標準解讀
《GB/T 16595-2019 晶片通用網(wǎng)格規(guī)范》相比于《GB/T 16595-1996 晶片通用網(wǎng)格規(guī)范》,主要在以下幾個方面進行了更新與調(diào)整:
-
技術(shù)內(nèi)容的更新:新版標準融入了近年來晶片制造技術(shù)和材料科學的最新進展,對晶片網(wǎng)格設計、制備及檢測等方面的要求進行了修訂,以適應當前半導體行業(yè)更高的精度和性能需求。
-
精度要求提升:鑒于集成電路特征尺寸的不斷縮小,2019版標準顯著提高了對晶片網(wǎng)格尺寸精度和一致性方面的要求,確保晶片在更小尺度上的可靠性和互操作性。
-
檢測方法與標準:更新了晶片網(wǎng)格的檢測方法和評判標準,引入了更先進的測量技術(shù)和數(shù)據(jù)分析方法,以更準確地評估晶片網(wǎng)格的質(zhì)量和符合性。
-
兼容性與標準化:為促進國內(nèi)外晶片產(chǎn)業(yè)的交流與合作,新標準加強了與國際主流標準的接軌,增加了對國際上廣泛認可的網(wǎng)格規(guī)范的引用和兼容性說明,有助于提升中國晶片產(chǎn)品在全球市場的競爭力。
-
環(huán)保與可持續(xù)性:考慮到環(huán)境保護和資源可持續(xù)利用的需求,2019版標準在某些條款中加入了關于生產(chǎn)過程中的環(huán)保要求,鼓勵采用環(huán)境友好型材料和技術(shù)。
-
術(shù)語與定義:根據(jù)技術(shù)發(fā)展,對部分專業(yè)術(shù)語進行了新增或修訂,確保標準語言的準確性和時代性,便于業(yè)界理解和執(zhí)行。
-
結(jié)構(gòu)與格式優(yōu)化:為了提高標準的可讀性和實用性,對標準的結(jié)構(gòu)布局和表述方式進行了優(yōu)化,使其更加清晰、邏輯性更強,便于用戶快速查找和應用相關信息。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2019-03-25 頒布
- 2020-02-01 實施
文檔簡介
ICS29045
H80.
中華人民共和國國家標準
GB/T16595—2019
代替
GB/T16595—1996
晶片通用網(wǎng)格規(guī)范
Specificationforauniversalwafergrid
2019-03-25發(fā)布2020-02-01實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
GB/T16595—2019
前言
本標準按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標準代替晶片通用網(wǎng)格規(guī)范與相比除編輯性修改
GB/T16595—1996《》。GB/T16595—1996,
外主要技術(shù)變化如下
:
增加了適用范圍本標準適用于標稱直徑的硅片也適用于其他半導體材
———“100mm~200mm,
料晶片見第章
”(1);
將第章范圍中的部分內(nèi)容列入網(wǎng)格的應用見第章年版的第章
———1“5”(5,19961);
刪除了規(guī)范性引用文件中的增加了
———GB/T1554、YS/T209、SEMIM1、SEMIM2、SEMIM11,
見第章年版的第章
GB/T30453(2,19962);
將網(wǎng)格單元平面圖的內(nèi)容修改為網(wǎng)格外徑的選擇應考慮到晶片的邊緣去除直徑
———4.14.1.2“、
允許偏差和倒角通常選擇網(wǎng)格外徑為合格質(zhì)量區(qū)的直徑其中合格質(zhì)量區(qū)的半徑比晶片的
。,
標稱半徑小或?qū)木W(wǎng)格圓直徑見表見年版的
3mm4mm,2”(4.1.2,19964.1.2);
增加了針對直徑和晶片合格質(zhì)量區(qū)半徑比晶片標稱半徑小的網(wǎng)格
———150mm200mm,4mm
圓直徑見表
(2);
將帶副參考面的晶片的內(nèi)容修改為當使用半徑比晶片標稱半徑小的合格質(zhì)量區(qū)
———4.4“3mm
時網(wǎng)格都不會超過晶片副參考面區(qū)域的邊緣因此該網(wǎng)格忽略副參考面見年版
,,”(4.4,1996
的
4.4);
增加了網(wǎng)格的應用見第章
———“5”(5)。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會與全國半導體設備和材料標準
(SAC/TC203)
化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口
(SAC/TC203/SC2)。
本標準起草單位浙江海納半導體有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟研究院有研半導體材料有限公司
:、、、
浙江省硅材料質(zhì)量檢驗中心上海合晶硅材料有限公司
、。
本標準主要起草人潘金平饒偉星楊素心盧立延樓春蘭徐新華吳雄杰高海軍王偉棱
:、、、、、、、、、
鄭歡欣余俊軍
、。
本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為
:
———GB/T16595—1996。
Ⅰ
GB/T16595—2019
晶片通用網(wǎng)格規(guī)范
1范圍
本標準規(guī)定了可用于定量描述圓形半導體晶片表面缺陷的網(wǎng)格圖形
。
本標準適用于標稱直徑的硅片也適用于其他半導體材料晶片
100mm~200mm,。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法
GB/T6624
硅單晶拋光片
GB/T12964
硅外延片
GB/T14139
硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法
GB/T14142
半導體材料術(shù)語
GB/T14264
硅材料原生缺陷圖譜
GB/T30453
3術(shù)語和定義
界定的術(shù)語和定義適用于本文件
GB/T14264。
4網(wǎng)格單元布局
41網(wǎng)格單元平面圖
.
411網(wǎng)格以晶片中心定位規(guī)定兩種網(wǎng)格一種用于不帶主參考面的晶片即晶片的主定位基準是切
..,:(
口另一種用于帶主參考面的晶片網(wǎng)格由個同心圓分割根據(jù)每個圓的直徑確定所包含的徑向分
),。18,
割單元數(shù)由各個圓面積確定同心圓的相對直徑用網(wǎng)格外徑乘以對應的相對直徑可求出任一圓的實
,,,
際直徑具體見表
。1。
表1網(wǎng)格單元平面圖信息
分割單元數(shù)分割線夾角分割單元總數(shù)
圓序號所包含面積比相對直徑
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