奏響半導(dǎo)體國產(chǎn)化攻堅(jiān)前進(jìn)曲

1、目錄 HYPERLINK l _TOC_250018 半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化進(jìn)入攻堅(jiān)階段 5 HYPERLINK l _TOC_250017 晶圓代工尖兵突進(jìn)，SMIC 吹響前進(jìn)號(hào)角 6 HYPERLINK l _TOC_250016 一季度業(yè)績大超指引，先進(jìn)+成熟制程驅(qū)動(dòng)高增 6 HYPERLINK l _TOC_250015 需求強(qiáng)勁成熟制程產(chǎn)能滿載，先進(jìn)制程產(chǎn)能持續(xù)開出 7 HYPERLINK l _TOC_250014 信心充足奏響突進(jìn)樂曲，全年 Capex 大幅上調(diào) 9 HYPERLINK l _TOC_250013 擬科創(chuàng)板回歸+大基金增資加持，先進(jìn)制程擴(kuò)張?zhí)崴?10 HYPERLI

2、NK l _TOC_250012 晶圓代工核心地位強(qiáng)化，牽引國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈共同成長 12 HYPERLINK l _TOC_250011 存儲(chǔ)芯片雙強(qiáng)突破，時(shí)代浪潮破浪前行 14 HYPERLINK l _TOC_250010 DRAM 接力長跑，長鑫存儲(chǔ)曙光在望 14 HYPERLINK l _TOC_250009 DRAM 產(chǎn)能+制程提升雙緩，危中存機(jī) 14 HYPERLINK l _TOC_250008 接力長跑+技術(shù)突破，長鑫引領(lǐng) DRAM 國產(chǎn)突破 15 HYPERLINK l _TOC_250007 NAND Flash 躋身前列，長江存儲(chǔ)跨越發(fā)展 16 HYPERLINK l _TO

3、C_250006 NAND Flash 供需改善 16 HYPERLINK l _TOC_250005 行業(yè)周期或成關(guān)鍵機(jī)遇，長江存儲(chǔ)蓄勢彎道超車 19 HYPERLINK l _TOC_250004 客戶導(dǎo)入順利，半導(dǎo)體國產(chǎn)化趨勢明確 21 HYPERLINK l _TOC_250003 化合物半導(dǎo)體平臺(tái)化發(fā)展，三安發(fā)力晶圓代工 23 HYPERLINK l _TOC_250002 GaAs 和 GaN PA 在 5G 階段仍為主流 23 HYPERLINK l _TOC_250001 GaN 和 SiC 功率半導(dǎo)體的全方位升級 25 HYPERLINK l _TOC_250000 大基金一

4、期成果斐然，一二級投資協(xié)力正向循環(huán) 30圖表目錄圖 1：中芯國際 2020Q1 營收同比+35.3% 6圖 2：中芯國際 2020Q1 歸母凈利潤大幅增加 422.8% 6圖 3：2018Q4 以來公司毛利率持續(xù)回升，已接近 2018Q1 水平 6圖 4：公司費(fèi)用管理成效顯著 6圖 5：公司成熟制程+先進(jìn)制程占比持續(xù)提升 7圖 6：公司各制程產(chǎn)品結(jié)構(gòu)環(huán)比變動(dòng) 7圖 7：公司月度產(chǎn)能大幅增加 8圖 8：公司晶圓出貨量持續(xù)提升 8圖 9：2020Q1 資本開支持續(xù)高增，達(dá) 7.77 億美元 9圖 10：公司大幅上調(diào) 2020 全年資本開支計(jì)劃，達(dá) 43 億美元 9圖 11：中芯國際 12 英寸芯片

5、 SN1 項(xiàng)目效果圖 10圖 12：中芯國際參控股子公司情況（本次增資前） 11圖 13：中國芯片產(chǎn)業(yè)鏈 12圖 14：FinFET 12圖 15：中芯國際產(chǎn)業(yè)鏈全景圖 13圖 16：DRAM 市場市占 14圖 17：全球 DRAM 晶圓投片數(shù)量 14圖 18：DRAM 市場市占 15圖 19：DRAM 制程進(jìn)程 15圖 20：光威羿采用長鑫 DDR4 內(nèi)存芯片的 PRO 系列內(nèi)存 16圖 21：采用長鑫存儲(chǔ)顆粒的江波龍 FORESEE 內(nèi)存 16圖 22：全球 NAND Flash 市場規(guī)模 17圖 23：全球 NAND Flash 市場格局 17圖 24：全球主要存儲(chǔ)廠商技術(shù)制程歷史與規(guī)劃

6、 18圖 25：長江存儲(chǔ) X-Tacking 技術(shù)可縮小體積、增加 I/O 接口速度 19圖 26：QLC 容量更大、成本更低 19圖 27：NAND Flash 價(jià)格波動(dòng) 20圖 28：國科微預(yù)發(fā)布搭載長江存儲(chǔ) 64 層 TLC3DNAND 顆粒固態(tài)硬盤 21圖 29：射頻前端的結(jié)構(gòu)圖 23圖 30：2018 全球砷化鎵元件市場各廠商市占率(含 IDM 廠商) 24圖 31：2018 年全球砷化鎵元件市場各廠商市占率(不含 IDM 廠商) 24圖 32：預(yù)計(jì)到 2023 年中國基站端 GaN 放大器市場規(guī)模達(dá)到 121.7 億元 25圖 33：全球 GaN 器件的產(chǎn)業(yè)鏈情況 25圖 34：國

7、內(nèi) GaN 器件產(chǎn)業(yè)鏈情況 25圖 35：化合物半導(dǎo)體功率器件與硅基器件的對比 26圖 36：SiC 和 GaN 的應(yīng)用領(lǐng)域不同 26圖 37：SiC 應(yīng)用領(lǐng)域及其市場空間（百萬美元） 27圖 38：SiC 電力電子器件產(chǎn)業(yè)鏈 27圖 39：GaN 應(yīng)用領(lǐng)域及其市場空間（億美元） 28圖 40：GaN 功率器件產(chǎn)業(yè)鏈 28圖 41：三安光電化合物半導(dǎo)體大平臺(tái)之路 29圖 42：公司通訊射頻與電力電子業(yè)務(wù)產(chǎn)品情況 29圖 43：公司光通信業(yè)務(wù)產(chǎn)品情況 29圖 44：大基金一期成效顯著，吸引地方、民間資本形成合力 31圖 45：一二級市場的正向循環(huán) 31表 1：2020Q1 全球前十大晶圓代工廠營

8、收排名（百萬美元） 7表 2：公司產(chǎn)能情況（千片/月） 8表 3：公司二季度業(yè)績指引 9表 4：中芯國際與友商工藝進(jìn)步對比 11表 5：長鑫存儲(chǔ)項(xiàng)目進(jìn)程與規(guī)劃 15表 6：長江存儲(chǔ)項(xiàng)目進(jìn)程與規(guī)劃 19表 7：全球廠商產(chǎn)線與規(guī)劃 20表 8：三代半導(dǎo)體材料與代表性材料對比 23表 9：大基金一期中在二級市場的浮盈（億元） 30半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化進(jìn)入攻堅(jiān)階段5 月 15 日晚 19 時(shí)，美國商務(wù)部宣布將華為的臨時(shí)許可再延長 90 天，推遲到 2020 年8 月 13 日。并在隨后發(fā)布聲明稱，全面限制華為購買采用美國軟件和技術(shù)生產(chǎn)的半導(dǎo)體，包括那些處于美國以外，但被列為美國商務(wù)管制清單中的生產(chǎn)設(shè)備

9、，要為華為和海思生產(chǎn)代工前，都需要獲得美國政府的許可證。同時(shí)給予 120 天的緩沖期。此前美國已出臺(tái)多項(xiàng)規(guī)定限制我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)：1、擴(kuò)展對軍事終端使用/用戶管制為限制更廣范圍的軍事終端用戶，并限制其使用美國受管控的技術(shù)及裝備（半導(dǎo)體設(shè)備、傳感器和其他技術(shù)），美國將擴(kuò)展對中國、俄羅斯和委內(nèi)瑞拉等國的 MEU 許可證要求；2、取消民用終端用戶的許可證豁免，取消了部分國家通過出口、轉(zhuǎn)出口或國內(nèi)運(yùn)輸給可能威脅美國國家安全的民用終端用戶的部分商品的出口許可證豁免。其中包括俄羅斯、中國等 D1 組國家，主要涉及高端計(jì)算機(jī)、電信設(shè)備、集成電路、雷達(dá)和其他物品。本次公告為計(jì)劃而非正式條款，我們推演極端情況下華

10、為面臨短期斷供，但華為并非毫無準(zhǔn)備，此前已積極進(jìn)行備貨，大力扶持國內(nèi)供應(yīng)商成長；同時(shí)大基金迅速增資中芯國際，顯示國家戰(zhàn)略決心和準(zhǔn)備。我們認(rèn)為：1、晶圓代工吹響突進(jìn)號(hào)角：中芯國際經(jīng)營情況持續(xù)優(yōu)化，先進(jìn)制程不斷擴(kuò)產(chǎn)；2、存儲(chǔ)芯片國內(nèi)雙強(qiáng)突破：長鑫存儲(chǔ)、長江存儲(chǔ)部分技術(shù)已躋身國際一流水平，產(chǎn)能擴(kuò)張穩(wěn)定有序；3、化合物半導(dǎo)體加速替代：三安光電化合物半導(dǎo)體大平臺(tái)未來可期； 4、一二級市場與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)形成健康循環(huán)：大基金引領(lǐng)下國內(nèi)一二級市場以及全社會(huì)資源對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)形成正向循環(huán)下，國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已逐步形成自身的健康的、螺旋上升的成長體系，未來我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長空間將在外部限制倒逼下持續(xù)擴(kuò)張。晶圓代工尖兵突

11、進(jìn)，SMIC 吹響前進(jìn)號(hào)角一季度業(yè)績大超指引，先進(jìn)+成熟制程驅(qū)動(dòng)高增一季度業(yè)績大超此前指引，中芯國際吹響半導(dǎo)體國產(chǎn)化號(hào)角。中芯國際公布 2020Q1 業(yè)績情況，實(shí)現(xiàn)營收 9.05 億美元，同比+35.28%，環(huán)比+7.80%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤 0.64 億美元，同比+422.85%，環(huán)比-27.69%；整體業(yè)績創(chuàng)歷史新高。公司預(yù)期二季度環(huán)比增長 3-5%，同比增長 18-20%。公司方面表示業(yè)績大幅增長主要系市場需求和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)于預(yù)期。公司業(yè)績優(yōu)于業(yè)績指引與市場預(yù)期，凸顯全球半導(dǎo)體行業(yè)在疫情影響下仍保持相當(dāng)?shù)某袎喉g性和增長動(dòng)能，同時(shí)一定程度上反映了半導(dǎo)體行業(yè)未來經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇下行業(yè)景氣回升的潛力。歸母

12、凈利潤（億美元） Y oY （右軸）QoQ（右軸）521.0%422.8%1.233.5%0.90.6-0.30.30.10.2-58.2%-0.1%-48.5%27.7%0.3-64.1%-53.7%75.6%234.6%22.9%51.1%0.53圖 1：中芯國際 2020Q1 營收同比+35.3%圖 2：中芯國際 2020Q1 歸母凈利潤大幅增加 422.8%12 總營收（億美元） 40%1.6600 %98.3YoY （右軸）QoQ（右軸）8.98.57.97.2%6.77.918.2%35.3%8.28.46.6%3.2%9.020%1.2400 %6-4.5%3-7.4%-15.1

13、%-19.5%-11.2%-4.0%2.8%7.8%0%-20%0.80.4200 %0%01Q1 8 2Q1 8 3Q1 8 4Q1 8 1Q1 9 2Q1 9 3Q1 9 4Q1 9 1Q2 0-40%0.01Q1 82Q1 83Q1 84Q1 81Q1 92Q1 93Q194Q191Q20-200 % 資料來源：SMIC, 資料來源：SMIC, 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化，成熟制程+先進(jìn)制程驅(qū)動(dòng)公司毛利持續(xù)上行。近兩年中，自 2018 年 Q4 開始公司毛利率持續(xù)回升，2020Q1 實(shí)現(xiàn)毛利率 25.8%，已接近 2018Q1 的 26.5%，同比+7.6pct，環(huán)比+2.0pct。圖 3：201

14、8Q4 以來公司毛利率持續(xù)回升，已接近 2018Q1 水平圖 4：公司費(fèi)用管理成效顯著30%25%研發(fā)費(fèi)用率管理費(fèi)用率銷售費(fèi)用率 25%20% 15% 26.5%25.8%24.5%23.8%20.5%20.8%19.1%18.2%17.0%10% 5% 20%15%1Q1 8 2Q1 8 3Q1 8 4Q1 8 1Q1 9 2Q1 9 3Q1 9 4Q1 9 1Q2 00%1Q1 8 2Q18 3Q18 4Q1 8 1Q19 2Q1 9 3Q1 9 4Q19 1Q2 0 資料來源：SMIC, 資料來源：SMIC, 成熟制程產(chǎn)能滿載，先進(jìn)工藝研發(fā)順利。受益于攝像頭、電源管理 IC、指紋識(shí)別、特

15、殊存儲(chǔ)等應(yīng)用需求強(qiáng)勁，公司成熟制程和先進(jìn)制程占比持續(xù)提升。2020Q1 公司 55/65nm制程產(chǎn)品占比同比+10.8pct，環(huán)比+1.6pct；28nm 制程產(chǎn)品同比+3.5pct，環(huán)比+1.5pct； 14nm 制程產(chǎn)品同比+1.3pct，環(huán)比+0.3pct。3.2%8.6%7.1%5.4%21.7%3.0%15.3%3.8%4.3%19.2%18.5%17.5%18.7%20.3%1.0%1.3%5.0%6.5%16.2%14.9%21.8%20.9%24.2%21.0%23.0%26.2%29.3%31.0%32.6%3.8%7.6%1.2%7.6%1.4%8.7%2.2%7.4%1.

16、7%7.3%1.7%6.5%1.3%6.6%1.5%6.2%1.6%5.4%46.0%38.9%37.1%39.5%38.7%38.6%35.8%35.0%33.4%3.9%3.8%3.6%3.6%4.3%4.0%4.2%4.1%4.3%圖 5：公司成熟制程+先進(jìn)制程占比持續(xù)提升圖 6：公司各制程產(chǎn)品結(jié)構(gòu)環(huán)比變動(dòng)100 %75%50%25%0%1Q182Q1 83Q1 84Q181Q1 92Q1 93Q194Q191Q2 02%1%0%-1%-2%0.2%0.15/0.18m-1.6%-0.8%0.1%1.6%-1.3%1.5%0.3%0.25/0.35m0.11/0.13m90n m55/6

17、5n m40/45n m28nm14n m0.25/0.35m0.15/0.18m0.11/0.13m90n m55/65n m40/45n m28n m14n m資料來源：SMIC, 資料來源：SMIC, 根據(jù)集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院分析，2020 年第一季晶圓代工廠的營收排名中，中芯國際排名行業(yè)第五位，預(yù)計(jì)市場占有率為 4.5%。表 1：2020Q1 全球前十大晶圓代工廠營收排名（百萬美元）1排名公司2020Q1E2019Q1YoYM/S1臺(tái)積電（TSMC）10,2007,09643.7%54.1%2三星（Samsung）2,9962,58615.9%15.9%3格芯（GlobalFou

18、ndry）1,4521,25615.6%7.7%4聯(lián)電（UMC）1,3971,05732.2%7.4%5中芯國際（SMIC）84866926.8%4.5%6高塔半導(dǎo)體（TowerJazz）300310-3.2%1.6%7世界先進(jìn)（VIS）25822415.2%1.4%8力積電（OSMC）25117841.0%1.3%9華虹半導(dǎo)體（HuaHong）200221-9.5%1.1%10東部高科（DBHiTek）15813913.7%0.8%前十大合計(jì)18,06013,73631.5%95.8%資料來源：拓墣產(chǎn)業(yè)研究院（2020/03 根據(jù)各廠商公開資料整理）， 根據(jù)ChipInsights 的數(shù)據(jù)，

19、2019 年中國大陸本土晶圓代工整體營收為391 億元人民幣，中芯國際排名國內(nèi)第一。（華虹集團(tuán)包括華虹宏力合上海華力的營收，華潤微和武漢新芯只計(jì)算晶圓代工營收）需求強(qiáng)勁成熟制程產(chǎn)能滿載，先進(jìn)制程產(chǎn)能持續(xù)開出需求強(qiáng)勁，產(chǎn)能滿載。公司 2020Q1 產(chǎn)能增加 27,500 片/月（折合 8 寸晶圓），主要系天津 200mmFab、北京 300mmFab、上海 300mmFab，2020Q1 產(chǎn)能分別環(huán)比+5,0001 注：三星計(jì)入 System LSI 及晶圓代工事業(yè)部之營收；格芯計(jì)入 IBM 業(yè)務(wù)收入；力積電僅計(jì)入晶圓代工收入；華虹半導(dǎo)體僅計(jì)算財(cái)報(bào)公開數(shù)字片/月、+9,000 片/月、+1,00

20、0 片/月（未折合 8 寸晶圓）。產(chǎn)能持續(xù)滿載，產(chǎn)能利用率為 98.5%，同比+9.3pct，凸顯下游需求強(qiáng)勁。同時(shí)，晶圓出貨量穩(wěn)定提升，2020Q1 公司實(shí)現(xiàn)晶圓出貨 140.67 萬片，同比+29.12%，環(huán)比+5.03%。圖 7：公司月度產(chǎn)能大幅增加圖 8：公司晶圓出貨量持續(xù)提升500475月度產(chǎn)能（折合8寸晶圓）（千片）產(chǎn)能利用率（右軸）105 %482.6476.0466.698.8%97.0%98.5%447.8 449.1 450.9 451.394.7%94.1%448.5443.991.1%89.9%88.3%89.2%100 %1.61.2季度產(chǎn)能（折合8寸晶圓）（百萬片）

21、晶圓出貨量（百萬片）45095%0.842590%0.44001Q1 82Q183Q1 84Q1 81Q1 92Q193Q1 94Q1 9 1Q2085%0.01Q18 2Q1 8 3Q1 8 4Q1 8 1Q1 9 2Q1 9 3Q1 9 4Q19 1Q20 資料來源：SMIC, 資料來源：SMIC, 表 2：公司產(chǎn)能情況（千片/月）制程規(guī)劃產(chǎn)能1Q182Q183Q184Q181Q192Q193Q194Q191Q20上海 200mm0.35m 120K/M109.00108.00106.00109.00112.00115.00112.00115.00115.00上海 300mm40nm14

22、20K/M17.0017.0015.0010.0010.008.008.002.002.00北京 300mm0.18m 50K/M46.0043.0042.0042.0047.0050.0050.0052.0052.00天津 200mm0.35m 50K/M50.0050.0053.0060.0058.0057.0058.0058.0063.00深圳 200mm0.18m 60K/M35.0035.0040.3042.0045.0050.0052.0055.0055.00深圳 300mm晶圓廠3.003.003.003.003.003.003.00-北京 300mm40nm28晶圓廠nm35K

23、/M29.0032.0033.0033.0033.0036.0037.6041.0050.00上海 300mm晶圓廠14nm70K/M（控股）-3.004.00阿韋扎諾 200mm 晶圓廠（控股）40.0042.3342.3342.3342.3342.33-月均產(chǎn)能（8吋晶圓）447.75449.08450.88451.33466.58482.58443.85448.50476.00晶圓出貨量1083.631258.341315.011217.691089.501284.451315.441339.401406.71晶圓廠90nm晶圓廠nm晶圓廠55nm晶圓廠0.15m晶圓廠0.13m（控股）

24、資料來源：SMIC， 2020 年中芯國際將逐步擴(kuò)大 FinFET 產(chǎn)能，至 2020 年年底將達(dá)月產(chǎn) 15000 片。公司正在開發(fā)更加先進(jìn)的 N+1 和 N+2 工藝（中芯國際內(nèi)部代號(hào)），其中 N+1 工藝在去年四季度已經(jīng)完成流片，目前處于客戶產(chǎn)品驗(yàn)證階段，預(yù)計(jì)今年四季度風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。從 N+1 工藝比 14nm，性能提升 20%，功耗降低 57%，邏輯面積縮小 63%，SoC 面積縮小 55%，除了性能提升幅度低于 7nm 工藝，功耗和穩(wěn)定性上都與 7nm 工藝相近。信心充足奏響突進(jìn)樂曲，全年 Capex 大幅上調(diào)下游需求強(qiáng)勁，公司信心充足。下游需求持續(xù)加強(qiáng)為公司進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)帶來充足動(dòng)力，公司 2

25、020Q1 資本開支延續(xù) 2019Q4 增長態(tài)勢，達(dá) 7.77 億美元，同比+78.4%，環(huán)比+57.9%。半導(dǎo)體制造公司產(chǎn)能與對下游需求的判斷高度關(guān)聯(lián)，基于 2020Q1 成熟制程產(chǎn)能滿載，先進(jìn)制程工藝推進(jìn)順利，在通信、手機(jī)、汽車、消費(fèi)電子等領(lǐng)域應(yīng)用持續(xù)拓展，公司對未來充滿信心，將 2020 全年資本開支計(jì)劃上調(diào) 11 億美元至 43 億美元，預(yù)計(jì)較 2019年的 20 億美元增長 115%。此前，公司的資本開支主要用于晶圓廠的設(shè)備及設(shè)施，此外還有部分用于建設(shè)員工生活區(qū)等。正是因?yàn)榫A廠的持續(xù)投資，使得公司產(chǎn)能在過去年份中持續(xù)增長。本次公司將上調(diào)的 11 億美元 Capex 將主要用于上海

26、300mmFab 和成熟制程生產(chǎn)線的設(shè)備和設(shè)施購置與建設(shè)，我們預(yù)計(jì) 14nm 先進(jìn)制程產(chǎn)能將加速擴(kuò)充，成熟制程也將在不斷恢復(fù)的下游需求中收益。圖 9：2020Q1 資本開支持續(xù)高增，達(dá) 7.77 億美元圖 10：公司大幅上調(diào) 2020 全年資本開支計(jì)劃，達(dá) 43 億美元12資本開支（億美元） Y oY （右軸）QoQ（右軸）873.6%9.08105.0%158.9%7.77200 %5040100 %30資本開支（億美元） 135 %YoY （右軸）43182011.11%115.00%120 %105 %90%43.2205.59 5.28-5.5%4.0537.6%4.43-23.3%9

27、.4%62.4%-64.0%1.9.1%-7921.5%4.9275.4%57.9%200%10-100 %075%60%45%30%15%0%1Q1 8 2Q1 8 3Q1 8 4Q1 8 1Q1 9 2Q1 9 3Q1 9 4Q1 9 1Q2 0201 8201 9202 0E資料來源：SMIC, 資料來源：SMIC, 同時(shí)，公司對 2020Q2 維持較樂觀預(yù)期，2020Q2 業(yè)績指引為總營收約 9.329.50 億美元，同比+18%20%，環(huán)比+3%5%；預(yù)計(jì)毛利率為 26%28%，延續(xù)上行態(tài)勢，同比+6.9pct+8.9pct，環(huán)比+0.2pct+2.2pct。表 3：公司二季度業(yè)績指

28、引2Q2020 業(yè)績指引較 1Q2020較 2Q2019總營收9.329.50 億美元+3%+5%+18%+20%毛利率26%28%+0.2pct+2.2pct+6.9pct8.9pct資料來源：SMIC， 中芯國際 2020Q1 業(yè)績優(yōu)于市場預(yù)期，對 2020Q2 給出較為樂觀的業(yè)績指引，同時(shí)大幅提升 2020 全年資本開支計(jì)劃，凸顯公司對下游需求和半導(dǎo)體行業(yè)景氣情況的樂觀預(yù)期，未來有望重啟成長，把握半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長機(jī)遇。同時(shí)，隨著中芯國際擬科創(chuàng)板 IPO+半導(dǎo)體國產(chǎn)化持續(xù)推進(jìn)，公司未來將與國內(nèi)半導(dǎo)體市場、設(shè)計(jì)/設(shè)備/材料供應(yīng)商實(shí)現(xiàn)共同成長。擬科創(chuàng)板回歸+大基金增資加持，先進(jìn)制程擴(kuò)張?zhí)崴贁M回

29、歸科創(chuàng)板 IPO，募資推進(jìn)先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)張。5 月 5 日晚間，中芯國際(00981.HK)發(fā)布公告，擬于科創(chuàng)板發(fā)行不超過 16.86 億股股份，扣除費(fèi)用后，約 40%的募集資金將用于 12 英寸芯片 SN1 項(xiàng)目，剩余的募集資金則用于先進(jìn)及成熟工藝研發(fā)項(xiàng)目的儲(chǔ)備資金以及用于補(bǔ)充流動(dòng)資金。對于中芯國際回歸科創(chuàng)板對國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的意義，我們認(rèn)為有三點(diǎn)：1、A 股市場將增加公司的融資渠道，公司募集資金支持高端制程的研發(fā)和產(chǎn)能擴(kuò)張；2、公司代表國內(nèi)晶圓制造的最高水平，高端工藝制程的突破將支持國內(nèi) IC 設(shè)計(jì)企業(yè)的高端產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)，降低國內(nèi) IC 設(shè)計(jì)企業(yè)對非大陸地區(qū)代工企業(yè)的依賴，提升國產(chǎn)供應(yīng)鏈的安全性

30、；3、產(chǎn)能擴(kuò)張一方面可以帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈上游半導(dǎo)體設(shè)備和材料的國產(chǎn)化發(fā)展，另一方面能夠在非正常情況下保障國內(nèi)大客戶的產(chǎn)能供應(yīng)。公司本次募集資金的 40%用于 12 英寸 SN1 項(xiàng)目，目前該項(xiàng)目三大單體建筑物建設(shè)已順利完成，在建廢品倉庫和門衛(wèi)室等配套工程，按計(jì)劃整體項(xiàng)目將在 8 月底竣工。項(xiàng)目建筑總面積約 40 萬平米，是目前全球體量最大的電子廠房項(xiàng)目，新建的 12 英寸芯片生產(chǎn)線投產(chǎn)后一條生產(chǎn)線規(guī)?？蛇_(dá)每月 7 萬片，投產(chǎn)工藝節(jié)點(diǎn)可覆蓋 14nm-7nm。圖 11：中芯國際 12 英寸芯片 SN1 項(xiàng)目效果圖資料來源：東方網(wǎng), 大基金強(qiáng)勢增資，先進(jìn)制程擴(kuò)張?zhí)崴佟? 月 15 日晚，兩大國家級投資基

31、金國家集成電路基金 II 及上海集成電路基金 II 宣布分別向中芯南方注資 15 億、7.5 億美元（約合 160 億元）現(xiàn)金（此外中芯國際全資子公司中芯控股也將增資 7.5 億美元現(xiàn)金）。本次注資完成后中芯南方的注冊資本將由 35 億美元增加至 65 億美元。注資的大部分款額將根據(jù)發(fā)展計(jì)劃用作資本開支。中芯長電半導(dǎo)體（江陰）有限公司100%23.5%中芯集成電路制造（紹興）有限公司主要工藝平臺(tái) MEMS, IGBT和MOSFET，為客戶提供特色工藝集成電路芯片及模塊封裝的代工生產(chǎn)制造服務(wù)。38.6%中芯集成電路（寧波）有限公司專注于高壓模擬、射頻前端、光電集成等特種工藝技術(shù)開發(fā)，采用專業(yè)化晶

32、圓代工與定制化設(shè)計(jì)生產(chǎn)(ODM)相結(jié)合的新型商業(yè)模式。中芯北方集成電路制造（北京）有限公司中芯北方具備兩條月產(chǎn)3.5萬片的 300mm生產(chǎn)線，主要是40nm和28nm工 藝，產(chǎn)品涵蓋通用邏輯電路、低功耗邏輯電路、混合電路和射頻等領(lǐng)域。中芯南方集成電路制造有限公司中芯南方是配合公司14納米及以下先進(jìn)制程研發(fā)和量產(chǎn)計(jì)劃而建設(shè)的具備先進(jìn)制程產(chǎn)能的12英寸晶圓廠。100%中芯晶圓股權(quán)投資（上海）有限公司成立于2014年，由中芯聚源股權(quán)投資管理（上海）有限公司負(fù)責(zé)管理。該基金主要投資于集成電路相關(guān)產(chǎn)業(yè)以及相關(guān)戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)。先進(jìn)制程技術(shù)+產(chǎn)能持續(xù)推進(jìn)，增資中芯南方加速成長空間擴(kuò)容。中芯南方是為中芯國際 1

33、4nm 及以下先進(jìn)制程研發(fā)和量產(chǎn)計(jì)劃而建設(shè)的、具備先進(jìn)制程產(chǎn)能的 12 英寸晶圓廠（上海 300mmFab）。開發(fā) 14nm 及以下產(chǎn)能是公司的一項(xiàng)戰(zhàn)略性的決策，可強(qiáng)化在先進(jìn)制程產(chǎn)品制造的領(lǐng)先市場地位。技術(shù)持續(xù)升級。中芯南方 14nm 已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，目前正在開發(fā)更加先進(jìn)的 N+1 和 N+2工藝（中芯國際內(nèi)部代號(hào)），其中 N+1 工藝在去年四季度已經(jīng)完成流片，目前處于客戶產(chǎn)品驗(yàn)證階段，預(yù)計(jì)今年四季度風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。從 N+1 工藝比 14nm，性能提升 20%，功耗降低 57%，邏輯面積縮小 63%，SoC 面積縮小 55%，除了性能提升幅度低于 7nm 工藝，功耗和穩(wěn)定性上都與 7nm 工藝相近。表

34、 4：中芯國際與友商工藝進(jìn)步對比SMICSumsangTSMCN+1VS14nm7nmVS10nm10nmVS14nm7nmVS10nm10nmVS16nm功耗降低57%50%40%40%35%性能提升20%20%20%20%15%面積減少63%40%30%38%50%資料來源：SMIC、Sumsang、TSMC， 產(chǎn)能擴(kuò)張迅速。中芯南方14nm 制程產(chǎn)能從2019Q4 投產(chǎn)以來迅速擴(kuò)張，目前14nm晶圓的產(chǎn)能已經(jīng)達(dá)到了 6,000 片/月，較 3 月份 4,000 片/月提升了 50%。據(jù)公司公告，中芯南方的最終目標(biāo)產(chǎn)能是 35,000 片/月，主要生產(chǎn) 14nm 及以下工藝先進(jìn)晶圓，包括

35、14nm 改進(jìn)型的 12nm 工藝，未來還有下一代的 N+1、N+2 代工藝?？蛻魧?dǎo)入順利。中芯國際已通過中芯南方的 14nm 生產(chǎn)線為華為生產(chǎn)麒麟 710A 并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。展望未來，隨著主流移動(dòng)平臺(tái)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算市場和高速鐵路、智能電網(wǎng)、超高清視頻及安全系統(tǒng)等高潛力領(lǐng)域的需求快速增長，疊加半導(dǎo)體國產(chǎn)化的持續(xù)推進(jìn)，客戶導(dǎo)入進(jìn)程將不斷加快，有望與國內(nèi)多個(gè)終端產(chǎn)商、多種主體客戶達(dá)成合作。 18.1% 25.5% 81.9% 12.5% 13.0% 4.4% 8.6%中芯長電半導(dǎo)體（香港）有限公司56.0%中芯國際集成電路制造（深圳）有限公司江蘇長電科技股份有限公司14.3%中芯國際集成電路制

36、造（上海）有限公司100%中芯國際集成電路制造（天津）有限公司100%中芯國際集成電路制造（北京）有限公司100%芯電半導(dǎo)體（上海）有限公司100%中芯集電投資（上海）有限公司30%芯電半導(dǎo)體（香港）有限公司100%中芯集電投資（上海）有限公司100%45.7%中芯國際控股有限公司100%中芯國際集成電路制造有限公司圖 12：中芯國際參控股子公司情況（本次增資前）資料來源：中芯國際, 中芯國際原本在中芯南方占比 50.1%，在新的合約中，各方的股權(quán)將有所變化，中芯國際的股權(quán)將降至 38.515%，其他分別由國家集成電路基金、國家集成電路基金 II、上海集成電路基金及上海集成電路基金 II 擁有

37、 14.562%、23.077%、12.308%及 11.538%權(quán)益，顯示中芯國際與國家戰(zhàn)略力量的合作與聯(lián)系進(jìn)一步加強(qiáng)，凸顯國家應(yīng)對外部限制、實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵環(huán)節(jié)自主可控的戰(zhàn)略決心。晶圓代工核心地位強(qiáng)化，牽引國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈共同成長未來強(qiáng)化一站式 FinFET 全面解決方案，打造公司在國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)鏈的核心地位。公司作為國內(nèi)最先進(jìn)的 FinFET 廠，近年來積極推進(jìn) FinFET 先進(jìn)制程工藝研發(fā)，已經(jīng)能夠提供完整的的的 FinFET 技術(shù)平臺(tái)與組合。2019 年公司與客戶的 14 納米 FinFET 制程實(shí)現(xiàn)重大進(jìn)展，第一代 FinFET 經(jīng)已成功開始大規(guī)模生產(chǎn)，并于 2019Q4 開始貢獻(xiàn)收入；同時(shí)，第

38、二代 FinFET 的開發(fā)穩(wěn)定，客戶導(dǎo)入亦暢順。未來，隨著公司在芯片代工、IP支持+設(shè)計(jì)服務(wù)、光照制作+凸塊制造等多個(gè)環(huán)節(jié)中不斷發(fā)力，未來公司有望進(jìn)一步鞏固在國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)鏈的核心地位。圖 13：中國芯片產(chǎn)業(yè)鏈圖 14：FinFET資料來源：SMIC, 資料來源：SMIC, 同時(shí)，公司的高速發(fā)展還將在半導(dǎo)體國產(chǎn)化加速推進(jìn)的時(shí)代趨勢中為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)提供發(fā)展機(jī)遇，國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)將在 2020 年開始吹響新十年的前進(jìn)號(hào)角，奏響半導(dǎo)體的時(shí)代最強(qiáng)音。芯片設(shè)計(jì) 硅片制造華為海思瀾起科技 樂鑫科技 拉單晶 切片 研磨 清洗 單晶爐晶盛機(jī)電切片機(jī)研磨機(jī)清洗設(shè)備 中環(huán)集團(tuán) 濕電子化學(xué)品 至純科技 飛凱材

39、料晶瑞股份 巨化股份江化微 多氟多 上海新陽 江陰潤瑪湖北興福 浙江凱圣 中興微 景嘉微 北京君正 紫光展銳 磨外圓 倒角 拋光 檢測 滾圓機(jī)倒角機(jī)拋光機(jī)檢測設(shè)備 氧化擴(kuò)散 薄膜沉積 光刻 刻蝕 光刻膠北京科華蘇州瑞紅晶圓制造中芯國際 氧化 氧化爐北方華創(chuàng)福潤德 熱處理 RTP設(shè)備北方華創(chuàng)四十八所 CVD MOCVD北方華創(chuàng)設(shè)備公司Z沈陽科儀沈陽拓荊 PVD PVD設(shè)備北方華創(chuàng)沈陽科儀成都南光 RTP RTP設(shè)備 清洗 清洗設(shè)備至純科技北方華創(chuàng) 盛美半導(dǎo)體 涂膠 測量 光刻 顯影 刻蝕 去膠 清洗 涂膠/顯影設(shè)備芯源微CDSEM長川科技睿勵(lì)科學(xué)光刻機(jī)涂膠/顯影設(shè)備上海微電子芯源微安芯半導(dǎo)體刻蝕

40、設(shè)備設(shè)備公司Z北方華創(chuàng)等離子去膠機(jī)清洗設(shè)備至純科技北方華創(chuàng) 盛美半導(dǎo)體 CMP材料 導(dǎo)半鼎龍股份安集科技 測試 金屬化 拋光 離子注入體 光罩 探針 探針臺(tái)長川科技精測電子上海中藝 測試 測試設(shè)備長川科技華峰測控精測電子上海中藝 CVD MOCVD北方華創(chuàng)設(shè)備公司Z沈陽科儀沈陽拓荊 PVD PVD設(shè)備北方華創(chuàng)沈陽科儀成都南光 電鍍 清洗 電鍍設(shè)備清洗設(shè)備盛美半導(dǎo)體至純科技上海新陽北方華創(chuàng)沈陽芯源盛美半導(dǎo)體 CMP CMP設(shè)備華海清科盛美半導(dǎo)體中電45所 刷片 刷片機(jī) 清洗 清洗設(shè)備至純科技北方華創(chuàng) 盛美半導(dǎo)體 離子注入 去膠 清洗 離子注入機(jī)萬業(yè)企業(yè)（凱世通）中科信等離子去膠機(jī)清洗設(shè)備至純科技

41、北方華創(chuàng) 盛美半導(dǎo)體中科院微電子所材中芯國際路維光電清溢光電料封裝測試長電科技晶方科技華天科技通富微電深科技 背面減薄 晶圓切割 貼片裝片 引線鍵合 檢測 檢測設(shè)備長川科技華峰測控精測電子上海中藝 貼膜 貼膜機(jī) 研磨 減薄機(jī)北京中電科大族激光 測量 測量儀長川科技上海睿勵(lì) 剝膜 剝膜機(jī) 切割 劃片機(jī)北京中電科大族激光 清洗 清洗設(shè)備至純科技 北方華創(chuàng) 盛美半導(dǎo)體 光學(xué)檢測 AOI設(shè)備長川科技華峰測控精測電子上海中藝中科飛測 芯片粘接 貼片機(jī) 固化 烤箱 引線鍵合 鍵合封裝設(shè)備上海微電子北京中電科 清洗 清洗設(shè)備至純科技 北方華創(chuàng) 盛美半導(dǎo)體 光學(xué)檢測 AOI設(shè)備長川科技華峰測控精測電子上海中藝

42、中科飛測 特種氣體中船重工南大光電金宏氣體華特氣體雅克科技 靶材江豐電子隆化科技阿石創(chuàng) 成品測試/終測 切筋成型 電鍍 模塑 分選分選機(jī) 長川科技華峰測控精測電子上海中藝 終測測試設(shè)備長川科技華峰測控精測電子上海中藝中科飛測 切筋/成型 切筋成型設(shè)備 光學(xué)檢測 AOI設(shè)備長川科技華峰測控精測電子上海中藝中科飛測 電鍍 電鍍設(shè)備芯源微盛美 新陽 退火 退火爐 清洗 注塑 激光打標(biāo) 烘烤 檢測 清洗設(shè)備至純科技北方華創(chuàng) 盛美半導(dǎo)體注塑機(jī)激光打標(biāo)設(shè)備烤爐X-Ray檢測設(shè)備長川科技華峰測控上海中藝 封裝材料寧波康強(qiáng) 北京達(dá)博寧波華龍 江蘇中鵬深南電路 銅陵三佳珠海越亞圣邦股份博通集成全志科技卓勝微滬硅

43、產(chǎn)業(yè)晶晨股份兆易創(chuàng)新匯頂科技韋爾股份圖 15：中芯國際產(chǎn)業(yè)鏈全景圖資料來源： 存儲(chǔ)芯片雙強(qiáng)突破，時(shí)代浪潮破浪前行DRAM 接力長跑，長鑫存儲(chǔ)曙光在望DRAM 產(chǎn)能+制程提升雙緩，危中存機(jī)DRAM 是半導(dǎo)體市場上占比最大的商品，需求未來在服務(wù)器等應(yīng)用持續(xù)擴(kuò)容下將持續(xù)上行。由于該產(chǎn)品的商品化性質(zhì)和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的性質(zhì)（規(guī)模經(jīng)濟(jì)高），現(xiàn)在三星電子，SK海力士和美光科技（MU）三家公司占據(jù)著 95的市場份額?；?IDC、智能終端、智能汽車、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的需求增長，未來 DRAM 市場將持續(xù)增長，據(jù)集邦咨詢，全球 2020 年內(nèi)存市場年成長預(yù)估為 13.2%，主要原因是三大存儲(chǔ)廠商 DRAM 策略趨于保守

44、：控費(fèi)獲利、資本支出增加趨緩，投片量同比成長較低；工藝與制程轉(zhuǎn)進(jìn)減速。集邦咨詢預(yù)估今年全球內(nèi)存廠晶圓投片量年成長大概只有 6%，其中三星的投片規(guī)模預(yù)計(jì)從去年的 46 萬片/月增至今年 50 萬片/月；SK 海力士目前投片規(guī)模約在 30 多萬片/月，今年的產(chǎn)能增長僅在無錫二廠；美光投片規(guī)模約在 33 萬片/月35 萬片/月。圖 16：DRAM 市場市占圖 17：全球 DRAM 晶圓投片數(shù)量資料來源：TrendForce, 資料來源：TrendForce, DRAM 位元供給的增長來源以工藝進(jìn)步帶來的密度提升為主，以產(chǎn)能擴(kuò)張帶來的投片量提升為輔。但是近年來 DRAM 在進(jìn)入 20nm 制程以后，制

45、程提升開始遇到瓶頸，主流廠商出于成本和研發(fā)難度的考慮，對工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是希望通過兩代或三代 1Xnm 節(jié)點(diǎn)去升級 DRAM，由此稱為 1Xnm、1Ynm、1Znm。圖 18：DRAM 市場市占圖 19：DRAM 制程進(jìn)程60% SamsungSk HynixMicron 40% 20%201 6Q1201 6Q22016Q3201 6Q4201 7Q1201 7Q22017Q3201 7Q4201 8Q1201 8Q2201 8Q3201 8Q4201 9Q1201 9Q2201 9Q3201 9Q40%資料來源：KAVEEN, 資料來源：TechInsight, 接力長跑+

46、技術(shù)突破，長鑫引領(lǐng) DRAM 國產(chǎn)突破作為國產(chǎn) DRAM 長跑競賽的接棒人（第一棒為奇夢達(dá)），合肥長鑫存儲(chǔ)自 2016 年立項(xiàng)以來快速推進(jìn) DRAM 的研發(fā)與量產(chǎn)，2018 年年底即完成與國際主流 DRAM 產(chǎn)品同步的 10nm 級、第一代 19nm 8GB DDR4 的交樣，隨后在 2019 年 9 月 20 日宣布 19nm 8GB DDR4 投產(chǎn)，一期目標(biāo)產(chǎn)能達(dá) 12 萬片/月。這標(biāo)志我國在內(nèi)存芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)技術(shù)突破，擁有了這一關(guān)鍵戰(zhàn)略性元器件的自主產(chǎn)能。時(shí)間事件表 5：長鑫存儲(chǔ)項(xiàng)目進(jìn)程與規(guī)劃2016.5項(xiàng)目啟動(dòng)2017.3開始 12 寸晶圓一廠建設(shè)2018.1一廠完成廠房建設(shè)2018

47、.1開始安裝設(shè)備2018.1219nm8GbDDR4 交樣2019.919nm8GbDDR4 投產(chǎn)2019.12產(chǎn)能達(dá) 2 萬片/月2020二廠建設(shè)規(guī)劃2021突破 17nm 技術(shù)資料來源：長鑫存儲(chǔ)， 長鑫存儲(chǔ)在產(chǎn)能、技術(shù)、知識(shí)產(chǎn)權(quán)和客戶導(dǎo)入等方面進(jìn)程持續(xù)推進(jìn)：積極擴(kuò)張產(chǎn)能。長鑫存儲(chǔ)項(xiàng)目有三期，第一期投資約為 72 億美元，第一期設(shè)計(jì)滿載產(chǎn)能為 12 萬片/月，約占到全球內(nèi)存芯片產(chǎn)能的 10%。技術(shù)研發(fā)迭代。長鑫存儲(chǔ)目前采用 10G1 工藝技術(shù)(即 19nm 工藝)制造 8Gb DDR4 DRAM，預(yù)計(jì)在 2020 年下半年采用同樣的工藝制造 LPDDR4X DRAM；公司明年將向 17nm

48、制程工藝推進(jìn)，也等同于三星/SK 海力士/美光的 1Y，用于生產(chǎn) DDR4、LPDDR4X、 DDR5 和 LPDDR5 DRAM；此外，公司也開始了在 EUV、HKMG 和 GAA 等目前還沒有在 DRAM 上實(shí)現(xiàn)的新技術(shù)探索，有望在工藝制程之外突破 DRAM 技術(shù)的藩籬，為實(shí)現(xiàn)彎道超車提供技術(shù)支撐。完善專利布局。2019 年 12 月 5 日，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與Wi-LAN 聯(lián)合宣布，就奇夢達(dá)開發(fā)的 DRAM 專利，長鑫存儲(chǔ)與 WiLAN 全資子公司 Polaris Innovations Limited 達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。依據(jù)專利許可協(xié)議，長鑫存儲(chǔ)從 Polaris 獲

49、得大量 DRAM 技術(shù)專利的實(shí)施許可。這些專利來自 Polaris 于 2015 年 6 月從奇夢達(dá)母公司英飛凌購得的專利組合。2020 年 4 月，與美國半導(dǎo)體公司 Rambus 簽署專利許可協(xié)議。依據(jù)此協(xié)議，長鑫存儲(chǔ)從藍(lán)鉑世獲得大量 DRAM 技術(shù)專利的實(shí)施許可。迅速導(dǎo)入客戶。目前光威(Gloway)邁出了歷史性的一步，5 月初上架了采用長鑫 DDR4內(nèi)存芯片的羿 PRO 系列內(nèi)存。5 月 15 日，江波龍宣布旗下嵌入式存儲(chǔ)品牌 FORESEE推出了 3 款國產(chǎn)化內(nèi)存，分別為 DDR4 SODIMM 8GB、DDR4 UDIMM 8GB、DDR4 UDIMM 16GB，核心 DRAM 均采

50、用長鑫存儲(chǔ)顆粒。江波龍稱這幾款采用長鑫存儲(chǔ) DRAM顆粒的產(chǎn)品在單通、雙通、四通滿載 Loading 上都保持 100%的測試通過率，在穩(wěn)定性上的表現(xiàn)非常優(yōu)異，目前已通過了國際主流方案的 IntelZ390、IntelH310、AMDB450、 AMDX570 和國產(chǎn)方案的飛騰 FT2000/4、鯤鵬 920 這些測試平臺(tái)。圖 20：光威羿采用長鑫 DDR4 內(nèi)存芯片的 PRO 系列內(nèi)存圖 21：采用長鑫存儲(chǔ)顆粒的江波龍 FORESEE 內(nèi)存資料來源：光威官網(wǎng), 資料來源：江波龍 FORESEE 官網(wǎng), 我們預(yù)計(jì)，長鑫存儲(chǔ)未來通過自主研發(fā)、擁抱主流技術(shù)、引入創(chuàng)新型存儲(chǔ)技術(shù)，以及與 WiLAN

51、等國際伙伴的合作，不斷完善知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合提供專利技術(shù)的可追溯性，將持續(xù)增厚在半導(dǎo)體核心技術(shù)和高價(jià)值知識(shí)產(chǎn)權(quán)方面的積累，進(jìn)一步強(qiáng)化技術(shù)戰(zhàn)略儲(chǔ)備，保障公司 DRAM 業(yè)務(wù)在外部環(huán)境波動(dòng)中穩(wěn)定運(yùn)營的能力，為公司提供相對穩(wěn)定的發(fā)展空間。同時(shí)，隨著外部限制惡化、外部環(huán)境不確定性增加，我國半導(dǎo)體國產(chǎn)化趨勢確定性持續(xù)加強(qiáng)，本土廠商需求強(qiáng)勁，長鑫存儲(chǔ)有望在技術(shù)、產(chǎn)能、專利、客戶等多個(gè)維度構(gòu)建公司未來的增長內(nèi)核，為實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片彎道超車積蓄能量。NAND Flash 躋身前列，長江存儲(chǔ)跨越發(fā)展NAND Flash 供需改善2019 年全球 NAND Flash 銷售額達(dá) 460 億美元，同比減少 29%。202

52、0 年，一方面全 IDC、高容量 5G 手機(jī)需求強(qiáng)勁，另一方面由于資本支出的減少，2020 年 NAND Flash行業(yè)供給端增量有限，中國產(chǎn)業(yè)信息預(yù)計(jì) 2020 年銷售額將達(dá)到 570 億美元，同比實(shí)現(xiàn)回升 23.91%。圖 22：全球 NAND Flash 市場規(guī)模圖 23：全球 NAND Flash 市場格局750NAND Flash 市場規(guī)模（億美元）YoY64460%9.50%0.30%6004503001500389566 45.50%13.7846057040%23.91%20%0%-20%-40%13.30%9.70%14.30%19.20%33.70%Samsung Kiox

53、ia WDMicron SK Hyn ix Inte l other.57%-28201 6201 7201 8201 9202 0E資料來源：中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng), 資料來源：中國閃存市場, 多年累積終有回報(bào)，長江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展長江存儲(chǔ)起步較晚，NAND FLASH 進(jìn)展迅猛。2020 年 4 月 13 日，長江存儲(chǔ)宣布業(yè)內(nèi)首款 128 層 QLC3DNAND 閃存（X2-6070）研發(fā)成功，且已在群聯(lián)和聯(lián)蕓兩家控制器廠的 SSD 上通過驗(yàn)證，而這距 32 層 3DNAND 完成設(shè)計(jì)僅過去不到 3 年。長江存儲(chǔ)在 2016 年成立之初產(chǎn)品僅為 32 層 3DNAND Flash，跟全球頂級廠商

54、的差距約為 4-5 年（彼時(shí)三星已實(shí)現(xiàn) 64 層產(chǎn)品量產(chǎn)）；2018Q3 32 層 3DNAND Flash 實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，一年后 2019Q3 64 層 3DNAND Flash 實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)（彼時(shí)三星已于一年前實(shí)現(xiàn) 96 層產(chǎn)品量產(chǎn)），隨后長江存儲(chǔ)跳過 96 層直接研發(fā) 128 層 3DNAND Flash，躋身全球前沿技術(shù)隊(duì)列，技術(shù)實(shí)力突破速度持續(xù)增加。多年累積終成回報(bào)，128 層技術(shù)躋身全球前列。長江存儲(chǔ)的 X2-6070 是 128 層 QLC 規(guī)格的 3D NAND 閃存，也是我國首款 128 層 3D NAND 閃存芯片，擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度（QLC，4bit/ce

55、ll），最高 I/O 傳輸速度（1.6G/s）和最高單顆 NAND 閃存芯片容量（1.33Tb），是上一代 64 層單顆芯片容量的 5.33 倍，在當(dāng)今 128 層 3D NAND 為主流的全球閃存市場里意味著長江存儲(chǔ)在 NAND FLASH 的技術(shù)上已經(jīng)躋身全球第一梯隊(duì)。X2-6070 將率先應(yīng)用于消費(fèi)級 SSD，并逐步進(jìn)入企業(yè)級服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，以滿足未來 5G、AI 時(shí)代多元化數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。128 層 3D NAND 意味著長江存儲(chǔ)已經(jīng)逐步躋身全球存儲(chǔ)技術(shù)前沿：三星于 2019 年 6 月推出 128 層 TLC 3D NAND 并于 8 月量產(chǎn)；同時(shí)三星正在開發(fā) 160 層或更多

56、層的第 7 代 V-NAND Flash；SK 海力士 2019 年 6 月發(fā)布 128 層 TLC 4D NAND（本質(zhì)上是 3D NAND Flash：單芯片采用 4 層架構(gòu)設(shè)計(jì)，結(jié)合了 3DCTF、PUC 技術(shù)，芯片面積有一點(diǎn)縮減），預(yù)計(jì) 2020 年進(jìn)入投產(chǎn)階段；美光 2019 年 10 月宣布采用 Xpoint 技術(shù)的 128 層 3D NAND 流片出樣，預(yù)計(jì)2020Q4 投產(chǎn)；鎧俠 2020 年 1 月 31 日發(fā)布 112 層 TLC 3D NAND，量產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)將在 2020 年下半年。圖 24：全球主要存儲(chǔ)廠商技術(shù)制程歷史與規(guī)劃資料來源：TrendForce， 同時(shí)，Xta

57、cking 帶來更強(qiáng)技術(shù)競爭力：2018 年 7 月，長江存儲(chǔ)首次發(fā)布了突破性能的 3D NAND 構(gòu)架 Xtacking，隨著 Xtacking升級到 2.0，這項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新帶來的產(chǎn)品優(yōu)勢持續(xù)增強(qiáng)：更快的 IO 接口速度：Xtacking 技術(shù)可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù) I/O 及記憶單元操作的外圍電路，可以采用更為先進(jìn)的邏輯電路設(shè)計(jì)，提高 I/O 速度，長江存儲(chǔ) X2-6070 目前設(shè)計(jì) I/O 讀寫速度高達(dá) 1.6Gb/s。目前 NAND FLASH 主要有兩種 I/O 接口標(biāo)準(zhǔn)，分別是 Intel、SK 海力士、群聯(lián)、西數(shù)、美光主推的 ONFi，目前 ONFi4.1 標(biāo)準(zhǔn)的I/O 接

58、口速度最大為1.2Gb/s，以及三星、東芝主推的ToggleDDR， I/O 速度最高 1.4Gbps。更高的存儲(chǔ)密度：外圍電路約占傳統(tǒng) 3DNAND 架構(gòu)中芯片面積的 2030，隨著3DNAND 技術(shù)堆疊到128 層以上，外圍電路面積占比將超過50以上。Xtacking技術(shù)將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上，實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng) 3DNAND 更高的存儲(chǔ)密度，長江存儲(chǔ)目前 X2-6070 可實(shí)現(xiàn) 1.33Tb 的高容量。提升研發(fā)效率并縮短生產(chǎn)周期：由于存儲(chǔ)單元和外圍電路可分別進(jìn)行獨(dú)立加工，可并行+模塊化設(shè)計(jì)制造產(chǎn)品，產(chǎn)品整體開發(fā)時(shí)間可縮短三個(gè)月，生產(chǎn)周期可縮短 20，從而大幅縮短 3DNAND 產(chǎn)品的上市時(shí)間

59、。此外，這種模塊化的方式也為引入 NAND 外圍電路的創(chuàng)新功能以實(shí)現(xiàn) NAND 閃存的定制化提供了可能。圖 25：長江存儲(chǔ) X-Tacking 技術(shù)可縮小體積、增加 I/O 接口速度圖 26：QLC 容量更大、成本更低資料來源：長江存儲(chǔ), 資料來源：美光, 長江存儲(chǔ) 128 層 QLC 3D NAND 技術(shù)意味著我國存儲(chǔ)技術(shù)已經(jīng)在快速追趕過程中，未來或?qū)⒃诩夹g(shù)+產(chǎn)能上挑戰(zhàn)三星、海力士等傳統(tǒng)龍頭。據(jù)長江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)，128 層產(chǎn)品 2020年底到 1H2021 量產(chǎn)，2021 有望實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能 10 萬片/月，且有希望在 128 這一代產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)盈利。目前公司產(chǎn)能為 2 萬片/月，12 英寸晶圓廠的 3

60、D NAND Flash 產(chǎn)能尚處于爬升期，公司將盡快將 64 層產(chǎn)能爬升至 10 萬片/月，并按期建成 30 萬片/月產(chǎn)能。時(shí)間事件表 6：長江存儲(chǔ)項(xiàng)目進(jìn)程與規(guī)劃2014.103D NAND 項(xiàng)目啟動(dòng)2015.69 層 3D NAND 測試芯片通過電氣性能驗(yàn)證2016.732 層 3D NAND 測試芯片T/O 完成設(shè)計(jì)2016.12一期廠房破土動(dòng)工2017.732 層 3D NAND 芯片 T/O 完成設(shè)計(jì)（中國首款 3D NAND 閃存）2017.9一期廠房封頂2017.1132 層 3D NAND 閃存實(shí)現(xiàn)首次流片2018.864 層 3D NAND 閃存實(shí)現(xiàn)首次流片2018.Q332