萬用表的使用的注意事項資料

1、Good is good, but better carries it.精益求精，善益求善。萬用表的使用的注意事項-萬用表的使用的注意事項萬用表的使用的注意事項（1）在使用萬用表之前，應先進行“機械調(diào)零”，即在沒有被測電量時，使萬用表指針指在零電壓或零電流的位置上。（2）在使用萬用表過程中，不能用手去接觸表筆的金屬部分，這樣一方面可以保證測量的準確，另一方面也可以保證人身安全。（3）在測量某一電量時，不能在測量的同時換檔，尤其是在測量高電壓或大電流時，更應注意。否則，會使萬用表毀壞。如需換擋，應先斷開表筆，換擋后再去測量。（4）萬用表在使用時，必須水平放置，以免造成誤差。同時，還要注意到避免外

2、界磁場對萬用表的影響。（5）萬用表使用完畢，應將轉(zhuǎn)換開關(guān)置于交流電壓的最大擋。如果長期不使用，還應將萬用表內(nèi)部的電池取出來，以免電池腐蝕表內(nèi)其它器件。歐姆擋的使用一、選擇合適的倍率。在歐姆表測量電阻時，應選適當?shù)谋堵?，使指針指示在中值附近。最好不使用刻度左邊三分之一的部分，這部分刻度密集很差。二、使用前要調(diào)零。三、不能帶電測量。四、被測電阻不能有并聯(lián)支路。五、測量晶體管、電解電容等有極性元件的等效電阻時，必須注意兩支筆的極性。六、用萬用表不同倍率的歐姆擋測量非線性元件的等效電阻時，測出電阻值是不相同的。這是由于各擋位的中值電阻和滿度電流各不相同所造成的，機械表中，一般倍率越小，測出的阻值越小。

3、萬用表測直流時一、進行機械調(diào)零。二、選擇合適的量程檔位。三、使用萬用表電流擋測量電流時，應將萬用表串聯(lián)在被子測電路中，因為只有串連接才能使流過電流表的電流與被測支路電流相同。測量時，應斷開被測支路，將萬用表紅、黑表筆串接在被斷開的兩點之間。特別應注意電流表不能并聯(lián)接在被子測電路中，這樣做是很危險的，極易使萬表燒毀。四、注意被測電量極性。五、正確使用刻度和讀數(shù)。六、當選取用直流電流的2.5A擋時，萬用表紅表筆應插在2.5A測量插孔內(nèi)，量程開關(guān)可以置于直流電流擋的任意量程上。七、如果被子測的直流電流大于2.5A，則可將2.5A擋擴展為5A擋。方法很簡單，使用者可以在“2.5A”插孔和黑表筆插孔之間

4、接入一支0.24歐姆的電阻，這樣該擋位就變成了5A電流擋了。接入的0.24A電阻應選取用2W以上的線繞電阻，如果功率太小會使之燒毀。目前的萬用表分為指針式和數(shù)字式，它們各有方便之處，很難說誰好誰壞，最好是能夠備有指針和數(shù)字式的各一個。業(yè)余電子制作有一個指針式的MF30型萬用表也就可以了，這可是一種經(jīng)典型號。還有元老級的MF500型萬用表，廉價的MF50萬用表，一般都可以在電訊商店買到。萬用表的三個基本功能是測量電阻、電壓、電流，所以老前輩們叫它三用表?，F(xiàn)在的萬用表添加了好多新功能，尤其是數(shù)字式萬用表，如測量電容值，三極管放大倍數(shù)，二極管壓降等，更有一種會說話的數(shù)字萬用表，能把測量結(jié)果用語言播報

5、出來。（其實不是很難，Bitbaby曾有一度很想用單片機和語音電路做一個：-）數(shù)字式萬用表也有許多經(jīng)典型號，如DT830C，DT830C，DT890D等，后面的后綴表示功能上的區(qū)別，其中DT830C已經(jīng)買到了三十多元一個，夠便宜的。Bitbaby在學校里裝過一個MF50的萬用表，電路原理并不復雜，只是那么多的元件沒有印刷板來固定，而是直接焊在接線板上，自己裝對初學者來說還是麻煩了點。萬用表最大的特點是有一個量程轉(zhuǎn)換開關(guān)，各中功能就是*這個開關(guān)來切換的?；旧?，用A-來表示測直流電流，一般毫安檔和安培檔各又分幾檔。V-表示測直流電壓，高級點的萬用表有毫伏檔，電壓檔也分幾檔。V是用來測交流電壓的。

6、A測交流電流。歐姆檔測電阻，對于指針式萬用表，每換一次電阻檔還要做一次調(diào)零。調(diào)零就是把萬用表的紅表筆和黑表筆搭在一起，然后轉(zhuǎn)動調(diào)零鈕，使指針指向零的位置。hFE是測量三極管的電流放大系數(shù)的，只要把三極管的三個管腳插入萬用表面板上對應的孔中，就能測出hFE值。注意PNP、NPN是不同的。以下以MF30型萬用表為例，說明萬用表的讀數(shù)。第一條刻度線是電阻值指示，最左端是無窮大，右端為零，當中刻度不均勻。電阻檔有R1、R10、R100、R1K、R10K各檔，分別說明刻度的指示再要乘上的倍數(shù)，才得到實際的電阻值（單位為歐姆）。例如用R100檔測一電阻，指針指示為“10”，那么它的電阻值為10100=10

7、00，即1K。第二條刻度線是500V檔和500mA檔共用，需要注意的是電壓檔、電流檔的指示原理不同于電阻檔，例如5V檔表示該檔只能測量5V以下的電壓，500mA檔只能測量500mA以下的電流，若是超過量程，就會損壞萬用表。注意事項：萬用表使用時應該水平著放。紅表筆插在+孔內(nèi)，黑表筆插入-孔內(nèi)。測試電流就用電流檔，而不能誤用電壓檔、電阻擋，其他同理，否則輕則燒萬用表內(nèi)的保險絲，重則損壞表頭。事先不知道量程，就選用最大量程嘗試著測量，然后斷開測量電路再換檔，切不可在線的情況下轉(zhuǎn)換量程。有表針迅速偏轉(zhuǎn)到底的情況，應該立即斷開電路，進行檢查。最后還有一個規(guī)矩，就是約定用完后的萬用表要把量程開關(guān)撥到交流

8、電壓最高檔，以防別人不慎測量220V市電電壓而損壞。記住這個老前輩們留下的優(yōu)良傳統(tǒng)呦！萬用表是用來測量交直流電壓、電阻、直流電流等的儀表。是電工和無線電制作的必備工具。初看起來萬用表很復雜，實際上它是由電流表(俗稱表頭)、刻度盤、量程選擇開關(guān)、表筆等組成，如圖1所示。使用時如果把量程選擇開關(guān)指向直流電流范圍時，電流表M并接一些分流電阻來實現(xiàn)擴大量程之目的(Rg為表頭電阻)，使它成為一個具有幾個大小不同量程的電流表。測量結(jié)果要看刻度盤上直流電流刻度來讀數(shù)。通?？潭缺P上第二行為電流刻度，如圖2所示。同樣，如果量程選擇開關(guān)指向直流電壓范圍時，表頭串接另外一些電阻(如R2、R3，用串聯(lián)電阻分壓的原理，

9、使它成為一個多程量的電壓表見圖3。讀數(shù)要看刻度盤上直流電壓刻度。大多數(shù)的萬用表電壓和電流合用一刻度。如果在測量直流電壓的電路中接入一個整流器，便可測交流電壓了。測電阻的原理與測直流電壓相仿，只是測試時還須加一組電池。選擇開關(guān)指向電阻范圍時，刻度盤上找第一行電阻專用刻度讀數(shù)即可。萬用表的型號很多，但其基本使用方法是相同的?，F(xiàn)以MF30型萬用表為例，介紹它的使用方法。使用前的準備第一，使用萬用表之前，必須熟悉量程選擇開關(guān)的作用。明確要測什么?怎樣去測?然后將量程選擇開關(guān)撥在需要測試檔的位置。切不可弄錯檔位。例如：測量電壓時誤將選擇開關(guān)撥在電流或電阻檔時，容易把表頭燒壞。第二，使用前觀察一下表針是否

10、指在零位。如果不指零位，可用螺絲刀調(diào)節(jié)表頭上機械調(diào)零螺絲，使表針回零(一般不必每次都調(diào))。紅表筆要插入正極插口，黑表筆要插入負極插口。電壓的測量將量程選擇開關(guān)的尖頭對準標有V的五檔范圍內(nèi)。若是測交流電壓則應指向V處。依此類推，如果要改測電阻，開關(guān)應指向檔范圍。測電流應指向mA或UA。例1為測干電池的電壓，見圖4。測量電壓時，要把電表表筆并接在被測電路上。根據(jù)被測電路的大約數(shù)值，選擇一個合適的量程位置。干電池每節(jié)最大值為15V，所以可放在5V量程檔。這時在面板上表針滿刻度讀數(shù)的500應作5來讀數(shù)。即縮小100倍。如果表針指在300刻度處，則讀為3V。注意量程開關(guān)尖頭所指數(shù)值即為表頭上表針滿刻度讀

11、數(shù)的對應值，讀表時只要據(jù)此折算，即可讀出實值。除了電阻檔外，量程開關(guān)所有檔均按此方法讀測量結(jié)果。在實際測量中，遇到不能確定被測電壓的大約數(shù)值時，可以把開關(guān)先撥到最大量程檔，再逐檔減小量程到合適的位置。測量直流電壓時應注意正、負極性，若表筆接反了，表針會反打。如果不知遭電路正負極性，可以把萬田表量程放在最大檔，在被測電路上很快試一下，看筆針怎么偏轉(zhuǎn)，就可以判斷出正、負極性，例2，測220V交流電。把量程開關(guān)撥到交流500V檔。這時滿刻度為500V，讀數(shù)按照刻度1:1來讀。將兩表筆插入供電插座內(nèi)，表針所指刻度處即為測得的電壓值。測量交流電壓時，表筆沒有正負之一、指針表和數(shù)字表的選用：1、指針表讀取

12、精度較差，但指針擺動的過程比較直觀，其擺動速度幅度有時也能比較客觀地反映了被測量的大小（比如測電視機數(shù)據(jù)總線（SDL）在傳送數(shù)據(jù)時的輕微抖動）；數(shù)字表讀數(shù)直觀，但數(shù)字變化的過程看起來很雜亂，不太容易觀看。2、指針表內(nèi)一般有兩塊電池，一塊低電壓的1.5V，一塊是高電壓的9V或15V，其黑表筆相對紅表筆來說是正端。數(shù)字表則常用一塊6V或9V的電池。在電阻檔，指針表的表筆輸出電流相對數(shù)字表來說要大很多，用R1檔可以使揚聲器發(fā)出響亮的“噠”聲，用R10k檔甚至可以點亮發(fā)光二極管（LED）。3、在電壓檔，指針表內(nèi)阻相對數(shù)字表來說比較小，測量精度相比較差。某些高電壓微電流的場合甚至無法測準，因為其內(nèi)阻會對

13、被測電路造成影響（比如在測電視機顯像管的加速級電壓時測量值會比實際值低很多）。數(shù)字表電壓檔的內(nèi)阻很大，至少在兆歐級，對被測電路影響很小。但極高的輸出阻抗使其易受感應電壓的影響，在一些電磁干擾比較強的場合測出的數(shù)據(jù)可能是虛的。4、總之，在相對來說大電流高電壓的模擬電路測量中適用指針表，比如電視機、音響功放。在低電壓小電流的數(shù)字電路測量中適用數(shù)字表，比如BP機、手機等。不是絕對的，可根據(jù)情況選用指針表和數(shù)字表。二、測量技巧（如不作說明，則指用的是指針表）：1、測喇叭、耳機、動圈式話筒：用R1檔，任一表筆接一端，另一表筆點觸另一端，正常時會發(fā)出清脆響量的“噠”聲。如果不響，則是線圈斷了，如果響聲小而

14、尖，則是有擦圈問題，也不能用。2、測電容：用電阻檔，根據(jù)電容容量選擇適當?shù)牧砍?，并注意測量時對于電解電容黑表筆要接電容正極。、估測微波法級電容容量的大?。嚎蓱{經(jīng)驗或參照相同容量的標準電容，根據(jù)指針擺動的最大幅度來判定。所參照的電容不必耐壓值也一樣，只要容量相同即可，例如估測一個100F/250V的電容可用一個100F/25V的電容來參照，只要它們指針擺動最大幅度一樣，即可斷定容量一樣。、估測皮法級電容容量大?。阂肦10k檔，但只能測到1000pF以上的電容。對1000pF或稍大一點的電容，只要表針稍有擺動，即可認為容量夠了。、測電容是否漏電：對一千微法以上的電容，可先用R10檔將其快速充電，

15、并初步估測電容容量，然后改到R1k檔繼續(xù)測一會兒，這時指針不應回返，而應停在或十分接近處，否則就是有漏電現(xiàn)象。對一些幾十微法以下的定時或振蕩電容（比如彩電開關(guān)電源的振蕩電容），對其漏電特性要求非常高，只要稍有漏電就不能用，這時可在R1k檔充完電后再改用R10k檔繼續(xù)測量，同樣表針應停在處而不應回返。3、在路測二極管、三極管、穩(wěn)壓管好壞：因為在實際電路中，三極管的偏置電阻或二極管、穩(wěn)壓管的周邊電阻一般都比較大，大都在幾百幾千歐姆以上，這樣，我們就可以用萬用表的R10或R1檔來在路測量PN結(jié)的好壞。在路測量時，用R10檔測PN結(jié)應有較明顯的正反向特性（如果正反向電阻相差不太明顯，可改用R1檔來測）

16、，一般正向電阻在R10檔測時表針應指示在200左右，在R1檔測時表針應指示在30左右（根據(jù)不同表型可能略有出入）。如果測量結(jié)果正向阻值太大或反向阻值太小，都說明這個PN結(jié)有問題，這個管子也就有問題了。這種方法對于維修時特別有效，可以非常快速地找出壞管，甚至可以測出尚未完全壞掉但特性變壞的管子。比如當你用小阻值檔測量某個PN結(jié)正向電阻過大，如果你把它焊下來用常用的R1k檔再測，可能還是正常的，其實這個管子的特性已經(jīng)變壞了，不能正常工作或不穩(wěn)定了。4、測電阻：重要的是要選好量程，當指針指示于1/32/3滿量程時測量精度最高，讀數(shù)最準確。要注意的是，在用R10k電阻檔測兆歐級的大阻值電阻時，不可將手

17、指捏在電阻兩端，這樣人體電阻會使測量結(jié)果偏小。5、測穩(wěn)壓二極管：我們通常所用到的穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值一般都大于1.5V，而指針表的R1k以下的電阻檔是用表內(nèi)的1.5V電池供電的，這樣，用R1k以下的電阻檔測量穩(wěn)壓管就如同測二極管一樣，具有完全的單向?qū)щ娦?。但指針表的R10k檔是用9V或15V電池供電的，在用R10k測穩(wěn)壓值小于9V或15V的穩(wěn)壓管時，反向阻值就不會是，而是有一定阻值，但這個阻值還是要大大高于穩(wěn)壓管的正向阻值的。如此，我們就可以初步估測出穩(wěn)壓管的好壞。但是，好的穩(wěn)壓管還要有個準確的穩(wěn)壓值，業(yè)余條件下怎么估測出這個穩(wěn)壓值呢？不難，再去找一塊指針表來就可以了。方法是：先將一塊表置于R10k

18、檔，其黑、紅表筆分別接在穩(wěn)壓管的陰極和陽極，這時就模擬出穩(wěn)壓管的實際工作狀態(tài)，再取另一塊表置于電壓檔V10V或V50V（根據(jù)穩(wěn)壓值）上，將紅、黑表筆分別搭接到剛才那塊表的的黑、紅表筆上，這時測出的電壓值就基本上是這個穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值。說“基本上”，是因為第一塊表對穩(wěn)壓管的偏置電流相對正常使用時的偏置電流稍小些，所以測出的穩(wěn)壓值會稍偏大一點，但基本相差不大。這個方法只可估測穩(wěn)壓值小于指針表高壓電池電壓的穩(wěn)壓管。如果穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值太高，就只能用外加電源的方法來測量了（這樣看來，我們在選用指針表時，選用高壓電池電壓為15V的要比9V的更適用些）。6、測三極管：通常我們要用R1k檔，不管是NPN管還是P

19、NP管，不管是小功率、中功率、大功率管.極管講解之二極管二極管,講解二極管屬于半導體，它由N型半導體與P型半導體構(gòu)成，它們相交的界面上形成PN結(jié)。二極管的主要特點就是單向?qū)?，而反向截止，也就是正電壓加在P極，負電壓加在N極，所以二極管的方向性是非常重要的。從二極管的作用上分類可分為：整流二極管、降壓二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、檢波二極管、變?nèi)荻O管；從制作材料上可分為硅二極管和鍺二極管。無論是什么二極管，都有一個正向?qū)妷?，低于這個電壓時二極管就不能導通，硅管的正向?qū)妷涸?6V07V、鍺管在02V03V，其中07V和03V是二極管的最大正向?qū)妷杭吹酱穗妷簳r無論電壓再怎么升高（不

20、能高于二極管的額定耐壓值），加在二極管上的電壓也不會再升高了。上面說了二極管的正向?qū)ㄌ匦裕O管還有反向?qū)ㄌ匦?，只是導通電壓要相對高出正向許多，其它的和正向?qū)ú畈惶?。穩(wěn)壓二極管就是利用這個原理做成的，但由于這個理論說下去可能篇幅會太長，所以只做簡介，您只要記住反向漏電流越小就證明這個二極管的質(zhì)量越好，質(zhì)量較好的硅管在幾毫安至幾十毫安之間、鍺管在幾十毫安至幾百毫安之間。再說一下不同的二極管的不同作用：彩顯中有很多整流二極管，有四個整流二極管的作用是將220V的交流電變換成300V直流電，也就是最著名的整流橋電路，當然，有相當一部分彩顯已將這四個二極管整合為一個硅堆了。不過無論是分立元件還

21、是整合的，它們所使用的二極管都是低頻二極管，但經(jīng)過開關(guān)電源電路后輸出的電壓就要用開關(guān)二極管或快速恢復二極管了。這一點一定要記住，因為如果用低頻二極管去對高頻電壓整流的話是會燒掉二極管的，甚至會燒壞其它元件。不過如果是將高頻二極管用到低頻電路中是沒有問題的。另外二極管和電容一樣是有耐壓值的，所以只有耐壓值高于實際電壓的二極管才能放心使用。穩(wěn)壓二極管也很常見，它能將較高的電壓穩(wěn)定到它的額定電壓值上，但是它的接法和二極管是相反的，因為它利用的是反向?qū)ㄔ?。二極管的特性與應用幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導體器件之一，其應用也非常廣泛。

22、二極管的工作原理晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結(jié)空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)

23、象。二極管的類型二極管種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據(jù)其不同用途，可分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、隔離二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管等。按照管芯結(jié)構(gòu)，又可分為點接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。點接觸型二極管是用一根很細的金屬絲壓在光潔的半導體晶片表面，通以脈沖電流，使觸絲一端與晶片牢固地燒結(jié)在一起，形成一個“PN結(jié)”。由于是點接觸，只允許通過較小的電流（不超過幾十毫安），適用于高頻小電流電路，如收音機的檢波等。面接觸型二極管的“PN結(jié)”面積較大，允許通過較大的電流（幾安到幾十安），主要用于把交流電變換成直流

24、電的“整流”電路中。平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩(wěn)定可靠，多用于開關(guān)、脈沖及高頻電路中。二極管的導電特性二極管最重要的特性就是單方向?qū)щ娦?。在電路中，電流只能從二極管的正極流入，負極流出。下面通過簡單的實驗說明二極管的正向特性和反向特性。1.正向特性。在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負極接在低電位端，二極管就會導通，這種連接方式，稱為正向偏置。必須說明，當加在二極管兩端的正向電壓很小時，二極管仍然不能導通，流過二極管的正向電流十分微弱。只有當正向電壓達到某一數(shù)值（這一數(shù)值稱為“門檻電壓”，鍺管約為0.2V，硅管約為0.6V）以后，二極管才能直正導

25、通。導通后二極管兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0.3V，硅管約為0.7V），稱為二極管的“正向壓降”。2.反向特性。在電子電路中，二極管的正極接在低電位端，負極接在高電位端，此時二極管中幾乎沒有電流流過，此時二極管處于截止狀態(tài)，這種連接方式，稱為反向偏置。二極管處于反向偏置時，仍然會有微弱的反向電流流過二極管，稱為漏電流。當二極管兩端的反向電壓增大到某一數(shù)值，反向電流會急劇增大，二極管將失去單方向?qū)щ娞匦?，這種狀態(tài)稱為二極管的擊穿。二極管的主要參數(shù)用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術(shù)指標，稱為二極管的參數(shù)。不同類型的二極管有不同的特性參數(shù)。對初學者而言，必須了解以下幾個主要參數(shù)：1、最

26、大整流電流是指二極管長期連續(xù)工作時允許通過的最大正向電流值，其值與PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。因為電流通過管子時會使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過容許限度（硅管為140左右，鍺管為90左右）時，就會使管芯過熱而損壞。所以在規(guī)定散熱條件下，二極管使用中不要超過二極管最大整流電流值。例如，常用的IN40014007型鍺二極管的額定正向工作電流為1A。2、最高反向工作電壓加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時，會將管子擊穿，失去單向?qū)щ娔芰?。為了保證使用安全，規(guī)定了最高反向工作電壓值。例如，IN4001二極管反向耐壓為50V，IN4007反向耐壓為1000V。3、反向電流反向電流是指二極管在規(guī)定的溫

27、度和最高反向電壓作用下，流過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25時反向電流若為250uA，溫度升高到35，反向電流將上升到500uA，依此類推，在75時，它的反向電流已達8mA，不僅失去了單方向?qū)щ娞匦?，還會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25時反向電流僅為5uA，溫度升高到75時，反向電流也不過160uA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。4、最高工作頻率二極管工作的上限頻率。超過此值是，由于結(jié)電容的作用，二極管將不能很好地體現(xiàn)單向?qū)щ?/p>

28、性。半導體二極管參數(shù)符號及其意義CT-勢壘電容Cj-結(jié)（極間）電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容Cjv-偏壓結(jié)電容Co-零偏壓電容Cjo-零偏壓結(jié)電容Cjo/Cjn-結(jié)電容變化Cs-管殼電容或封裝電容Ct-總電容CTV-電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比CTC-電容溫度系數(shù)Cvn-標稱電容IF-正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定

29、的電流IF（AV）-正向平均電流IFM（IM）-正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。IH-恒定電流、維持電流。Ii-發(fā)光二極管起輝電流IFRM-正向重復峰值電流IFSM-正向不重復峰值電流（浪涌電流）Io-整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流IF(ov)-正向過載電流IL-光電流或穩(wěn)流二極管極限電流ID-暗電流IB2-單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流IEM-發(fā)射極峰值電流IEB10-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流IEB20-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流ICM-最大輸出平均電流IFMP-正向脈沖電流

30、IP-峰點電流IV-谷點電流IGT-晶閘管控制極觸發(fā)電流IGD-晶閘管控制極不觸發(fā)電流IGFM-控制極正向峰值電流IR（AV）-反向平均電流IR（In）-反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。IRM-反向峰值電流IRR-晶閘管反向重復平均電流IDR-晶閘管斷態(tài)平均重復電流IRRM-反向重復峰值電流IRSM-反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）Irp-反向恢復電流Iz-穩(wěn)定電壓電流

31、（反向測試電流）。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流Izk-穩(wěn)壓管膝點電流IOM-最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流IZSM-穩(wěn)壓二極管浪涌電流IZM-最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流iF-正向總瞬時電流iR-反向總瞬時電流ir-反向恢復電流Iop-工作電流Is-穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流f-頻率n-電容變化指數(shù)；電容比Q-優(yōu)值（品質(zhì)因素）vz-穩(wěn)壓管電壓漂移di/dt-通態(tài)電流臨界上升率dv/dt-通態(tài)電壓臨界上升率PB-承受脈沖燒毀功率PFT（AV）-正向?qū)ㄆ骄纳⒐β蔖FTM-

32、正向峰值耗散功率PFT-正向?qū)偹矔r耗散功率Pd-耗散功率PG-門極平均功率PGM-門極峰值功率PC-控制極平均功率或集電極耗散功率Pi-輸入功率PK-最大開關(guān)功率PM-額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率PMP-最大漏過脈沖功率PMS-最大承受脈沖功率Po-輸出功率PR-反向浪涌功率Ptot-總耗散功率Pomax-最大輸出功率Psc-連續(xù)輸出功率PSM-不重復浪涌功率PZM-最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率RF（r）-正向微分電阻。在正向?qū)〞r，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量V，正向電流相應增加I，

33、則V/I稱微分電阻RBB-雙基極晶體管的基極間電阻RE-射頻電阻RL-負載電阻Rs(rs)-串聯(lián)電阻Rth-熱阻R(th)ja-結(jié)到環(huán)境的熱阻Rz(ru)-動態(tài)電阻R(th)jc-結(jié)到殼的熱阻r-衰減電阻r(th)-瞬態(tài)電阻Ta-環(huán)境溫度Tc-殼溫td-延遲時間tf-下降時間tfr-正向恢復時間tg-電路換向關(guān)斷時間tgt-門極控制極開通時間Tj-結(jié)溫Tjm-最高結(jié)溫ton-開通時間toff-關(guān)斷時間tr-上升時間trr-反向恢復時間ts-存儲時間tstg-溫度補償二極管的貯成溫度a-溫度系數(shù)p-發(fā)光峰值波長-光譜半寬度-單結(jié)晶體管分壓比或效率VB-反向峰值擊穿電壓Vc-整流輸入電壓VB2B1

34、-基極間電壓VBE10-發(fā)射極與第一基極反向電壓VEB-飽和壓降VFM-最大正向壓降（正向峰值電壓）VF-正向壓降（正向直流電壓）VF-正向壓降差VDRM-斷態(tài)重復峰值電壓VGT-門極觸發(fā)電壓VGD-門極不觸發(fā)電壓VGFM-門極正向峰值電壓VGRM-門極反向峰值電壓VF（AV）-正向平均電壓Vo-交流輸入電壓VOM-最大輸出平均電壓Vop-工作電壓Vn-中心電壓Vp-峰點電壓VR-反向工作電壓（反向直流電壓）VRM-反向峰值電壓（最高測試電壓）V（BR）-擊穿電壓Vth-閥電壓（門限電壓）VRRM-反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）VRWM-反向工作峰值電壓Vv-谷點電壓Vz-穩(wěn)定電壓Vz-穩(wěn)壓

35、范圍電壓增量Vs-通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓av-電壓溫度系數(shù)Vk-膝點電壓（穩(wěn)流二極管）VL-極限電壓二極管的識別小功率二極管的N極（負極），在二極管外表大多采用一種色圈標出來，有些二極管也用二極管專用符號來表示P極（正極）或N極（負極）,也有采用符號標志為“P”、“N”來確定二極管極性的。發(fā)光二極管的正負極可從引腳長短來識別，長腳為正，短腳為負。用數(shù)字式萬用表去測二極管時，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負極，此時測得的阻值才是二極管的正向?qū)ㄗ柚?，這與指針式萬用表的表筆接法剛好相反。半導體是一種具有特殊性質(zhì)的物質(zhì)，它不像導體一樣能夠完全導電，又不像絕緣體那樣不能導電，

36、它介于兩者之間，所以稱為半導體。半導體最重要的兩種元素是硅（讀“gui”）和鍺（讀“zhe”）。我們常聽說的美國硅谷，就是因為起先那里有好多家半導體廠商。.二極管應該算是半導體器件家族中的元老了。很久以前，人們熱衷于裝配一種礦石收音機來收聽無線電廣播，這種礦石后來就被做成了晶體二極管。注：二極管在電路中的符號為“VD”或“D”，穩(wěn)壓二極管的符號為“ZD”。極管講解之三極管三極管的作用是放大或開關(guān)或調(diào)節(jié)，它在電腦主機中為數(shù)不多，但在顯示器以及一些外設(shè)中的數(shù)量就不是很少了。它可按半導體基片材料的不同分為PNP型和NPN型，看到這大家不難理解三極管就是二個二極管結(jié)合到了一起而已。但是在這里P和N已經(jīng)

37、不是單純的正或負極的關(guān)系了，而是分為B極（基極）、C極（集電極）、E極（發(fā)射極），無論是PNP型還是NPN型，B極都是控制極，只是PNP型三極管的B極要用低于發(fā)射極的電壓進行導通控制，而NPN型三極管的B極要用高于發(fā)射極的電壓進行導通控制罷了。另外三極管也有最大耐壓值和最大功率值的，所以要盡量避免小馬拉大車的情懷發(fā)生，不然的話后果可能就會很嚴重了。注：三極管在電路中的符號是“VT”或“Q”或“V”。晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結(jié)，兩個PN結(jié)把正塊半導體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集

38、電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種，如圖從三個區(qū)引出相應的電極，分別為基極b發(fā)射極e和集電極c。發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫發(fā)射結(jié)，集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫集電極。基區(qū)很薄，而發(fā)射區(qū)較厚，雜質(zhì)濃度大，PNP型三極管發(fā)射區(qū)發(fā)射的是空穴，其移動方向與電流方向一致，故發(fā)射極箭頭向里；NPN型三極管發(fā)射區(qū)發(fā)射的是自由電子，其移動方向與電流方向相反，故發(fā)射極箭頭向外。發(fā)射極箭頭向外。發(fā)射極箭頭指向也是PN結(jié)在正向電壓下的導通方向。硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。三極管的封裝形式和管腳識別常用三極管的封裝形式有金屬封裝和塑料封裝兩大類，引腳的排列方式具有一定的規(guī)律，如圖對于小功率

39、金屬封裝三極管，按圖示底視圖位置放置，使三個引腳構(gòu)成等腰三角形的頂點上，從左向右依次為ebc；對于中小功率塑料三極管按圖使其平面朝向自己，三個引腳朝下放置，則從左到右依次為ebc。400)this.resized=true;this.width=400;this.alt=Clickheretoopennewwindow;peclick=window.open(/Basis/UploadFiles_1412/200804/20080430081959497.jpg);pemouseover=if(this.resized)this.style.cursor=hand;目前，國內(nèi)各種類型的晶體三極

40、管有許多種，管腳的排列不盡相同，在使用中不確定管腳排列的三極管，必須進行測量確定各管腳正確的位置，或查找晶體管使用手冊，明確三極管的特性及相應的技術(shù)參數(shù)和資料。晶體三極管的電流放大作用晶體三極管具有電流放大作用，其實質(zhì)是三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。這是三極管最基本的和最重要的特性。我們將Ic/Ib的比值稱為晶體三極管的電流放大倍數(shù)，用符號“”表示。電流放大倍數(shù)對于某一只三極管來說是一個定值，但隨著三極管工作時基極電流的變化也會有一定的改變。晶體三極管的三種工作狀態(tài)截止狀態(tài)：當加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓小于PN結(jié)的導通電壓，基極電流為零，集電極電流和發(fā)射極電流都為零，

41、三極管這時失去了電流放大作用，集電極和發(fā)射極之間相當于開關(guān)的斷開狀態(tài)，我們稱三極管處于截止狀態(tài)。放大狀態(tài)：當加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓大于PN結(jié)的導通電壓，并處于某一恰當?shù)闹禃r，三極管的發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置，這時基極電流對集電極電流起著控制作用，使三極管具有電流放大作用，其電流放大倍數(shù)Ic/Ib，這時三極管處放大狀態(tài)。飽和導通狀態(tài)：當加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓大于PN結(jié)的導通電壓，并當基極電流增大到一定程度時，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處于某一定值附近不怎么變化，這時三極管失去電流放大作用，集電極與發(fā)射極之間的電壓很小，集電極和發(fā)射極之間相當于開關(guān)的導通狀態(tài)。三極管的這種狀

42、態(tài)我們稱之為飽和導通狀態(tài)。根據(jù)三極管工作時各個電極的電位高低，就能判別三極管的工作狀態(tài)，因此，電子維修人員在維修過程中，經(jīng)常要拿多用電表測量三極管各腳的電壓，從而判別三極管的工作情況和工作狀態(tài)。使用多用電表檢測三極管三極管基極的判別：根據(jù)三極管的結(jié)構(gòu)示意圖，我們知道三極管的基極是三極管中兩個PN結(jié)的公共極，因此，在判別三極管的基極時，只要找出兩個PN結(jié)的公共極，即為三極管的基極。具體方法是將多用電表調(diào)至電阻擋的R1k擋，先用紅表筆放在三極管的一只腳上，用黑表筆去碰三極管的另兩只腳，如果兩次全通，則紅表筆所放的腳就是三極管的基極。如果一次沒找到，則紅表筆換到三極管的另一個腳，再測兩次；如還沒找到

43、，則紅表筆再換一下，再測兩次。如果還沒找到，則改用黑表筆放在三極管的一個腳上，用紅表筆去測兩次看是否全通，若一次沒成功再換。這樣最多沒量12次，總可以找到基極。三極管類型的判別：三極管只有兩種類型，即型和型。判別時只要知道基極是型材料還型材料即可。當用多用電表R1k擋時，黑表筆代表電源正極，如果黑表筆接基極時導通，則說明三極管的基極為型材料，三極管即為型。如果紅表筆接基極導通，則說明三極管基極為型材料，三極管即為型。晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管

44、可做為電流的開關(guān)，和一般機械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。半導體三極管，是內(nèi)部含有兩個PN結(jié)，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關(guān)等作用，應用十分廣泛。輸入級和輸出級都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管晶體管邏輯電路，書刊和實用中都簡稱為TTL電路，它屬于半導體集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個晶體管和電阻元件組成的電路系統(tǒng)集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個獨立的元件。半導體三極管fontcolor=#000000是電路中應用最

45、廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為“Q”、“GB”等）表示。半導體三極管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極(Base)和集電極（Collector）；場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發(fā)射極接地（又稱共射放大、CE組態(tài)）、基極接地（又稱共基放大、CB組態(tài)）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨隅器）。在雙極性晶體管中，發(fā)射極到基極的很小的電流，

46、會使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和漏極之間的電流。在模擬電路中，晶體管用于放大器、音頻放大器、射頻放大器、穩(wěn)壓電路；在計算機電源中，主要用于開關(guān)電源。晶體管也應用于數(shù)字電路，主要功能是當成電子開關(guān)。數(shù)字電路包括邏輯門、隨機存取內(nèi)存（RAM）和微處理器。晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，像是最大電壓、最大電流、最大功率，在超額的狀態(tài)下使用，晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以藉由晶體管規(guī)格表或是DataSheet得知。晶體管在電路最常用的用途應該是屬于訊號放大這一方面，其次是阻

47、抗匹配、訊號轉(zhuǎn)換等，晶體管在電路中是個很重要的組件，許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。晶體管被認為是現(xiàn)代歷史中最偉大的發(fā)明之一，在重要性方面可以與印刷術(shù)，汽車和電話等發(fā)明相提并論。晶體管實際上是所有現(xiàn)代電器的關(guān)鍵活動（active）元件。晶體管在當今社會的重要性，主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程，進行大規(guī)模生產(chǎn)的能力，因而可以不可思議地達到極低的單位成本。雖然數(shù)以百萬計的單體晶體管還在使用，但是絕大多數(shù)的晶體管是和電阻、電容一起被裝配在微芯片（芯片）上以制造完整的電路。模擬的或數(shù)字的或者這兩者被集成在同一塊芯片上。設(shè)計和開發(fā)一個復雜芯片的成本是相當高的，但是當分攤到通常百萬個生產(chǎn)單

48、位上，每個芯片的價格就是最小的。一個邏輯門包含20個晶體管，而2005年一個高級的微處理器使用的晶體管數(shù)量達2.89億個。晶體管的低成本、靈活性和可靠性使得其成為非機械任務的通用器件，例如數(shù)字計算。在控制電器和機械方面，晶體管電路也正在取代電機設(shè)備，因為它通常是更便宜、更有效地，僅僅使用標準集成電路并編寫計算機程序來完成同樣的機械任務，使用電子控制，而不是設(shè)計一個等效的機械控制。因為晶體管的低成本和后來的電子計算機、數(shù)字化信息的浪潮來到了。由于計算機提供快速的查找、分類和處理數(shù)字信息的能力，在信息數(shù)字化方面投入了越來越多的精力。今天的許多媒體是通過電子形式發(fā)布的，最終通過計算機轉(zhuǎn)化和呈現(xiàn)為模擬

49、形式。受到數(shù)字化革命影響的領(lǐng)域包括電視、廣播和報紙。英文簡述Atransistorisasemiconductordevice,commonlyusedasanamplifieroranelectricallycontrolledswitch.Thetransistoristhefundamentalbuildingblockofthecircuitrythatgovernstheoperationofcomputers,cellularphones,andallothermodernelectronics.Becauseofitsfastresponseandaccuracy,thetran

50、sistormaybeusedinawidevarietyofdigitalandanalogfunctions,includingamplification,switching,voltageregulation,signalmodulation,andoscillators.Transistorsmaybepackagedindividuallyoraspartofanintegratedcircuit,whichmayholdabillionormoretransistorsinaverysmallarea.【歷史】1947年12月，美國貝爾實驗室的肖克萊、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研

51、制出一種點接觸型的鍺晶體管。晶體管的問世，是20世紀的一項重大發(fā)明，是微電子革命的先聲。晶體管出現(xiàn)后，人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的降生吹響了號角。20世紀最初的10年，通信系統(tǒng)已開始應用半導體材料。20世紀上半葉，在無線電愛好者中廣泛流行的礦石收音機，就采用礦石這種半導體材料進行檢波。半導體的電學特性也在電話系統(tǒng)中得到了應用。晶體管的發(fā)明，最早可以追溯到1929年，當時工程師利蓮費爾德就已經(jīng)取得一種晶體管的專利。但是，限于當時的技術(shù)水平，制造這種器件的材料達不到足夠的純度，而使這種晶體管無法制造出來。由于電子管處

52、理高頻信號的效果不理想，人們就設(shè)法改進礦石收音機中所用的礦石觸須式檢波器。在這種檢波器里，有一根與礦石（半導體）表面相接觸的金屬絲（像頭發(fā)一樣細且能形成檢波接點），它既能讓信號電流沿一個方向流動，又能阻止信號電流朝相反方向流動。在第二次世界大戰(zhàn)爆發(fā)前夕，貝爾實驗室在尋找比早期使用的方鉛礦晶體性能更好的檢波材料時，發(fā)現(xiàn)摻有某種極微量雜質(zhì)的鍺晶體的性能不僅優(yōu)于礦石晶體，而且在某些方面比電子管整流器還要好。在第二次世界大戰(zhàn)期間，不少實驗室在有關(guān)硅和鍺材料的制造和理論研究方面，也取得了不少成績，這就為晶體管的發(fā)明奠定了基礎(chǔ)。為了克服電子管的局限性，第二次世界大戰(zhàn)結(jié)束后，貝爾實驗室加緊了對固體電子器件的

53、基礎(chǔ)研究。肖克萊等人決定集中研究硅、鍺等半導體材料，探討用半導體材料制作放大器件的可能性。1945年秋天，貝爾實驗室成立了以肖克萊為首的半導體研究小組，成員有布拉頓、巴丁等人。布拉頓早在1929年就開始在這個實驗室工作，長期從事半導體的研究，積累了豐富的經(jīng)驗。他們經(jīng)過一系列的實驗和觀察，逐步認識到半導體中電流放大效應產(chǎn)生的原因。布拉頓發(fā)現(xiàn)，在鍺片的底面接上電極，在另一面插上細針并通上電流，然后讓另一根細針盡量靠近它，并通上微弱的電流，這樣就會使原來的電流產(chǎn)生很大的變化。微弱電流少量的變化，會對另外的電流產(chǎn)生很大的影響，這就是“放大”作用。布拉頓等人，還想出有效的辦法，來實現(xiàn)這種放大效應。他們在

54、發(fā)射極和基極之間輸入一個弱信號，在集電極和基極之間的輸出端，就放大為一個強信號了。在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中，上述晶體三極管的放大效應得到廣泛的應用。巴丁和布拉頓最初制成的固體器件的放大倍數(shù)為50左右。不久之后，他們利用兩個靠得很近(相距0.05毫米)的觸須接點，來代替金箔接點，制造了“點接觸型晶體管”。1947年12月，這個世界上最早的實用半導體器件終于問世了，在首次試驗時，它能把音頻信號放大100倍，它的外形比火柴棍短，但要粗一些。在為這種器件命名時，布拉頓想到它的電阻變換特性，即它是靠一種從“低電阻輸入”到“高電阻輸出”的轉(zhuǎn)移電流來工作的，于是取名為trans-resister(轉(zhuǎn)換電阻)，后來縮

55、寫為transister，中文譯名就是晶體管。由于點接觸型晶體管制造工藝復雜，致使許多產(chǎn)品出現(xiàn)故障，它還存在噪聲大、在功率大時難于控制、適用范圍窄等缺點。為了克服這些缺點，肖克萊提出了用一種整流結(jié)來代替金屬半導體接點的大膽設(shè)想。半導體研究小組又提出了這種半導體器件的工作原理。1950年，第一只“面結(jié)型晶體管”問世了，它的性能與肖克萊原來設(shè)想的完全一致。今天的晶體管，大部分仍是這種面結(jié)型晶體管。1956年，肖克萊、巴丁、布拉頓三人，因發(fā)明晶體管同時榮獲諾貝爾物理學獎?！揪w管的發(fā)展歷史及其重要里程碑】1947年12月16日：威廉邵克雷(WilliamShockley)、約翰巴頓(JohnBard

56、een)和沃特布拉頓(WalterBrattain)成功地在貝爾實驗室制造出第一個晶體管。1950年：威廉邵克雷開發(fā)出雙極晶體管(BipolarJunctionTransistor)，這是現(xiàn)在通行的標準的晶體管。1953年：第一個采用晶體管的商業(yè)化設(shè)備投入市場，即助聽器。1954年10月18日：第一臺晶體管收音機RegencyTR1投入市場，僅包含4只鍺晶體管。1961年4月25日：第一個集成電路專利被授予羅伯特諾伊斯(RobertNoyce)。最初的晶體管對收音機和電話而言已經(jīng)足夠，但是新的電子設(shè)備要求規(guī)格更小的晶體管，即集成電路。1965年：摩爾定律誕生。當時，戈登摩爾(GordonMoo

57、re)預測，未來一個芯片上的晶體管數(shù)量大約每年翻一倍(10年后修正為每兩年)，摩爾定律在ElectronicsMagazine雜志一篇文章中公布。1968年7月：羅伯特諾伊斯和戈登摩爾從仙童(Fairchild)半導體公司辭職，創(chuàng)立了一個新的企業(yè)，即英特爾公司，英文名Intel為“集成電子設(shè)備(integratedelectronics)”的縮寫。1969年：英特爾成功開發(fā)出第一個PMOS硅柵晶體管技術(shù)。這些晶體管繼續(xù)使用傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)，但是引入了新的多晶硅柵電極。1971年：英特爾發(fā)布了其第一個微處理器4004。4004規(guī)格為1/8英寸x1/16英寸，包含僅2000多個晶體管，采用英特

58、爾10微米PMOS技術(shù)生產(chǎn)。1978年：英特爾標志性地把英特爾8088微處理器銷售給IBM新的個人電腦事業(yè)部，武裝了IBM新產(chǎn)品IBMPC的中樞大腦。16位8088處理器含有2.9萬個晶體管，運行頻率為5MHz、8MHz和10MHz。8088的成功推動英特爾進入了財富(Forture)500強企業(yè)排名，財富(Forture)雜志將英特爾公司評為“七十大商業(yè)奇跡之一(BusinessTriumphsoftheSeventies)”。1982年：286微處理器(又稱80286)推出，成為英特爾的第一個16位處理器，可運行為英特爾前一代產(chǎn)品所編寫的所有軟件。286處理器使用了13400個晶體管，運行

59、頻率為6MHz、8MHz、10MHz和12.5MHz。1985年：英特爾386?微處理器問世，含有27.5萬個晶體管，是最初4004晶體管數(shù)量的100多倍。386是32位芯片，具備多任務處理能力，即它可在同一時間運行多個程序。1993年：英特爾?奔騰?處理器問世，含有3百萬個晶體管，采用英特爾0.8微米制程技術(shù)生產(chǎn)。1999年2月：英特爾發(fā)布了奔騰?III處理器。奔騰III是1x1正方形硅，含有950萬個晶體管，采用英特爾0.25微米制程技術(shù)生產(chǎn)。2002年1月：英特爾奔騰4處理器推出，高性能桌面臺式電腦由此可實現(xiàn)每秒鐘22億個周期運算。它采用英特爾0.13微米制程技術(shù)生產(chǎn)，含有5500萬個晶

60、體管。2002年8月13日：英特爾透露了90納米制程技術(shù)的若干技術(shù)突破，包括高性能、低功耗晶體管，應變硅，高速銅質(zhì)接頭和新型低-k介質(zhì)材料。這是業(yè)內(nèi)首次在生產(chǎn)中采用應變硅。2003年3月12日：針對筆記本的英特爾?迅馳?移動技術(shù)平臺誕生，包括了英特爾最新的移動處理器“英特爾奔騰M處理器”。該處理器基于全新的移動優(yōu)化微體系架構(gòu)，采用英特爾0.13微米制程技術(shù)生產(chǎn)，包含7700萬個晶體管。2005年5月26日：英特爾第一個主流雙核處理器“英特爾奔騰D處理器”誕生，含有2.3億個晶體管，采用英特爾領(lǐng)先的90納米制程技術(shù)生產(chǎn)。2006年7月18日：英特爾?安騰?2雙核處理器發(fā)布，采用世界最復雜的產(chǎn)品設(shè)