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1、.PAGE 1:.;PAGE 26第一章自測題 一、1 2 3 4 5 6 二、1A 2C 3C 4B 5A C三、UO11.3V UO20 UO31.3V UO42V UO52.3V UO62V四、UO16V UO25V五、根據(jù)PCM200mW可得:UCE40V時(shí)IC5mA,UCE30V時(shí)IC6.67mA,UCE20V時(shí)IC10mA,UCE10V時(shí)IC20mA,將改點(diǎn)銜接成曲線,即為臨界過損耗線。圖略。六、1、 UOUCE2V。2、臨界飽和時(shí)UCESUBE0.7V,所以 七、T1:恒流區(qū);T2:夾斷區(qū);T3:可變電阻區(qū)。習(xí)題1.11A C 2A 3C 4A1.2不能。由于二極管的正向電流與其
2、端電壓成指數(shù)關(guān)系,當(dāng)端電壓為1.3V時(shí)管子會因電流過大而燒壞。 1.3 ui和uo的波形如下圖。 1.4 ui和uo的波形如下圖。 1.5 uo的波形如下圖。 1.6 IDVUD/R2.6mA,rDUT/ID10,IdUi/rD1mA。 1.7 1兩只穩(wěn)壓管串聯(lián)時(shí)可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四種穩(wěn)壓值。 2兩只穩(wěn)壓管并聯(lián)時(shí)可得0.7V和6V等兩種穩(wěn)壓值。 1.8 IZMPZM/UZ25mA,RUZ/IDZ0.241.2k。 1.9 1當(dāng)UI10V時(shí),假設(shè)UOUZ6V,那么穩(wěn)壓管的電流為4mA,小于其最小穩(wěn)定電流,所以穩(wěn)壓管未擊穿。故 當(dāng)UI15V時(shí),由于上述同樣的緣由,UO5V。
3、 當(dāng)UI35V時(shí),UOUZ5V。 229mAIZM25mA,穩(wěn)壓管將因功耗過大而損壞。 1.10 1S閉合。 2 1.11 波形如下圖。 1.12 60時(shí)ICBO32A。 1.13 選用100、ICBO10A的管子,其溫度穩(wěn)定性好。 1.14 1.15 晶體管三個(gè)極分別為上、中、下管腳,答案如表管號T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN資料SiSiSiGeGeGe 1.16 當(dāng)VBB0時(shí),T截止,uO12V。當(dāng)VBB1V時(shí),T處于放大形狀。由于當(dāng)VBB3V時(shí),T處于飽和形狀。由于1.17 取UCESUBE,假設(shè)管子飽和,那么
4、1.18 當(dāng)uI0時(shí),晶體管截止,穩(wěn)壓管擊穿,uOUZ5V。 當(dāng)uI5V時(shí),晶體管飽和,uO0.1V。由于 1.19a能夠 b能夠 c不能 d不能,T會損壞。 e能夠1.20 根據(jù)方程 逐點(diǎn)求出確定的uGS下的iD,可近似畫出轉(zhuǎn)移特性和輸出特性。在輸出特性中,將各條曲線上uGDUGSoff的點(diǎn)銜接起來,便為予夾斷線。 1.21 1.22 過uDS為某一確定值如15V作垂線,讀出它與各條輸出特性的交點(diǎn)的iD值;建立iDfuGS坐標(biāo)系,根據(jù)前面所得坐標(biāo)值描點(diǎn)連線,便可得轉(zhuǎn)移特性。 1.23 uI4V時(shí)T夾斷,uI8V時(shí)T任務(wù)在恒流區(qū),uI12V時(shí)T任務(wù)在可變電阻區(qū)。1.24 a能夠 b不能 c不能
5、 d能夠第二章 根本放大電路自測題 一、1 2 3 4 5 6 7 二、a不能。由于輸入信號被VBB短路。 b能夠 c不能。由于輸入信號作用于基極與地之間,不能馱載在靜態(tài)電壓之上,必然失真。 d不能。晶體管將因發(fā)射結(jié)電壓過大而損壞。e不能。由于輸入信號被C2短路。 f不能。由于輸出信號被VCC短路,恒為零。 g能夠。 h不合理。由于G-S間電壓將大于零。 i不能。由于T截止。 三、1 2 四、1A 2C 3B 4B 五、1C,D E 2B 3A C D 4A B D E 5C 6B C E,A D 六、習(xí)題 2.1 e b c 大 大 中 大 c b c 小 大 大 小 b e c 大 小 小
6、 大 2.2a將VCC改為VCC 。 b在VCC 與基極之間加Rb。 c將VBB反接,且加輸入耦合電容。 d在VBB支路加Rb,在VCC與集電極之間加Rc。 2.3 圖P2.3所示各電路的交流通路;將電容開路即為直流通路,圖略。 2.4空載時(shí):IBQ20A,ICQ2mA,UCEQ6V;最大不失真輸出電壓峰值約為5.3V。 帶載時(shí):IBQ20A,ICQ2mA,UCEQ3V;最大不失真輸出電壓峰值約為2.3V。 2.51 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 122.6 16.4V 212V 30.5V 412V 512V2.7 2.8a飽和失真,增大Rb,減小Rc。 b截止失真,減小Rb
7、。 c同時(shí)出現(xiàn)飽和失真和截止失真,增大VCC。2.9 a截止失真 b飽和失真 c同時(shí)出現(xiàn)飽和失真和截止失真2.10 1 2 空載時(shí), 2.131靜態(tài)及動(dòng)態(tài)分析: (2) Ri增大,Ri4.1k;減小,1.92。 2.14 2.15 Q點(diǎn): 動(dòng)態(tài): 2.16 2.17 圖略。2.18 1求解Q點(diǎn): 2求解電壓放大倍數(shù)和輸入電阻: 3 求解輸出電阻: 2.19 (1) (2) 2.20a源極加電阻RS。 b輸入端加耦合電容,漏極加電阻RD。 c輸入端加耦合電容 d在Rg支路加VGG,VDD改為VDD 2.21 1在轉(zhuǎn)移特性中作直線uGSiDRS,與轉(zhuǎn)移特性的交點(diǎn)即為Q點(diǎn);讀出坐標(biāo)值,得出IDQ1m
8、A,UGSQ2V。 在輸出特性中作直流負(fù)載線uDSVDDiDRDRS,與UGSQ2V的那條輸出特性曲線的交點(diǎn)為Q點(diǎn),UDSQ3V。 2 2.22 1求Q點(diǎn):UGSQVGG3V 從轉(zhuǎn)移特性查得,當(dāng)UGSQ3V時(shí),IDQ1mA,UDSQVDDIDQRD5V 2求電壓放大倍數(shù): 2.23 2.24 a b cNPN型管,上-集電極,中-基極,下-發(fā)射極。 d e fPNP型管,上-發(fā)射極,中-基極,下-集電極。 gNPN型管,上-集電極,中-基極,下-發(fā)射極。第三章 多級放大電路自測題 一、1 2 3 4 5 二、1A A 2D A 3B A 4D B 5C B 三、1B D 2C 3A 4A C
9、5B 6C 四、1IC3UZUBEQ3/ Re30.3mA IE1IE20.15mA2減小RC2。當(dāng)uI0時(shí)uO0,ICQ4VEE / RC40.6mA。 習(xí)題a共射,共基 b共射,共射 c共射,共射 d共集,共基e共源,共集 f共基,共集 3.2 圖a 圖b 圖c 圖d 3.3 1de 2ce 3e 3.4 圖a 圖b 3.5 圖c 圖e 3.6 3.7 3.8 3.9 1 2 uOuOUCQ11.23V 3.10 3.11 AdgmRD40 Ri3.12 Ri 3.13 3.14 1 假設(shè)Ui10mV,那么Uo1V有效值。假設(shè)R3開路,那么uo0V。假設(shè)R3短路,那么uo11.3V直流。第
10、四章 集成運(yùn)算放大電路自測題 一、1C 2B 3C 4A 5A 二、1 2 3 4 5 三、 四、1三級放大電路,第一級為共集-共基雙端輸入單端輸出差分放大電路,第二級是共射放大電路,第三級是互補(bǔ)輸出級。 2第一級:采用共集-共基方式,增大輸入電阻,改善高頻特性;利用有源負(fù)載T5、T6增大差模放大倍數(shù),使單端輸出電路的差模放大倍數(shù)近似等于雙端輸出電路的差模放大倍數(shù),同時(shí)減小共模放大倍數(shù)。 第二級共射放大電路以T7、T8構(gòu)成的復(fù)合管為放大管、以恒流源作集電極負(fù)載,增大放大倍數(shù)。 第三級加偏置電路,利用D1、D2消除交越失真。 五、1 2 3 4 5 6 7習(xí)題 4.1 輸入級、中間級、輸出級和偏
11、置電路。 輸入級為差分放大電路,中間級為共射放大電路,輸出級為互補(bǔ)電路,偏置電路為電流源電路。 對輸入級的要求:輸入電阻大,溫漂小,放大倍數(shù)即能夠大。 對中間級的要求:放大倍數(shù)大。 對輸出級的要求:帶負(fù)載才干強(qiáng),最大不失真輸出電壓即能夠大。 4.2 uO 1V 10V 14V 14V -1V -10V -14V -14V 4.3 A1通用型,A2高精度型,A3高阻型,A4高速型。 4.4 4.5 4.6 4.7 在圖ab所示電路中 圖a中: 圖b中: 4.81T1和T2、組成的復(fù)合管為放大管,T5和T6為有源負(fù)載,雙端輸入、單端輸出的差分放大電路。 24.9 同題4.8。 4.101 2當(dāng)有共
12、模輸入電壓時(shí),uO=0。Rc1rD,uC1uC2,因此uBE30,故uO=0。1C 2C 3B 4A 4.12 由于UBE3UCE12UD ,UBE1UD ,UCE1UD,所以UCB0,反向電路為零,因此ICBO對輸入電流影響很小。 4.131由于2,所以iC2iC1iI2 。 2 iB3iI1iC2iI1iI2 3 4.14 圖a所示電路中,D1、D2使T2、T3微導(dǎo)通,可消除交越失真。R為電流采樣電阻,D2對T2起過流維護(hù)。當(dāng)T2導(dǎo)通時(shí),uD3uBE2iOR uD1,未過流時(shí)iOR較小, uD3因小于開啟電壓而截止;過流時(shí)uD3因大于開啟電壓而導(dǎo)通,為T2基極分流。D4對T4起過流維護(hù),緣
13、由與上述一樣。 圖b所示電路中,T4、T5使T2、T3微導(dǎo)通,可消除交越失真。 R2為電流采樣電阻,T6對T2起過流維護(hù)。當(dāng)T2導(dǎo)通時(shí),uBE6uBE2iOR uBE4,未過流時(shí)iOR較小,因uBE6小于開啟電壓T6截止;過流時(shí)6因大于開啟電壓T6導(dǎo)通,為T2基極分流。T7對T3起過流維護(hù),緣由與上述一樣。4.15 1為T1提供靜態(tài)集電極電流、為T2提供基極電流,并為T1的有源負(fù)載。2T4截止。由于uB4uC1uOuRuB2uB3,uE4uO,uB4uE4。3T3的射極電流,在交流等效電路中等效為阻值非常大的電阻。 4維護(hù)電路。uBE5iOR,未過流時(shí)T5電流很??;過流時(shí)使iE550A,T5更
14、多地為T5的基極分流。4.16 T1共射電流的放大管,T2和T3互補(bǔ)輸出級,T4、T5、R2消除交越失失真。 4.17 1u11為反相輸入端,u12為同相輸入端。 2為T1和T2管的有源負(fù)載,將T1管集電極電路變化量轉(zhuǎn)換到輸出,使單端輸出的放大倍數(shù)近似等于雙端輸出時(shí)的放大倍數(shù)。 3為T6設(shè)置靜態(tài)電流,且為T6的集電極有源負(fù)載。 4消除交越失真。 4.18 1由T10、T11、T9、T8、T12、T13、R5構(gòu)成。 2三級放大電路: T1T4共集-共基差分放大電路,T14T16共集-共射-共集電路,T23、T24互補(bǔ)輸出級。 3消除交越失真。UBE23UBE24UBE20UBE19第五章 放大電
15、路的頻率呼應(yīng)自測題 一、1A 2B A 3B A 4C C二、1靜態(tài)及動(dòng)態(tài)分析估算: 2估算: 3 4,頻率特性曲線略。 三、160 103 210 10 3習(xí)題 5.11 2 5.2 5.3 5.4 1直接耦合; 2三級; 3當(dāng)f104Hz時(shí),o;當(dāng)f105Hz時(shí),270o 。 5.5 5.6 1 2圖略。 5.7 圖略。1a 2c 3c5.9 5.101C1RsRiC2RcRL,C1 : C25 : 1。 2 5.11 減小,由于在同樣幅值的作用下,將減小,隨之減小,必然減小。 fL減小,由于少了一個(gè)影響低頻特性的電容。 fH減小,由于會因電壓放大倍數(shù)數(shù)值的減小而減小。 5.12 5.13
16、 1 2 圖略。5.14 5.15 圖略。 5.16 3折線畫法,低頻段有兩個(gè)拐點(diǎn),f4Hz時(shí)幅頻特性的斜率為40dB/十倍頻,4Hzf50Hz時(shí)幅頻特性的斜率為20dB/十倍頻;高頻段有一個(gè)拐點(diǎn),f105Hz時(shí)幅頻特性的斜率為40dB/十倍頻。圖略。 5.17 1Ce 2所在回路的大于所在回路的,第二級的上限頻率低。 5.18 。在折線化幅頻特性中,頻率小于10Hz時(shí)斜率為40dB/十倍頻,頻率大于105Hz時(shí)斜率為40dB/十倍頻。在折線化相頻特性中,f10Hz時(shí)相移為90o,f105Hz時(shí)相移為90o。第六章 放大電路中的反響自測題 一、1 2 3 4 二、1B 2C 3A 4D 三、a
17、電流串聯(lián)負(fù)反響。 b電壓并聯(lián)負(fù)反響。 c電壓串聯(lián)負(fù)反響。 d正反響。 四、1應(yīng)引入電壓串聯(lián)負(fù)反響。 2五、由于f105Hz時(shí),為使此時(shí),那么需 習(xí)題 6.1 1B B 2D 3C 4C 5A B B A B1A 2B 3C 4D 5B 6A1 2 3 4 6.4 a直流負(fù)反響 b交、直流正反響 c直流負(fù)反響 d、e、f、g、h均引入交、直流負(fù)反響 6.5 a交、直流負(fù)反響 b交、直流負(fù)反響 cRS引入交、直流負(fù)反響,C2引入交流正反響。 d、e、f均引入交、直流負(fù)反響。 gR3和R7引入直流負(fù)反響,R4引入交、直流負(fù)反響。 6.6 d電流并聯(lián)負(fù)反響 e電壓串聯(lián)負(fù)反響 f電壓串聯(lián)負(fù)反響 g電壓串
18、聯(lián)負(fù)反響 h電壓串聯(lián)負(fù)反響 6.7 a電壓并聯(lián)負(fù)反響 b電壓并聯(lián)負(fù)反響 e電流并聯(lián)負(fù)反響 f電壓串聯(lián)負(fù)反響 g電流串聯(lián)負(fù)反響 6.8 6.9 6.10d輸入電阻減小,輸出電阻增大。eh輸入電阻增大,輸出電阻減小。 6.11a輸入電阻減小,輸出電阻增大。 b輸入電阻減小,輸出電阻減小。c輸入電阻增大,輸出電阻增大。 e輸入電阻減小,輸出電阻增大。 f輸入電阻增大,輸出電阻減小。 g輸入電阻增大,輸出電阻增大。 6.12 電壓串聯(lián)負(fù)反響 無窮大 11 11 1 14 14 16.13 假設(shè)uB1= uB2增大,那么產(chǎn)生以下過程: uB1= uB2uC1= uC2(uB4= uB5)iE4=iE5uR5(uB3)iC3uR1 uC1= uC2 6.14 1Af1/F500 2Af相對變化率為A的相對變化率的,約為0.1。6.15 6.16 UO的調(diào)理范圍約為 反響系數(shù)的上限值為60dB,即的上限值為103。 6.18 6.19 1引入電流串聯(lián)負(fù)反響,經(jīng)過電阻Rf將三極管的發(fā)射極與T2管的柵極銜接起來。2 Rf18.5k 6.201一定會產(chǎn)生自激振蕩。由于在f103Hz時(shí)附加相移為45o,在f104Hz時(shí)附加相移約為o,在f105Hz時(shí)附加相移約為225o,因此附加相移為180o的頻 率在104Hz105Hz之間,此時(shí),故一定會產(chǎn)生自激振蕩。 2加消振電容,在晶體管T2的
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