存儲器at28c系列eeprom中數(shù)據(jù)的保護

1、AT28C 系列 EEPROM 中數(shù)據(jù)的保護摘 要：并行 EEPROM 存貯器在工業(yè)現(xiàn)場使用時，有時由于會受到較大干擾而可能導致其存貯在 EEPROM 中的數(shù)據(jù)內(nèi)容發(fā)生改變或丟失。文中分析了并行 EEPROM 受干擾而丟失數(shù)據(jù)的原因，介紹了 ATMEL 公司 AT28C 系列 EEPROM 的結構、特點和性能，詳細闡述了該 EEPROM 卓越的硬件和部分 C51 程序。數(shù)據(jù)保護（SDP）功能，最后給出了 SDP 算法和關鍵字：AT28C 系列；數(shù)據(jù)保護；SDP1、 前言EEPROM 是一種具有掉電功能的存貯器，其內(nèi)容可以象普通 RAM 一樣進行改寫，而且改寫時能夠自動擦除并換成新內(nèi)容。它不象

2、EPROM 那樣需要紫外線擦除；而只需用電即可擦除并改寫存貯在其的內(nèi)容。EEPROM 通常在帶有編程電源。由于它只需外接單一5V 電源，因此使用起來十分方便。和串行相比，并行 EEPROM 的電路接口和編程設計均簡單得多，所以在對電路板面積要求不很苛刻的情況下，使用 EEPROM 存貯器還是十分的方便。2、 并行 EEPROM 中數(shù)據(jù)丟失的原因并行 EEPROM 通常采用總線擴展接口方法，圖 1 所示是基于 AT28C256 的接口電路，其中為地址譯碼產(chǎn)生的片選信號為單片機的讀、 寫信號。編程時，只需一句 MOVX 指令即可完成 EEPROM 存貯器的讀、寫操作，使用十分方便，但并行 EEPR

3、OM 在工業(yè)現(xiàn)場往往會受到干擾而導致其存貯在造成數(shù)據(jù)的損壞或丟失。的數(shù)據(jù)內(nèi)容發(fā)生改變，從而經(jīng)分析，EEPROM 存貯器的數(shù)據(jù)丟失主要發(fā)生在系統(tǒng)上電、掉電或復位等情況下。主要表現(xiàn)在以下兩種情況：（1）當整個數(shù)據(jù)存貯系統(tǒng)中的 CPU 在復位信號解除后，一般都將會延時數(shù)百 s 時間，因此，在這段時間內(nèi)，讀信號、寫信號、地址信號和數(shù)據(jù)信號都可能隨存貯器的誤寫操作而使其中的數(shù)據(jù)改變?；?，從而造成對（2）在電源緩慢升降過程中，當 CPU 處于臨界工作狀態(tài)時，其讀寫時序可能會出現(xiàn)混亂，從而使存貯器中的數(shù)據(jù)發(fā)生改變。13、 AT28C 系列 EEPROM 簡介圖 2 所示是 ATMEL 公司的 AT28C 系

4、列并行 EEPROM 存貯器的邏輯框圖，該系列中的主要產(chǎn)品有 AT28C64（8K8）、AT28C256（32K8）、AT28C010（128K8）、AT28C040（512K8）等型號，它們的結構基本相同。和普通的 28 系列 EEPROM 相比，AT28C 系列 EEPROM 具有如下特點：具可快速、128 或 256 字節(jié)的標識字節(jié)（不同型號有不同）；，時間范圍為 120ns150ns；具有字節(jié)和頁兩種寫模式，在頁寫模式中，EEPROM 存貯器的定時器控制時序可在一個編程周期內(nèi)寫入一頁數(shù)據(jù)，其頁容量為 64、128 或 256 字節(jié)（依型號不同而不同）；可提供數(shù)據(jù)保護功能，具有卓越的能力

5、。在上述特性中，最具的無疑是完善的數(shù)據(jù)保護功能。4、AT28C 系列的數(shù)據(jù)保護措施AT28C 系列 EEPROM 一般采用硬件數(shù)據(jù)保護和41 硬件數(shù)據(jù)保護數(shù)據(jù)保護（SDP）兩類措施。AT28C 系列 EEPROM 的硬件數(shù)據(jù)保護措施有以下幾種：第一種措施是對 Vcc 實施，當 Vcc 低于 38V 時，對 EEPROM 的寫入；第二種是采用上電延時，即在系統(tǒng)上電時，當 Vcc 上升到 38V 后再延時 5ms 才允許寫入數(shù)據(jù)；第三種是寫入，即在為低電平、為高電平或為高電平這三個條件中的任何一個出現(xiàn)時，寫入數(shù)據(jù)；最后一種是采用噪聲濾波，以便使得和信號線上窄于15ns 的脈沖不能觸發(fā)寫操作。42數(shù)

6、據(jù)保護控制的數(shù)據(jù)保護功能可以由用戶編程來啟動或，出廠時設定為。2通過執(zhí)行三條特定寫指令的序列可以使進入 SDP 狀態(tài)。一旦進入 SDP 狀態(tài)，應首先執(zhí)行此寫指令序列來使允許寫入，隨后進行字節(jié)或頁寫入操作，然后再使 EEPROM自動進入 SDP 狀態(tài)。以 AT28C256 為例的使能算法如圖 3 所示。將 RAM 中長度為 N（N64）的字節(jié)數(shù)組 mydata 存入 AT28C256 中起始地址為 address的連續(xù)空間的 C51 程序如下：不同型號的三條寫指令序列地址和數(shù)據(jù)值將有所不同，對于 AT28C64，這三個地址值為 1555、0AAA 和 1555，而三個數(shù)據(jù)值則相同。退出 SDP 狀態(tài)（如 AT28C256）的算法如圖 4 所示。對于不同型號，地址和數(shù)據(jù)值也會有所不同。需要的是，這里所說的三條寫指令序列，只是用于 EEPROMSDP 所需的邏輯判斷，而不會改變 EEPROM 中這三個地址的內(nèi)容。5、結論筆者曾用 MP100 型編程器重寫具有 SDP 功能的 AT28C256，結果未能改變?nèi)我庖粋€字節(jié)的內(nèi)容。在開發(fā)的多款儀器