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1、第四講(1)光源Optical source第1頁(yè),共50頁(yè)。主要內(nèi)容 一、半導(dǎo)體激光器工作原理和基本結(jié)構(gòu)二、半導(dǎo)體光源之一:LD 三、光發(fā)射機(jī)基本組成及驅(qū)動(dòng)電路和自動(dòng)功率 控制四、半導(dǎo)體光源之二:LED五、光電檢測(cè)器及光接收機(jī)7/22/20222第2頁(yè),共50頁(yè)。引言一、 光纖通信系統(tǒng)對(duì)光源的基本要求: (1)穩(wěn)定性好,可在室溫下連續(xù)工作; (2)尺寸和結(jié)構(gòu)要?。?(3)光波應(yīng)匹配光纖的兩個(gè)低損耗波段; (4)信號(hào)調(diào)制容量大。7/22/20223第3頁(yè),共50頁(yè)。引言二、 最常用的發(fā)光器件: (1)LD:半導(dǎo)體激光二極管或稱激光器(LD) a. 極窄的光譜帶寬;b. 極大的調(diào)制容量; c 有

2、定向輸出特性;d. 輻射具有光相干特性。 適用于長(zhǎng)距離,大容量,高碼速系統(tǒng) (2)LED:發(fā)光二極管或稱發(fā)光管(LED) a. 非相干的自發(fā)輻射; b.結(jié)構(gòu)及工作方式簡(jiǎn)單; 適用于短距離,低速,模擬系統(tǒng) 7/22/20224第4頁(yè),共50頁(yè)。第一節(jié) 半導(dǎo)體激光器工作原理和基本結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體激光器是向半導(dǎo)體PN結(jié)注入電流,實(shí)現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布,產(chǎn)生受激輻射,再利用諧振腔的正反饋,實(shí)現(xiàn)光放大而產(chǎn)生激光振蕩的。 激光,其英文LASER就是Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation(受激輻射的光放大)的縮寫(xiě)。 所以討論激光器工作原理要從受

3、激輻射開(kāi)始。一、受激輻射和粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布 有源器件的物理基礎(chǔ)是光和物質(zhì)相互作用的效應(yīng)。在物質(zhì)的原子中,存在許多能級(jí),最低能級(jí)E1稱為基態(tài),能量比基態(tài)大的能級(jí)Ei(i=2,3,4)稱為激發(fā)態(tài)。7/22/20225第5頁(yè),共50頁(yè)。以前所學(xué)過(guò)的有關(guān)知識(shí) 半導(dǎo)體是由大量原子周期性有序排列構(gòu)成的共價(jià)晶體。在這種晶體中,由于鄰近原子的作用,電子所處的能態(tài)擴(kuò)展成能級(jí)連續(xù)分布的能帶。 能量低的能帶稱為價(jià)帶,能量高的能帶稱為導(dǎo)帶,導(dǎo)帶底的能量 Ec 和價(jià)帶頂?shù)哪芰?Ev 之間的能量差 Ec-Ev=Eg 稱為禁帶寬度或帶隙。電子不可能占據(jù)禁帶。7/22/20226第6頁(yè),共50頁(yè)。受激輻射和粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布 電子

4、在低能級(jí)E1的基態(tài)和高能級(jí)E2的激發(fā)態(tài)之間的躍遷有三種基本方式:1. 光的受激吸收: stimulated transition2. 光的自發(fā)輻射:spontaneous emission 3. 光的受激輻射:stimulated emission of radiationEEcEvEg光子 hf EcEvEg光子 hfEcEvEg光子 hf光子 hf EE空穴復(fù)合留下空穴7/22/20227第7頁(yè),共50頁(yè)。受激輻射和粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布(續(xù)) 受激輻射和自發(fā)輻射產(chǎn)生的光的特點(diǎn)很不相同。受激輻射光的頻率、相位、偏振態(tài)和傳播方向與入射光相同,這種光稱為相干光。自發(fā)輻射光是由大量不同激發(fā)態(tài)的電子自發(fā)躍

5、遷產(chǎn)生的,其頻率和方向分布在一定范圍內(nèi),相位和偏振態(tài)是混亂的,這種光稱為非相干光。 產(chǎn)生受激輻射和產(chǎn)生受激吸收的物質(zhì)是不同的。設(shè)在單位物質(zhì)中,處于低能級(jí)E1和處于高能級(jí)E2(E2 E1)的粒子數(shù)分別為N1和N2。當(dāng)系統(tǒng)處于熱平衡狀態(tài)時(shí),存在下面的分布: N2/ N1 =exp(-(E2-E1) / kT)7/22/20228第8頁(yè),共50頁(yè)。受激輻射和粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布(續(xù)) N2/ N1 =exp(-(E2-E1) / kT) 式中,k=1.381 10-23 J/K,為波爾茲曼常數(shù),T為熱力學(xué)溫度。由于(E2 - E1) 0,T0,所以在這種狀態(tài)下,總是N1N2 。這是因?yàn)殡娮涌偸鞘紫日紦?jù)低能

6、量的軌道。受激吸收和受激輻射的速率分別比例于N1和N2 ,且比例系數(shù)(吸收和輻射的概率)相等。 如果N1N2 ,即受激吸收大于受激輻射。當(dāng)光通過(guò)這種物質(zhì)時(shí),光強(qiáng)按指數(shù)衰減,這種物質(zhì)稱為吸收物質(zhì)。如果N2N1 ,即受激輻射大于受激吸收,當(dāng)光通過(guò)這種物質(zhì)時(shí),會(huì)產(chǎn)生放大作用,這種物質(zhì)稱為激活物質(zhì)。 N2N1 的分布,和正常狀態(tài)N1N2的分布相反,所以稱為粒子(電子)數(shù)反轉(zhuǎn)分布。7/22/20229第9頁(yè),共50頁(yè)。二、激光振蕩和光學(xué)諧振腔光學(xué)諧振腔的結(jié)構(gòu) 粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布是產(chǎn)生受激輻射的必要條件,但還不能產(chǎn)生激光。只有把激活物質(zhì)置于光學(xué)諧振腔中,對(duì)光的頻率和方向進(jìn)行選擇,才能獲得連續(xù)的光放大和激光振蕩

7、輸出。 在增益物質(zhì)兩端,適當(dāng)?shù)奈恢?,放置兩個(gè)反射鏡M1、M2,使其互相平行,就構(gòu)成了最簡(jiǎn)單的光學(xué)諧振腔(也稱法布里-珀羅,F(xiàn)-P諧振腔)。如果反射鏡是平面鏡,稱為平面腔;如果反射鏡是球面鏡,則稱為球面腔,結(jié)構(gòu)如圖所示。 7/22/202210第10頁(yè),共50頁(yè)。諧振腔如何產(chǎn)生激光振蕩 對(duì)于兩個(gè)反射鏡,要求其中一個(gè)能全反射,如 M1的反射系數(shù) r =1;另一個(gè)為部分反射,如M2的反射系數(shù)r1。產(chǎn)生的激光由此射出。 當(dāng)工作物質(zhì)在泵浦源的作用下,變?yōu)榧せ钗镔|(zhì)以后,即有了放大作用,如果被放大的光有一部分能夠反饋回來(lái)再參加激勵(lì),這就相當(dāng)于電路中用正反饋實(shí)現(xiàn)振蕩,這時(shí),被激勵(lì)的光就可產(chǎn)生振蕩,滿足一定條件

8、后,即可發(fā)出激光。 泵浦源:使工作物質(zhì)產(chǎn)生粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布的外界激勵(lì)源,稱為泵浦源。7/22/202211第11頁(yè),共50頁(yè)。諧振腔如何產(chǎn)生激光振蕩(續(xù)) 將在泵浦源激發(fā)下,處于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布狀態(tài)的工作物質(zhì),置于光學(xué)諧振腔內(nèi),腔的軸線應(yīng)該與激活物質(zhì)的軸線重合。被放大的光在諧振腔內(nèi),在兩個(gè)反射鏡之間來(lái)回反射,并不斷地激發(fā)出新的光子,進(jìn)一步進(jìn)行放大。但在這個(gè)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中也要消耗一部分能量(不沿諧振腔軸向傳輸?shù)墓獠?,?huì)很快射出腔外,以及M2反射鏡的透射等也會(huì)損耗部分能量),當(dāng)放大足以抵消腔內(nèi)的損耗時(shí),就可以使這種運(yùn)動(dòng)不停地進(jìn)行下去,即形成光振蕩。當(dāng)滿足一定條件后,就會(huì)從反射鏡M2透射出來(lái)一束筆直的強(qiáng)光,

9、即是激光。 7/22/202212第12頁(yè),共50頁(yè)。諧振腔如何產(chǎn)生激光振蕩(小結(jié)) 綜上所述,可得出結(jié)論:激光器的組成:三要素 工作物質(zhì):又稱增益物質(zhì); 諧振腔:提供必要的反饋以及進(jìn)行頻率選擇。 激勵(lì)源:激發(fā)工作物質(zhì)實(shí)現(xiàn)NcNv的外界能源。 如 正向偏置的PN結(jié)激光器激光的特性 方向性好; 亮度大; 單色性好; 相干性好。7/22/202213第13頁(yè),共50頁(yè)。三、激光器的參量 1發(fā)射波長(zhǎng)和光譜特性 半導(dǎo)體激光器的發(fā)射波長(zhǎng)取決于導(dǎo)帶的電子躍遷到價(jià)帶時(shí)所釋放的能量,這個(gè)能量近似等于禁帶寬度Eg(eV),得到 hf= Eg 式中,f=c/ ,f(Hz)和(um)分別為發(fā)射光的頻率和波長(zhǎng),c=3

10、108m/s為光速,h=6.62810-34Js為普朗克常數(shù),1eV=1.610-19J,代入上式得到 =hc/Eg=1.24/Eg 不同半導(dǎo)體材料有不同的禁帶寬度Eg ,因而有不同的發(fā)射波長(zhǎng)。鎵鋁砷-鎵砷(GaAlAsGaAs)材料適用于0.85um波段,銦鎵砷磷-銦磷(InGaAsPInP)材料適用于1.31.55um波段。7/22/202214第14頁(yè),共50頁(yè)。三、激光器的參量 圖示是GaAlAsDH激光器的光譜特性。在直流驅(qū)動(dòng)下,發(fā)射光波長(zhǎng)有一定分布,譜線具有明顯的模式結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)的產(chǎn)生是因?yàn)閷?dǎo)帶和價(jià)帶都是由許多連續(xù)能級(jí)組成的有一定寬度的能帶,兩個(gè)能帶中不同能級(jí)之間電子的躍遷會(huì)產(chǎn)生

11、連續(xù)波長(zhǎng)的輻射光。其中只有符合激光振蕩的相位條件的波長(zhǎng)存在。這些波長(zhǎng)取決于激光器縱向長(zhǎng)度L,并稱為激光器的縱模。7/22/202215第15頁(yè),共50頁(yè)。三、激光器的參量 隨著驅(qū)動(dòng)電流的增加,縱模模數(shù)逐漸減少,譜線寬度變窄。這種變化是由于諧振腔對(duì)光波頻率和方向的選擇,使邊模消失、主模 增益增加而產(chǎn)生的。當(dāng)驅(qū)動(dòng) 電流足夠大時(shí),多縱模變?yōu)?單縱模,這種激光器稱為 靜態(tài)單縱模激光器。 右圖所示是300Mb/s數(shù)字調(diào)制的光譜特性,由圖可見(jiàn),隨著調(diào)制電流增大,縱模模數(shù)增多,譜線寬度變寬。7/22/202216第16頁(yè),共50頁(yè)。三、激光器的參量2、平均衰減系數(shù)a 在光學(xué)諧振腔內(nèi)產(chǎn)生振蕩的先決條件,是放大

12、的光能要足以抵消腔內(nèi)的損耗,而諧振腔內(nèi)損耗的大小,我們用平均衰減系數(shù)a表示。為 a=ai+ar=ai+(1/2l)*(1/r1*r2) 其中: ai 是除反射鏡透射損耗以外的其他所有損耗所引起的衰減系數(shù); ar 是諧振腔反射鏡的透射損耗引起的衰減系數(shù);l是諧振腔兩個(gè)反射鏡之間的距離; r1、r2 是腔的兩個(gè)反射鏡的功率反射系數(shù)。 7/22/202217第17頁(yè),共50頁(yè)。三、激光器的參量(續(xù))3、增益系數(shù)G 激活物質(zhì)的放大作用,我們用增益系數(shù)G來(lái)表示。 如圖所示I0為激活物質(zhì)的輸入光強(qiáng),經(jīng)過(guò)距離Z以后,光強(qiáng)放大到I,到了(ZdZ)處,光強(qiáng)為(IdI),那么,在dZ長(zhǎng)度上,光強(qiáng)的增量dI為 dI

13、GI/dZ 其中 G=(dIdZ)I 稱為增益系數(shù),它表示光通過(guò)單位長(zhǎng)度的激活物質(zhì)之后,光強(qiáng)增長(zhǎng)的百分比。7/22/202218第18頁(yè),共50頁(yè)。三、激光器的參量(續(xù)) 4、閥值條件 一個(gè)激光器并不是在任何情況下都可以發(fā)出激光的,它需要滿足一定的條件。由前面對(duì)衰減系數(shù)的概念可以看出,要使激光器產(chǎn)生自激振蕩,最低限度應(yīng)要求激光器的增益剛好能抵消掉它的衰減。我們就將激光器能產(chǎn)生激光振蕩的最低限度稱為激光器的閾值條件。 從上面分析可知,閾值條件為: Gt= a = ai+(1/2l)*(1/r1*r2) 其中Gt稱為閾值增益系數(shù)??梢?jiàn),激光器的閾值條件,只決定于光學(xué)諧振腔的固有損耗。損耗越小,閾值

14、條件越低,激光器就越容易起振。7/22/202219第19頁(yè),共50頁(yè)。三、激光器的參量(續(xù)) 5、諧振頻率 諧振頻率是光學(xué)諧振腔的重要參數(shù)。 對(duì)于平行平面腔而言,由于腔的尺寸遠(yuǎn)大于工作波長(zhǎng),因此,腔內(nèi)的電磁波可認(rèn)為是均勻平面波,而且在腔內(nèi)往返運(yùn)動(dòng)時(shí),是垂直于反射鏡而投射,如圖。從A點(diǎn)出發(fā)的平面波,垂直投射到反射鏡M2,由M2反射后又垂直投射向M1。再回到A點(diǎn)時(shí),波得到加強(qiáng)。如果它們之間的相位差是2的整數(shù)倍時(shí),顯然就達(dá)到了諧振。7/22/202220第20頁(yè),共50頁(yè)。三、激光器的參量(續(xù)) 設(shè)L為諧振腔的長(zhǎng)度,g為諧振腔介質(zhì)中光波的波長(zhǎng) 此時(shí)應(yīng)有: L=(g*q) /2 其中q=1,2,3。

15、 上式表明,光波在諧振腔中往返一次,光的距離2L恰好為g的整數(shù)倍,即相位差是2的整數(shù)倍??傻贸龉獠ㄩL(zhǎng)的表示式為 g =2L/q 此即為光學(xué)諧振腔的諧振條件或稱駐波條件。 7/22/202221第21頁(yè),共50頁(yè)。三、激光器的參量(續(xù)) 當(dāng)光學(xué)諧振腔內(nèi),工作物質(zhì)的折射指數(shù)為n時(shí),則折算到真空的光學(xué)諧振腔的諧振波長(zhǎng)og 、與諧振頻率fog為 og = ng =2nL/q fog =c/og =cq/2nL由上面兩式可看出:(1) og與光學(xué)諧振腔內(nèi)材料的折射率n有關(guān);(2)當(dāng)q不同時(shí),可有不同的fog值,即有無(wú)窮多個(gè)諧振頻率。 分布反饋激光器7/22/202222第22頁(yè),共50頁(yè)。第二節(jié) 半導(dǎo)體

16、光源之一:LD 半導(dǎo)體激光器是利用在有源區(qū)中受激而發(fā)射光的光器件。只有在工作電流越過(guò)閾值電流的情況下,才會(huì)輸出激光(相干光),因而是有閾值的器件。半導(dǎo)體砷化鎵(GaAs): 在光纖通信中使用的激光物質(zhì)都是GaAs。 GaAs是高摻雜的-族化合物。當(dāng)摻入族Te原子取代As原子,自由 電子多,形成N型半導(dǎo)體 當(dāng)摻入族Zn原 子取代Ga原子,空穴多, 形成P型半導(dǎo)體。S+-pnlaserreflection PN結(jié)激光器的示意 7/22/202223第23頁(yè),共50頁(yè)。 半導(dǎo)體的能帶和電子分布(a) 本征半導(dǎo)體; (b) N型半導(dǎo)體; (c) P型半導(dǎo)體 回憶一下相關(guān)知識(shí)7/22/202224第24

17、頁(yè),共50頁(yè)。 一般狀態(tài)下,本征半導(dǎo)體的電子和空穴是成對(duì)出現(xiàn)的,用Ef 位于禁帶中央來(lái)表示, Ef 稱為費(fèi)米能級(jí),用來(lái)描述半導(dǎo)體中各能級(jí)被電子占據(jù)的狀態(tài)。 在本征半導(dǎo)體中摻入施主雜質(zhì),稱為N型半導(dǎo)體。 在本征半導(dǎo)體中摻入受主雜質(zhì),稱為P型半導(dǎo)體。 在P型和N型半導(dǎo)體組成的PN結(jié)界面上,由于存在多數(shù)載流子(電子或空穴)的梯度,因而產(chǎn)生擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),形成內(nèi)部電場(chǎng)。 內(nèi)部電場(chǎng)產(chǎn)生與擴(kuò)散相反方向的漂移運(yùn)動(dòng),直到P區(qū)和N區(qū)的Ef 相同,兩種運(yùn)動(dòng)處于平衡狀態(tài)為止,結(jié)果能帶發(fā)生傾斜。7/22/202225第25頁(yè),共50頁(yè)。P區(qū)PN結(jié)空間電荷區(qū)N區(qū)內(nèi)部電場(chǎng) 擴(kuò)散 漂移 P - N結(jié)內(nèi)載流子運(yùn)動(dòng); PN結(jié)的能帶和

18、電子分布7/22/202226第26頁(yè),共50頁(yè)。勢(shì)壘能量EpcP區(qū)EncEfEpvN區(qū)Env零偏壓時(shí)P - N結(jié)的能帶傾斜;7/22/202227第27頁(yè),共50頁(yè)。hfhfEfEpcEpfEpvEncnEnv電子,空穴內(nèi)部電場(chǎng)外加電場(chǎng)正向偏壓下P - N結(jié)能帶圖獲得粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布 7/22/202228第28頁(yè),共50頁(yè)。 增益區(qū)的產(chǎn)生: 在PN結(jié)上施加正向電壓,產(chǎn)生與內(nèi)部電場(chǎng)相反方向的外加電場(chǎng),結(jié)果能帶傾斜減小,擴(kuò)散增強(qiáng)。電子運(yùn)動(dòng)方向與電場(chǎng)方向相反,便使N區(qū)的電子向P區(qū)運(yùn)動(dòng),P區(qū)的空穴向N區(qū)運(yùn)動(dòng),最后在PN結(jié)形成一個(gè)特殊的增益區(qū)。 增益區(qū)的導(dǎo)帶主要是電子,價(jià)帶主要是空穴,結(jié)果獲得粒子數(shù)反

19、轉(zhuǎn)分布。 在電子和空穴擴(kuò)散過(guò)程中,導(dǎo)帶的電子可以躍遷到價(jià)帶和空穴復(fù)合,產(chǎn)生自發(fā)輻射光。 7/22/202229第29頁(yè),共50頁(yè)。 現(xiàn)在所用最普遍的激光器是異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體激光器 它們的“結(jié)”是由不同的半導(dǎo)體材料制成的。主要目的是為了降低閾值電流,提高效率。目前,光纖通信用的激光器大多是銦鎵砷磷(InGaAsP)雙異質(zhì)結(jié)條形激光器,由剖面圖中可以看出,它是由五層半導(dǎo)體材料構(gòu)成。2.1 LD的結(jié)構(gòu)7/22/202230第30頁(yè),共50頁(yè)。 其中nInGaAsP是發(fā)光的作用區(qū),作用區(qū)的上、下兩層稱為限制層,它們和作用區(qū)構(gòu)成光學(xué)諧振腔。限制層和作用區(qū)之間形成異質(zhì)結(jié)。最下面一層nInP是襯底,頂層P+-I

20、nGaAsP是接觸層,其作用是為了改善和金屬電極的接觸。頂層上面數(shù)微米寬的窗口為條形電極。InGaAsP雙異質(zhì)結(jié)條形激光器的基本結(jié)構(gòu)7/22/202231第31頁(yè),共50頁(yè)。ptitp脈沖調(diào)制 2.2 LD調(diào)制特性 改變光波的振幅、強(qiáng)度、頻率、相位、偏振等參量,使之載荷信息的過(guò)程,就是光調(diào)制。 . 按調(diào)制信號(hào)類型分: 模擬調(diào)制 脈沖調(diào)制 . 按信號(hào)與光源的關(guān)系分:直接調(diào)制(內(nèi)) 間接調(diào)制(外) . LD-內(nèi)調(diào)制 IM調(diào)制消光比EXT 全“0”碼時(shí)平均光功率輸出EXT= - 10% 全“1”碼時(shí)平均光功率輸出一個(gè)被調(diào)制的好的光源,希望在“0” 碼是沒(méi)有光功率輸出,否則它使光纖系統(tǒng)產(chǎn)生噪聲,從而使

21、接收靈敏度降低。一般要求EXTVbb I2=0 LD不發(fā)光 “0”碼.當(dāng)VinVbb I1=0 LD發(fā)光 “1”碼3.2 驅(qū)動(dòng)電路和自動(dòng)功率控制7/22/202238第38頁(yè),共50頁(yè)。Vin+VVbbisT1T2ALDPDI1I2VRLD驅(qū)動(dòng)電路 圖為反饋穩(wěn)定式 LD驅(qū)動(dòng)電路.PLDUpd(Upd+VR2+VR)UAIbPLDvR2Ib7/22/202239第39頁(yè),共50頁(yè)。LD輔助電路VinVbbT1T2A1LDA2A3-V-VT3CPiN.自動(dòng)功率控制(APC)電路 .因老化 P光A1 A3偏置電流P光 .A2的作用防止當(dāng)無(wú)信號(hào)或長(zhǎng)“0”碼時(shí),因APC電路使 LD管注入電流增加,引起誤

22、碼。 7/22/202240第40頁(yè),共50頁(yè)。LD輔助電路AT1自動(dòng)溫度控制(ATC)電路 半導(dǎo)體制冷器T是一個(gè)熱電偶,加壓后,在一端吸熱另一端放熱,實(shí)現(xiàn)制冷(使LD管芯的溫度恒定在20 左右)。. TTLDRtI TLD-VLDR1R2R3RtT+V7/22/202241第41頁(yè),共50頁(yè)。第四節(jié) 半導(dǎo)體光源之二:LED 發(fā)光二極管利用正向偏壓下的PN結(jié)在激活區(qū)中載流子 的復(fù)合發(fā)出自發(fā)輻射的光,因此LED的出射光是一種非相干光,其譜線較寬(30nm60nm),輻射角也較大。在低速率的數(shù)字通信和較窄帶寬的模擬通信系統(tǒng)中,LED是可以選用的最佳光源,與半導(dǎo)體激光器相比,LED的驅(qū)動(dòng)電路較為簡(jiǎn)單

23、,并且產(chǎn)量高、成本低。 LED主要有五種結(jié)構(gòu)類型,但在光纖通信中獲得了廣泛應(yīng)用的只有兩種,即面發(fā)光二極管(SLED)和邊發(fā)光二極管(ELED)。 7/22/202242第42頁(yè),共50頁(yè)。半導(dǎo)體光源之二:LEDLED是無(wú)閾值器件,發(fā)熒光。工作特性: 光譜較寬; 輸出線性好,動(dòng)態(tài)范圍大,適于模擬通信; 壽命長(zhǎng)。 LED發(fā)散角較大,與光纖的耦合效率低,適于短距離通信; 溫度特性好,無(wú)閾值電流,一般不需要ATC(自動(dòng)溫度控制電路); 發(fā)光二極管是由P型半導(dǎo)體形成的P層和N型半導(dǎo)體形成的N層,以及在中間由異質(zhì)結(jié)構(gòu)成的有源層組成。有源層是發(fā)光的區(qū)域,其厚度為0.lum0.2um左右。7/22/20224

24、3第43頁(yè),共50頁(yè)。4.1 發(fā)光二極管的主要特性 PI特性 LED的輸出光功率P與電流I的關(guān)系,即PI特性如圖所示,是非閾值器件,發(fā)光功率隨工作電流增大,并在大電流時(shí)逐漸飽和。LED的工作電流通常為50 mA100mA,這時(shí)偏置電壓 l.2Vl.8V,輸出功率約幾mw。4 3 2 1 0 50 100 150 02570電流/mA輸出功率/ mW7/22/202244第44頁(yè),共50頁(yè)。 工作溫度升高時(shí),同樣工作電流下LED的輸出功率要下降。例如當(dāng)溫度從20升高到70時(shí),輸出功率下降約一半,相對(duì)而言,溫度的影響要比LD小。光譜特性 LED的工作原理基于半導(dǎo)體的自發(fā)輻射。由于半導(dǎo)體材料的導(dǎo)帶和價(jià)帶都由許多不同的能級(jí)組成。大多數(shù)的載流子復(fù)合發(fā)生在平均帶隙上,但也有一些復(fù)合發(fā)生在最低及最高能級(jí)之間。設(shè)平均帶隙為Eg,則偏

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