2022更新電大【光伏技術(shù)與應(yīng)用概論】形考作業(yè)任務(wù)01-04網(wǎng)考試題及答案

1、最新電大光伏技術(shù)與應(yīng)用概論形考作業(yè)任務(wù)01-04網(wǎng)考試題及答案100%通過考試說明：光伏技術(shù)與應(yīng)用概論形考共有4個任務(wù)。任務(wù)1至任務(wù)4是客觀題，任務(wù)1至任務(wù)4需在考試中多次 抽取試卷，直到出現(xiàn)01任務(wù)_0001、02任務(wù)_0001、03任務(wù)_0001、04任務(wù)_0001試卷，就可以按照該套試卷答案答題。 做考題時，利用本文檔中的查找工具，把考題中的關(guān)鍵字輸?shù)讲檎夜ぞ叩牟檎覂?nèi)容框內(nèi)，就可迅速查找到該題答案。 本文庫還有其他教學(xué)考一體化答案，敬請查看。01任務(wù)01 任務(wù) _0001一、單項選擇題（共10道試題，共20分。）常用于太陽電池和組件效率測試時的標(biāo)準(zhǔn)為（）。 TOC o 1-5 h z A

2、M0AM1AM1. 5AM2總輻射計探測到的是太陽的（）。直射太陽輻射反射的太陽輻射太陽的總輻射量折射太陽輻射太陽發(fā)射的電磁輻射在大氣頂上隨（）的分布叫太陽光 譜。時間空間距離波長我國太陽能分布最豐富的是（）地區(qū)。青藏高原內(nèi)蒙古寧夏陜西太陽常數(shù)的參考值為Isc二（）7W/m2o TOC o 1-5 h z 1357136713771387下列哪項不屬于太陽能開發(fā)利用的特點（）。數(shù)量巨大安全分散性效率高原則上，太陽能可以直接或間接轉(zhuǎn)換成任何形式的能 量，但轉(zhuǎn)換次數(shù)越多，最終太陽能轉(zhuǎn)換的效率便越（）o司低不變未知太陽大氣的最外層稱為（）。光球色球日冕針狀體太陽常數(shù)的常用單位是（）。w/m2KW/m

3、2w/mKW/m太陽常數(shù)Isc的定義為：在平均日地距離時，地球大 氣層上界（）于太陽光線表而的單位而積上單位時間內(nèi)所 接收到的太陽輻射能。平行垂直傾斜30傾斜60二、多項選擇題（共10道試題，共30分。）總輻射計探測到的是太陽的（）。直接太陽輻射漫射太陽輻射反射太陽輻射折射太陽輻射我國（）等西部地區(qū)光照資源尤為豐富。青藏高原內(nèi)蒙古寧夏陜西以下（）地區(qū)屬于我國太陽能熱能資源分布五類地區(qū)。湖南四川廣西貴州地球太陽能資源豐富程度中高地區(qū)有（）。中東美國中非中國以下（）地區(qū)屬于我國太陽能熱能資源分布二類地區(qū)。河北西北部新疆北部寧夏南部西藏東南部以下（）地區(qū)屬于我國太陽能熱能資源分布四類地區(qū)。江西遼寧浙

4、江云南以下（）地區(qū)屬于我國太陽能熱能資源分布一類地區(qū)。甘肅北部新疆南部寧夏北部陜西北部太陽能開發(fā)利用的主要步驟有（）。太陽能采集太陽能轉(zhuǎn)換太陽能貯存太陽能輸送地球太陽能資源豐富程度中低地區(qū)有（）。東歐新西蘭朝鮮日本太陽大氣大概可以分為（）等層次。光球色球日冕針狀體三、判斷題（共10道試題，共20分。）除了原子能、地?zé)岷突鹕奖l(fā)的能量外，地面上大部分 能源均直接或間接同太陽有關(guān)。錯誤正確地而太陽輻射包括直接輻射和折射輻射。錯誤正確輻照度計用來測定太陽的總輻射量。錯誤正確太陽常數(shù)的常用單位為W/m2。錯誤正確根據(jù)各地接受太陽總輻射量的多少，可將我國劃分為五 類地區(qū)。錯誤正確直接接收到的、不改變方向

5、的太陽輻射稱為直接太陽輻 射。錯誤正確原則上，太陽能可以直接或間接轉(zhuǎn)換成任何形式的能 量，但轉(zhuǎn)換次數(shù)越多，最終太陽能轉(zhuǎn)換的效率便越低。錯誤正確太陽輻射的能流密度高。錯誤正確大氣層的影響不僅與太陽光的入射方向有關(guān)，而且還與 大氣中吸收、散射、反射太陽輻射的物質(zhì)有關(guān)。錯誤正確AM0是太陽光在大氣層外時的情況。錯誤正確四、閱讀理解(共10道試題，共30分。)將下列世界氣候帶一一對應(yīng)。.赤道帶緯度10回歸線(23. 5)回歸線至極圈(23. 5-66. 5)南北緯10以內(nèi).熱帶緯度10回歸線(23.5)回歸線至極圈(23. 566. 5)南北緯10。以內(nèi).溫帶緯度10回歸線(23. 5)回歸線至極圈(

6、23. 5-66. 5)南北緯10以內(nèi)將下列省份地區(qū)與太陽能資源分布情況一一對應(yīng)。.山東二類三類四類.江西二類三類四類.寧夏南部二類三類四類將下列概念與意義一一對應(yīng)。.太陽常數(shù)描述大氣層上的太陽輻射強度太陽發(fā)射的電磁輻射在大氣頂上隨波長的分布太陽光線穿過地球大氣的路徑與太陽光線在天頂角方 向時.太陽光譜描述大氣層上的太陽輻射強度太陽發(fā)射的電磁輻射在大氣頂上隨波長的分布太陽光線穿過地球大氣的路徑與太陽光線在天頂角方 向時.大氣光學(xué)質(zhì)量描述大氣層上的太陽輻射強度太陽發(fā)射的電磁輻射在大氣頂上隨波長的分布太陽光線穿過地球大氣的路徑與太陽光線在天頂角方 向時將下列地球太陽能資源分布情況與地區(qū)一一對應(yīng)。.

7、豐富程度最高地區(qū)中國印度日本.豐富程度中高地區(qū)中國印度日本.豐富程度中低地區(qū)中國印度日本將下列太陽結(jié)構(gòu)與能量傳播方式一一對應(yīng)。.核反應(yīng)區(qū)輻射對流對流和輻射.輻射區(qū)輻射對流對流和輻射.對流區(qū)輻射對流對流和輻射將下列太陽能轉(zhuǎn)換成不同形式的能量需要的不同能量轉(zhuǎn)換器一一對應(yīng)。.光合作用太陽能轉(zhuǎn)換成熱能太陽能轉(zhuǎn)換成電能太陽能轉(zhuǎn)換成生物質(zhì).集熱器太陽能轉(zhuǎn)換成熱能太陽能轉(zhuǎn)換成電能太陽能轉(zhuǎn)換成生物質(zhì).太陽電池太陽能轉(zhuǎn)換成熱能太陽能轉(zhuǎn)換成電能太陽能轉(zhuǎn)換成生物質(zhì)將下列大氣層的影響情況一一對應(yīng)。.大氣的吸收作用各種氣體分子、水分子(云霧)、塵埃等氧(02)、臭氧(03)和水氣(H20)云層反射.大氣的散射作用各種氣

8、體分子、水分子(云霧)、塵埃等氧(02)、臭氧(03)和水氣(H20)云層反射.大氣的反射作用各種氣體分子、水分子(云霧)、塵埃等氧(02)、臭氧(03)和水氣(H20)云層反射將下列太陽大氣結(jié)構(gòu)與名稱一一對應(yīng)。.光球最外層中層最底層.色球最外層中層最底層.日冕最外層中層最底層將下列大氣光學(xué)質(zhì)量數(shù)值與實際情況一一對應(yīng)。AMO太陽光直接垂直照射到地球表面的情況太陽光照射到一般地面的情況太陽光在大氣層外2）.AM1太陽光直接垂直照射到地球表面的情況太陽光照射到一般地而的情況太陽光在大氣層外3）.AM1. 5太陽光直接垂直照射到地球表而的情況太陽光照射到一般地面的情況太陽光在大氣層外將下列大氣光學(xué)質(zhì)

9、量數(shù)值與情況一一對應(yīng)。AM1A.B.C.2）.AM1.5A.B.C.3）. AM2A.B.C.02任務(wù)02 任務(wù)_0001一、單項選擇題（共10道試題，共20分。）（）,硅太陽電池開始在地而應(yīng)用。1958 年20世紀70年代初20世紀70年代末20世紀80年代初用（）制造的半導(dǎo)體器件，耐高溫和抗輻射性能較好， 特別適宜制作光伏器件和大功率器件。 TOC o 1-5 h z 錯硅硒硼導(dǎo)電類型是（）所專有的一個概念。導(dǎo)體半導(dǎo)體金屬材料絕緣體光伏產(chǎn)業(yè)鏈的中游環(huán)節(jié)包括（）。硅料，硅片電池片，電池組件應(yīng)用系統(tǒng)硅片，電池片，電池組件當(dāng)硅中摻入III族元素時，如（）等，就會形成P型材 料。 TOC o 1-

10、5 h z 磷鑰碑硼1954年，第一塊實用的單晶硅光電池效率為（）。5%6%7%8%用于地而已批量生產(chǎn)的太陽電池材料主要有單晶硅、多晶硅與（）。非晶硅薄膜GaAsInPCdTe薄膜薄膜電池材料目前不包括（）。非晶硅薄膜多晶硅（微晶硅）薄膜單晶硅薄膜CuInSe2（CuInS2）薄膜光伏效應(yīng)的英文簡稱是（）oPCPTPEPV光電轉(zhuǎn)換實現(xiàn)的基本裝置是（）。硅料硅片太陽電池太陽電池方陣二、多項選擇題（共10道試題，共30分。）20世紀70年代初，（）開始引人到電池的制造工藝中, 太陽電池轉(zhuǎn)換效率有了較大提高。背表而場細柵金屬化淺結(jié)表而擴散表面織構(gòu)化近年來針對單晶硅太陽電池轉(zhuǎn)換效率開發(fā)了許多新技 術(shù)，

11、主要有（）o單雙層減反射膜激光刻槽埋藏柵線技術(shù)絨而技術(shù)背點接觸電極克服表而柵線遮光問題高效背反射器技術(shù)光吸收技術(shù)常用的半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有（）。禁帶寬度電阻率載流子遷移率非平衡載流子壽命位錯密度常用的半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有（）。禁帶寬度電阻率載流子遷移率非平衡載流子壽命位錯密度高純多晶硅是（）的主要原料。帶狀多晶硅鑄造多晶硅區(qū)熔單晶硅直拉單晶硅鑄造多晶硅在（）方面不如單晶硅。力學(xué)性質(zhì)光學(xué)性質(zhì)熱學(xué)性質(zhì)電學(xué)性能薄膜電池材料包括（）。非晶硅薄膜多晶硅（微晶硅）薄膜CdTeCdS薄膜CuInSe2（CuInS2）薄膜半導(dǎo)體材料的電阻率介于（）和（）之間非絕緣體絕緣體金屬非金屬光伏產(chǎn)業(yè)鏈包括（）環(huán)節(jié)。

12、硅料硅片電池片電池組件應(yīng)用系統(tǒng)10 .半導(dǎo)體材料按化學(xué)成分和內(nèi)部結(jié)構(gòu)，大致可分為（）O元素半導(dǎo)體化合物半導(dǎo)體無定形半導(dǎo)體材料有機增導(dǎo)體材料三、判斷題（共10道試題，共20分。）硅太陽電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用。錯誤正確由于生產(chǎn)規(guī)模的擴大，生產(chǎn)工藝的改進，晶體硅太陽電 池組件的制造成本2010年有望降至1美元/Wp。錯誤正確光伏材料又稱太陽電池材料，只有半導(dǎo)體材料具有這種 功能。錯誤正確位錯是晶體中最常見的一類晶體缺陷。錯誤正確20世紀70年代末硅太陽電池開始在地而應(yīng)用。錯誤正確太陽能發(fā)電是一種新興的可再生能源利用方式。錯誤正確禁帶寬度越大，晶體管正常工作的高溫限也越高。錯誤正確對于

13、非晶態(tài)半導(dǎo)體，位錯也是反映其晶格完整性的特性 參數(shù)。錯誤正確金屬的電阻率很高，絕緣體的電阻率非常小，半導(dǎo)體材料的電阻率介于兩者之間。錯誤正確載流子即半導(dǎo)體中參加導(dǎo)電的電子和空穴。錯誤正確四、閱讀理解（共10道試題，共30分。）將下列太陽電池種類與電池組件光電轉(zhuǎn)換效率一一對 應(yīng)。1）.單晶硅6%8%14% 16%15% 17%2）.多晶硅6%8%14% 16%15% 17%3）.非晶硅6%8%14% 16%15% 17%將下列半導(dǎo)體材料種類與代表材料一一對應(yīng)。.元素半導(dǎo)體神化鐐氧化物玻璃 TOC o 1-5 h z 硅.化合物半導(dǎo)體神化鐐氧化物玻璃硅.無定形半導(dǎo)體材料碑化鉉氧化物玻痛硅將下列半導(dǎo)

14、體材料的特性參數(shù)與其性質(zhì)一一對應(yīng)。.禁帶寬度反映材料的導(dǎo)電能力反映半導(dǎo)體材料在外界作用(如光或電場)下內(nèi)部的載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到 自由狀態(tài)所需的能量.電阻率、載流子遷移率反映材料的導(dǎo)電能力反映半導(dǎo)體材料在外界作用(如光或電場)下內(nèi)部的載 流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到 自由狀態(tài)所需的能量.非平衡載流子壽命反映材料的導(dǎo)電能力反映半導(dǎo)體材料在外界作用(如光或電場)下內(nèi)部的載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到 自由狀態(tài)所需的能

15、量將下列切割方式與特點一一對應(yīng)。.外圓切割刀片薄，晶體損失少，不受硅棒直徑限制刀片薄，晶體損失最少刀片厚，晶體損失多.內(nèi)圓切割刀片薄，晶體損失少，不受硅棒直徑限制刀片薄，晶體損失最少刀片厚，晶體損失多.帶鋸切割刀片薄，晶體損失少，不受硅棒直徑限制刀片薄，晶體損失最少刀片厚，晶體損失多將下列太陽電池種類與實驗室最大效率一一對應(yīng)。.單晶硅太陽電池12%20. 4%25%.多晶硅太陽電池12%20. 4%25%.非晶硅單結(jié)太陽電池12%20. 4%25%將下列硅片幾何尺寸參數(shù)一一對應(yīng)。THK厚度總厚度偏差翹曲度2) .TTV厚度總厚度偏差翹曲度3). Warp厚度總厚度偏差翹曲度將下列硅太陽電池發(fā)展

16、歷程一一對應(yīng)。.1958 年硅太陽電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用把表而鈍化技術(shù)、降低接觸復(fù)合效應(yīng)、后處理提高載流子壽命、改進陷光效應(yīng)引入到電池的制造工藝中把背表而場、細柵金屬化、淺結(jié)表而擴散和表面織構(gòu)化 開始引人到電池的制造工藝中.20世紀70年代初硅太陽電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用把表而鈍化技術(shù)、降低接觸復(fù)合效應(yīng)、后處理提高載流 子壽命、改進陷光效應(yīng)引入到電池的制造工藝中把背表面場、細柵金屬化、淺結(jié)表而擴散和表面織構(gòu)化 開始引人到電池的制造工藝中.20世紀80年代初硅太陽電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用把表而鈍化技術(shù)、降低接觸復(fù)合效應(yīng)、后處理提高載流子壽命、改進陷光效

17、應(yīng)引入到電池的制造工藝中把背表而場、細柵金屬化、淺結(jié)表而擴散和表而織構(gòu)化 開始引人到電池的制造工藝中將下列事件與時間關(guān)系等一一對應(yīng)。.1839 年法國物理學(xué)家A. E. Becqueral第一次在實驗室中發(fā)現(xiàn)液體的光生伏特效應(yīng)在固態(tài)硒(Se)的系統(tǒng)中也觀察到了光伏效應(yīng)貝爾實驗室Chapin等人開發(fā)出第一塊實用的效率為6%的單晶硅光電池.1876 年法國物理學(xué)家A. E. Becqueral第一次在實驗室中發(fā)現(xiàn)液體的光生伏特效應(yīng)在固態(tài)硒(Se)的系統(tǒng)中也觀察到了光伏效應(yīng)貝爾實驗室Chapin等人開發(fā)出第一塊實用的效率為6%的單晶硅光電池.1954 年法國物理學(xué)家A. E. Becqueral第一

18、次在實驗室中發(fā)現(xiàn)液體的光生伏特效應(yīng)在固態(tài)硒(Se)的系統(tǒng)中也觀察到了光伏效應(yīng)貝爾實驗室Chapin等人開發(fā)出第一塊實用的效率為6%的單晶硅光電池將下列影響光電轉(zhuǎn)換效率的主要因素與產(chǎn)生的可能原 因一一對應(yīng)。.反射遮蔭等光學(xué)損失P/N結(jié)區(qū)復(fù)合封裝材料透光率逆變器等電器損耗.載流子復(fù)合損失P/N結(jié)區(qū)復(fù)合封裝材料透光率逆變器等電器損耗.連接轉(zhuǎn)換等電學(xué)損失P/N結(jié)區(qū)復(fù)合封裝材料透光率逆變器等電器損耗將下列線切割經(jīng)常出現(xiàn)的問題與可能的原因一一對 應(yīng)。.斷線切割工藝出現(xiàn)異常硅棒對接位置不好加工好的硅片在空氣中停留時間過長.跳線切割工藝出現(xiàn)異常硅棒對接位置不好加工好的硅片在空氣中停留時間過長3）.花片切割工藝

19、出現(xiàn)異常硅棒對接位置不好加工好的硅片在空氣中停留時間過長03任務(wù)03 任務(wù)_0001一、單項選擇題（共10道試題，共20分。）太陽電池組件通常是由多個電池（）而成。串聯(lián)并聯(lián)串聯(lián)或并聯(lián)串疊硅晶體中任一原子最多形成（）個共價鍵。 TOC o 1-5 h z 1234太陽電池串疊時，能夠吸收較高能量光譜的電池放在（）O上層下層中間任意鑄造多晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率要比直接單晶硅 低（）。1% 2%2%3%3%4%4%5%單晶硅電池的顏色多為（）。白色金色綠色深藍薄膜電池迅速發(fā)展的最大優(yōu)勢是（）。成本優(yōu)勢轉(zhuǎn)換效率提高空間大利用范圍更加廣泛對環(huán)境危害?。ǎ┦侵圃旃夥骷臀⒉ㄆ骷凹呻娐返闹匾牧稀?/p>

20、碑化鐐磷化錮鐐化錮碳化硅單結(jié)GaAs太陽電池的轉(zhuǎn)換效率已達（）。24%25%26%27%有“第三代太陽電池”之稱的是（）太陽電池。非晶硅a-Si薄膜碇化鎘CdTe薄膜銅錮硒化物（CIS/CIGS）薄膜染料敏化納米晶（DSSC）太陽電池材料缺陷屬于下列（）影響太陽電池轉(zhuǎn)換效 率的主要因素。反射及遮蔽等光學(xué)性能損失載流子遷移復(fù)合損失連接轉(zhuǎn)換等電學(xué)損失其它損失二、多項選擇題（共10道試題，共30分。）薄膜太陽電池得到迅速發(fā)展的原因主要有（）。成本優(yōu)勢轉(zhuǎn)換效率提高空間大利用范圍更加廣泛對環(huán)境危害小20世紀70年代初，（）開始引人到電池的制造工藝中, 太陽電池轉(zhuǎn)換效率有了較大提高。背表而場細柵金屬化淺結(jié)

21、表而擴散表面織構(gòu)化硅晶太陽電池存在著固有弱點主要有（）。光電轉(zhuǎn)換理論效率相對較低光吸收系數(shù)遠遠低于其他太陽光電材料相對成本較高尺寸相對較小太陽電池組件具有的主要特點有（）。滿足不同電壓輸出要求有足夠的機械強度有明顯的電性能增益提高利用效率多晶硅結(jié)構(gòu)在陽光下可通過控制氮化硅減反射膜的厚 度，呈現(xiàn)（）等不同的顏色。黑色金色綠色深藍對于太陽電池來說，為了得到高的轉(zhuǎn)換效率，要求材料 有大的（）和適中的（）。禁帶寬度電阻率載流子遷移率非平衡載流子壽命位錯密度可做太陽電池材料的材料有（）o硅晶材料薄膜電池材料GaAs半導(dǎo)體材料其他類型太陽電池材料與其他太陽電池相比，制造單晶硅太陽電池（）。所用硅材料比較豐

22、富制造技術(shù)比較成熟轉(zhuǎn)換效率較高結(jié)晶中缺陷較小常用的半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有（）。禁帶寬度電阻率載流子遷移率非平衡載流子壽命位錯密度近年來針對單晶硅太陽電池轉(zhuǎn)換效率開發(fā)了許多新技 術(shù)，主要有（）o單雙層減反射膜激光刻槽埋藏柵線技術(shù)絨而技術(shù)背點接觸電極克服表而柵線遮光問題高效背反射器技術(shù)光吸收技術(shù)三、判斷題（共10道試題，共20分。）太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率指的是照射到太陽電池表面上 的陽光被轉(zhuǎn)換成可用電流的光子數(shù)與入射光子總量的比 例。錯誤正確硅晶體的半導(dǎo)體性源于共價鍵。錯誤正確光電器件對半導(dǎo)體材料特性的要求中，高的靈敏度和短 的弛豫時間二者難于兼顧。錯誤正確直拉(CZ)硅單晶主要用來制作大功率整流元

23、件和閘流 管等電力電子器件。錯誤正確共價鍵的飽和性是指一個電子和另外一個電子配對以 后，就不能再和第三個電子配對。錯誤正確當(dāng)P型半導(dǎo)體材料和N型半導(dǎo)體材料相連接，將在晶體 中P型和N型材料之間形成界而，即PF結(jié)。錯誤正確染料敏化納米晶太陽電池的制造成本高于傳統(tǒng)的硅晶 太陽電池。錯誤正確共價鍵的方向性是指原子只能在特定的方向上形成共 價鍵。錯誤正確非晶硅太陽電池的結(jié)構(gòu)最常采用的是P-N結(jié)構(gòu)。錯誤正確傳統(tǒng)硅晶太陽電池的性能隨溫度升高而下降。錯誤正確四、閱讀理解(共10道試題，共30分。)將下列半導(dǎo)體材料種類與代表材料一一對應(yīng)。.元素半導(dǎo)體碑化保氧化物玻璃 TOC o 1-5 h z 硅.化合物半導(dǎo)

24、體碑化保氧化物玻璃硅.無定形半導(dǎo)體材料碑化保氧化物玻璃硅將下列硅太陽電池種類與工業(yè)化生產(chǎn)光電轉(zhuǎn)換效率一 一對應(yīng)。.單晶硅7 9%15 17%16 18%.多晶硅7 9%15 17%16 18%.非晶硅7 9%15 17%16 18%將下列影響太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率的主要因素一一對 應(yīng)。.反射遮蔭等光學(xué)損失溫度及衰減損失逆變器等電器損耗封裝材料透光率.載流子復(fù)合損失溫度及衰減損失逆變器等電器損耗封裝材料透光率.連接轉(zhuǎn)換等電學(xué)損失溫度及衰減損失逆變器等電器損耗封裝材料透光率將下列太陽電池種類一一對應(yīng)。.化合物晶體碑化鐐?cè)玖厦艋~錮保硒.化合物薄膜碑化鉉染料敏化銅錮保硒.有機染料碑化鉉染料敏化銅錮鐐硒

25、將下列太陽電池種類與實驗室最大效率一一對應(yīng)。.單晶硅太陽電池12%20. 4%25%多晶硅太陽電池12%20. 4%25%.非晶硅單結(jié)太陽電池12%20. 4%25%將下列半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)與其性質(zhì)一一對應(yīng)。.禁帶寬度反映材料的導(dǎo)電能力反映半導(dǎo)體材料在外界作用(如光或電場)下內(nèi)部的載 流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到 自由狀態(tài)所需的能量.電阻率、載流子遷移率反映材料的導(dǎo)電能力反映半導(dǎo)體材料在外界作用(如光或電場)下內(nèi)部的載 流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到 自由狀態(tài)所需的能量.非平衡載

26、流子壽命反映材料的導(dǎo)電能力反映半導(dǎo)體材料在外界作用(如光或電場)下內(nèi)部的載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到 自由狀態(tài)所需的能量將下列硅太陽電池發(fā)展歷程一一對應(yīng)。.1958 年硅太陽電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用把表而鈍化技術(shù)、降低接觸復(fù)合效應(yīng)、后處理提高載流 子壽命、改進陷光效應(yīng)引入到電池的制造工藝中把背表而場、細柵金屬化、淺結(jié)表而擴散和表面織構(gòu)化 開始引人到電池的制造工藝中. 20世紀70年代初硅太陽電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用把表而鈍化技術(shù)、降低接觸復(fù)合效應(yīng)、后處理提高載流 子壽命、改進陷光效應(yīng)引入到電池的制造工藝中把

27、背表而場、細柵金屬化、淺結(jié)表而擴散和表而織構(gòu)化 開始引人到電池的制造工藝中. 20世紀80年代初硅太陽電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用把表而鈍化技術(shù)、降低接觸復(fù)合效應(yīng)、后處理提高載流子壽命、改進陷光效應(yīng)引入到電池的制造工藝中把背表而場、細柵金屬化、淺結(jié)表而擴散和表面織構(gòu)化開始引人到電池的制造工藝中將下列太陽電池種類與實驗室最大效率一一對應(yīng)。多晶硅11.83%12%20. 4%.非晶硅單結(jié)11.83%12%20. 4%.非晶硅多結(jié)11.83%12%20. 4%將下列線切割經(jīng)常出現(xiàn)的問題與可能的原因一一對應(yīng)。.斷線切割工藝出現(xiàn)異常硅棒對接位置不好加工好的硅片在空氣中停留時間過長.跳線切割工藝

28、出現(xiàn)異常硅棒對接位置不好加工好的硅片在空氣中停留時間過長.花片切割工藝出現(xiàn)異常硅棒對接位置不好加工好的硅片在空氣中停留時間過長將下列新型太陽電池的名稱及其主要特性描述一一對 應(yīng)。PREL埋柵高效背表而反射器發(fā)射極鈍化及背面局部擴散. BCSC埋柵高效背表而反射器發(fā)射極鈍化及背面局部擴散. BSR埋柵高效背表而反射器發(fā)射極鈍化及背而局部擴散04任務(wù)04 任務(wù)_0001一、單項選擇題(共10道試題，共20分。)用戶太陽能電源是指()安裝的太陽能電源。獨立并網(wǎng)混合以上皆不是太陽能光伏水泵系統(tǒng)中不具備的元件是()。太陽電池方陣控制器電動機蓄電池半透明幕墻多采用()電池。單晶硅多晶硅非晶硅薄膜其他目前光

29、伏發(fā)電成本高于常規(guī)能源發(fā)電()o1-2 倍 TOC o 1-5 h z 2-3 倍3-4 倍3-5 倍孤島效應(yīng)是（）的特有現(xiàn)象。獨立光伏發(fā)電系統(tǒng)并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)混合光伏發(fā)電系統(tǒng)以上皆不是目前光伏組件材料壽命最長約（）多年。 TOC o 1-5 h z 10203040下列具體應(yīng)用實例不屬于有蓄電池直流系統(tǒng)的是（）o草坪燈高速公路監(jiān)控直流光伏水泵移動通訊基站目前國內(nèi)外普遍采用的并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)是（）o有逆流型并網(wǎng)系統(tǒng)無逆流型并網(wǎng)系統(tǒng)切換型并網(wǎng)系統(tǒng)直、交型并網(wǎng)系統(tǒng)光伏發(fā)電與其它常規(guī)能源發(fā)電相比，發(fā)電成本（）。偏高偏低一致無法測算太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中一般可選用性能較好的（）逆 變器。正弦波余弦波正切

30、波余切波二、多項選擇題（共10道試題，共30分。）獨立光伏發(fā)電系統(tǒng)的特點主要有（）。建設(shè)成本一般較高維護成本也較高需儲能元件與公用電網(wǎng)相連下列具體應(yīng)用實例屬于有蓄電池直流系統(tǒng)的（）o手電手機充電器路燈殺蟲燈光伏建筑一體化的優(yōu)點主要有（）。節(jié)地節(jié)能節(jié)材減少環(huán)境污染光伏方陣與建筑的集成主要分為（）方式。屋頂光伏電站墻而光伏電站光電幕墻光電采光頂光電遮陽板太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中對逆變器提出的要求主要有（）。能輸出電壓穩(wěn)定的交流電輸出交流電的頻率穩(wěn)定具有一定的過載能力逆變效率要高獨立光伏發(fā)電系統(tǒng)對鉛酸蓄電池提出的要求主要有（）。自放電率低使用壽命相對較長深放電能力強充電效率高能在艱苦環(huán)境下工作獨立光伏發(fā)

31、電系統(tǒng)的構(gòu)成部件主要有（）。太陽電池方陣控制器蓄電池組逆變器光伏采光頂?shù)囊笾饕校ǎ０踩癸L(fēng)性防水防雷采光半透明幕墻的特點有（）。透光率高價格低生產(chǎn)方便光能利用率較低光伏方陣與建筑的結(jié)合主要分為（）方式。屋頂光伏電站墻面光伏電站光電幕墻光電采光頂光電遮陽板三、判斷題（共10道試題，共20分。）高速公路監(jiān)控屬于有蓄電池的直流系統(tǒng)。錯誤正確充放電開關(guān)只能是繼電器。錯誤正確太陽電池在陽光照射下產(chǎn)生的是直流電源。錯誤正確“孤島效應(yīng)”是并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)的特有現(xiàn)象。錯誤正確單體太陽電池是組成太陽電池組件的最小單元，其面積 大小不同，其功率也不相同。錯誤正確將直流電轉(zhuǎn)變成交流電的變流裝置稱為整流裝置錯誤

32、正確光伏建筑一體化屬于并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)。錯誤正確充放電開關(guān)實際上是一個廣義上的開關(guān)元件，它可以是 一個繼電器、三極管等元件，也可以是MOS管、晶閘管或 是機械等類型的元件。錯誤正確并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)是現(xiàn)在和將來太陽能光伏發(fā)電的主 流。錯誤正確“孤島效應(yīng)”是獨立光伏發(fā)電系統(tǒng)的特有現(xiàn)象。錯誤正確四、閱讀理解（共10道試題，共30分。）將獨立光伏發(fā)電系統(tǒng)構(gòu)件與功能一一對應(yīng)。1）.電纜電能儲存裝置電氣連接控制充放電.充放電控制器電能儲存裝置電氣連接控制充放電.儲能元件電能儲存裝置電氣連接控制充放電將下列光伏建筑一體化(BIPV)的主要形式與典型應(yīng)用 實例一一對應(yīng)。.光伏屋頂或墻體系統(tǒng)德國寶馬世界屋面北京南站太陽能屋頂我國奧林匹克國家體育館.光伏采光頂系統(tǒng)德國寶馬世界屋面北京南站太陽能屋頂我國奧林匹克國家體育館.光伏幕墻系統(tǒng)德國寶馬世界屋而北京南站太陽能屋頂我國奧林匹克國家體育館將下列并網(wǎng)太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)與特點一一對應(yīng)。.有逆流型