障壁及其制作工藝

1、四川虹歐障壁及其制造工藝.主要內(nèi)容一、障壁根本概念二、障壁制造方法三、COC障壁制造工藝及設(shè)備四、刻蝕法制造障壁相關(guān)資料引見五、與障壁制造相關(guān)的設(shè)計(jì)開發(fā)六、障壁檢查及修復(fù).障壁根本概念.PANELMODULEDriver CircuitMemorySignal Control CircuitGlass.障壁作用：保證兩塊基板間的放電間隙，確保一定的放電空間；防止相鄰單元間的光電串?dāng)_；起反射層的作用，使熒光粉的發(fā)光產(chǎn)生反射從而提高亮度。主要技術(shù)要求：對(duì)障壁的要求是高度一致(偏向在5m以內(nèi))，外形均勻，還要求具有可以支撐前基板的強(qiáng)度特性。在保證障壁強(qiáng)度的前提下，障壁寬度應(yīng)盡能夠窄，以增大單元的開口

2、率，提高器件亮度。障壁是構(gòu)成PDP放電單元的根本要素，其高度和寬度直接影響放電空間的大小和控制驅(qū)動(dòng)電路的動(dòng)態(tài)范圍，它們?cè)谌练秶鷥?nèi)的一致性更是決議顯示器性能的重要目的。.1條狀障壁幾種常見的障壁構(gòu)造優(yōu)點(diǎn)： 構(gòu)造簡(jiǎn)單，易于制造； 能實(shí)現(xiàn)高精細(xì)化； 前后基板對(duì)位要求不嚴(yán)厲。缺陷： 熒光粉涂敷面積?。?易發(fā)生光電串?dāng)_。主要運(yùn)用于42英寸SD級(jí)PDP.2井字形障壁優(yōu)點(diǎn)：增大熒光粉發(fā)光面積，提高發(fā) 光效率；有效防止光電串?dāng)_。缺陷：對(duì)位要求提高；排氣困難。易于排氣.消除行間串?dāng)_適宜高分辨率3Waffle障壁構(gòu)造. 紅R、綠G、藍(lán)B的單元位置成三角形構(gòu)造，確保更大的放電空間，提高發(fā)光效率。各單元形狀有蜂窩狀

3、的六邊形構(gòu)造和四邊形構(gòu)造等各種構(gòu)造。4DelTA障壁構(gòu)造.增大熒光粉的涂敷面積，添加單元中的有效發(fā)光面積，從而使亮度和光效都得到提高，同時(shí)備有一定的排氣通道。該構(gòu)造對(duì)前后基板對(duì)位、ITO線條精度、障壁與尋址電極之間對(duì)位的要求提高，添加了制造難度。DelTA障壁構(gòu)造.5其它障壁構(gòu)造 下面兩種障壁構(gòu)造是為了增大發(fā)光面積而在條狀障壁構(gòu)造根底上進(jìn)展改良的構(gòu)造表示圖，第一個(gè)構(gòu)造是在兩個(gè)正常障壁之間參與一個(gè)輔助障壁，輔助障壁的兩側(cè)涂敷熒光粉從而增大發(fā)光面積，第二個(gè)構(gòu)造是把障壁做成階梯狀以增大熒光粉的涂敷面積。/sipo/.障壁制造方法. 障壁制造工藝不斷都是PDP制造的瓶頸問(wèn)題，也是影響P

4、DP屏質(zhì)量的一個(gè)重要要素，開發(fā)工藝簡(jiǎn)單、資料本錢低的障壁制造技術(shù)是降低PDP制造本錢的一項(xiàng)有效措施，因此制造工藝的改善和尋覓新的資料不斷是PDP屏工藝制造領(lǐng)域的搶手話題。.障壁制造方法絲網(wǎng)印刷法噴砂法感光性漿料法刻蝕法填充法模壓法梳擠成型法.1. 絲網(wǎng)印刷法Glass PasteGlass Screen Printing Repetition (10 15 times).工藝步驟：印刷枯燥印刷枯燥多次反復(fù)1015次，使障壁壘至所需高度高溫?zé)Y(jié)構(gòu)成障壁。優(yōu)點(diǎn)：設(shè)備簡(jiǎn)單廉價(jià)，資料利用率高。缺陷：受基板的厚度及平整度、刮刀的研磨情況和擦板壓力等要素的影響，因此，存在對(duì)位不一致，高度不均勻等問(wèn)題，且工

5、藝復(fù)雜，難以實(shí)現(xiàn)精細(xì)化的要求。絲網(wǎng)印刷法.2. 噴砂法.噴砂法工藝步驟：涂敷/印刷障壁資料涂光刻膠/貼DFR 曝光顯影噴砂剝膜高溫?zé)Y(jié)構(gòu)成障壁。優(yōu)點(diǎn)：尺寸精度和斷面外形良好，高度均勻，且能構(gòu)成精細(xì)的圖形，可以滿足XGA及其以上精度產(chǎn)品的要求。缺陷：資料運(yùn)用率低，工藝復(fù)雜，且存在砂粒的污染問(wèn)題。.3. 感光性漿料法.感光性漿料法工藝步驟：涂敷感光性漿料第一層曝光涂敷感光性漿料第二層曝光顯影高溫?zé)Y(jié)構(gòu)成障壁。缺陷：工藝復(fù)雜，對(duì)位要求精度高，資料本錢高。.Photosensitive Glass Paste UV Exposure Develop 日本TORAY公司有一種感光性障壁漿料，不需求多次涂

6、敷、曝光，可以一次性完全曝光，因此工藝非常簡(jiǎn)單，且不存在對(duì)位的要求，是制造障壁的一種非常理想的資料。.4. 刻蝕法 Glass PastePhotoresistCoating &Exposure Develop/Etch PhotoresistStrip.刻蝕法工藝步驟：涂敷障壁資料第一層枯燥涂敷障壁資料第二層枯燥高溫?zé)Y(jié)涂光刻膠枯燥曝光顯影刻蝕構(gòu)成障壁剝膜。優(yōu)點(diǎn)：障壁尺寸均一性好，效率高，且能構(gòu)成精細(xì)的圖形，可以滿足XGA及其以上精度產(chǎn)品的要求。缺陷：資料運(yùn)用率低。.5. 填充法 Thick Layer Resist Exposure/Develop Squeezing Glass Past

7、e into grooves Strip.填充法工藝步驟：涂敷感光資料曝光顯影構(gòu)成與障壁相反的圖形填充障壁資料除去感光膠高溫?zé)Y(jié)構(gòu)成障壁。優(yōu)點(diǎn)：資料損耗少，不存在環(huán)境問(wèn)題，制造出的障壁高寬比大，外形呈典型的窄梯形。且運(yùn)用的感光資料與障壁的剝離性好，障壁的側(cè)面光滑無(wú)損傷。缺陷：注入障壁資料容易產(chǎn)生氣泡。.6. 模壓法.模壓法工藝步驟：先在基板上構(gòu)成均勻厚度的障壁層, 然后用已制造有障壁圖形的金屬模具對(duì)障壁層進(jìn)展壓制, 取下模具, 對(duì)障壁進(jìn)展燒結(jié)。優(yōu)點(diǎn)：這種方法可以構(gòu)成恣意斷面外形的障壁, 資料利用率高, 工藝簡(jiǎn)單, 有望獲得低本錢、高質(zhì)量障壁, 因此是一種極有出路的障壁構(gòu)成方法。.增大熒光粉發(fā)光

8、面積 .7. 梳擠成型法.梳擠成型法工藝步驟：在基板上把漿料做成膜，前端有開口部的梳擠在漿料中挪動(dòng)，可以在基板上得到障壁狀物。然后，經(jīng)過(guò)枯燥、燒結(jié)過(guò)程，在基板上構(gòu)成條狀的障壁。優(yōu)點(diǎn)：工藝非常簡(jiǎn)單，資料利用率高，設(shè)備本錢低，能構(gòu)成寬小的障壁，能對(duì)應(yīng)高精度，高亮度PDP的要求。對(duì)資料的要求：需求漿料能同時(shí)具有保形性和流動(dòng)性兩個(gè)相反的特性，并且梳擠極為高精度。.AdvantageNeutralDisadvantage幾種典型障壁制造方法之比較8/23/202232.COC障壁制造工藝及設(shè)備. Glass Paste障壁漿料涂敷/枯燥/燒結(jié)Photoresist障壁PR涂敷/枯燥障壁PR顯影障壁PR剝

9、膜障壁刻蝕刻蝕液剝膜液障壁PR曝光UV顯影液刻蝕法制造障壁.COC障壁制造工藝流程后板介質(zhì)燒結(jié)障壁涂敷前清洗障壁第一次涂敷枯燥障壁第二次涂敷枯燥障壁層燒結(jié)障壁PR涂敷前清洗障壁PR涂敷枯燥障壁PR曝光障壁PR顯影障壁刻蝕障壁PR剝膜障壁檢查、修復(fù)熒光粉R涂敷.1.障壁涂敷前清洗清洗目的：除去后板介質(zhì)層外表在燒結(jié)過(guò)程中產(chǎn)生的異物或雜質(zhì)，以保證障壁涂敷質(zhì)量。清洗液：NaOH (aq)濃度：2 4 wt.%溫度：28 45 壓力：1.0 2.0 kgf/cm2時(shí)間：35 70 sec .設(shè)備根本構(gòu)造輥刷高壓淋洗 High pressure leaching 泡沫清洗.Roll BrushBubble

10、 Jet.2.障壁涂敷目的：在制造完后板介質(zhì)的基板上均勻涂敷一定厚度的障壁漿料，以便經(jīng)過(guò)刻蝕法得到一定高度的障壁構(gòu)造。管理工程：項(xiàng) 目上層障壁下層障壁漿料粘度1500018000cps1500018000cps涂敷速度50mm/sec50mm/sec濕膜厚度300m200m有效區(qū)域膜厚均一性5%5%.障壁涂敷方向和涂敷區(qū)域.3.障壁層枯燥枯燥目的：障壁層涂敷完之后，經(jīng)過(guò)枯燥爐枯燥才干固定在玻璃基板上，枯燥目的是去掉障壁漿料中常溫下不易揮發(fā)，高溫下易揮發(fā)的溶劑。.BR枯燥爐溫曲線 150-7min16.3/min-10.0/min5/min.4.障壁層燒結(jié)燒結(jié)目的：涂敷的障壁層只需經(jīng)過(guò)燒結(jié)才干去

11、除漿料中的有機(jī)載體，才干使低熔點(diǎn)玻璃粉熔化并粘住漿料中的固體成分。.17.1/min380-20min8.6/min560-20min-8.0/minBR燒結(jié)爐溫曲線 .5.障壁PR涂敷前清洗清洗目的：除去障壁層外表在燒結(jié)過(guò)程中產(chǎn)生的異物或雜質(zhì)，以保證障壁PR涂敷質(zhì)量。清洗液：NaOH(aq)濃度：2 4 wt.%溫度：28 45 壓力：1.0 2.0 kgf/cm2時(shí)間：35 70 sec .設(shè)備根本構(gòu)造.6.障壁PR涂敷目的：在燒結(jié)好的障壁層外表均勻涂敷一定厚度的光致抗蝕劑Photoresist，PR膠，使其能滿足障壁刻蝕要求。管理工程：項(xiàng) 目障壁PR漿料粘度7590cps涂敷速度50mm

12、/sec濕膜厚度85m有效區(qū)域膜厚均一性4%.障壁PR涂敷方向和涂敷區(qū)域BR-PR 506.7.障壁PR枯燥枯燥目的：障壁PR涂敷完之后，經(jīng)過(guò)枯燥爐枯燥才干貼敷在障壁層上，枯燥目的是去掉PR膠中常溫下不易揮發(fā)，高溫下易揮發(fā)的溶劑。.障壁PR枯燥爐溫曲線110-8min-5.4/min5/min10/min.8.障壁PR曝光負(fù)性PR膠：曝光區(qū)域發(fā)生化學(xué)變化，其在未曝光前是易溶的，曝光后變成不溶或難溶，這樣，當(dāng)在特定溶劑中顯影時(shí)，未曝光部分被洗去，曝光部分保管下來(lái)。障壁PR曝光量：40 80 mJ/cm2 Gap：100 200 .9.障壁PR顯影顯影目的：顯影去除PR膠未曝光部分，將母幅員形轉(zhuǎn)移

13、到PR膠上。顯影液：Na2CO3(aq)濃度：0.3 0.5 wt.% 溫度：25 40 壓力：1.0 1.5 kgf/cm2時(shí)間：140 160 sec .設(shè)備根本構(gòu)造.10.障壁刻蝕目的：經(jīng)過(guò)刻蝕液與障壁資料的反響，刻蝕得到一定寬度頂寬、底寬和高度的障壁構(gòu)造。主要工藝參數(shù)： 刻蝕液濃度 刻蝕液溫度 放射壓力 放射方式 基板移送速度 托盤間隔. 1刻蝕液濃度 刻蝕液濃度是影響障壁刻蝕速率的主要要素，為到達(dá)一定的刻蝕速率，工藝過(guò)程中刻蝕液濃度必需在所要求的范圍。濃度偏低，會(huì)使刻蝕速率降低，從而得不到所要求的障壁外形，濃度偏高，那么會(huì)使刻蝕速率加快，呵斥障壁過(guò)刻蝕。 2刻蝕液溫度 刻蝕液溫度對(duì)障

14、壁的刻蝕速率也有影響，溫度高刻蝕速率快，溫度低那么刻蝕速率慢。此外，刻蝕液溫度太高會(huì)降低PR膠與障壁資料的粘附性。 3放射壓力 刻蝕液放射壓力只需到達(dá)一定強(qiáng)度后，才干經(jīng)過(guò)PR膠縫隙，到達(dá)需求刻蝕的區(qū)域，到達(dá)及時(shí)對(duì)刻蝕液進(jìn)展補(bǔ)充和更新的目的。另外，刻蝕液放射壓力對(duì)障壁刻蝕速度也有影響，放射到障壁資料外表的壓力大那么刻蝕速度快，壓力小那么刻蝕速度慢。但放射壓力過(guò)大也會(huì)呵斥不良后果，如使PR膠零落、障壁過(guò)刻蝕等。主要工藝參數(shù).4放射方式 除設(shè)備上的保證外，工藝上可對(duì)噴嘴的擺動(dòng)間隔和擺動(dòng)速度進(jìn)展調(diào)整，以得到所要求的障壁外形和障壁尺寸均一性。5基板移送速度 對(duì)于一定長(zhǎng)度的障壁刻蝕設(shè)備，基板移送速度的快慢

15、決議了障壁刻蝕工藝時(shí)間的長(zhǎng)短。障壁資料對(duì)工藝時(shí)間有一定要求400800sec，不能太長(zhǎng)或太短：太長(zhǎng)會(huì)呵斥障壁過(guò)刻蝕，太短那么得不到所要求的障壁外形。 6托盤間隔 對(duì)基板進(jìn)展投料時(shí)，需思索適宜的托盤間隔。托盤間隔過(guò)大，消費(fèi)節(jié)拍時(shí)間難以保證，過(guò)小那么能夠會(huì)降低障壁刻蝕的質(zhì)量。從實(shí)際上講，刻蝕設(shè)備應(yīng)該存在一個(gè)最小的托盤間隔，按照該間隔即不會(huì)對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量產(chǎn)生影響又能保證最快的節(jié)拍。主要工藝參數(shù)程度！.刻蝕液：HNO3(aq)濃度：0.1 0.3 wt.% 溫度：30 45 壓力：1.0 3.0 kgf/cm2時(shí)間：400 800 sec800mmTray Tray進(jìn)展方向Tray間隔：規(guī)范運(yùn)轉(zhuǎn)為800m

16、m以作業(yè)時(shí)不成為問(wèn)題為規(guī)范進(jìn)展制造.障壁刻蝕設(shè)備根本構(gòu)造 1) Loader 2) Neutral 3) Rib Etching 4) Neutral 5) Rinse 6) Air Knife + Hot Blower 7) Unloader.障壁刻蝕設(shè)備藥液供應(yīng)表示圖.11.障壁PR剝膜 目的：刻蝕完成后，將起維護(hù)作用的PR膠剝離并進(jìn)展清洗，完成障壁的最終制造。剝膜液：NaOH (aq)濃度：2 7 wt.% 溫度：30 45 壓力：1.0 3.0 kgf/cm2時(shí)間：60 140 sec.障壁剝膜設(shè)備根本構(gòu)造：1) Loader 2) Neutral 3) Rib Strip 4) Ne

17、utral 5) Rinse 6) Ultra Sonic or Bubble Jet 7) Final Rinse 8) Air Knife + Hot Dryer 9) IR Dryer 10) Unloader障壁剝膜設(shè)備藥液供應(yīng)表示圖.刻蝕法制造障壁相關(guān)資料引見.1根本組分1.刻蝕性障壁漿料刻蝕性障壁漿料無(wú)機(jī)粉末有機(jī)載體樹脂溶劑助劑低熔點(diǎn)玻璃粉填料顏料Pb系Pb -free系：BaO-ZnO-SiO2-B2O3 ZnO-Al2O3 TiO2 ECBCA Terpineol分散劑、流平劑 消泡劑 等.障壁資料特性單層，S公司目前運(yùn)用2資料特性.下 障壁資料上 障壁資料5405905405

18、9080 x10-7/80 x10-7/Full-DensityFull-Density商品用以上商品用以上D10()0.90.9D50()2323D90()10左右10左右-8 /min4 /minWhiteWhitenonenone810810-70Mpa70Mpa-機(jī)械特性強(qiáng)度強(qiáng)度電氣特性導(dǎo)電率導(dǎo)電損失率阻抗化學(xué)特性Etching rate顏色電極反響物理特性粒度B.E.T殘留應(yīng)力(Mpa)比重Full-HD 用 Etching 障壁資料測(cè)定工程熱特性燒結(jié)溫度熱膨脹系數(shù)細(xì)微構(gòu)造外表潮濕度50 Full HD用障壁上下層資料特性.3性能要求良好的涂敷性能 漿料的粉末粒度、粘度、觸變性等參數(shù)

19、決議了其涂敷性能，因此需對(duì)這些參數(shù)進(jìn)展嚴(yán)厲控制，使?jié){料能按要求均一、穩(wěn)定的涂敷。良好的枯燥和燒結(jié)性能 在枯燥和燒結(jié)過(guò)程中，漿料中的溶劑和樹脂粘結(jié)劑應(yīng)能穩(wěn)定的揮發(fā)，并不留灰分，以防止氣泡、突起、凹陷、針孔等缺陷的產(chǎn)生。適當(dāng)?shù)目涛g速率 在一定的工藝條件下，障壁資料的刻蝕速率必需適中，速率過(guò)慢將降低障壁制造效率，滿足不了量產(chǎn)對(duì)節(jié)拍時(shí)間的要求，過(guò)快那么使工藝難以控制。.側(cè)向腐蝕控制 在障壁制造過(guò)程中側(cè)向腐蝕是不可防止的，對(duì)于性能優(yōu)良的障壁漿料來(lái)說(shuō)，應(yīng)能經(jīng)過(guò)一定的刻蝕工藝和設(shè)備，將側(cè)向腐蝕控制在所要求的范圍，使垂直刻蝕速率與側(cè)向腐蝕速率比值盡能夠大，以構(gòu)成所需高度的障壁。此外，經(jīng)過(guò)采用雙層障壁資料也能有

20、效控制刻蝕過(guò)程中的側(cè)向腐蝕。高障壁強(qiáng)度 在滿足刻蝕要求的前提下，障壁強(qiáng)度越高越好。假設(shè)強(qiáng)度過(guò)低，那么能夠?qū)е鹿に囘^(guò)程中障壁的倒塌，缺陷增多，同時(shí)后續(xù)工藝對(duì)障壁強(qiáng)度也有一定要求。 .2.障壁光致抗蝕劑PR膠正性光致抗蝕劑：曝光區(qū)域發(fā)生化學(xué)變化，其在未曝光前是不溶或難溶的，曝光后變成易溶，這樣，當(dāng)在特定溶劑中顯影時(shí)，曝光部分被洗去，未曝光部分保管下來(lái)。負(fù)性光致抗蝕劑：曝光區(qū)域發(fā)生化學(xué)變化，其在未曝光前是易溶的，曝光后變成不溶或難溶，這樣，當(dāng)在特定溶劑中顯影時(shí)，未曝光部分被洗去，曝光部分保管下來(lái)。光致抗蝕劑.光刻過(guò)程表示圖.1PR膠根本組分a樹脂resin/polymer，抗蝕劑中不同資料的粘合劑，

21、 賦予抗蝕劑機(jī)械與化學(xué)性能如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等；b感光劑，是一種光敏化合物PAC，光照時(shí)能發(fā)生光化學(xué)反響，為抗蝕劑提供輻射吸收特性和耐刻蝕劑特性；c溶劑solvent，堅(jiān)持光刻膠的液體形狀，使之具有良好的流動(dòng)性；d添加劑Additive，用以改動(dòng)抗蝕劑的某些特性，如改善抗蝕劑發(fā)生反射而添加染色劑等。 .良好的涂敷性能 PR膠的粘度、觸變性等參數(shù)決議了其涂敷性能，因此需對(duì)這些參數(shù)進(jìn)展嚴(yán)厲控制，使其能按要求均一、穩(wěn)定的涂敷。與障壁資料良好的粘附性 在障壁制造工藝中，PR膠除了能經(jīng)過(guò)曝光、顯影得到精細(xì)的圖形外，還需與上層障壁資料有很好的粘附性，否那么在刻蝕液放射過(guò)程中PR膠將產(chǎn)生起泡、零落

22、，從而導(dǎo)致障壁的缺陷。PR膠的抗沖擊壓力應(yīng)為3bar以上?；瘜W(xué)穩(wěn)定性 PR膠固化部分應(yīng)對(duì)刻蝕液穩(wěn)定，不與其發(fā)生反響。2性能要求.3.刻蝕液 強(qiáng)酸如：鹽酸、硝酸、硫酸等均能與障壁資料發(fā)生反響，起到刻蝕的作用，但是采用不同的酸，刻蝕速率會(huì)有所不同。障壁刻蝕工藝需求選擇刻蝕速率適中的刻蝕液，刻蝕速率過(guò)慢將降低障壁制造效率，滿足不了量產(chǎn)對(duì)節(jié)拍時(shí)間的要求，過(guò)快那么使工藝難以控制。此外，刻蝕液濃度也是影響刻蝕速率的重要要素，需經(jīng)過(guò)工藝實(shí)驗(yàn)確定最正確的刻蝕液濃度。 目前COC確定的刻蝕液：0.1 0.3wt.%HNO3溶液。.4.障壁PR顯影液、剝膜液1顯影液 弱堿性溶液，用于溶解未曝光交聯(lián)的PR膠。 目前

23、COC確定的顯影液：0.3 0.5wt.% Na2CO3溶液。2剝膜液 NaOH或KOH強(qiáng)堿性溶液，用于剝離剩余的PR膠。 目前COC確定的剝膜液：2 7wt.% NaOH溶液。.與障壁制造相關(guān)的設(shè)計(jì)開發(fā).設(shè)計(jì)要點(diǎn)障壁構(gòu)造的設(shè)計(jì) 障壁頂寬 障壁底寬 CELL內(nèi)部寬度 障壁高度障壁PR母版設(shè)計(jì).障壁頂寬不能小于40微米，否那么障壁強(qiáng)度達(dá)不到要求，可靠性難以保證。障壁底部寬度與頂部寬度之比應(yīng)小于2，只需這樣障壁底寬才干符合我們的要求。如大于2，將導(dǎo)致障壁底部寬度太大，這對(duì)障壁強(qiáng)度方面能夠有利，但是很難滿足高精細(xì)方面的要求。b / a 2b 2a1. 障壁頂寬和底寬設(shè)計(jì)原那么.障壁中部寬度比頂部寬度

24、小的情況叫做NECK，它是由于刻蝕液放射時(shí)所構(gòu)成的渦流而產(chǎn)生的。當(dāng)NECK部分超越6%時(shí)，會(huì)影響障壁強(qiáng)度及可靠性，因此需經(jīng)過(guò)資料設(shè)計(jì)和適當(dāng)?shù)墓に嚄l件防止。c aNECKaC(a-c)/c*100% 6%.2.障壁高度設(shè)計(jì)原那么普通選取障壁的高度h為顯示電極間隙g1的1.21.5倍。 h = 1.2 1.5 g1如h，那么著火電壓，維持電壓，尋址電壓，亮度。. 對(duì)于刻蝕法制造障壁，障壁的上下部寬度、SIDE刻蝕、 CELL內(nèi)部寬度和高度等是需求重點(diǎn)調(diào)查的要素，為得到符合要求的障壁構(gòu)造，需根據(jù)這些要素對(duì)障壁母版進(jìn)展設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)原那么： Side刻蝕約等于障壁高度的一半單層障壁； PR Cell Ga

25、p需大于40微米。3. 障壁PR母版設(shè)計(jì).4. 側(cè)向腐蝕控制垂直刻蝕速率與側(cè)向腐蝕速率比值 1234 目前，上述速率比值根據(jù)工藝條件為：23，可近似以為是3。 為制造42 WXGA及50 FHD，需求減少SIDE刻蝕值，減少SIDE刻蝕值的方法是將障壁高度從如今的125降低到110的方案和運(yùn)用多層障壁提高速率比值的方案。.障壁頂部外形和尺寸： .屏尺寸及規(guī)格a（m）b（m）c（m）d（m）42”WXGA40508012012010714750”WXGA40508012012015019050”FHD354580115112122.COC障壁尺寸設(shè)計(jì)數(shù)據(jù).為何運(yùn)用雙層障壁構(gòu)造橫豎42XGA0.3

26、00 0.670 42WXGA0.227 0.670 50WXGA0.270 0.810 50FHD0.192 0.577 0.045 0.050 0.040 上寬基準(zhǔn) 障壁內(nèi)部空間0.245 0.182 0.220 0.152 橫0.055 障壁寬度規(guī)格 對(duì)角SizePixel Size各 Model障壁 Cell Pitch.各Model的PR設(shè)計(jì)值 (單層時(shí))障壁寬上寬基準(zhǔn)橫 障壁內(nèi)部空間42XGA0.055 0.245 0.125 42WXGA0.045 0.182 0.062 50WXGA0.050 0.220 0.100 50FHD0.040 0.152 0.032 PR CELL

27、 GAP對(duì)角Size規(guī)格50FHD的PR CELL GAP是32，40以下時(shí)辰蝕困難。Process Time變得相當(dāng)長(zhǎng)，均一度顯著下降，刻蝕液幾乎是 以滲入的方式進(jìn)展刻蝕，沒有量產(chǎn)性。普通來(lái)說(shuō)，PR CELL GAP在80以上時(shí)能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的刻蝕，但PR CELL GAP在 80以下時(shí)需采用多層障壁構(gòu)造調(diào)整Side刻蝕量。注：各Model思索60的side刻蝕量.PR Cell Gap()刻蝕速度(/min)刻蝕時(shí)間(s)備注5010.866636011.766127013.335408015.004809016.0045010017.1442011017.14420刻蝕 Process Ti

28、me 變化在同等工藝條件下，運(yùn)用單層障壁刻蝕資料，PR Cell Gap越小，刻蝕 Process Time越長(zhǎng)。42WXGA或50FHD的PR Cell Gap在60或以下，要實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的刻蝕很困難，且Process Time變長(zhǎng)，難以制造所希望的障壁外形。 .1. 隨著 Cell Pitch減少的刻蝕 rate下降 刻蝕Process Time添加2. 有必要調(diào)整Side刻蝕量 50 以下，選擇復(fù)層構(gòu)造3. 需求障壁外形及均一度的控制 復(fù)層構(gòu)造及工藝條件優(yōu)化.42 WXGA 單層障壁構(gòu)造得不到所希望的障壁外形。50 FHD隨著Pitch的減小外形控制更加困難。雙層構(gòu)造&資料設(shè)計(jì)變卦使上層和下

29、層的刻蝕速率不同：上層 : 刻蝕率down下層 : 刻蝕率 Up上層刻蝕速率 下層刻蝕速率單層構(gòu)造和雙層構(gòu)造的外形比較(42 WXGA).上下層高度比為1:2時(shí)，得不到希望的障壁外形變卦高度比上下層高度比為 2:1時(shí)雙層構(gòu)造的上下層高度比(50FHD).障壁檢查及修復(fù).1.障壁圖形檢查工藝及設(shè)備在PDP障壁的制造過(guò)程中，由于各種緣由，往往會(huì)產(chǎn)生制造缺陷，而絕大部分缺陷是可以進(jìn)展修復(fù)的。缺陷檢查是進(jìn)展缺陷修復(fù)的根本前提，準(zhǔn)確、無(wú)脫漏的檢出缺陷，為后期修復(fù)提供完備的檢查數(shù)據(jù)，是對(duì)缺陷檢查工序的根本要求。自動(dòng)光學(xué)檢查AOI是缺陷檢查的一種方式。這種檢查方式具有結(jié)果直觀、靈敏度高、檢查速度快、可以提供

30、完備的缺陷情報(bào)等優(yōu)點(diǎn)，是FPD制造領(lǐng)域廣為采用的一種根本缺陷檢查方法。.1檢查原理周期性灰度值比對(duì)方法：在一定的光照條件下，用CCD獲取基板外表障壁圖形，選定一定的周期，比較各個(gè)周期內(nèi)圖像的灰度平均值。經(jīng)過(guò)分析這些灰度值的差別，來(lái)判別缺陷的存在與否。. 從灰度的變化曲線如以下圖中我們可以看到，總體上講，灰度是呈周期性分布的，但是有些部分灰度值有異常，這些部分需求后期運(yùn)算排查。 首先采用閾值排查，即灰度差別超越某一閾值才斷定為缺陷，否那么忽略。按照以下圖可知，中間兩個(gè)異常點(diǎn)在此步驟中被排除。. 閾值排查后需求進(jìn)展缺陷大小排查。對(duì)于檢測(cè)到并經(jīng)過(guò)閾值排查后的異常點(diǎn)，采用缺陷大小排查的方法，根據(jù)缺陷的

31、面積大小對(duì)缺陷分類。對(duì)于缺陷小于缺陷設(shè)定值的異常點(diǎn)，排查時(shí)將其斷定為正常點(diǎn)。經(jīng)過(guò)缺陷大小排查后，缺陷最終即可確定下來(lái)。 最后需將缺陷的坐標(biāo)及分類數(shù)據(jù)顯示并傳輸給缺陷REVIEW工序。.2主要工藝參數(shù)掃描速度 提高CCD的掃描速度可以降低消費(fèi)節(jié)拍。但掃描速度設(shè)定過(guò)快會(huì)呵斥檢測(cè)過(guò)程的不穩(wěn)定，使檢測(cè)結(jié)果不準(zhǔn)確。量產(chǎn)時(shí)應(yīng)根據(jù)實(shí)踐情況選定適宜的掃描速度，使得在穩(wěn)定的情況下還能滿足消費(fèi)線的節(jié)拍。思索到rib檢測(cè)的復(fù)雜多變性，量產(chǎn)時(shí)有能夠采取多CCD多角度照射的方式。檢查周期 比對(duì)可以在程度方向上進(jìn)展，也可以在垂直方向上進(jìn)展。垂直取樣和程度取樣都是確定檢查周期的方法。垂直取樣獲得的周期是進(jìn)展垂直方向比對(duì)所應(yīng)設(shè)置的周期，程度取樣同理。缺陷數(shù)量 缺陷數(shù)量的意義是指在檢查過(guò)程中一張屏上允許出現(xiàn)的最大缺陷數(shù)。假設(shè)超