![IGBT模塊的測試方法_第1頁](http://file4.renrendoc.com/view/84fed877ce06ade4b254cc6ba3aed635/84fed877ce06ade4b254cc6ba3aed6351.gif)
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![IGBT模塊的測試方法_第3頁](http://file4.renrendoc.com/view/84fed877ce06ade4b254cc6ba3aed635/84fed877ce06ade4b254cc6ba3aed6353.gif)
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文檔簡介
1、MOS管和IGBT模塊的測試方法MOS管(MOSFET)的測試方法:場效應(yīng)管,如果已知型號(hào)與管腳,用萬用電表測G(柵極)和S(源極)之間,G與D(漏極)之間沒有PN結(jié)電阻,說明該管子已壞.用萬用電表的RXlkQ檔,其表棒分別接在場效應(yīng)管的S極和D極上,然后用手碰觸管子和G極,若表針不動(dòng),說明管子不好;若表針有較大幅度的擺動(dòng),說明管子可用.另外:1、結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的區(qū)別(1)從包裝上區(qū)分由于絕緣柵型場效應(yīng)管的柵極易被擊穿損壞,所以管腳之間一般都是短路的或是用金屬箔包裹的;而結(jié)型場效應(yīng)管在包裝上無特殊要求.(2)用指針式萬用表的電阻檔測量用萬用表的“RXlk”檔或“RX100”檔測
2、G、S管腳間的阻值,N結(jié)的正、反向阻值,此管為結(jié)型管.2、用萬用表電阻檔判別結(jié)型場效應(yīng)管管腳一般用RXlk或RX100檔進(jìn)行測量,測量時(shí),任選兩管腳,測正、反向電阻,阻值都相同(均為幾千歐)時(shí),該兩極分別為D、S極(在使用時(shí),這兩極可互換),余下的一極為由于絕緣柵型場效應(yīng)管在測量時(shí)易損壞,所以不使用此方法進(jìn)行管腳識(shí)別,一般以查手冊為宜.簡單方法檢測IGBT模塊的好壞:l、判斷極性首先將萬用表撥在RX1K。擋,用萬用表測量時(shí),若某一極與其它兩極阻值為無窮大,調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大,則判斷此極為柵極(G)。其余兩極再用萬用表測量,若測得阻值為無窮大,調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量
3、阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C):黑表筆接的為發(fā)射極(E)。2、判斷好壞將萬用表撥在RX10KQ檔,用黑表筆接IGBT的集電極(C),紅表筆接IGBT的發(fā)時(shí)極(E),此時(shí)萬用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時(shí)工GBT被觸發(fā)導(dǎo)通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站們指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E),這時(shí)IGBT被阻斷,萬用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT是好的。3、注意事項(xiàng)任何指針式萬用表鈴可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT好壞時(shí),一定要將萬用表撥在RXIOK擋,因RXIKQ檔以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低,檢
4、測好壞時(shí)不能使IGBT導(dǎo)通,而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用護(hù)檢測功率場效應(yīng)晶體管(P一MOSFET)的好壞。以兩單元為例:用模擬萬用表測量靜態(tài)測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應(yīng)為無窮大;表筆對調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子,顯示電阻應(yīng)為無窮大;表筆對調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.若符合上述情況表明此IGBT的兩個(gè)單元沒有明顯的故障.動(dòng)態(tài)測試:把萬用表的檔位放在乘10K檔,用黑表筆接4端子,紅表筆接5端子,此時(shí)黑表筆接3端子紅表筆接1端子,此時(shí)電阻應(yīng)為300-400毆,把表筆對調(diào)也有大約300-400毆的電阻表明此IGBT單元是完好的.用同樣的方法測試1、2端子間的IGBT,若符合上述的情況表明該IGBT也是完好的.將萬用表撥在RxlOKQ擋,用黑表筆接IGBT的漏極(D),紅表筆接IGBT的源極(S),此時(shí)萬用表的指針指在無窮處。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和漏極(D),這時(shí)IGBT被觸發(fā)導(dǎo)通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下源極(S
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