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1、第 頁共5頁=V,Y二V,12電科集成電路原理期末考試試卷一、填空題(1分)年,第一次觀測到了具有放大作用的晶體管。2.(2分)摩爾定律是TOC o 1-5 h z指。集成電路按工作原理來分可分為、。(4分)光刻的工藝過程有底膜處理、涂膠、前烘、和去膠。(4分)MOSFET可以分為、四種基本類型。(3分)影響MOSFET閾值電壓的因素有:、以及。(2分)在CMOS反相器中,V,V分別作為PMOS和NMOS的和;作inout為PMOS的源極和體端,作為NMOS的源極和體端。(2分)CMOS邏輯電路的功耗可以分為和。(3分)下圖的傳輸門陣列中V二5V,各管的閾值電壓V二IV,電路中各節(jié)點的DDT初
2、始電壓為0,如果不考慮襯偏效應(yīng),則各輸出節(jié)點的輸出電壓YY=V。3VDDY1丫2I_IIII_y3;Y2=BAB1Y1(6分)寫出下列電路輸出信號的邏輯表達(dá)式:Y=二、畫圖題:(共12分)(6分)畫出由靜態(tài)CMOS電路實現(xiàn)邏輯關(guān)系Y=ABD+CD的電路圖,要求使用的MOS管最少。(6分)用動態(tài)電路級聯(lián)實現(xiàn)邏輯功能Y=ABC,畫出其相應(yīng)的電路圖。三、簡答題:(每小題5分,共20分)1.簡單說明n阱CMOS的制作工藝流程,n阱的作用是什么?2場區(qū)氧化的作用是什么,采用LOCOS工藝有什么缺點,更好的隔離方法是什么?第 頁共5頁簡述靜態(tài)CMOS電路的優(yōu)點。簡述動態(tài)電路的優(yōu)點和存在的問題。四、分析設(shè)計
3、題:(共38分1.(12分)考慮標(biāo)準(zhǔn)0.13卩mCMOS工藝下NMOS管,寬長比為W/L二0.26pm/0.13m,柵氧厚度為t=2.6nm,室溫下電子遷移率卩=220cm2/Vs,閾值電壓V=0.3V,計oxnT算V=1.0V、V=0.3V和0.9V時I的大小。已知:=8.85x10-14F/cm=3.9。GSDSDooxTOC o 1-5 h z(12分)如圖所示,Ml和M2兩管串聯(lián),且VV-VV=0.3V)、V二0.3V(VV二0.7V)時,NM0S管處于線性區(qū),GSTDSGST線性區(qū)電流為:4分I=0(VV)V1V2=96.3765(yA)DGSTDS2DS當(dāng)V=1.0V(V=0.3V
4、)、V=0.9V(VV=0.7V)時,NMOS管處于飽和區(qū),GSTDSGST飽和區(qū)電流為:4分I=(VV)2=143.1045(A)D2GST3分(12分)解:1)設(shè)中間節(jié)點為c。分析知當(dāng)電壓滿足VBvg-vt0,即VcVG-VT。又VG-VTVGS-VT,故M1工乍于飽和區(qū)。而對M2而言,有V-VV,故M2工作于線性區(qū)。GSTDS依據(jù)NMOSFET和PMOSFET的電壓反轉(zhuǎn)對稱性知,若兩管都是PMOSFET,則M1工作于線性區(qū),M2工作于飽和區(qū)。3分取一例證明。以此題中的NMOSFET和給定的偏壓為例,兩個NMOS管等效為一個NMOS管后,依VBVG-VTVA知該等效管應(yīng)工作于飽和區(qū)。故對M1、M2和等效管Meff有:I=K(VVV)2D11GTC0.55VNLMitV
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