半導(dǎo)體常用英語詞匯

1、MFG常用英文單字Semiconductor半導(dǎo)體導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體主要依據(jù)導(dǎo)電系數(shù)的大小，決定了電子的移動(dòng)速度。導(dǎo)體：金、銀、銅、鐵、人、水導(dǎo)電系數(shù)大，傳導(dǎo)容易絕緣體：塑料、木頭、皮革、紙導(dǎo)電系數(shù)小、傳導(dǎo)不容易半導(dǎo)體：硅中加鍺、砷、鎵、磷平時(shí)不導(dǎo)電加特定電壓后導(dǎo)電Wafer芯片或晶圓：原意為法國的松餅，餅干上有格子狀的飾紋，與FAB內(nèi)生產(chǎn)的芯片圖形類似。Lot批；一批芯片中最多可以有25片，最少可以只有一片。IDIdentification的縮寫。用以辨識(shí)各個(gè)獨(dú)立的個(gè)體，就像公司內(nèi)每一個(gè)人有自己的識(shí)別證。WaferID每一片芯片有自己的芯片刻號(hào)，叫WaferID。LotID每一批芯片有自己

2、的批號(hào)，叫LotID。PartID各個(gè)獨(dú)立的批號(hào)可以共享一個(gè)型號(hào)，叫PartID。WIPWorkInProcess，在制品。從芯片投入到芯片產(chǎn)品，F(xiàn)AB內(nèi)各站積存了相當(dāng)數(shù)量的芯片，統(tǒng)稱為FAB內(nèi)的WIP。一整個(gè)制程又可細(xì)分為數(shù)百個(gè)Stage和Step，每一個(gè)Stage所堆積的芯片,稱為StageWIP。LotPriority每一批產(chǎn)品在加工的過程中在WIP中被選擇進(jìn)機(jī)臺(tái)的優(yōu)先級(jí)。SuperHotRun的優(yōu)先級(jí)為1，視為等級(jí)最高，必要時(shí)，當(dāng)Lot在上一站加工時(shí)，本站便要空著機(jī)臺(tái)等待SuperHotRun。HotRun的優(yōu)先級(jí)為2，緊急程度比SuperHotRun次一級(jí)。Normal的優(yōu)先級(jí)為3，

3、視為正常的等級(jí)，按正常的派貨原則，或視常班向生產(chǎn)指令而定。Cycletime生產(chǎn)周期，F(xiàn)ABCycleTime定義為：從芯片投入到芯片產(chǎn)生的這一段時(shí)間。StageCycleTime：Lot從進(jìn)站等候開始到當(dāng)站加工后出貨時(shí)間點(diǎn)截止。Spec.規(guī)格Specification的縮寫。產(chǎn)品在機(jī)臺(tái)加工過程中，每一站均設(shè)定規(guī)格。機(jī)臺(tái)加工后，產(chǎn)品或控片經(jīng)由量測機(jī)臺(tái)量測，該產(chǎn)品加工后，是否在規(guī)格內(nèi)。若超出規(guī)格(OutofSPEC),必須通知組長將產(chǎn)品Hold，并同時(shí)通知制程工程師前來處理，必要時(shí)機(jī)臺(tái)要停工，重新monitor，確定量測規(guī)格，SPCOITECNYieldDisciplineAMHS藉以提升制程能

4、力。StatisticsProcessControl統(tǒng)計(jì)制程管制；透過統(tǒng)計(jì)的手法，搜集分析資料，然后調(diào)整機(jī)臺(tái)參數(shù)設(shè)備改善機(jī)臺(tái)狀況或請(qǐng)讓機(jī)臺(tái)再處理每一批產(chǎn)品時(shí)，都能接近規(guī)定的規(guī)格，藉以提升制程能力。OperationInstruction操作指導(dǎo)手冊；每同一型號(hào)的機(jī)臺(tái)都有一份OI?？梢怨蚕硪环?1。01含括制程參數(shù)、機(jī)臺(tái)程序、機(jī)器簡介、操作步驟與注意事項(xiàng)。其中操作步驟與注意事項(xiàng)是我們該熟記的部分。TemporaryEngineeringChangeNotice臨時(shí)工程變更通知。因應(yīng)客戶需求或制程規(guī)格短期變更而與0.1.所訂定的規(guī)格有所沖突時(shí)，由制程工程師發(fā)出TECN到線上，通知線上的操作人員規(guī)格

5、變更。所以上班交接之后，第一件事應(yīng)先閱讀TECN并熟記，閱讀后并要在窗體上簽名。TECN既為短暫，就必須設(shè)定期限,過期的TECN必須交由組長，轉(zhuǎn)交Key-in回收！Q：當(dāng)0.1.與TECN有沖突時(shí)，以哪一個(gè)為標(biāo)準(zhǔn)？當(dāng)月出貨片數(shù)良率二當(dāng)月出貨片數(shù)+當(dāng)月報(bào)廢片數(shù)良率越高，成本越低。簡單稱之為紀(jì)律。泛指經(jīng)由訓(xùn)練與思考，對(duì)群體的價(jià)值觀產(chǎn)生認(rèn)同而自我約束，使群體能在既定的規(guī)范內(nèi)達(dá)成目標(biāo)，與一般的盲從不同。制造部整體紀(jì)律的表現(xiàn)，可以由FAB執(zhí)行6S夠不夠徹底和操作錯(cuò)誤多寡作為衡量標(biāo)準(zhǔn)！FAB內(nèi)整體的紀(jì)律表現(xiàn)，可以反應(yīng)在Yield上。AutomaticMaterialHandlingSystem:自動(dòng)化物料

6、傳輸系統(tǒng)。FAB內(nèi)工作面積越來越大，且放8吋芯片的POD重達(dá)5.8公斤左右，利用人力運(yùn)送的情況要盡量避免，再則考慮FABWIP的增加，要有效追蹤管理每個(gè)LOT，讓FAB的儲(chǔ)存空間向上發(fā)展，而不治對(duì)FAB內(nèi)的AirFlow影響太大，所以發(fā)展AMHS。有人稱呼AMHS微Interbay或是OverheadTransportation。廣義的AMHS，應(yīng)包含Interbay和Intrabay。ProcessandEquipmentProcess：以化工反應(yīng)加工、處理。FAB內(nèi)芯片加工包含了物理和化學(xué)反應(yīng)。ProcessEngineering叫做制程工程師，簡稱為P.E.簡單稱為制程。Equipmen

7、t:機(jī)器設(shè)備的統(tǒng)稱，泛指FAB內(nèi)所有的生產(chǎn)機(jī)臺(tái)與輔助機(jī)臺(tái)。EquipmentEngineering叫做設(shè)備工程師，簡稱為E.E.簡單稱為設(shè)備。AutomationEng+MFG+P.E+E.E.構(gòu)成FAB內(nèi)基礎(chǔ)Operation。0.1.是四者共同的語言，最高指導(dǎo)原則。Recipe（PPID）程序；當(dāng)wafer進(jìn)入機(jī)臺(tái)加工時(shí)，機(jī)臺(tái)所提供的一定步驟，與每個(gè)步驟具備的條件。機(jī)臺(tái)的Recipe則記錄Wafer進(jìn)機(jī)臺(tái)后要先經(jīng)過那一個(gè)Chamber（反應(yīng)室），再進(jìn)入那一個(gè)Chamber。每一個(gè)Chamber反應(yīng)時(shí)要通過那些氣體、流量各多少？當(dāng)時(shí)Chamber內(nèi)的溫度、壓力、反應(yīng)時(shí)間應(yīng)該控制在那一個(gè)范圍。

8、CleanRoom潔凈室；在半導(dǎo)體廠引申為從事生產(chǎn)活動(dòng)的地方，也就是我們所說的FAB。Area區(qū)域；某一特定的地方。在FAB內(nèi)又可區(qū)分為以下的幾個(gè)工作區(qū)域，每一個(gè)區(qū)域在制程上均有特定的目的。WAFERSTARTAREA-芯片下線區(qū)DIFFAREA-爐管（擴(kuò)散）區(qū)PH0T0AREA-黃光區(qū)ETCHAREA-蝕刻區(qū)IMPAREA-離子植入?yún)^(qū)CVDAREA-化學(xué)氣相沉積區(qū)SPUTAREA-金屬濺鍍區(qū)CMPAREA-化學(xué)機(jī)械研磨區(qū)WATAREA-芯片允收測試區(qū)GRIND-晶背研磨區(qū)CWR1ControlWaferRecycle）-控?fù)跗厥罩行腂ay由走道兩旁機(jī)器區(qū)隔出來的區(qū)域。FAB內(nèi)的Bay排列在

9、中央走道兩旁，與中央走道構(gòu)成一個(gè)非字型，多條Bay可以并成一個(gè)Area。OPIOperatorInterface操作者接口；PROMIS系統(tǒng)呈現(xiàn)在操作端的畫面，使用者可以由起始畫面進(jìn)入特定的功能畫面，完成工作。某些常用的功能畫面經(jīng)過整合以圖形顯示在一個(gè)畫面上，每個(gè)圖形代表一項(xiàng)功能，這些圖形叫做GUI1GraphicUserInterface）。Rack貨架；擺放POD的地方，固定不動(dòng)。PNProductionNotice制造通報(bào)；凡OI未規(guī)定之范圍,或已規(guī)定但需再強(qiáng)調(diào)所及的臨時(shí)性通知最長為期個(gè)月，需經(jīng)制造部副理簽核過。PN也是每天上班父接后必讀的資料，需簽名，列入Audit項(xiàng)目。Control

10、wafer控片；控片進(jìn)機(jī)臺(tái)加工后，要經(jīng)過量測機(jī)臺(tái)量測，測量后的值可以判定機(jī)臺(tái)是否處在穩(wěn)定的狀態(tài)，可以從事生產(chǎn)或RUN出來的產(chǎn)品是否在制程規(guī)格內(nèi)，才決定產(chǎn)品是不是可以送到下一站，還是要停下來，待制程工程師檢查?？仄褂靡淮尉鸵M(jìn)入回收流程。DummyWafer擋片；擋片的用途有2種：11）暖機(jī)2補(bǔ)足機(jī)臺(tái)內(nèi)應(yīng)擺芯片而未擺的空位置。擋片可重復(fù)使用到限定的時(shí)間RUN數(shù)、厚度）后，再送去回收。Alarm警訊；機(jī)臺(tái)經(jīng)常會(huì)送出一些AlarmMessage，告訴操作人員當(dāng)時(shí)機(jī)臺(tái)不正常的地方。透過設(shè)備工程師的處理，將機(jī)臺(tái)恢復(fù)正?？梢陨a(chǎn)的狀態(tài)。部分Alarm并不影響生產(chǎn)，只是一個(gè)警告訊號(hào)，嚴(yán)重的Alarm，會(huì)將

11、機(jī)臺(tái)停下來。不論是哪種Alarm制造部操作人員都應(yīng)將訊息轉(zhuǎn)告工程部人員，不能私自處理。Move產(chǎn)量;FAB以芯片的MOVE作當(dāng)天生產(chǎn)結(jié)果的MOVE有Stagemove、stepmove、locationmove或layermove，大致上我們會(huì)以Stagemove力口上stepmove去計(jì)算各區(qū)的表現(xiàn)。KSR生產(chǎn)報(bào)表；從KSR的MOVE量，可以比較出當(dāng)天生產(chǎn)狀況的好壞。個(gè)Lot如果有25pcs，當(dāng)天移動(dòng)3個(gè)stage的話，則該Lot當(dāng)天的MOVE里為75pcs。如果這二個(gè)Stage內(nèi)有12Steps再加上第四個(gè)Stage1已過了2個(gè)step，尚有1個(gè)stepmove未過），貝V該Lot當(dāng)天st

12、epmove為25*112+2）=350pcsTurnRatio周轉(zhuǎn)率（T/R）；周轉(zhuǎn)率可以判斷FABCycleTime的長短，在制品1WIP的多寡。如果一批貨一天平均過二個(gè)Stage，該批或從下線到出貨一共要過120個(gè)stage，則該批貨的平均周轉(zhuǎn)率1T/R）為3,CycleTime為40天。將FAB所有的Lot加起來，就等于FAB現(xiàn)有在制品WIP數(shù)目。統(tǒng)計(jì)這些現(xiàn)有在制品當(dāng)天的移動(dòng)量就可以得到當(dāng)天的FAB所有的MOVE量。FAB當(dāng)天的MOVE量該FAB當(dāng)天所有產(chǎn)品的turnratio一FAB當(dāng)天的WIP水準(zhǔn)Q：批貨有100個(gè)stage,該批每天平均T/R為4,若該批貨12/30要出貨，理論上

13、要在什么時(shí)候下線？WPHPMMonitorParticlePodCassetteTagSplit/MergeWaferPerHour每小時(shí)機(jī)臺(tái)產(chǎn)出芯片數(shù)量；機(jī)臺(tái)也有MOVE，指的是該機(jī)臺(tái)在某段時(shí)間，所加工的芯片數(shù)量。這段時(shí)間，機(jī)臺(tái)實(shí)際從事生產(chǎn)的時(shí)間即為UPTime。WPH可以用來衡量直接人員的工作績效。WPH=MOVE/UPTime。例如：從早上8：00到下午18：00A機(jī)臺(tái)一天產(chǎn)出的300片Wafer。而該機(jī)臺(tái)從11：00-15：00因維修保養(yǎng)而停止生產(chǎn)，所以A機(jī)臺(tái)從08：00到18：00的平均WPH為300/（10-4）=50片。PreventionMaintenance預(yù)防保養(yǎng)；機(jī)器經(jīng)過

14、一段時(shí)間連續(xù)生產(chǎn)，必須更換部分零件或耗材，而中止生產(chǎn)交由設(shè)備工程師維修，便叫PM,異常狀況下當(dāng)機(jī)而中止生產(chǎn)不同。PM的堅(jiān)隔依機(jī)臺(tái)特性而各有不同，有的算片數(shù)或RUN數(shù)，有的固定每周每月。想象汽車每隔5000/10000公里要換機(jī)油、檢查各部位的零件，道理是一樣的。測機(jī)；O.I規(guī)定周期性之制程規(guī)格測機(jī)A:每日換班時(shí)之dailymonitorB：累積特定RUN數(shù)/片數(shù)時(shí)之monitorC:超過某一特定時(shí)間后欲執(zhí)行run貨時(shí)所必須加做之monitorD:累積特定厚度時(shí)之monitor含塵量/微塵粒子晶盒晶舟電子顯示器Split:分批Merge：合并；一批貨跑到某一點(diǎn)，因?yàn)槟承┰蚨枰鞣峙鶶plit

15、）。TE除了要將實(shí)際的Wafer分成兩批放在不同的POD內(nèi)外，還要在GUI帳上將原批號(hào)分帳。這個(gè)時(shí)候原批號(hào)被要求將部分芯片的帳轉(zhuǎn)出來，變成另一批，即產(chǎn)生子批，原批號(hào)便成為母批舉例說明：LotID：K00001.1有25片，芯片刻號(hào)#1#25其中#13#25（共13pcs）,各被客戶要求分批出來做其它加工程序，則產(chǎn)生：K00001.1#1#12（母批）、K00001.2#13#25（子批）子批的批號(hào)由MES自動(dòng)產(chǎn)生分批的原因不外乎下列幾種：1.客戶要求制程工程師調(diào)整Recipe參數(shù)，提升良率Rework重做重工控片使用前5.報(bào)廢芯片驗(yàn)機(jī)（新機(jī)臺(tái)）7.到其它廠區(qū)Backup（比較異同）半導(dǎo)體名詞解

16、釋2009-11-2416:58半導(dǎo)體名詞解釋半導(dǎo)體技術(shù)2008-11-2413:19閱讀128評(píng)論1字號(hào)：大中小何謂PIE?PIE的主要工作是什幺?答：ProcessIntegrationEngineer（工藝整合工程師），主要工作是整合各部門的資源,對(duì)工藝持續(xù)進(jìn)行改善，確保產(chǎn)品的良率（yield）穩(wěn)定良好。200mm，300mmWafer代表何意義?答：8吋硅片（wafer）直徑為200mm,直徑為300mm硅片即12吋.目前中芯國際現(xiàn)有的三個(gè)工廠采用多少mm的硅片（wafer）工藝？未來北京的Fab4（四廠）采用多少mm的wafer工藝？答：當(dāng)前13廠為200mm（8英寸）的wafer,

17、工藝水平已達(dá)0.13um工藝。未來北京廠工藝wafer將使用300mm（12英寸）。我們?yōu)楹涡枰?00mm?答：wafersize變大，單一wafer上的芯片數(shù)（chip）變多，單位成本降低200-300面積增加2.25倍，芯片數(shù)目約增加2.5倍所謂的0.13um的工藝能力（technology）代表的是什幺意義？答：是指工廠的工藝能力可以達(dá)到0.13um的柵極線寬。當(dāng)柵極的線寬做的越小時(shí)，整個(gè)器件就可以變的越小，工作速度也越快。從0.35um-0.25um-0.18um-0.15um-0.13um的technology改變又代表的是什幺意義？答：柵極線的寬（該尺寸的大小代表半導(dǎo)體工藝水平的高

18、低）做的越小時(shí)，工藝的難度便相對(duì)提高。從0.35um-0.25um-0.18um-0.15um-0.13um代表著每一個(gè)階段工藝能力的提升。一般的硅片（wafer）基材（substrate）可區(qū)分為N,P兩種類型（type）,何謂N,P-typewafer?答:N-typewafer是指摻雜negative元素（5價(jià)電荷元素，例如:P、As）的硅片,P-type的wafer是指摻雜positive元素（3價(jià)電荷元素，例如：B、In）的硅片。工廠中硅片（wafer）的制造過程可分哪幾個(gè)工藝過程（module）?答：主要有四個(gè)部分：DIFF（擴(kuò)散）、TF（薄膜）、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蝕

19、）。其中DIFF又包括FURNACE（爐管）、WET（濕刻）、IMP（離子注入）、RTP（快速熱處理）。TF包括PVD（物理氣相淀積）、CVD（化學(xué)氣相淀積）、CMP（化學(xué)機(jī)械研磨）。硅片的制造就是依據(jù)客戶的要求，不斷的在不同工藝過程（module）間重復(fù)進(jìn)行的生產(chǎn)過程，最后再利用電性的測試，確保產(chǎn)品良好。一般硅片的制造常以幾P幾M及光罩層數(shù)（masklayer）來代表硅片工藝的時(shí)間長短，請(qǐng)問幾P幾M及光罩層數(shù)（masklayer）代表什幺意義？答：幾P幾M代表硅片的制造有幾層的Poly（多晶硅）和幾層的metal（金屬導(dǎo)線）.一般0.15um的邏輯產(chǎn)品為1P6M（1層的Poly和6層的met

20、al）。而光罩層數(shù)（masklayer）代表硅片的制造必需經(jīng)過幾次的PHOTO（光刻）.Wafer下線的第一道步驟是形成startoxide和zerolayer?其中startoxide的目的是為何？答：不希望有機(jī)成分的光刻膠直接碰觸Si表面。在laser刻號(hào)過程中，亦可避免被產(chǎn)生的粉塵污染。為何需要zerolayer?答：芯片的工藝由許多不同層次堆棧而成的，各層次之間以zerolayer當(dāng)做對(duì)準(zhǔn)的基準(zhǔn)。Lasermark是什幺用途?WaferID又代表什幺意義?答：Lasermark是用來刻waferID,WaferID就如同硅片的身份證一樣，一個(gè)ID代表一片硅片的身份。一般硅片的制造（wa

21、ferprocess）過程包含哪些主要部分？答：前段（frontend）-元器件（device）的制造過程。后段（backend）-金屬導(dǎo)線的連接及護(hù)層（passivation）前段（frontend）的工藝大致可區(qū)分為那些部份？答：STI的形成（定義AA區(qū)域及器件間的隔離）阱區(qū)離子注入（wellimplant）用以調(diào)整電性柵極（polygate）的形成源/漏極（source/drain）的形成硅化物（salicide）的形成STI是什幺的縮寫？為何需要STI?答：STI:ShallowTrenchIsolation（淺溝道隔離），STI可以當(dāng)做兩個(gè)組件（device）間的阻隔，避免兩個(gè)組件間

22、的短路.16.AA是哪兩個(gè)字的縮寫?簡單說明AA的用途?答：ActiveArea，即有源區(qū)，是用來建立晶體管主體的位置所在，在其上形成源漏和柵極。兩個(gè)AA區(qū)之間便是以STI來做隔離的。17.在STI的刻蝕工藝過程中，要注意哪些工藝參數(shù)？答：STIetch（刻蝕）的角度；STIetch的深度；STIetch后的CD尺寸大小控制。（CDcontrol,CD=criticaldimension）在STI的形成步驟中有一道lineroxide（線形氧化層）,lineroxide的特性功能為何？答：Lineroxide為1100C,120min高溫爐管形成的氧化層，其功能為：修補(bǔ)進(jìn)STIetch造成的基

23、材損傷；將STIetch造成的etch尖角給于圓化（cornerrounding）。一般的阱區(qū)離子注入調(diào)整電性可分為那三道步驟?功能為何？答：阱區(qū)離子注入調(diào)整是利用離子注入的方法在硅片上形成所需要的組件電子特性，一般包含下面幾道步驟：WellImplant:形成N,P阱區(qū)；ChannelImplant:防止源/漏極間的漏電；VtImplant:調(diào)整Vt（閾值電壓）。般的離子注入層次（Implantlayer）工藝制造可分為那幾道步驟？答:一般包含下面幾道步驟:光刻（Photo）及圖形的形成；離子注入調(diào)整；離子注入完后的ash（plasma（等離子體）清洗）光刻膠去除（PRstrip）Poly（

24、多晶硅）柵極形成的步驟大致可分為那些？答：Gateoxide（柵極氧化層）的沉積；Polyfilm的沉積及SiON（在光刻中作為抗反射層的物質(zhì)）的沉積）；Poly圖形的形成（Photo）；Poly及SiON的Etch；Etch完后的ash（plasma（等離子體）清洗）及光刻膠去除（PRstrip）；Poly的Re-oxidation（二次氧化）。Poly（多晶硅）柵極的刻蝕（etch）要注意哪些地方？答：Poly的CD（尺寸大小控制；避免Gateoxie被蝕刻掉，造成基材（substrate）受損.何謂Gateoxide（柵極氧化層）？答：用來當(dāng)器件的介電層，利用不同厚度的gateoxide

25、,可調(diào)節(jié)柵極電壓對(duì)不同器件進(jìn)行開關(guān)24.源/漏極（source/drain）的形成步驟可分為那些?答：LDD的離子注入（Implant）；Spacer的形成；N+/P+IMP高濃度源/漏極（S/D）注入及快速熱處理（RTARapidThermalAnneal）。LDD是什幺的縮寫?用途為何?答：LDD:LightlyDopedDrain.LDD是使用較低濃度的源/漏極，以防止組件產(chǎn)生熱載子效應(yīng)的一項(xiàng)工藝。何謂Hotcarriereffect（熱載流子效應(yīng)）?答：在線寛小于0.5um以下時(shí)，因?yàn)樵?漏極間的高濃度所產(chǎn)生的高電場，導(dǎo)致載流子在移動(dòng)時(shí)被加速產(chǎn)生熱載子效應(yīng)，此熱載子效應(yīng)會(huì)對(duì)gateox

26、ide造成破壞，造成組件損傷。何謂Spacer?Spacer蝕刻時(shí)要注意哪些地方？答：在柵極（Poly）的兩旁用dielectric（介電質(zhì)）形成的側(cè)壁，主要由Ox/SiN/Ox組成。蝕刻spacer時(shí)要注意其CD大小，profile（剖面輪廓），及remainoxide（殘留氧化層的厚度）Spacer的主要功能?答：使高濃度的源/漏極與柵極間產(chǎn)生一段LDD區(qū)域；作為ContactEtch時(shí)柵極的保護(hù)層。為何在離子注入后，需要熱處理（ThermalAnneal）的工藝？答：為恢復(fù)經(jīng)離子注入后造成的芯片表面損傷；使注入離子擴(kuò)散至適當(dāng)?shù)纳疃?；使注入離子移動(dòng)到適當(dāng)?shù)木Ц裎恢?。SAB是什幺的縮寫？目的

27、為何？答：SAB：Salicideblock,用于保護(hù)硅片表面，在RPO（ResistProtectOxide）的保護(hù)下硅片不與其它Ti,Co形成硅化物（salicide）簡單說明SAB工藝的流層中要注意哪些？答：SAB光刻后（photo），亥蝕后（etch）的圖案（特別是小塊區(qū)域）。要確定有完整的包覆（block）住必需被包覆（block）的地方。remainoxide（殘留氧化層的厚度）。何謂硅化物（salicide）？答:Si與Ti或Co形成TiSix或CoSix,一般來說是用來降低接觸電阻值（Rs,Rc）。硅化物（salicide）的形成步驟主要可分為哪些？答：Co（或Ti）+TiN的

28、沉積；第一次RTA（快速熱處理）來形成Salicideo將未反應(yīng)的Co（Ti）以化學(xué)酸去除。第二次RTA用來形成Ti的晶相轉(zhuǎn)化，降低其阻值）。MOS器件的主要特性是什幺？答：它主要是通過柵極電壓（Vg）來控制源，漏極（S/D）之間電流，實(shí)現(xiàn)其開關(guān)特性。35.我們一般用哪些參數(shù)來評(píng)價(jià)device的特性？答：主要有Idsat、off、Vt、Vbk（breakdown）、Rs、Rc；般要求Idsat、Vbk（breakdown）值盡量大，Ioff、Rc盡量小，Vt、Rs盡量接近設(shè)計(jì)值.什幺是Idsat?Idsat代表什幺意義？答：飽和電流。也就是在柵壓（Vg）定時(shí)，源/漏（Source/Drain）

29、之間流動(dòng)的最大電流.在工藝制作過程中哪些工藝可以影響到Idsat?答:PolyCD（多晶硅尺寸）、GateoxideThk（柵氧化層厚度）、AA（有源區(qū)）寬度、Vtimp.條件、LDDimp.條件、N+/P+imp.條件。什幺是Vt?Vt代表什幺意義？答：閾值電壓（ThresholdVoltage），就是產(chǎn)生強(qiáng)反轉(zhuǎn)所需的最小電壓。當(dāng)柵極電壓VgVt時(shí),MOS處于關(guān)的狀態(tài)，而Vg=Vt時(shí)，源/漏之間便產(chǎn)生導(dǎo)電溝道，MOS處于開的狀態(tài)。在工藝制作過程中哪些工藝可以影響到Vt?答：PolyCD、GateoxideThk.（柵氧化層厚度）、AA（有源區(qū)）寬度及Vtimp.條件。什幺是Ioff?Ioff

30、小有什幺好處答：關(guān)態(tài)電流，Vg=0時(shí)的源、漏級(jí)之間的電流，一般要求此電流值越小越好。Ioff越小,表示柵極的控制能力愈好,可以避免不必要的漏電流（省電）。什幺是devicebreakdownvoltage?答：指崩潰電壓（擊穿電壓），在Vg=Vs=0時(shí)，Vd所能承受的最大電壓，當(dāng)Vd大于此電壓時(shí)，源、漏之間形成導(dǎo)電溝道而不受柵壓的影響。在器件越做越小的情況下，這種情形會(huì)將會(huì)越來越嚴(yán)重。何謂ILD?IMD?其目的為何？答：ILD：InterLayerDielectric,是用來做device與第一層metal的隔離（isolation），而IMD：InterMetalDielectric，是用來

31、做metal與metal的隔離（isolation）.要注意ILD及IMD在CMP后的厚度控制。一般介電層ILD的形成由那些層次組成？答：SiON層沉積（用來避免上層B,P滲入器件）；BPSG（摻有硼、磷的硅玻璃）層沉積；PETEOS（等離子體增強(qiáng)正硅酸乙脂）層沉積；最后再經(jīng)ILDOxideCMP（SiO2的化學(xué)機(jī)械研磨）來做平坦化。一般介電層IMD的形成由那些層次組成？答：SRO層沉積（用來避免上層的氟離子往下滲入器件）;HDP-FSG（摻有氟離子的硅玻璃）層沉積；PE-FSG（等離子體增強(qiáng)，摻有氟離子的硅玻璃）層沉積；使用FSG的目的是用來降低dielectrick值,減低金屬層間的寄生電

32、容。最后再經(jīng)IMDOxideCMP（SiO2的化學(xué)機(jī)械研磨）來做平坦化。簡單說明Contact（CT）的形成步驟有那些？答：Contact是指器件與金屬線連接部分，分布在poly、AA上。Contact的Photo（光刻）；Contact的Etch及光刻膠去除（ash&PRstrip）；Gluelayer（粘合層）的沉積；CVDW（鎢）的沉積W-CMP。Gluelayer（粘合層）的沉積所處的位置、成分、薄膜沉積方法是什幺？答：因?yàn)閃較難附著在Salicide上,所以必須先沉積只Gluelayer再沉積WGluelayer是為了增強(qiáng)粘合性而加入的一層。主要在salicide與W（CT）、W（V

33、IA）與metal之間，其成分為Ti和TiN,分別采用PVD和CVD方式制作。為何各金屬層之間的連接大多都是采用CVD的W-plug（鎢插塞）？答：因?yàn)閃有較低的電阻；W有較佳的stepcoverage（階梯覆蓋能力）。一般金屬層（metallayer）的形成工藝是采用哪種方式?大致可分為那些步驟？答：PVD（物理氣相淀積）Metalfilm沉積光刻（Photo）及圖形的形成；Metalfilmetch及plasma（等離子體）清洗（此步騶為連序工藝，在同一個(gè)機(jī)臺(tái)內(nèi)完成，其目的在避免金屬腐蝕）Solvent光刻膠去除。Topmetal和intermetal的厚度，線寬有何不同？答：Topmet

34、al通常要比intermetal厚得多，0.18um工藝中intermetal為4KA,而topmetal要8KA.主要是因?yàn)閠opmetal直接與外部電路相接，所承受負(fù)載較大。一般topmetal的線寬也比intermetal寬些。在量測Contact/Via（是指metal與metal之間的連接）的接觸窗開的好不好時(shí),我們是利用什幺電性參數(shù)來得知的？答：通過Contact或Via的Rc值，Rc值越高，代表接觸窗的電阻越大，一般來說我們希望Rc是越小越好的。什幺是Rc?Rc代表什幺意義？答：接觸窗電阻，具體指金屬和半導(dǎo)體（contact）或金屬和金屬（via），在相接觸時(shí)在節(jié)處所形成的電阻，

35、一般要求此電阻越小越好。52.影響Contact（CT）Rc的主要原因可能有哪些?答：ILDCMP的厚度是否異常；CT的CD大??；CT的刻蝕過程是否正常；接觸底材的質(zhì)量或濃度(Salicide,non-salicide)；CT的gluelayer(粘合層)形成；CT的W-plug。在量測Poly/metal導(dǎo)線的特性時(shí)，是利用什幺電性參數(shù)得知？答：可由電性量測所得的spacing&Rs值來表現(xiàn)導(dǎo)線是否異常。什幺是spacing?如何量測？答：在電性測量中，給一條線(polyormetal)加一定電壓，測量與此線相鄰但不相交的另外一線的電流,此電流越小越好。當(dāng)電流偏大時(shí)代表導(dǎo)線間可能發(fā)生短路的現(xiàn)

36、象。什幺是Rs?答：片電阻(單位面積、單位長度的電阻),用來量測導(dǎo)線的導(dǎo)電情況如何。一般可以量測的為AA(N+，P+)，poly&metal.影響Rs有那些工藝？答：導(dǎo)線line(AA,poly&metal)的尺寸大小。(CD=criticaldimension)導(dǎo)線line(poly&metal)的厚度。導(dǎo)線line(AA,poly&metal)的本身電導(dǎo)性。(在AA,polyline時(shí)可能為注入離子的劑量有關(guān))一般護(hù)層的結(jié)構(gòu)是由哪三層組成？答：HDPOxide(高濃度等離子體二氧化硅)SROOxide(Siliconrichoxygen富氧二氧化硅)SiNOxide護(hù)層的功能是什幺？答：使

37、用oxide或SiN層，用來保護(hù)下層的線路，以避免與外界的水汽、空氣相接觸而造成電路損害。Alloy的目的為何？答：Release各層間的stress(應(yīng)力)，形成良好的層與層之間的接觸面降低層與層接觸面之間的電阻。工藝流程結(jié)束后有一步驟為WAT,其目的為何？答：WAT(waferacceptancetest),是在工藝流程結(jié)束后對(duì)芯片做的電性測量，用來檢驗(yàn)各段工藝流程是否符合標(biāo)準(zhǔn)。(前段所講電學(xué)參數(shù)Idsat,Ioff,Vt,Vbk(breakdown),Rs,Rc就是在此步驟完成)WAT電性測試的主要項(xiàng)目有那些？答：器件特性測試；Contactresistant(Rc)；Sheetresi

38、stant(Rs)；Breakdowntest；電容測試；Isolation(spacingtest)。什么是WATWatch系統(tǒng)？它有什么功能？答：Watch系統(tǒng)提供PIE工程師一個(gè)工具，來針對(duì)不同WAT測試項(xiàng)目,設(shè)置不同的欄住產(chǎn)品及發(fā)出Warning警告標(biāo)準(zhǔn)，能使PIE工程師早期發(fā)現(xiàn)工藝上的問題。什么是PCMSPEC?答:PCM(Processcontrolmonitor)SPEC廣義而言是指芯片制造過程中所有工藝量測項(xiàng)目的規(guī)格，狹義而言則是指WAT測試參數(shù)的規(guī)格。當(dāng)WAT量測到異常是要如何處理？答：查看WAT機(jī)臺(tái)是否異常，若有則重測之利用手動(dòng)機(jī)臺(tái)Doubleconfirm檢查產(chǎn)品是在工藝

39、流程制作上是否有異常記錄切片檢查什么是EN？EN有何功能或用途？答：由CE發(fā)出，詳記關(guān)于某一產(chǎn)品的相關(guān)信息(包括TechnologyID,ReticleandsomesplitconditionETC.)或是客戶要求的事項(xiàng)(包括HOLD,Split,Bank,Runtocomplete,Package.),根據(jù)EN提供信息我們才可以建立Processflow及處理此產(chǎn)品的相關(guān)動(dòng)作。PIE工程師每天來公司需要Check哪些項(xiàng)目(開門五件事)？答：CheckMES系統(tǒng)，察看自己Lot情況處理inlineholdlot.(defect,process,WAT)分析匯總相關(guān)產(chǎn)品inline數(shù)據(jù).(ra

40、wdata&SPC)分析匯總相關(guān)產(chǎn)品CPtest結(jié)果參加晨會(huì),匯報(bào)相關(guān)產(chǎn)品信息WAT工程師每天來公司需要Check哪些項(xiàng)目(開門五件事)？答：檢查WAT機(jī)臺(tái)Status檢查及處理WATholdlot檢查前一天的retestwafer及量測是否有異常是否有新產(chǎn)品要到WAT交接事項(xiàng)BR工程師每天來公司需要Check哪些項(xiàng)目(開門五件事)？答：PassdownReviewurgentcasestatusCheckMESissueswhichreportedbymoduleandlineReviewdocumentationReviewtaskstatusROM是什幺的縮寫？答：ROM:Readonl

41、ymemory唯讀存儲(chǔ)器70.何謂YE？答：YieldEnhancement良率改善YE在FAB中所扮演的角色？答：針對(duì)工藝中產(chǎn)生缺陷的成因進(jìn)行追蹤，數(shù)據(jù)收集與分析，改善評(píng)估等工作。進(jìn)而與相關(guān)工程部門工程師合作提出改善方案并作效果評(píng)估。YE工程師的主要任務(wù)？答：降低突發(fā)性異常狀況。(Excursionreduction)改善常態(tài)性缺陷狀況。(Baselinedefectimprovement)如何reduceexcursion?答：有效監(jiān)控各生產(chǎn)機(jī)臺(tái)及工藝上的缺陷現(xiàn)況,defectlevel異常升高時(shí)迅速予以查明，并協(xié)助異常排除與防止再發(fā)。如何improvebaselinedefect?答：藉

42、由分析產(chǎn)品失效或線上缺陷監(jiān)控等資料，而發(fā)掘重點(diǎn)改善目標(biāo)。持續(xù)不斷推動(dòng)機(jī)臺(tái)與工藝缺陷改善活動(dòng)，降低defectlevel使產(chǎn)品良率于穩(wěn)定中不斷提升YE工程師的主要工作內(nèi)容？答：負(fù)責(zé)生產(chǎn)過程中異常缺陷事故的追查分析及改善工作的調(diào)查與推動(dòng)。評(píng)估并建立各項(xiàng)缺陷監(jiān)控(monitor)與分析系統(tǒng)。開發(fā)并建立有效率的缺陷工程系統(tǒng)，提升缺陷分析與改善的能力。協(xié)助module建立off-linedefectmonitorsystem,以有效反應(yīng)生產(chǎn)機(jī)臺(tái)狀況。何謂Defect?答：Wafer上存在的有形污染與不完美，包括Wafer上的物理性異物(如：微塵，工藝殘留物，不正常反應(yīng)生成物)?；瘜W(xué)性污染(如：殘留化學(xué)藥

43、品，有機(jī)溶劑)。圖案缺陷(如：Photo或etch造成的異常成象，機(jī)械性刮傷變形，厚度不均勻造成的顏色異常)。Wafer本身或制造過程中引起的晶格缺陷。Defect的來源？答：素材本身：包括wafer，氣體，純水，化學(xué)藥品。外在環(huán)境：包含潔凈室，傳送系統(tǒng)與程序。操作人員：包含無塵衣，手套。設(shè)備零件老化與制程反應(yīng)中所產(chǎn)生的副生成物。Defect的種類依掉落位置區(qū)分可分為?答：Randomdefect:defect分布很散亂clusterdefect:defect集中在某一區(qū)域Repeatingdefect:defect重復(fù)出現(xiàn)在同一區(qū)域依對(duì)良率的影響Defect可分為？答：Killerdefect=對(duì)良率有影響Non-Killerdefect=不會(huì)對(duì)良率造成影響Nuisancedefect=因顏色異?；騠ilmgrain造成的defect，對(duì)良率亦無影響80.YE一般的工作流程?答：Inspec