核輻射物理及探測(cè)學(xué)期末總結(jié)教材課件

1、核輻射物理及探測(cè)學(xué) 期末考前總結(jié)復(fù)習(xí)第六章 射線與物質(zhì)的相互作用注意帶電粒子與非帶電粒子與物質(zhì)相互作用的區(qū)別。 帶電粒子在靶物質(zhì)中的慢化過程，可分為四種，其中前兩種是主要的：(a) 電離損失帶電粒子與靶物質(zhì)原子中軌道電子的非彈性碰撞過程。 (b) 輻射損失帶電粒子與靶原子核的非彈性碰撞過程。(c) 核碰撞損失帶電粒子與靶原子核的彈性碰撞。(d) 帶電粒子與軌道電子彈性碰撞。 入射帶電粒子與靶原子的核外電子通過庫侖作用，使電子獲得能量而引起原子的電離或激發(fā)。 入射帶電粒子與原子核之間的庫侖力作用，使入射帶電粒子的速度和方向發(fā)生變化，伴隨著發(fā)射電磁輻射軔致輻射Bremsstrahlung。 當(dāng)入射

2、帶電粒子與原子核發(fā)生非彈性碰撞時(shí)，以輻射光子的形式損失其能量，稱為輻射損失。6.2 重帶電粒子與物質(zhì)的相互作用1、重帶電粒子與物質(zhì)相互作用的特點(diǎn) 重帶電粒子主要通過電離損失而損失能量，同時(shí)使介質(zhì)原子電離或激發(fā)； 重帶電粒子在介質(zhì)中的運(yùn)動(dòng)徑跡近似為直線。 2、重帶電粒子在物質(zhì)中的能量損失規(guī)律1) 能量損失率(Specific Energy Loss) 指單位路徑上引起的能量損失，又稱為比能損失或阻止本領(lǐng)(Stopping Power)。 又分為電離能量損失率和輻射能量損失率。 對(duì)重帶電粒子，輻射能量損失率相對(duì)小的多，因此重帶電粒子的能量損失率就約等于其電離能量損失率。2) Bethe 公式(Be

3、the formula) Bethe公式是描寫電離能量損失率Sion與帶電粒子速度v、電荷z 以及作用物質(zhì)屬性等關(guān)系的經(jīng)典公式。其中：入射粒子電荷數(shù)入射粒子速度靶物質(zhì)單位體積的原子數(shù)靶物質(zhì)原子的原子序數(shù)靶物質(zhì)平均等效電離電位m0為電子靜止質(zhì)量3) Bethe 公式的討論(2)、 與帶電粒子的電荷數(shù)z的關(guān)系；(1)、 與帶電粒子的質(zhì)量M無關(guān)，而僅與其速度 v 和電荷數(shù) z 有關(guān)。(3)、 與帶電粒子的速度v的關(guān)系：非相對(duì)論情況下，B隨v變化緩慢，近似與v無關(guān)，則：(4)、 ，吸收材料密度大，原子序數(shù)高的，其阻止本領(lǐng)大。 1) 重帶電粒子徑跡的特征基本是直線質(zhì)子、徑跡粗細(xì)不同有分叉能量高，徑跡細(xì)3

4、、重帶電粒子在物質(zhì)中的射程2) 射程(Range)的定義 帶電粒子沿入射方向所行徑的最大距離，稱為入射粒子在該物質(zhì)中的射程R。 重帶電粒子的質(zhì)量大，與物質(zhì)原子相互作用時(shí)，其運(yùn)動(dòng)方向幾乎不變。因此，重帶電粒子的射程與其路程相近。2、不同粒子以相同速度，入射在同一物質(zhì)中，關(guān)于射程的幾點(diǎn)討論：例：p、以相同速度入射在同種物質(zhì)中， M/z2均為1，它們的射程相等。1、同種粒子以相同速度，入射在不同物質(zhì)中，如果Z比較接近，常數(shù)快電子與物質(zhì)的相互作用特點(diǎn)：快電子的速度大；快電子除電離損失外，輻射損失不可忽略； 快電子散射嚴(yán)重。 1、快電子的能量損失率必須考慮相對(duì)論效應(yīng)時(shí)的電離能量損失和輻射能量損失。討論：

5、(1) ：輻射損失率與帶電粒子靜止質(zhì)量m的平方成反比。所以僅對(duì)電子才重點(diǎn)考慮。當(dāng)要吸收、屏蔽射線時(shí)，不宜選用重材料。當(dāng)要獲得強(qiáng)的X射線時(shí)，則應(yīng)選用重材料作靶。(2) ：輻射損失率與帶電粒子的能量E成正比。即輻射損失率隨粒子動(dòng)能的增加而增加。(3) ：輻射損失率與吸收物質(zhì)的NZ2成正比。所以當(dāng)吸收材料原子序數(shù)大、密度大時(shí)，輻射損失大。電子的散射與反散射電子與靶物質(zhì)原子核庫侖場(chǎng)作用時(shí)，只改變運(yùn)動(dòng)方向，而不輻射能量的過程稱為彈性散射。由于電子質(zhì)量小，因而散射的角度可以很大，而且會(huì)發(fā)生多次散射。電子沿其入射方向發(fā)生大角度偏轉(zhuǎn)，稱為反散射。對(duì)同種材料，電子能量越低，反散射越嚴(yán)重；對(duì)同樣能量的電子，原子序

6、數(shù)越高的材料，反散射越嚴(yán)重。反散射的利用與避免A) 對(duì)放射源而言，利用反散射可以提高源的產(chǎn)額。B) 對(duì)探測(cè)器而言，要避免反散射造成的測(cè)量偏差。3、正電子的湮沒正電子與物質(zhì)發(fā)生相互作用的能量損失機(jī)制和電子相同。高速正電子被慢化，在正電子徑跡的末端與介質(zhì)中的電子發(fā)生湮沒，放出兩個(gè)光子。正電子的特點(diǎn)是：兩個(gè)湮沒光子的能量相同，各等于511keV兩個(gè)湮沒光子的方向相反，且發(fā)射是各向同性的。 射線與物質(zhì)的相互作用特點(diǎn)：光子通過次級(jí)效應(yīng)與物質(zhì)的原子或核外電子作用，光子與物質(zhì)發(fā)生作用后，光子或者消失或者受到散射而損失能量，同時(shí)產(chǎn)生次電子； 次級(jí)效應(yīng)主要的方式有三種，即光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)。 射線

7、與物質(zhì)發(fā)生不同的相互作用都具有一定的概率，用截面來表示作用概率的大小。總截面等于各作用截面之和，即：作用截面與吸收物質(zhì)原子序數(shù)的關(guān)系總體來說，吸收物質(zhì)原子序數(shù)越大，各相互作用截面越大，其中光電效應(yīng)隨吸收物質(zhì)原子序數(shù)變化最大，康普頓散射變化最小。光電效應(yīng)康普頓散射電子對(duì)效應(yīng)作用截面與入射光子能量的關(guān)系光電效應(yīng)截面隨入射光子能量增加而減小，開始時(shí)變化劇烈，后基本成反比。電子對(duì)效應(yīng)截面隨入射光子能量增加而增加，只有光子能量大于1.022MeV才能發(fā)生。康普頓散射截面開始基本為常數(shù)，隨入射光子能量增加而減小，減小比光電效應(yīng)緩慢。次電子能量光電效應(yīng)： 光電子康普頓散射：反沖電子電子對(duì)效應(yīng)：正負(fù)電子對(duì)隨機(jī)

8、變量的運(yùn)算和組合(A)(B)相互獨(dú)立的隨機(jī)變量的“和”、“差”與“積”的數(shù)學(xué)期望，是各隨機(jī)變量數(shù)學(xué)期望的“和”、“差”與“積”，即： 第七章 輻射探測(cè)中的概率統(tǒng)計(jì)問題(C)相互獨(dú)立的隨機(jī)變量的“和”與“差”的方差，是各隨機(jī)變量方差的“和” ，即： (D)相互獨(dú)立的遵守泊松分布的隨機(jī)變量之“和”仍服從泊松分布。但是相互獨(dú)立的遵守泊松分布的隨機(jī)變量之“差”，不服從泊松分布。串級(jí)隨機(jī)變量的主要特點(diǎn)：(A) 期望值：(B) 方差：(C) 相對(duì)方差： 假如第一級(jí)隨機(jī)變量的數(shù)學(xué)期望很大，那么就可以忽略第二級(jí)隨機(jī)變量的相對(duì)方差對(duì)串級(jí)隨機(jī)變量的相對(duì)方差的貢獻(xiàn)。 (D) 由兩個(gè)伯努利型隨機(jī)變量1和2串級(jí)而成的隨

9、機(jī)變量 仍是伯努利型隨機(jī)變量。若 1 和 2 的正結(jié)果發(fā)生概率分別為p1和p2，則 正結(jié)果發(fā)生概率為：(E) 由泊松分布的隨機(jī)變量1與伯努利型隨機(jī)變量2串級(jí)而成的隨機(jī)變量 仍遵守泊松分布。設(shè)1的平均值為m1,而2的正結(jié)果發(fā)生概率為p2，則 的平均值為： 對(duì)于一個(gè)具有N0個(gè)放射性核的放射源，在t 時(shí)間內(nèi)發(fā)生核衰變數(shù)N遵守二項(xiàng)式分布。長壽命核素，其衰變概率很小為有限量在t 時(shí)間內(nèi)總衰變數(shù)N遵守泊松分布期望值方差核衰變數(shù)的漲落放射性測(cè)量的統(tǒng)計(jì)誤差(1). 探測(cè)器輸出計(jì)數(shù)的統(tǒng)計(jì)分布脈沖計(jì)數(shù)器的測(cè)量過程可以概括為三個(gè)基本過程，其計(jì)數(shù)值為一個(gè)三級(jí)串級(jí)型隨機(jī)變量。 源發(fā)射粒子數(shù)n1射入探測(cè)器粒子數(shù)n2探測(cè)器

10、輸出脈沖數(shù)n3(2). 探測(cè)計(jì)數(shù)的統(tǒng)計(jì)誤差粒子計(jì)數(shù)探測(cè)器輸出脈沖數(shù)服從統(tǒng)計(jì)分布規(guī)律，當(dāng)計(jì)數(shù)的數(shù)學(xué)期望值m較小時(shí)，服從泊松分布。 m較大時(shí)，服從高斯分布。而且，m較大時(shí)，m與有限次測(cè)量的平均值 和任一次測(cè)量值 N 相差不大。 N為單次測(cè)量值標(biāo)準(zhǔn)偏差 隨計(jì)數(shù)N增大而增大，因此用相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差來表示測(cè)量值的離散程度：計(jì)數(shù)測(cè)量結(jié)果的表示：表示一個(gè)置信區(qū)間，該區(qū)間包含真平均值的概率為68.3（置信度）。電離過程的漲落與法諾(Fano) 分布由于各次碰撞電離過程是非獨(dú)立的，產(chǎn)生的離子對(duì)數(shù)不能簡單用泊松分布來描述，而要對(duì)泊松分布進(jìn)行修正，引入法諾因子FF一般取 (氣體)或 0.10.15(半導(dǎo)體) 不同材料法

11、諾因子不同， F由實(shí)驗(yàn)測(cè)定。把這種分布稱為法諾分布。n1代表一個(gè)入射粒子束脈沖中包含的粒子數(shù)，是一個(gè)服從泊松分布的隨機(jī)變量。每個(gè)入射帶電粒子在探測(cè)器內(nèi)產(chǎn)生n2個(gè)離子對(duì)，也是一個(gè)隨機(jī)變量，且服從法諾分布。輸出信號(hào) N是n1和n2 的串級(jí)型隨機(jī)變量由于n1服從泊松分布，n2服從法諾分布粒子束脈沖的總電離電荷量的漲落相鄰兩個(gè)脈沖時(shí)間間隔T服從指數(shù)分布。表明：在短時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)第二個(gè)脈沖的概率較大。一些常見情況：(1)計(jì)數(shù)統(tǒng)計(jì)誤差的傳遞例如：存在本底時(shí)凈計(jì)數(shù)誤差的計(jì)算：第一次，沒有樣品，在時(shí)間t內(nèi)測(cè)得本底的計(jì)數(shù)為Nb；第二次，放上樣品，在相同時(shí)間內(nèi)測(cè)得樣品和本底的總計(jì)數(shù)為Ns。樣品的凈計(jì)數(shù)為：其標(biāo)準(zhǔn)偏差為

12、：(2)或例如：計(jì)數(shù)率的誤差：設(shè)在 t 時(shí)間內(nèi)記錄了N個(gè)計(jì)數(shù)，則計(jì)數(shù)率為n=N/t，計(jì)數(shù)率的標(biāo)準(zhǔn)偏差為：其相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差為：(3)或(4) 平均計(jì)數(shù)的統(tǒng)計(jì)誤差對(duì)某樣品重復(fù)測(cè)量k次，每次測(cè)量時(shí)間t相同(等精度測(cè)量)，得到k個(gè)計(jì)數(shù) 則在時(shí)間t內(nèi)的平均計(jì)數(shù)值為：由誤差傳遞公式，平均計(jì)數(shù)值的方差為：多次重復(fù)測(cè)量結(jié)果表達(dá)：平均計(jì)數(shù)的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差：(5) 存在本底時(shí)凈計(jì)數(shù)率誤差的計(jì)算：第一次，在時(shí)間tb內(nèi)測(cè)得本底的計(jì)數(shù)為Nb；第二次，在時(shí)間ts內(nèi)測(cè)得樣品和本底的總計(jì)數(shù)為Ns。樣品的凈計(jì)數(shù)率為：標(biāo)準(zhǔn)偏差為：相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差為：(6) 不等精度獨(dú)立測(cè)量值的平均 如果對(duì)同一量進(jìn)行了k次獨(dú)立測(cè)量，各次測(cè)量的時(shí)間為ti，

13、計(jì)數(shù)為Ni。這是不等精度測(cè)量。這時(shí)，簡單的求平均不再是求單次“最佳值”的適宜方法。需要進(jìn)行加權(quán)平均，使測(cè)量精度高的數(shù)據(jù)在求平均值時(shí)的貢獻(xiàn)大，精度低的貢獻(xiàn)小。結(jié)果表示為：如果k次測(cè)量的時(shí)間均相等，則測(cè)量為等精度測(cè)量： 從統(tǒng)計(jì)誤差而言，無論是一次測(cè)量還是多次測(cè)量，只要總的計(jì)數(shù)相同，多次測(cè)量的平均計(jì)數(shù)率相對(duì)誤差和一次測(cè)量的計(jì)數(shù)率的相對(duì)誤差是一致的。(7) 測(cè)量時(shí)間的選擇(B) 有本底存在時(shí)，需要合理分配樣品測(cè)量時(shí)間ts和本底測(cè)量時(shí)間tb。(A) 不考慮本底的影響；根據(jù)： 在相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差給定的情況下，所需最小測(cè)量時(shí)間為：輻射探測(cè)器學(xué)習(xí)要點(diǎn)：探測(cè)器的工作機(jī)制；探測(cè)器的輸出回路與輸出信號(hào)；探測(cè)器的主要性能

14、指標(biāo)；探測(cè)器的典型應(yīng)用。Pulse amplitude (log scale)第八章 氣體探測(cè)器電離室工作機(jī)制：入射帶電粒子(或非帶電粒子的次級(jí)效應(yīng)產(chǎn)生的帶電粒子)使氣體電離產(chǎn)成電子離子對(duì)，電子離子對(duì)在外加電場(chǎng)中漂移，感應(yīng)電荷在回路中流過，從而在輸出回路產(chǎn)生信號(hào)。輸出信號(hào)：電荷、電流、電壓。是理想的電荷源。是近似理想的電流源（條件：V(t) tc ( tc為載流子收集時(shí)間 )時(shí)，為電壓脈沖型工作狀態(tài)：輻射在靈敏體積內(nèi)產(chǎn)生的電子空穴對(duì)數(shù) 由于h與Cd有關(guān)，而結(jié)電容隨偏壓而變化，因此當(dāng)所加偏壓不穩(wěn)定時(shí)，將會(huì)使 h 發(fā)生附加的漲落；為解決該矛盾，PN結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器通常采用電荷靈敏前置放大器。則輸出脈

15、沖幅度為：輸出回路的時(shí)間常數(shù)為：主要性能1) 能量分辨率（線寬表示）(1) 輸出脈沖幅度的統(tǒng)計(jì)漲落 E1(2) 噪聲引起的展寬 E2電子學(xué)噪聲主要由第一級(jí)FET構(gòu)成，包括：零電容噪聲和噪聲斜率。(3) 窗厚度的影響 E3(4) 電子與空穴陷落的影響 E42） 分辨時(shí)間與時(shí)間分辨本領(lǐng)：3） 能量線性很好，與入射粒子類型和能量基本無關(guān)4） 輻照壽命輻照壽命是半導(dǎo)體探測(cè)器的一個(gè)致命的弱點(diǎn)。隨使用時(shí)間的增加，載流子壽命變短。 耗盡層厚度為12mm。 對(duì)強(qiáng)穿透能力的輻射而言，探測(cè)效率受很大的局限。P-N結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器存在的矛盾：鋰漂移探測(cè)器1) 空間電荷分布、電場(chǎng)分布及電位分布I區(qū)為完全補(bǔ)償區(qū)，呈電中性

16、為均勻電場(chǎng)；I區(qū)為耗盡層，電阻率可達(dá)1010cm；I區(qū)厚度可達(dá)1020mm，為靈敏體積。2) 工作條件 為了降低探測(cè)器和FET的噪聲，同時(shí)為降低探測(cè)器的表面漏電流，探測(cè)器和FET都置于真空低溫的容器內(nèi)，工作于液氮溫度(77K)。 對(duì)Ge(Li)探測(cè)器，須保持在低溫下； 對(duì)Si(Li)探測(cè)器，可在常溫下保存。高純鍺探測(cè)器1) P區(qū)存在空間電荷，HPGe半導(dǎo)體探測(cè)器是PN結(jié)型探測(cè)器。2) P區(qū)為非均勻電場(chǎng)。3) P區(qū)為靈敏體積，其厚度與外加電壓有關(guān)，一般工作于全耗盡狀態(tài)。4) HPGe半導(dǎo)體探測(cè)器可在常溫下保存，低溫下工作。5) 注意其空間電荷分布、電場(chǎng)分布及電位分布性能其中：Si(Li)和Ge(

17、Li)平面型探測(cè)器用于低能(X)射線的探測(cè)，其能量分辨率常以55Fe的衰變產(chǎn)物55Mn的KX能量5.95keV為標(biāo)準(zhǔn)，一般指標(biāo)約：1) 能量分辨率：為載流子數(shù)的漲落。為漏電流和噪聲； 為載流子由于陷阱效應(yīng)帶來的漲落，通過適當(dāng)提高偏置電壓減小。 HPGe，Ge(Li)同軸型探測(cè)器用于射線探測(cè)，常以60Co能量為1.332MeV的射線為標(biāo)準(zhǔn)，一般指標(biāo)約：2) 探測(cè)效率一般以3英寸3英寸的NaI(Tl)晶體為100，用相對(duì)效率來表示。以85cm3的HPGe為例，探測(cè)效率為19。3) 峰康比P = 全能峰峰值/康普頓平臺(tái)的峰值與FWHM以及體積有關(guān)，可達(dá)6008004) 能量線性：非常好5) 時(shí)間特性

18、：電流脈沖寬度約10-910-8s.1) HPGe和Ge(Li)用于組成譜儀：鍺具有較高的密度和較高的原子序數(shù)(Z=32) 應(yīng)用2) Si(Li)探測(cè)器 由于Si的Z14，對(duì)一般能量的射線，其光電截面僅為鍺的1/50，因此，其主要應(yīng)用為： 低能量的射線和X射線測(cè)量， 在可得到較高的光電截面的同時(shí)，Si的X射線逃逸將明顯低于鍺的X射線逃逸； 粒子或其他外部入射的電子的探測(cè)，由于其原子序數(shù)較低，可減少反散射。探測(cè)器的工作機(jī)制及輸出信號(hào)產(chǎn)生的物理過程氣體探測(cè)器中的電子離子對(duì)閃爍探測(cè)器中被 PMT的D1收集的電子半導(dǎo)體探測(cè)器中的電子空穴對(duì)產(chǎn)生每個(gè)信息載流子的平均能量分別為30eV(氣體探測(cè)器)300e

19、V(閃爍探測(cè)器)3eV(半導(dǎo)體探測(cè)器)探測(cè)器的信息載流子電離室：電子-正離子對(duì)的生成；離子對(duì)在電場(chǎng)中的漂移；感應(yīng)電荷的流動(dòng)；輸出電流信號(hào)和電壓信號(hào)。 正比計(jì)數(shù)器：非自持放電-碰撞電離與雪崩過程；光子反饋與離子反饋及多原子分子氣體；氣體放大系數(shù)。GM管：自持放電-電子雪崩的傳播及正離子鞘的形成；自熄過程；有機(jī)管與鹵素管的工作機(jī)制的特點(diǎn)。 閃爍探測(cè)器：發(fā)光機(jī)制；閃爍體的發(fā)光衰減時(shí)間常數(shù)；光子的收集-光電轉(zhuǎn)換-光電子被D1收集-電子倍增-電子在最后打拿極與陽極間運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生信號(hào)。 半導(dǎo)體探測(cè)器：空間電荷形成的電場(chǎng)；電子-空穴對(duì)的形成；PN結(jié)及PIN結(jié)的形成及工作原理。 1）電荷量： （電離室、半導(dǎo)體探測(cè)

20、器） （正比計(jì)數(shù)器） （閃爍探測(cè)器） （GM管） 探測(cè)器的輸出信號(hào)2）電流信號(hào)氣體和半導(dǎo)體探測(cè)器的電流信號(hào)的一般表達(dá)式： 正比計(jì)數(shù)器： 閃爍探測(cè)器： 3）電壓信號(hào)： 等效電路與輸出回路時(shí)間常數(shù) 一般表達(dá)式 （1）電流工作狀態(tài)-反映粒子束流的平均電離效應(yīng)，條件： 輸出直流電流 電壓 （2）脈沖工作狀態(tài)-反映單個(gè)入射粒子的電離效應(yīng)，條件： 電流脈沖工作狀態(tài)： tc為載流子收集時(shí)間，電壓脈沖形狀與電流脈沖相似電壓脈沖工作狀態(tài)： 電壓脈沖為電流脈沖在電容上的積分，且有 （3）脈沖束工作狀態(tài)-反映粒子束脈沖的總電離效應(yīng)，輻射源為脈沖束源。條件探測(cè)器的工作狀態(tài)電離室正比計(jì)數(shù)器閃爍探測(cè)器半導(dǎo)體探測(cè)器1）統(tǒng)計(jì)

21、漲落部分各種探測(cè)器的能量分辨率 對(duì)于電離室譜儀，放大器輸出的脈沖幅度為： 其中，A為放大器的放大倍數(shù)，是一個(gè)連續(xù)型隨機(jī)變量。則：2) 放大器放大倍數(shù)漲落的影響 放大器的噪聲對(duì)輸出脈沖幅度漲落的影響是疊加的關(guān)系，即：電離室輸出脈沖幅度放大器噪聲折合到輸入端的信號(hào)幅度幅度平均值為：其相對(duì)均方漲落：其中 ，為放大器的信噪比.3) 放大器噪聲的影響 綜合考慮統(tǒng)計(jì)漲落、放大器放大倍數(shù)A的漲落、放大器噪聲的影響，則電離室譜儀放大器輸出信號(hào)的相對(duì)均方漲落為： 要使分析器道寬影響不超過1/100，F(xiàn)WHM內(nèi)須不少于67道。 幅度分析器的道寬對(duì)能量分辨率也有影響： 能量分辨率為：能量分辨率的表示百分?jǐn)?shù)表示線寬表

22、示(單位為keV)考慮影響能量分辨率的各種因素時(shí)，譜儀的總分辨率： 放射性樣品的活度測(cè)量相對(duì)法測(cè)量簡便，但條件苛刻：必須有一個(gè)與被測(cè)樣品相同的已知活度的標(biāo)準(zhǔn)源，且測(cè)量條件必須相同。絕對(duì)測(cè)量法復(fù)雜，需要考慮很多影響測(cè)量的因素，但絕對(duì)測(cè)量法是活度測(cè)量的基本方法。1) 小立體角法2) 4計(jì)數(shù)法第十二章 輻射測(cè)量方法射線能譜的測(cè)定單能能譜的分析1) 單晶譜儀主過程：全能峰光電效應(yīng)所有的累計(jì)效應(yīng)；康普頓平臺(tái)、邊沿及多次康普頓散射；單、雙逃逸峰。2) 單能射線的能譜其他過程：和峰效應(yīng)；I(或Ge)逃逸峰；邊緣效應(yīng)(次電子能量未完全損失在靈敏體積內(nèi))。屏蔽和結(jié)構(gòu)材料對(duì)譜的影響：散射及反散射峰；湮沒峰；特征X

23、射線。24Na的衰變綱圖AB24Na的NaI能譜ABA+B SEBDEB58Co的衰變綱圖ABC58Co的NaI能譜ABC800+511Ann. Rad.各種譜儀裝置1) 單晶譜儀。探測(cè)器放大器多道分析器計(jì)算機(jī)2) 全吸收反康普頓譜儀。主探測(cè)器符合環(huán)前置放大反符合帶門控的多道前置放大控制信號(hào)測(cè)量信號(hào)3) 康普頓譜儀(雙晶譜儀)。放大器放大器符合電路帶門控的多道主探測(cè)器輔探測(cè)器測(cè)量信號(hào)門控信號(hào)4) 電子對(duì)譜儀(三晶譜儀)輔I輔II放大器放大器放大器符合帶門控的多道測(cè)量信號(hào)門控信號(hào)中子與物質(zhì)的相互作用1. 中子的散射 1) 彈性散射 (n,n) 中子與物質(zhì)的相互作用實(shí)質(zhì)上是中子與物質(zhì)的靶核的相互作用。出射粒子仍為中子、剩余核仍為靶核。反沖核的動(dòng)能：2)