電腦組裝與維護培訓教程(P4版)__第四課___內(nèi)存ppt課件

1、課前導(dǎo)讀內(nèi)存概述 如何選購內(nèi)存 安裝內(nèi)存 內(nèi)存的使用與維護 課后練習第四課 內(nèi)存 課前導(dǎo)讀基礎(chǔ)知識重點知識了解知識基礎(chǔ)知識 內(nèi)存的作用、內(nèi)存的種類，讓讀者初步認識和了解內(nèi)存。重點知識 內(nèi)存的性能指標、內(nèi)存的安裝，讀者仔細閱讀相關(guān)內(nèi)容，并掌握內(nèi)存的安裝方法。了解知識 內(nèi)存的選購和內(nèi)存的品牌。內(nèi)存概述 內(nèi)存的作用 內(nèi)存的種類 內(nèi)存的性能指標 內(nèi)存是用來臨時存放數(shù)據(jù)的存儲器，它泛指電腦中用來存放數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲單元。它的容量和性能將直接影響電腦的運行速度。內(nèi)存的作用 內(nèi)存（Memory）也稱內(nèi)存儲器或主存，就像人體大腦的記憶系統(tǒng)，用于存放電腦的運行程序和處理的數(shù)據(jù)。只要打開電源啟動電腦，內(nèi)存中就會有

2、各種各樣的數(shù)據(jù)信息存在，可以說它永遠也不會空閑著。當運行電腦程序時，程序?qū)⑹紫缺蛔x入內(nèi)存中，然后在特定的內(nèi)存中開始執(zhí)行，并且處理的結(jié)果也將保存在該內(nèi)存中，也就是說內(nèi)存會和CPU之間頻繁地交換數(shù)據(jù)，沒有內(nèi)存，CPU的工作將難以開展，電腦也無法啟動。內(nèi)存的種類 按照工作原理分 按照內(nèi)存的性能分 按內(nèi)存的封裝方式分 按照工作原理分 按照內(nèi)存的工作原理主要分為兩類。 一類是RAM（Random Access Memory），即隨機存取存儲器，存儲的內(nèi)容可通過指令隨機讀寫訪問。RAM中存儲的數(shù)據(jù)在掉電時會丟失，因而只能在開機運行時存儲數(shù)據(jù)。其中RAM又可以分為兩種，一種是Dynamic RAM（DRAM

3、，動態(tài)隨機存取存儲器），另一種是Static RAM（SRAM，靜態(tài)隨機存取存儲器）。由于DRAM具有集成度高、結(jié)構(gòu)簡單、功耗低、生產(chǎn)成本低等特點，主要應(yīng)用在電腦的主存儲器中，如內(nèi)存條；而SRAM結(jié)構(gòu)相對較復(fù)雜、造價高、速度快，所以一般SRAM多應(yīng)用于高速小容量存儲器中，如Cache。 另一類是ROM（Read Only Memory），即只讀存儲器，只能從中讀取信息而不能任意寫入信息。ROM雖然價格高、容量小，但由于其具有掉電后數(shù)據(jù)可保持不變的優(yōu)點，因此多用于存放一次性寫入的程序或數(shù)據(jù)。按照內(nèi)存的性能分FPM RAM（Fast Page Mode RAM） EDO RAM（Extended

4、Data Out RAM） SDRAM（Synchronous Dynamic RAM） DDR SDRAM（Dual Date Rate SDRAM） RDRAM（Rambus DRAM） FPM RAM FPM（快頁模式）是較早的個人電腦普遍使用的內(nèi)存，它每隔3個時鐘脈沖周期傳送一次數(shù)據(jù)?，F(xiàn)在已很難看到使用這種內(nèi)存的電腦系統(tǒng)了。EDO RAM EDO（擴展數(shù)據(jù)輸出）內(nèi)存取消了主板與內(nèi)存兩個存儲周期之間的時間間隔，每隔2個時鐘脈沖周期傳輸一次數(shù)據(jù)，大大地縮短了存取時間，使存取速度提高30，達到60ns。EDO內(nèi)存主要用于72線的SIMM內(nèi)存條，以及采用EDO內(nèi)存芯片的PCI顯卡。 這種內(nèi)存流

5、行在486以及早期的奔騰電腦系統(tǒng)中，它有72線和168線之分，采用5V電壓，位寬32 bit，可用于Intel FX/VX芯片組主板上，所以某些使用奔騰100/133的電腦系統(tǒng)目前還在使用它。不過要注意的是，由于它采用5V電壓，跟下面將要介紹的SDRAM不同（SDRAM為3.3V），兩者混合使用很容易會被燒毀，因此在使用前最好了解一下該主板使用的是3.3V還是5V電壓。SDRAM SDRAM（同步動態(tài)隨機存取存儲器）將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使RAM和CPU能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，與EDO內(nèi)存相比，速度能提高50。SDRAM內(nèi)存如圖4-1所示。圖4-1 S

6、DRAM基于雙存儲體結(jié)構(gòu)，內(nèi)含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲體或陣列訪問數(shù)據(jù)時，另一個就已為讀寫數(shù)據(jù)做好了準備，通過這兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率就能得到成倍的提高。SDRAM的速度早已超過了100MHz，存儲時間已達到58ns。 SDRAM內(nèi)存的命名規(guī)則是基于工作頻率的，規(guī)格有PC100和PC133（PC150、PC166其實是PC133的延伸）兩種。 SDRAM不僅可用作主存，在顯卡上的內(nèi)存方面也有廣泛應(yīng)用。 SDRAM采用的是64位數(shù)據(jù)讀寫形式，內(nèi)存條的引腳為168線，采用雙列直插式的DIMM內(nèi)存條，讀寫速度最高達到了10ns。DDR SDRAM DDR SDRAM是SDRA

7、M的更新?lián)Q代產(chǎn)品，是目前最流行的內(nèi)存。它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣不需要提高時鐘的頻率就能成倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的傳輸速率和內(nèi)存帶寬。DDR SDRAM內(nèi)存如圖4-2所示。圖4-2 同SDRAM一樣，DDR SDRAM也是采用64位的并行數(shù)據(jù)總線，使用2.5V電壓。從外觀上來看，DDR SDRAM與SDRAM相比差別并不大，它們具有相同的長度與同樣的管腳距離。然而DDR SDRAM內(nèi)存具有184pin和一個小缺口，管腳數(shù)比SDRAM多出16pin，這些管腳主要包含了新的閥門控制、時鐘、電源和接地等信號。 DDR SDRAM內(nèi)存是基于傳輸速率命名的，

8、主要分為PC1600、PC2100、PC2700、PC4200，也稱為DDR200、DDR266、DDR333、DDR400，分別對應(yīng)工作于100MHz（實際相當于200MHz）、133MHz（實際相當于266MHz）、166MHz（實際相當于333MHz）、200MHz（實際相當于400MHz）的頻率下。RDRAM RDRAM（存儲器總線式動態(tài)隨機存儲器）是Rambus公司開發(fā)的具有系統(tǒng)帶寬、芯片到芯片接口設(shè)計的新型DRAM，它能在很高的頻率范圍下通過一個簡單的總線傳輸數(shù)據(jù)，同時使用低電壓信號，在高速同步時鐘脈沖的兩邊沿傳輸數(shù)據(jù)。RDRAM內(nèi)存如圖4-3所示。圖4-3 RDRAM需要RIMM

9、插槽及芯片組配合，而且RDRAM要求RIMM插槽必須全部插滿，空余的RIMM插槽要用專用的RDRAM終結(jié)器插滿。 RDRAM具有相當高的數(shù)據(jù)傳輸率，就一個通道而言，800MHz的RDRAM帶寬為800MHz16位=1.6GB/s，若是兩個通道，則可提升為3.2GB/s，若是4個通道，將達到6.4GB/s。 RDRAM是基于傳輸速率命名的，主要分為PC600、PC800、PC1066，分別對應(yīng)于工作在75MHz（實際相當于300MHz）、100MHz（實際相當于400MHz）、133MHz（實際相當于533MHz）頻率下。按內(nèi)存的封裝方式分SOJ TSOP Tiny-BGA BLP CSP 內(nèi)存

10、其實是由數(shù)量龐大的集成電路組成的，只不過這些電路都需要最后封包完成。這類將集成電路封包的技術(shù)就是封裝技術(shù)。封裝也可以說是安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼，它不僅擔任放置、固定、密封、保護芯片和增強導(dǎo)熱性能的作用，而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁芯片上的接點用導(dǎo)線連接到封裝外殼的導(dǎo)線上，這些導(dǎo)線又通過印制電路板上的導(dǎo)線與其他部件建立連接。因此對于很多集成電路產(chǎn)品而言，封裝技術(shù)都是非常關(guān)鍵的一環(huán)。根據(jù)內(nèi)存的封裝形式，可以將內(nèi)存分為以下幾類。SOJ SOJ（Small Out-Line J-Lead，小尺寸J形引腳封裝）封裝方式（如圖4-4所示）是指內(nèi)存芯片的兩邊有一排小的J形引腳，直接黏著在

11、印刷電路板的表面上。SOJ封裝一般用在EDO RAM內(nèi)存上。圖4-4TSOP 大部分的SDRAM內(nèi)存的芯片都是采用傳統(tǒng)的TSOP（Thin Small Out-Line Package，薄形小尺寸封裝）封裝方式。TSOP封裝方式是指外觀上輕薄且小的封裝，是在封裝芯片的周圍做出引腳，直接黏在PCB板的表面，焊點和PCB板的接觸面積小，使得芯片向PCB板傳遞熱量相對困難。相對于SOJ封裝來說，TSOP封裝厚度只有其1/3。采用TSOP封裝方式封裝的內(nèi)存如圖4-5所示。圖4-5Tiny-BGA Tiny-BGA（Tiny Ball Grid Array，小型球柵陣列封裝）封裝方式能減小芯片和整個內(nèi)存

12、的PCB的面積。Tiny-BGA可視為超小型的BGA封裝。Tiny-BGA封裝的電路連接也和傳統(tǒng)方式不同，內(nèi)存芯片和電路板的連接依賴芯片中心位置的細導(dǎo)線。在Tiny-BGA封裝中，內(nèi)存顆粒是通過一個個錫球焊接在PCB上的，由于焊點和PCB的接觸面積較大，所以內(nèi)存芯片在運行中所產(chǎn)生的熱量可以很容易地傳導(dǎo)到PCB板上并散發(fā)出去。Kingmax內(nèi)存采用的就是Tiny-BGA封裝方式。Kingmax內(nèi)存如圖4-6所示。圖4-6BLP BLP（Bottom Lead Package，底部引腳封裝）封裝方式是在傳統(tǒng)封裝技術(shù)的基礎(chǔ)上采用的一種逆向電路，由底部直接伸出引腳，其優(yōu)點就是能節(jié)省大約90%的電路，使

13、封裝尺寸及芯片表面溫度大幅下降。和傳統(tǒng)的TSOP封裝的內(nèi)存顆粒相比，BLP封裝明顯要小很多。BLP封裝與Kingmax內(nèi)存的Tiny-BGA封裝比較相似，BLP的封裝技術(shù)使得電阻值大幅下降，芯片溫度也大幅下降，工作的頻率可達到更高。BLP封裝方式如圖4-7所示。圖4-7CSP CSP（Chip Scale Package，芯片型封裝）封裝是在BGA基礎(chǔ)上發(fā)展而來的。CSP可以讓芯片面積與封裝面積之比超過1:0.14，約為普通BGA的1/3，僅相當于TSOP內(nèi)存芯片面積的1/6，這樣在相同的體積下，內(nèi)存可以裝入更多的芯片，從而增大單位容量。與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提升

14、3倍。CSP封裝不但體積小，同時也更薄，從金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.2mm，大大提升了內(nèi)存芯片在長時間運作后的可靠性，線路阻抗顯著減小，芯片速度也隨之得到大幅度的提升。此外，CSP封裝內(nèi)存芯片的中心導(dǎo)線形式有效地縮短了信號的傳導(dǎo)距離，其衰減也隨之減少，芯片的抗干擾、抗噪性也能得到大幅度提升，這也使得其存取時間比BGA封裝快15%20%。CSP封裝的內(nèi)存條如圖4-8所示。圖4-8內(nèi)存的性能指標tCK（時鐘周期） 存取時間 CAS的延遲時間 tAC ECC 綜合性能 tCK（時鐘周期） tCK代表內(nèi)存所能運行的最大頻率，數(shù)字越小說明內(nèi)存芯片所能運行的頻率越高。對于一片普通的PC-10

15、0的SDRAM內(nèi)存條來說，其芯片上的標識10代表了它的運行時鐘周期為l0ns，即可在100MHz的外頻下正常工作。大多數(shù)內(nèi)存標號的尾數(shù)表示tCK周期，如PC-133標準要求tCK的數(shù)值不大于7.5ns。存取時間 存取時間代表讀取數(shù)據(jù)所延遲的時間。目前大多數(shù)SDRAM芯片的存取時間為5、6、7、8或10ns。如LG的PC100 SDRAM芯片上的標識為7J或7K，說明它的存取時間為7ns，但它的系統(tǒng)時鐘頻率依然是10ns，外頻為100MHz。CAS的延遲時間 CL（CAS Latency）為CAS（Column Address Strobe，列地址控制器）的延遲時間，這是縱向地址脈沖的反應(yīng)時間，

16、也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范內(nèi)存的重要標志之一。如現(xiàn)在大多數(shù)的SDRAM（在外頻為100MHz時）都能在CL2或CL3的模式下運行，也就是說，它們讀取數(shù)據(jù)的延遲時間可以是兩個時鐘周期也可以是3個時鐘周期。在SDRAM的制造過程中，可以將這個特性寫入SDRAM的EEPROM（即SPB）中，在開機時主板的BIOS就會檢查此項內(nèi)容，并以CL2這一默認的模式運行。tAC tAC是CAS延遲時的最大輸入時鐘值，PC-100規(guī)范要求在CL3時，tAC不大于6ns，而某些內(nèi)存編號的尾數(shù)表示的就是這個值。ECC ECC是新型內(nèi)存中普遍提到的一種技術(shù)名詞，它是內(nèi)存校驗的一種。ECC與傳統(tǒng)的奇偶校驗（Pari

17、ty）類似，然而奇偶校驗只能檢測到錯誤所在，并不能進行糾正，ECC卻可以糾正絕大多數(shù)錯誤。它不僅能夠檢測一位錯誤，而且能夠糾正一位錯誤，這意味著系統(tǒng)能在不中斷和不破壞數(shù)據(jù)的情況下繼續(xù)運行。 一般來說，內(nèi)存條上的內(nèi)存芯片是以雙數(shù)形式出現(xiàn)的，如果有時看到單數(shù)的內(nèi)存芯片，說明該內(nèi)存是支持ECC（Error Correction Coding或Error Cheching and Correcting，是一種具有自動糾錯功能的內(nèi)存）的，也就是說一旦發(fā)現(xiàn)內(nèi)存其中一顆內(nèi)存芯片有問題時，第5顆、第9顆或第17顆內(nèi)存芯片就會自動替補。綜合性能 對于PC 100內(nèi)存來說，就是要求當CL=3的時候，tCK（Sys

18、tem clock cycle time）的數(shù)值要小于10ns、tAC（Access time from CLK）要小于6ns。這里強調(diào)是CL=3是因為對于同一個內(nèi)存條，當設(shè)置不同CL數(shù)值時，tCK的值很可能不相同，當然tAC的值也不太可能相同。總延遲時間的計算公式如下：總延遲時間=系統(tǒng)時鐘周期CL（CAS Latency）模式數(shù)+存取時間，如某PC100內(nèi)存的存取時間為6ns，可設(shè)定CL模式數(shù)為2（即CAS Latency=2），則總延遲時間=10ns2+6ns= 26ns。這就是評價內(nèi)存性能高低的重要數(shù)值。如何選購內(nèi)存了解內(nèi)存品牌及識別內(nèi)存 選購內(nèi)存應(yīng)注意的問題了解內(nèi)存品牌及識別內(nèi)存Sam

19、sung Micron Hyundai Geil 目前市場上內(nèi)存品牌較多，不過真正生產(chǎn)內(nèi)存芯片的廠商只有幾家，其他很多內(nèi)存制造商都是采用別人的內(nèi)存顆粒，如Kingmax生產(chǎn)的內(nèi)存就是采用好幾家內(nèi)存芯片廠商生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒。全球的內(nèi)存芯片廠商有Samsung、Hyundai、KingSton等幾家。Samsung Samsung是世界上最大的內(nèi)存芯片制造商，目前市場上銷售的優(yōu)質(zhì)內(nèi)存大都采用Samsung的內(nèi)存芯片。三星SDRAM內(nèi)存芯片 三星DDRAM內(nèi)存芯片 三星SDRAM內(nèi)存芯片 三星SDRAM內(nèi)存芯片內(nèi)存顆粒的型號采用16位數(shù)字編碼命名。 三星SDRAM內(nèi)存芯片編號具有一定的含義，例如，KM

20、416S16230A-G10的含義為：KM表示三星內(nèi)存，4代表RAM種類（4=DRAM），16代表內(nèi)存芯片組成x16（4=x4、8=x8、16=x16），S代表SDRAM，16代表內(nèi)存芯片密度16Mbit（1=1M、2=2M、4=4M、8=8M、16=16M），2代表刷新（0=4K、1=2K、2=8K），3表示內(nèi)存排數(shù)（2=2排、3=4排），0代表內(nèi)存接口（0=LVTTL、1=SSTL），A代表內(nèi)存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代），G代表電源供應(yīng)（G=自動刷新、F=低電壓自動刷新），10代表最高頻率（7=7ns143MHz、8=8ns125MHz、10=10ns100MHz、H=1

21、00MHz，CAS值為2、L=100MHz，CAS值為3）。 三星內(nèi)存的容量可通過編號計算出來，即用“S”后的數(shù)字乘S前的數(shù)字，得到的結(jié)果即為容量，即該內(nèi)存為256MB SDRAM內(nèi)存，刷新為8K，內(nèi)存Banks為3，內(nèi)存接口LVTTL，第2代內(nèi)存，自動刷新，速度是10ns（100MHz）。三星DDRAM內(nèi)存芯片 三星DDRAM內(nèi)存芯片編號（如KM416H4030T）表示：KM表示三星內(nèi)存，4代表RAM種類（4=DRAM），16表示內(nèi)存芯片組成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32），H代表內(nèi)存電壓（H=DDR SDRAM3.3V、L=DDR SDRAM2.5V），4代表內(nèi)存密

22、度4Mbit（4=4M、8=8M、16=16M、32=32M、64=64M、12=128M、25=256M、51=512M、1G=1G、2G=2G、4G=4G），0代表刷新（0=64M/4K15.6s、1=32M/2K15.6s、2=128M/8K15.6s、3=64M/8K7.8s、4=128M/16K7.8s）； 3表示內(nèi)存排數(shù)（3=4排、4=8排），0代表接口電壓（0=混合接口LVTTL+SSTL_3（3.V）、1=SSTL_2（2.5V），T表示封裝類型（T=66針TSOP II、B=BGA、C=微型BGA（CSP），Z代表速度133MHz（5=5ns，200MHz（400Mbit/s

23、）、6=6ns，166MHz（333Mbit/s）、Y=6.7ns，150MHz（300Mbit/s）、Z=7.5ns，133MHz（266Mbit/s）、8=8ns，125MHz（250Mbit/s）、0=10ns，100MHz（200Mbit/s）。即三星4MB16=64MB內(nèi)存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新時間0=64m/4K（15.6s），內(nèi)存芯片排數(shù)為4排（兩面各兩排），接口電壓LVTTL+SSTL_3（3.3V），封裝類型為66針TSOP II，速度133MHz。 如圖4-9所示為三星DDRAM內(nèi)存。圖4-9MicronSDRAM Rambus DDR SDRAM Mic

24、ron（美光）是美國最大的內(nèi)存顆粒制造商。 其SDRAM芯片編號格式為MT48abcdMefAgTG-hij，其中MT代表Micron的產(chǎn)品，48代表產(chǎn)品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus），ab代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS），cdMef設(shè)備號碼（深度寬度），無字母=bit，K=Kilobit（KB），M=Megabit（MB），G=Gigabit（GB）Mricron的容量=cdef；ef表示數(shù)據(jù)位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Wr

25、ite RecoveryTwr（A2=Twr=2clk）； TG代表封裝（TG=TSOPII封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F(xiàn)=54針4行FBGA，F(xiàn)B=60針816 FBGA，F(xiàn)C=60針1113 FBGA，F(xiàn)P=反轉(zhuǎn)芯片封裝，F(xiàn)Q=反轉(zhuǎn)芯片密封，F(xiàn)1=62針2行FBGA，F(xiàn)2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U= BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下幾類。SDRAM 在Micron SDRAM內(nèi)存上，內(nèi)存芯片上的參數(shù)含義如下：DRAM-4=40ns，-5=50ns，-

26、6=60ns，-7=70ns SDRAM，x32 DDR SDRAM（時鐘率為CL3）-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHzDDR SDRAM（x4，x8，x16）時鐘率為CL=2.5，-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz。Rambus 在Micron Rambus內(nèi)存上，內(nèi)存芯片上的參數(shù)含義如下：-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50

27、ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns+的含義-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）、-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）。DDR SDRAM 在Micron DDR SDRAM內(nèi)存上，內(nèi)存芯片上的參數(shù)含義如下：-8支持PC200（CL2）-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）-7支持PC200（CL2），PC2

28、66B（CL2），PC266A（CL=2.5）。例如MT48LC16M8A2TG-75L_ES表示美光的SDRAM，16M8=168MB=128MB，133MHz。如圖4-10所示為Micron DDRAM內(nèi)存。圖4-10Hyundai Hyundai是韓國較大的內(nèi)存顆粒制造商，其生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒除了供應(yīng)自己的品牌內(nèi)存外，還供給其他內(nèi)存廠家。 現(xiàn)代的SDRAM內(nèi)存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利地使用它，其SDRAM芯片編號格式為：HY 5abcdefghijklm-no。其中HY代表現(xiàn)代的產(chǎn)品，5a表示芯片類型（57=SDRAM，5D=DDR SDRAM），b代表工作電壓（空白=

29、5V，V=3。3V，U=2.5V），cde代表容量和刷新速度（16=16Mbit、4K Ref，64=64Mbit、8K Ref，65=64Mbit、4K Ref，128=128Mbit、8K Ref，129=128Mbit、4K Ref，256=256Mbit、16K Ref，257=256Mbit、8K Ref），fg代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）； h代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個Bank組成（1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關(guān)系），I代表接口（0=LVTTLLow Voltage TTL接口），j代表內(nèi)核版本（可以為空白

30、或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新），k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片），lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II），no代表速度（7=7ns143MHz，8=8ns125MHz，10p=10nsPC-100 CL2或3，10s=10nsPC-100 CL3，10=10ns100MHz，12=12ns83MHz，15=5ns66MHz）。 例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現(xiàn)代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles

31、/64ms，8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內(nèi)核，TC是400mil TSOP-封裝，10S代表CL=3的PC-100。如圖4-11所示為HYUNDAI內(nèi)存。圖4-11Geil Geil（金邦，原樵風金條）金條分為“金、紅、綠、銀、藍”5種內(nèi)存條，各種金邦金條的SPD均是確定的，對應(yīng)不同的主板。其中紅色金條是PC133內(nèi)存；金色金條針對PC133服務(wù)器系統(tǒng)，適合雙處理器主板；綠色金條是PC100內(nèi)存；藍A色金條針對AMD750/760 K7系主板，面向超頻玩家；藍V色金條針對KX133主板；藍T色金條針對KT-133主板；銀色金條是面向筆記本電腦的PC133內(nèi)存。 金邦內(nèi)存芯

32、片編號（例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32）的含義如下： 其中GL2000代表芯片類型；GP代表金邦科技的產(chǎn)品；6代表產(chǎn)品家族（6=SDRAM），LC代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS），16M8是設(shè)備號碼（深度寬度，內(nèi)存芯片容量= 內(nèi)存基粒容量基粒數(shù)目=168 =128Mbit，其中16=內(nèi)存基粒容量；8=基粒數(shù)目； M=容量單位，無字母=bit，K=KB，M=MB，G=GB），4表示版本，TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F(xiàn)=54針4行FBGA，F(xiàn)B

33、=60針816FBGA，F(xiàn)C=60針1113FBGA，F(xiàn)P=反轉(zhuǎn)芯片封裝，F(xiàn)Q=反轉(zhuǎn)芯片密封，F(xiàn)1=62針2行FBGA，F(xiàn)2=84針，2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U= BGA），-7是存取時間（7=7ns（143MHz），AMIR是內(nèi)部標識號。以上編號表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工藝，7ns、143MHz速度。 如圖4-12所示為Geil內(nèi)存。圖4-12選購內(nèi)存應(yīng)注意的問題符合主板上的內(nèi)存插槽要求 速度要匹配 注意內(nèi)存的做工 注意內(nèi)存的品牌 符合主板上的內(nèi)存插槽要求 不同的主板提供有不同線數(shù)的內(nèi)存插槽，它們分別要求使用相應(yīng)線數(shù)的內(nèi)存條。目前的主板大多數(shù)只提供184線的內(nèi)存插槽，配置時應(yīng)仔細閱讀主板說明書，看是否符合要求。速度要匹配 內(nèi)存芯片的速度應(yīng)與主板的速度匹配，不能低于主板運行的速度，否則會影響整個電腦系統(tǒng)的性能。注意內(nèi)存的做工 內(nèi)存的做工影響著內(nèi)存的性能，一般來說，要使內(nèi)存能穩(wěn)定的工作，要求使用的PCB板層數(shù)應(yīng)