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1、關(guān)于幾種典型的晶體模型第一張,PPT共七頁(yè),創(chuàng)作于2022年6月晶體結(jié)構(gòu) 晶體詳解 晶體 SiO2 原子晶體 (1)每個(gè)Si與4個(gè)O以共價(jià)鍵結(jié)合,形成正四面體結(jié)構(gòu)(2)每個(gè)正四面體占有1個(gè)Si,4個(gè)“ O”,n(Si)n(O)=12(3)最小環(huán)上有12個(gè)原子,即6個(gè)O,6個(gè)Si 第二張,PPT共七頁(yè),創(chuàng)作于2022年6月 晶體結(jié)構(gòu) 晶體詳解 晶體 干冰 分子晶體 (1)8個(gè)CO2分子構(gòu)成立方體且在6個(gè)面心又各占據(jù)1個(gè)CO2分子(2)每個(gè)CO2分子周圍等距緊鄰的CO2分子有12個(gè) 第三張,PPT共七頁(yè),創(chuàng)作于2022年6月晶體結(jié)構(gòu) 晶體詳解 晶體 NaCl 型 離子晶體 (1)每個(gè)Na+(Cl-

2、)周圍等距且緊鄰的Cl-(Na+)有6個(gè)。每個(gè)Na+周圍等距且緊鄰的Na+有12個(gè)(2)每個(gè)晶胞中含4個(gè)Na+和4個(gè)Cl-第四張,PPT共七頁(yè),創(chuàng)作于2022年6月晶體結(jié)構(gòu) 晶體詳解 晶體 CsCl 型 離子晶體(1)每個(gè)Cs+周圍等距且緊鄰的Cl-有8個(gè),每個(gè)Cs+(Cl-)周圍等距且緊鄰的Cs+(Cl-)有8個(gè)(2)如圖為8個(gè)晶胞,每個(gè)晶胞中含1個(gè)Cs+、1個(gè)Cl- 第五張,PPT共七頁(yè),創(chuàng)作于2022年6月晶體結(jié)構(gòu) 晶體詳解 晶體 簡(jiǎn)單立方堆積 金屬晶體 典型代表Po,空間利用率52%,配位數(shù)為6 典型代表Na、K、Fe,空間利用率68%,配位數(shù)為8 體心立方堆積 第六張,PPT共七頁(yè),創(chuàng)作于202

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