T∕ZZB 2675-2022 TVS用硅單晶研磨片

1、ICS 29.045CCS H 82團體T/ZZB 26752022TVS 用硅單晶研磨片Monocrystalline silicon as lapped wafers for TVS2022 - 04 - 13 發(fā)布2022 - 05 - 13 實施浙江省品牌建設(shè)聯(lián)合會發(fā) 布爛爛T/ZZB 26752022目次 HYPERLINK l _bookmark0 前言II HYPERLINK l _bookmark1 1 范圍1 HYPERLINK l _bookmark2 2 規(guī)范性引用文件1 HYPERLINK l _bookmark3 3 術(shù)語和定義2 HYPERLINK l _bookm

2、ark4 4 產(chǎn)品分類2 HYPERLINK l _bookmark5 5 基本要求2 HYPERLINK l _bookmark6 6 技術(shù)要求2 HYPERLINK l _bookmark7 7 試驗方法5 HYPERLINK l _bookmark8 8 檢驗規(guī)則6 HYPERLINK l _bookmark9 9 標志、包裝、貯存和運輸7 HYPERLINK l _bookmark10 10 訂貨單（或合同）內(nèi)容8 HYPERLINK l _bookmark11 11 質(zhì)量承諾8 I T/ZZB 26752022前言本文件按照GB/T 1.12020化工作導(dǎo)則第1部分：化文件的結(jié)構(gòu)和起

3、草規(guī)則的規(guī)定起草。 請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任。本文件由浙江省品牌建設(shè)聯(lián)合會提出并歸口。 本文件由浙江省質(zhì)量合格評定協(xié)會牽頭組織制定。本文件主要起草單位：浙江海納半導(dǎo)體有限公司。 本文件參與起草單位（排名不分先后）：浙江旭盛電子有限公司、浙江眾晶電子有限公司、浙江星宇能源科技有限公司、浙江華盛模具科技有限公司、江蘇捷捷微電子股份有限公司、浙江省質(zhì)量合格評定協(xié)會、開化縣檢驗檢測研究院、衢州職業(yè)技術(shù)學(xué)院。 本文件主要起草人：沈益軍、肖世豪、潘金平、陳洪、饒偉星、張立安、史少禮、黃云龍、詹玉峰、陳鋒、牛小群、樓鴻飛、張超、汪新華、許琴、程富榮、蘇文霞、馮

4、小娟、梁奎、余天威。 本文件評審專家組長：金勇。 本文件由浙江省質(zhì)量合格評定協(xié)會負責(zé)解釋。II T/ZZB 26752022TVS 用硅單晶研磨片范圍本文件規(guī)定了瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）用硅單晶研磨片（以下簡稱硅片）的術(shù)語和定義、產(chǎn)品分類、基本要求、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸和貯存、訂貨單（或合同）內(nèi)容和質(zhì)量承諾。 本文件適用于以電子級多晶硅為主要原材料，采用直拉法制備的直徑為100 mm、125 mm、150 mm的硅單晶研磨片。 規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件， 僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不

5、注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。 GB/T 1550 非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法 GB/T 1551 硅單晶電阻率的測定 直排四探針法和直流兩探針法GB/T 1553 硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定 光電導(dǎo)衰減法GB/T 1554 硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法 GB/T 1555 半導(dǎo)體單晶晶向測定方法 GB/T 1557 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法GB/T 1558 硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法 GB/T 2828.12012 計數(shù)抽樣檢驗程序 第1部分：按接收質(zhì)量限（AQL）檢索的逐批檢驗抽樣計劃 GB/T 6616 半導(dǎo)體硅片電阻率及

6、硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法GB/T 6618 硅片厚度和總厚度變化測試方法 GB/T 6619 硅片彎曲度測試方法 GB/T 6620 硅片翹曲度非接觸式測試方法GB/T 6624 硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法GB/T 11073 硅片徑向電阻率變化的測量方法GB/T 12962 硅單晶 GB/T 129632014 電子級多晶硅 GB/T 13387 硅及其他電子材料晶片參考面長度測量方法GB/T 13388 硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測試方法 GB/T 14140 硅片直徑測量方法GB/T 14264 半導(dǎo)體材料術(shù)語 GB/T 26068 硅片和硅錠載流子復(fù)合壽命的測試 非接觸微

7、波反射光電導(dǎo)衰減法GB/T 26572 電子電氣產(chǎn)品中限用物質(zhì)的限量要求 GB/T 29507 硅片平整度、厚度及總厚度變化測試 自動非接觸掃描法 1 T/ZZB 26752022GB/T 32279 硅片訂貨單格式輸入規(guī)范 GB/T 32280 硅片翹曲度測試 自動非接觸掃描法YS/T 26 硅片邊緣輪廓檢驗方法 YS/T 28 硅片包裝 術(shù)語和定義GB/T 14264界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。 3.1瞬態(tài)電壓抑制二極管transient voltage suppressor是一種保護用的電子零件，可以保護電器設(shè)備不受導(dǎo)線引入的電壓尖峰破壞，簡稱TVS。 產(chǎn)品分類硅片按導(dǎo)電類型分

8、為 N 型、P 型兩種。 硅片的摻雜劑類型分為硼（B）、磷（P）兩種。 硅片按表面取向可分為100、111。 基本要求設(shè)計研發(fā)應(yīng)具備產(chǎn)品全生命周期的設(shè)計能力和制程能力，包括產(chǎn)品設(shè)計、配方設(shè)計、生產(chǎn)流程設(shè)計、工藝設(shè)計以及設(shè)備和工裝設(shè)計等。 應(yīng)具備關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)能力，涉及直拉單晶硅生長技術(shù)、線切割加工技術(shù)、雙面研磨加工技術(shù)、化學(xué)清洗技術(shù)研發(fā)等，包括基于 PLC 的溫度自動控制、生長速度自動控制、轉(zhuǎn)速自動控制、線速自動控制、基于 CCD 的直徑自動控制、以及基于紅外感應(yīng)的厚度自動控制等技術(shù)研發(fā)。 原材料原材料多晶硅應(yīng)滿足 GB/T 129632014 第 4.2 條中電子 2 級要求。 原材料多晶硅應(yīng)

9、滿足 GB/T 26572 對限用物質(zhì)限量的要求。 工藝及裝備應(yīng)采用半導(dǎo)體硅單晶生長爐、金剛線切割機、雙面研磨機、清洗機等自動化設(shè)備。 應(yīng)具備硅片自動分選儀，可實現(xiàn)硅片電阻率和厚度的精準分檔和自動分片。 檢驗檢測應(yīng)具備少數(shù)載流子壽命、氧含量、碳含量、位錯密度、表面取向、導(dǎo)電類型、電阻率、直徑、厚度、總厚度變化、彎曲度、翹曲度等指標的檢測能力。 技術(shù)要求2 T/ZZB 26752022理化性能硅片的摻雜劑類型分為硼（B）、磷（P）兩種。硅片的少數(shù)載流子壽命、氧含量、碳含量及晶體完整性應(yīng)符合表 1 的規(guī)定。 表1理化性能項目 指標要求 少數(shù)載流子壽命，s 100 氧含量，atoms/cm3 8.0

10、1017 碳含量，atoms/cm3 11016 位錯密度，個/cm2 10 表面取向及其偏離度應(yīng)符合下列要求： 硅片的表面取向可分為100、111。 硅片的表面取向偏離度可分為正晶向和偏晶向兩種： 正晶向：偏離度為 00.25。 偏晶向：對111硅片，有主參考面的，硅片表面法線沿平行主參考面的平面向最鄰近的方向偏 2.50.25或 4.00.25。 電學(xué)性能硅片的導(dǎo)電類型分為N型、P型兩種。硅片的電阻率及徑向電阻率變化應(yīng)符合GB/T 12962第5.2條的規(guī)定。 幾何參數(shù)硅片的幾何參數(shù)應(yīng)符合表2的規(guī)定。 表2幾何參數(shù)項目 指標要求 直徑，mm 100 125 150 直徑允許偏差，mm 0.

11、2 0.2 0.2 厚度（中心點），m 200 250 300 厚度允許偏差，m 5 5 5 總厚度變化，m 2 2 3 彎曲度，m 15 15 20 翹曲度，m 30 30 35 主參考面長度，mm 2.5 2.5 2.5 副參考面長度，mm 2.0 2.5 2.5 基準標記硅片的參考面取向及位置應(yīng)符合表3的規(guī)定，如圖1所示。硅片是否制作副參考面由供需雙方協(xié)商確定。 3 T/ZZB 26752022表3主、副參考面取向及位置導(dǎo)電類型 表面取向 主參考面取向a 副參考面 P 100 1101 與主參考面成 905 N 100 1101 與 主 參 考 面 成 ： 1805(直徑不大于 125

12、mm)； 1355(直徑 150 mm) P 111 1101 無 N 111 1101 與主參考面成 455 a 對于（100）晶面的硅片，可允許等效110的面是（01 1 ）、（011）、（0 1 1）和（0 1 1 ）晶面。對于（111）晶面的硅片，可允許等效110的面是（1 1 0）、（01 1 ）和（ 1 01）晶面。 a） P 型 100b）N 型100，直徑不大于 125mm c） N 型 100 , 直徑 150mmd） P 型111圖1硅片的主、副參考面位置4 T/ZZB 26752022e） N 型111圖1（續(xù)） 邊緣輪廓硅片邊緣圓周上的所有點應(yīng)處于使用YS/T 26測量

13、模板的清晰區(qū)域內(nèi)，且硅片邊緣輪廓的任何部位不允許有銳利點或凸起物。 表面質(zhì)量硅片應(yīng)無崩邊。 硅片不允許有裂紋、缺口。 硅片經(jīng)清洗干燥后，表面應(yīng)潔凈、無色斑、無沾污。 硅研磨片表面應(yīng)無劃傷、無線痕。 試驗方法少數(shù)載流子壽命測量按 GB/T 1553 或GB/T 26068 的規(guī)定進行，仲裁方法按 GB/T 1553 的規(guī)定進行。 硅單晶氧含量的測量按 GB/T 1557 的規(guī)定進行。 硅單晶碳含量的測量按 GB/T 1558 的規(guī)定進行。 位錯密度按 GB/T 1554 的規(guī)定進行。 表面取向及其偏離度的測試按 GB/T 1555 的規(guī)定進行。 導(dǎo)電類型的測試按 GB/T 1550 的規(guī)定進行。

14、 電阻率的測試按 GB/T 1551 中的直排四探針法或 GB/T 6616 的規(guī)定進行。仲裁時按照 GB/T 1551中的直排四探針法進行。 徑向電阻率變化的測試按 GB/T 11073 的規(guī)定進行。 直徑的測量按 GB/T 14140 的規(guī)定進行。 厚度和總厚度變化的測量按 GB/T 6618 或 GB/T 29507 的規(guī)定進行，仲裁時按 GB/T 29507 的規(guī)定進行。 彎曲度的測量按 GB/T 6619 的規(guī)定進行。 翹曲度的測量按 GB/T 6620 或 GB/T 32280 的規(guī)定進行，仲裁時按 GB/T 32280 的規(guī)定進行。 主、副參考面長度的測量按 GB/T 13387

15、 的規(guī)定進行。 主參考面取向的測試按 GB/T 13388 的規(guī)定進行。 副參考面的位置使用角度尺測量。 5 T/ZZB 26752022邊緣輪廓的檢驗按 YS/T 26 的規(guī)定進行。 表面質(zhì)量的檢驗按 GB/T 6624 的規(guī)定進行，必要時使用相應(yīng)精度的工具測量。 檢驗規(guī)則檢驗分類檢驗分為出廠檢驗和型式檢驗。 出廠檢驗組批產(chǎn)品以成批的形式提交驗收，每批應(yīng)由同一牌號、相同規(guī)格的硅片組成。 檢驗項目每批產(chǎn)品對應(yīng)的檢測項目見表4。 表4檢驗分類和檢驗項目序號 檢驗項目 出廠檢驗 型式檢驗 技術(shù)要求 試驗方法 1 少數(shù)載流子壽命，s - 6.1 7.1 2 氧含量，atoms/cm3 - 6.1 7

16、.2 3 碳含量，atoms/cm3 - 6.1 7.3 4 位錯密度，個/cm2 - 6.1 7.4 5 表面取向及其偏離度 6.1 7.5 6 導(dǎo)電類型 6.2 7.6 7 電阻率 6.2 7.7 8 徑向電阻率變化 6.2 7.8 9 直徑，mm 6.3 7.9 10 直徑允許偏差，mm - 6.3 7.9 11 厚度（中心點），m 6.3 7.10 12 厚度允許偏差，m - 6.3 7.10 13 總厚度變化，m 6.3 7.10 14 彎曲度，m 6.3 7.11 15 翹曲度，m 6.3 7.12 16 主參考面長度，mm 6.3 7.13 17 副參考面長度，mm 6.3 7.

17、13 18 主參考面取向 - 6.4 7.14 19 副參考面位置 - 6.4 7.15 20 邊緣輪廓 - 6.5 7.16 21 表面質(zhì)量 6.6 7.17 6 T/ZZB 26752022抽檢每批產(chǎn)品的檢驗取樣按GB/T 2828.12012中一般檢查水平，正常檢查一次抽樣方案進行。 檢驗結(jié)果的判定導(dǎo)電類型、表面取向及其偏離度的檢驗結(jié)果中若有一片不合格，則判該批產(chǎn)品為不合格。其他檢驗項目的合格質(zhì)量水平（AQL）見表5。 表5接收質(zhì)量限序號 檢驗項目 接收質(zhì)量限（AQL） 1 電阻率 1.0 2 徑向電阻率變化 1.0 3 直徑 1.0 4 厚度 1.0 5 總厚度變化 1.0 6 彎曲度

18、 1.0 7 翹曲度 1.0 8 參考面長度(主參考面直徑) 2.5 9 主參考面取向 1.0 10 副參考面位置 2.5 11 表面質(zhì)量 崩邊 1.0 裂紋、缺口 1.0 色斑 1.0 沾污 1.5 線痕 1.0 劃傷 2.0 累計 2.5 型式檢驗有以下情形都應(yīng)進行型式檢驗： 新產(chǎn)品或老產(chǎn)品轉(zhuǎn)廠生產(chǎn)試制的定型鑒定； 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、工藝、原材料有重大改變并可能影響到產(chǎn)品性能時； 產(chǎn)品停產(chǎn)半年以上，重新恢復(fù)生產(chǎn)時； 出廠檢驗結(jié)果和最近一次型式檢驗結(jié)果有較大差異時； 質(zhì)量監(jiān)督機構(gòu)提出型式檢驗要求時。 型式檢驗抽檢項目按表 5 要求的規(guī)定。 抽樣規(guī)則：型式檢驗每年一次，抽取 5 片，如果有一片不合格即判為不合格。 標志、包裝、貯存和運輸7 T/ZZB 26752022標志包裝箱外側(cè)應(yīng)有“小心輕放”、“防潮”、“易碎”等標識，并標明： 供方名稱； 產(chǎn)品名稱、牌號； 產(chǎn)品數(shù)量。 包裝硅片包裝按YS/T 28的規(guī)定執(zhí)行。 貯存產(chǎn)品應(yīng)貯存在清潔、干燥的環(huán)境中。