芯片產(chǎn)業(yè)鏈概述

1、芯片產(chǎn)業(yè)鏈介紹第1頁目 錄1234芯片原材料介紹5芯片制造背景介紹芯片設(shè)計芯片封測6投資分析第2頁 集成電路定義 集成電路是將電阻、電容、二極管、三極管經(jīng)過半導(dǎo)體工藝或薄、厚膜工藝制作在同一硅片上，并按某種電路形式互連起來，制成含有一定功效電路。集成電路特點 同分立元器件相比，集成電路含有體積小，重量輕，功耗低，性能好，可靠性高，成本低等特點，是當前電子產(chǎn)品和設(shè)備小型、便攜式所必需。 集成電路泛指全部電子元器件，是在硅板上集合各種電子元器件實現(xiàn)某種特定功效電路模塊。它是 電子設(shè)備中最主要部分，負擔(dān)著運算和存放功效。一、背景介紹1.1 半導(dǎo)體集成電路概念第3頁 芯片種類繁多，品種各異，可按不一樣

2、方式進行分類。1.2.1 按照制造工藝分類 芯片按其制造工藝可分為半導(dǎo)體集成電路、薄膜集成電路、厚膜集成電路和混合集成電路。用平面工藝（氧化、光刻、擴散、外延）在半導(dǎo)體晶片上制成集成電路稱為半導(dǎo)體集成電路，也稱為單片集成電路。用薄膜工藝（真空蒸發(fā)、濺射）將電阻、電容等無源元件及相互連線制作在同一塊絕緣襯底上，再焊接上晶體管管芯，使其含有一定功效電路，稱為薄膜集成電路。用厚膜工藝（絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)）將電阻、電容等無源元件及相互連線制作在同一塊絕緣襯底上，再焊接上晶體管管芯，使其含有一定功效電路，稱為厚膜集成電路。1.2 集成電路分類在實際應(yīng)用中，多半是在無源膜電路上外加半導(dǎo)體集成電路或分立元件二極

3、管、三極管等有源器件，使之組成一個整體，這便是混合集成電路。一、背景介紹第4頁1.2.2 按照有源器件分類 芯片按有源器件可分為雙極型集成電路、MOS型集成電路和雙極-MOS（BIMOS）型集成電路等雙極型集成電路是在半導(dǎo)體基片（硅或鍺材料）上，利用雙極型晶體管組成集成電路，其內(nèi)部工作時由空穴和自由電子兩種載流子進行導(dǎo)電。MOS型集成電路只有空穴或自由電子一個載流子導(dǎo)電。它又可分為NMOS型集成電路、PMOS型集成電路和CMOS型集成電路三種。雙極型-MOS型集成電路（BIMOS）是雙極型晶體管和MOS電路混合組成集成電路。普通前者作為輸出級，后者作為輸入級。雙極型電路驅(qū)動能力強，但功耗較大，

4、MOS電路則相反，雙極型-MOS型集成電路兼有二者優(yōu)點。一、背景介紹第5頁1.2.3 按照集成度分類 芯片按其集成度可分為小規(guī)模集成電路，中規(guī)模集成電路，大規(guī)模集成電路，超大規(guī)模集成電路和極大規(guī)模集成電路。規(guī)模小規(guī)模中規(guī)模大規(guī)模超大規(guī)模特大規(guī)模巨大規(guī)模理論集成度*1010010100010310510510610610916109商業(yè)集成度101010001032104210551055105108代表作品門電路觸發(fā)器計數(shù)器加法器8位微處理器16位、32位微處理器圖像處理器SOC高檔處理器*注：1.集成電路單個電路芯片集成元件數(shù)一、背景介紹第6頁1.2.4 按照應(yīng)用領(lǐng)域分類 芯片按照應(yīng)用領(lǐng)域可

5、分為軍用具、民用具（又稱商用）和工業(yè)用具三大類。因為軍用具主要用在軍事、航空、航天等領(lǐng)域，使用環(huán)境惡劣，裝置密度高，對集成電路可靠性要求極高，對價格要求不太苛求。因為民用具主要用在人們?nèi)粘Ｉ钪?，使用條件很好，只要能夠滿足一定性能指標要求即可。但對價格要求較高，最大程度地追求高性能價格比。這是產(chǎn)品能否占領(lǐng)市場主要條件之一。工業(yè)用具介于二者之間。一、背景介紹第7頁1.2.5 按照功效分類 芯片按功效分類以下：半導(dǎo)體集成電路數(shù)字電路模擬電路接口電路特殊電路TTL電路HTL電路ECL電路CMOS電路存放器微型機電路運算放大器穩(wěn)壓器音響電路電視電路非線性電路電平轉(zhuǎn)換器電壓比較器線驅(qū)動接收器外圍驅(qū)動器通

6、信電路機電儀電路消費類電路傳感器一、背景介紹第8頁一塊芯片誕生大致會經(jīng)歷以下幾個步驟：原材料設(shè)計-晶圓制造-封裝-測試。所以芯片關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)鏈按可分為以下幾塊：1. 原材料2. 設(shè)計（Fabless）*3. 制造（Foundry）4. 封裝5. 測試*注：以美國為首北約簽署瓦森納協(xié)議限定高科技（包含芯片）出口中國。一芯片ADC為例，合約中要求精度大于14bit（失真率1/16384）、100M不允許出口中國。1.3 芯片產(chǎn)業(yè)鏈概述一、背景介紹第9頁目 錄1234芯片原材料介紹5芯片制造背景介紹芯片設(shè)計芯片封測6投資分析第10頁11芯片制造工藝介紹：二、芯片原材料介紹硅提純切割晶圓影印蝕刻重復(fù)分層封

7、裝屢次測試掩膜版光刻膠、高純化學(xué)試劑、靶材、化合物半導(dǎo)體電子氣體、拋光材料第11頁12晶圓（硅晶片） 晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用硅晶片，因為其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功效之IC產(chǎn)品。晶圓原始材料是硅。晶圓制造過程 硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅形式廣泛存在于巖石、砂礫中，硅晶圓制造能夠歸納為三個基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。硅提煉及提純沙石原料溫度：，有C源存在電弧熔爐高溫作用C+SiO2（砂石中）化學(xué)反應(yīng)C與O結(jié)合，剩下Si純度98%純硅冶金級硅粉碎冶金級硅進行氯化反應(yīng)氣態(tài)HCI投入液態(tài)硅烷蒸餾、化學(xué)還原99.99

8、9999999%多晶硅電子級硅深入提純二、芯片原材料介紹單晶硅生長、晶圓成型中國半導(dǎo)體制造用硅材料銷售收入（億元）第12頁13掩膜版 在半導(dǎo)體制造整個流程中，其中一部分就是從版圖到晶圓（wafer）制造中間一個過程，即光掩膜或稱光罩(mask)制造。這一部分是流程銜接關(guān)鍵部分，是流程中造價最高一部分，也是限制最小線寬瓶頸之一。 掩膜版 二、芯片原材料介紹掩膜版制作流程 第13頁14光刻膠 光刻膠是光刻工藝關(guān)鍵材料，又稱光致抗蝕劑，它是一個對光敏感有機化合物，它受紫外光曝光后，在顯影液中溶解度會發(fā)生改變。 光刻膠分類1、依據(jù)光刻膠按照怎樣響應(yīng)紫外光特征能夠分為兩類正膠：曝光前對顯影液不可溶，而曝

9、光后變成了可溶，能得到與掩膜版遮光區(qū)相同圖形負膠：曝光前對顯影液可溶，而曝光后變成了不可溶，能得到與掩膜版遮光區(qū)不一樣圖形 我國光刻膠銷售收入（億元） 2、依據(jù)光刻膠能形成圖形最小光刻尺寸來分傳統(tǒng)光刻膠（正膠和負膠） 適合用于紫外光（UV），I線365nm、H線405nm和G線436nm，關(guān)鍵尺寸在0.35um及其以上?；瘜W(xué)放大光刻膠 適合用于深紫外光（DUV），KrF準分子激光248nm和ArF準分子激光193nm。二、芯片原材料介紹第14頁15高純化學(xué)試劑 超凈高純試劑在國際上稱為工藝化學(xué)品，是集成電路和超大規(guī)模集成電路制作過程中關(guān)鍵性基礎(chǔ)化工材料之一。高純化學(xué)試劑用途用于硅圓片工藝加工過

10、程中硅片清洗。 硅圓片在進行工藝加工過程中，經(jīng)常會被不一樣雜志所玷污，因為各種玷污可引發(fā)IC芯片產(chǎn)率下降50%左右，為了取得高質(zhì)量、高產(chǎn)率集成電路芯片，必須去除硅圓片表面各類沾染物。用于芯片制造中涂膠前濕法清洗和光刻過程中濕法蝕刻及最終去膠。高純化學(xué)試劑產(chǎn)品酸類產(chǎn)品 硝酸、鹽酸、硫酸、氫氟酸、磷酸、過氧化氫、冰乙酸等堿類產(chǎn)品 氫氧化銨、氟化銨、氫氧化鉀溶液、氫氧化鈉溶液、膽堿等 腐蝕劑產(chǎn)品 我國高純試劑企業(yè)銷售收入（億元） 氟化銨腐蝕液（BOE）、鋁腐蝕液（PES）、硅腐蝕液（MAE）、混合酸（3F）、混合酸（4F）、鉻腐蝕液、鉬腐蝕液、鎳銀腐蝕液、鈦腐蝕液、酸性剝離液等有機溶劑產(chǎn)品 甲醇、乙

11、醇、異丙醇、丙酮、戊酮等其它產(chǎn)品 去毛劑、漂洗液、剝離液、光刻膠配套試劑、正膠顯影液、負膠顯影液、高純清洗劑等。二、芯片原材料介紹第15頁16電子氣體 電子氣體是發(fā)展集成電路、光電子、微電子，尤其是超大規(guī)模集成電路、液晶顯示器件、半導(dǎo)體發(fā)光器件和半導(dǎo)體材料制造過程中不可缺乏基礎(chǔ)性支撐源材料，它被稱為電子工業(yè)“血液”和“糧食”，它純度和潔凈度直接影響到光電子、微電子元器件質(zhì)量、集成度、特定技術(shù)指標和成品率，并從根本上制約著電路和器件準確性和準確性。電子氣體分類按純度等級分： 純電子氣體、高純電子氣體、半導(dǎo)體特殊材料氣體按規(guī)模等級和使用場所分： 電子級、LSI（大規(guī)模集成電路）級、VLSI（超大規(guī)

12、模集成電路）級、ULSI（特大規(guī)模集成電路）級 按純度分 按規(guī)模等級分 我國電子氣體企業(yè)銷售收入（億元）二、芯片原材料介紹第16頁17拋光材料 化學(xué)機械拋光工藝是一個平坦化處理過程，旋轉(zhuǎn)工件以一定壓力壓在隨工作臺一起旋轉(zhuǎn)拋光墊上，由磨粒和化學(xué)氧化劑等配成拋光液在晶片與拋光墊間流動，在工件表面產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成易于去除氧化表面，再經(jīng)過機械作用將氧化表面去除。最終，去除產(chǎn)物被流動拋光液帶走，露出新表面，若干次循環(huán)去除后最終取得均勻平坦化晶圓表面。 拋光過程 拋光材料細分市場份額 拋光材料分類 我國拋光材料企業(yè)銷售收入（億元）二、芯片原材料介紹材料類型優(yōu)點備注拋光墊硬質(zhì)比很好地確保表面平整度包含各種

13、粗布墊、纖維織物墊、聚乙烯墊等-軟質(zhì)可取得加工變質(zhì)層和表面粗糙度都很小拋光表面包含聚氨酯墊、細毛氈墊、各種絨毛布墊等拋光液酸性含有可溶性好、酸性范圍內(nèi)氧化劑較多、拋光效率高等優(yōu)點慣用于拋光金屬材料，比如銅、鎢、鋁、鈦等-堿性含有腐蝕性小、選擇性高等優(yōu)點慣用于拋光非金屬材料，比如硅、氧化物及光阻材料等第17頁18靶材 鍍膜靶材是經(jīng)過磁控濺射、多弧離子鍍或其它類型鍍膜系統(tǒng)在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功效薄膜濺射源。 靶材 靶材分類 我國濺射靶材企業(yè)銷售收入（億元）二、芯片原材料介紹分類方法應(yīng)用實例應(yīng)用領(lǐng)域半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜、光學(xué)膜、玻璃鍍膜材質(zhì)金屬靶材（AI、Sn、Zn、Ti、Ni、Cr、Z

14、r、Ir、Ag、Au、Pt、Hf、Nb、Cu、W、Mo、To等）合金靶材（金銦、不銹鋼、銅錫、鎳鉻、鈦鋁、鈦鋯、鈦金、金銀、金鎳、金靶、鎢鉬等）磁性靶材（純鐵、坡莫合金等）氧化物靶材（氧化銦錫、陶瓷等）靶材形狀板狀、管狀、線裝、棒狀第18頁19化合物半導(dǎo)體 由兩種或兩種以上元素材料以確定原子配比形成化合物，并含有確定禁帶寬度和能帶結(jié)構(gòu)等半導(dǎo)體性質(zhì)稱為化合物半導(dǎo)體材料。砷化鎵一個主要半導(dǎo)體材料。屬III-V族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.6510-10m，熔點1237，禁帶寬度1.4電子伏。用砷化鎵制成半導(dǎo)體器件含有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點。磷化銦性狀：

15、瀝青光澤深灰色晶體熔點：1070。閃鋅礦結(jié)構(gòu)，常溫下帶寬1.35eV。溶解性：極微溶于無機酸磷化鎵人工合成化合物半導(dǎo)體材料。外觀：橙紅色透明晶體一個由n從族元素鎵（Ga）與vA族元素磷（P）人工合成m-V族化合物半導(dǎo)體材料氮化鎵一個含有較大禁帶寬度半導(dǎo)體，屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。它是微波功率晶體管優(yōu)良材料，也是藍色光發(fā)光器件中一個含有主要應(yīng)用價值半導(dǎo)體碲鎘汞是由II-VI族化合物碲化鎘和碲化汞組成三元固溶體半導(dǎo)體二、芯片原材料介紹第19頁目 錄1234芯片原材料介紹5芯片制造背景介紹芯片設(shè)計芯片封測6投資分析第20頁 一款芯片設(shè)計開發(fā)，首先確定產(chǎn)品應(yīng)用需求，之后進入系統(tǒng)開發(fā)和原型驗證階段。系

16、統(tǒng)開發(fā)和原型驗證經(jīng)過后，就進入芯片版圖設(shè)計實現(xiàn)階段，就是數(shù)字后端、與模擬版圖拼接。芯片版圖經(jīng)過各種仿真驗證后就能夠生成GDS文件，發(fā)給代工廠進行加工。3.1 芯片設(shè)計流程三、芯片設(shè)計第21頁芯片硬件設(shè)計包含：1功效設(shè)計階段2設(shè)計描述和行為級驗證3邏輯綜合4門級驗證5布局和布線3.2 芯片硬件設(shè)計三、芯片設(shè)計第22頁 半導(dǎo)體軟件主要應(yīng)用在Fabless IC設(shè)計流程中，設(shè)計完產(chǎn)品規(guī)格后，要硬體描述語言將電路描寫出來，然后將合成完程式碼再放入EDA tool，進行電路布局與繞線，該服務(wù)軟件幾乎均使用同一家軟件（Cadence設(shè)計企業(yè)），當前幾乎壟斷狀態(tài)。3.3 芯片設(shè)計軟件三、芯片設(shè)計第23頁 物

17、聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、虛擬現(xiàn)實等新興領(lǐng)域應(yīng)用需求市場拉動設(shè)計業(yè)快速成長。我國集成電路設(shè)計業(yè)銷售規(guī)模到達1518.5億元。 從產(chǎn)品領(lǐng)域分布來看，設(shè)計業(yè)主要產(chǎn)品分布在通信（物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、汽車電子等）、消費電子和多媒體三大領(lǐng)域，占據(jù)了78%市場份額。海思、展訊、中興微電子三家企業(yè)銷售總額到達445億元，占該領(lǐng)域64.6%。八大領(lǐng)域中，模擬、功率、導(dǎo)航芯片額營收業(yè)出現(xiàn)下降，主要是汽車電子領(lǐng)域高端芯片仍被國外壟斷，國內(nèi)設(shè)計企業(yè)贏利能力不強。3.4 芯片設(shè)計行業(yè)現(xiàn)實狀況三、芯片設(shè)計第24頁Fabless就是IC設(shè)計企業(yè)，沒有自己加工廠和封測廠，IC產(chǎn)品生產(chǎn)只能依靠專門制造商和封裝測試廠商世界集成電路前10

18、大設(shè)計企業(yè)營業(yè)收入排名以下表所表示：排名企業(yè)名稱國家/地域營業(yè)收入（百萬美元）1高通美國152842博通新加坡141663聯(lián)發(fā)科中國臺灣89224英偉達美國45855超微美國41836華為海思中國大陸39787邁威爾美國14028賽靈思美國23009紫光展銳中國大陸191210聯(lián)詠科技中國臺灣14833.5 芯片設(shè)計企業(yè)現(xiàn)實狀況三、芯片設(shè)計*注1：歐洲NXP半導(dǎo)體企業(yè)在互聯(lián)汽車、汽車電子方面表現(xiàn)最為突出，.10.28被高通收購。 2：當前國外芯片設(shè)計技術(shù)處于領(lǐng)先地位，并對中國高端技術(shù)實施嚴格封。第25頁目 錄1234芯片原材料介紹5芯片制造背景介紹芯片設(shè)計芯片封測6投資分析第26頁4.1.1

19、晶圓制造過程 四、芯片制造- CZ法直拉單晶爐結(jié)構(gòu)- 切片工藝示意- 圓邊工藝示意-4.1 晶圓制造第27頁4.1.2 晶圓制造廠現(xiàn)實狀況-年排名廠家國籍營收（億$）備注1信越（Shin-Etsu）日本21.652Sumco日本19.653Siltronic德國10.434SunEdison美國7.785LG Silitron韓國7.076環(huán)球晶圓臺灣7.31收購美國SunEdison居第三7Soitec法國2.658合晶臺灣1.68研究數(shù)據(jù)顯示硅晶圓市場基本被日韓廠商壟斷，五大供貨商全球市占率到達了92%，其中信越半導(dǎo)體市占率27%，勝高科技（SUMCO）市占率26%，環(huán)球晶圓收購美國Sun

20、Edison后占率17%，Silitronic（德國）市占率13%，LG市占率9%。 四、芯片制造第28頁4.1.3 晶圓制造過程主要設(shè)備- 直拉單晶爐國內(nèi)設(shè)備廠性質(zhì)業(yè)務(wù)范圍年產(chǎn)值凱克斯浙大機電與KAYEX合資IC及光伏設(shè)備-上虞晶盛技術(shù)同上IC及光伏設(shè)備10.9億西安理工校辦工廠-京運通西安理工技術(shù)，民企光伏設(shè)備18.13億華盛天龍西安理工技術(shù)，民企光伏設(shè)備1.5億京儀世紀西安理工技術(shù)，國企晶體生長及加工，暖通設(shè)備-上海漢虹中日合資晶體生長及加工設(shè)備-西安華德晶體設(shè)備西理、PVA TePlaAG合資工程設(shè)備-北方華創(chuàng)國企半導(dǎo)體、真空裝備、鋰電池，精密元件。16.22億寧晉陽光晶體設(shè)備中奧合資

21、光伏設(shè)備-國外設(shè)備廠性質(zhì)業(yè)務(wù)范圍PVA TePla AG德國工程設(shè)備及半導(dǎo)體設(shè)備KAYEX美國世界五百強SPX子企業(yè)，電子和太陽能直拉單晶爐設(shè)備供給商。Ferrotec日本半導(dǎo)體設(shè)備，電子元器件，家電產(chǎn)品。（上海，杭州分企業(yè)）- CZ法直拉單晶爐- 四、芯片制造第29頁4.1.4 晶圓制造過程主要設(shè)備-內(nèi)圓切片機/切片研磨一體機國內(nèi)設(shè)備廠性質(zhì)業(yè)務(wù)范圍年產(chǎn)值中電科四十五所科研所電子器件工藝設(shè)備技術(shù)、整機研發(fā)和制造。-浙江晶盛技術(shù)與浙大同源IC及光伏設(shè)備10.9億京運通西安理工技術(shù)，民企光伏設(shè)備（西門子控制系統(tǒng)）18.13億華盛天龍西安理工技術(shù)，民企光伏設(shè)備1.5億京儀世紀西安理工技術(shù)，國企晶體生

22、長及加工，暖通設(shè)備-上海漢虹中日合資晶體生長及加工設(shè)備-西安華德晶體設(shè)備西理、PVA TePlaAG合資工程設(shè)備-國外設(shè)備廠國別業(yè)務(wù)范圍瑞士M&B瑞士-日本TOKYO日本-日立日本汽車、家電、半導(dǎo)體綜合企業(yè)-單晶硅切方滾磨機-半導(dǎo)體單晶硅截斷機- 四、芯片制造第30頁4.1.5 晶圓制造過程主要設(shè)備-外延設(shè)備氣相外延（VPE）將含有外延元素的氣態(tài)或液態(tài)前驅(qū)物的蒸汽在襯底表面上，通過熱分解與化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。液相外延（LPE）由溶液中析出固相物質(zhì)并沉積在襯底上生成單晶薄層的方法。固相外延（SPE）指半導(dǎo)體單晶上的非晶層在低于該材料的熔點或共晶點溫度下外延再結(jié)晶的過程。分子束外延（MBE）是

23、一種制備單晶薄膜的技術(shù)，它是在適當?shù)囊r底與合適的條件下，沿襯底材料晶軸方向逐層生長薄膜。國外企業(yè)國內(nèi)企業(yè)法國 Riber沈陽中科儀器美國 Veeco北京匯德信科技芬蘭DCA Instruments紹興匡泰儀器設(shè)備美國SVTAssociates沈陽科友真空技術(shù)美國NBM中微半導(dǎo)體設(shè)備德國Omicron德國MBE-Komponenten英國Oxford Applied Research 四、芯片制造第31頁4.2.1 集成電路制造基礎(chǔ)工藝IC制造基礎(chǔ)工藝增層（Layering）光刻 (Patterning)摻雜 (Doping)熱處理 (Heat Treatments) 增層：在晶圓表面形成薄膜加

24、工工藝。集成電路制造企業(yè)使用四種最基本工藝方法經(jīng)過大量工藝次序和工藝改變制造出特定芯片。這些基本工藝方法是增層、光刻、摻雜、熱處理。 光刻：經(jīng)過一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜特定部分除去工藝。摻雜：將特定量雜質(zhì)經(jīng)過薄膜開口引入晶圓表層工藝制程。熱處理：簡單地將晶圓加熱和冷卻來到達特定結(jié)果制程。4.2 集成電路（IC） 制造 四、芯片制造第32頁4.2.2 集成電路制造過程增層工藝設(shè)備- 氧化爐 氧化爐為半導(dǎo)體材料進行氧化處理，提供要求氧化氣氛，實現(xiàn)半導(dǎo)體預(yù)期設(shè)計氧化處理過程，是半導(dǎo)體加工過程不可缺乏一個步驟。國內(nèi)設(shè)備廠性質(zhì)業(yè)務(wù)范圍年產(chǎn)值北方華創(chuàng)國企刻蝕、氣相沉淀，清洗設(shè)備16.22億青島福潤德民

25、企半導(dǎo)體專用設(shè)備，列車設(shè)備-中電科四十八所國企微電子，半導(dǎo)體，光伏，窯爐。小規(guī)模青島旭光儀表民企控制、真空、熱工技術(shù)小規(guī)模中電科四十五所國企電子器件工藝設(shè)備技術(shù)、整機研發(fā)和制造。-國外設(shè)備廠性質(zhì)業(yè)務(wù)范圍Thermco Systems企業(yè)英國擴散爐、LPCVD、氧化爐、退火爐、合金化爐。Centrotherm Thermal Solutions GmbH Co.KG 企業(yè)德國半導(dǎo)體器件，電子元件 ，電子電氣設(shè)備 ，化學(xué)藥品和化裝品 。 四、芯片制造第33頁4.2.3 集成電路制造過程增層工藝設(shè)備-低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)（LPCVD）國內(nèi)設(shè)備廠性質(zhì)業(yè)務(wù)范圍年產(chǎn)值北方華創(chuàng)國企半導(dǎo)體、真空裝備、鋰電池，

26、精密元件。16.22億中電科四十八所研究所國家微級電子、太陽能電池、光電材料、電力電子、磁性材料專用設(shè)備研發(fā)及生產(chǎn)專業(yè)機構(gòu)。小規(guī)模中電科四十五所研究所國內(nèi)專門從事電子元器件關(guān)鍵工藝設(shè)備技術(shù)、設(shè)備整機系統(tǒng)以及設(shè)備應(yīng)用工藝研究開發(fā)和生產(chǎn)制造國家重點科研生產(chǎn)單位。-國外設(shè)備廠性質(zhì)業(yè)務(wù)范圍semco 韓國從事消費性電子、半導(dǎo)體制造、面板、家電等業(yè)務(wù)，三星子企業(yè)。日立日本半導(dǎo)體，家電，汽車等行業(yè)綜合企業(yè)。Applied Materials美國應(yīng)用材料企業(yè)是當前世界上最大半導(dǎo)體設(shè)備廠家，業(yè)務(wù)范圍廣泛，包含半導(dǎo)體，平板，及太陽能相關(guān)設(shè)備。 四、芯片制造第34頁4.2.4 集成電路制造光刻工藝設(shè)備-光刻機國內(nèi)

27、設(shè)備廠性質(zhì)業(yè)務(wù)范圍備注中電科四十八所研究所國家微級電子、太陽能電池、光電材料、電力電子、磁性材料專用設(shè)備研發(fā)及生產(chǎn)專業(yè)機構(gòu)。-中電科四十五所研究所國內(nèi)專門從事電子元器件關(guān)鍵工藝設(shè)備技術(shù)、設(shè)備整機系統(tǒng)以及設(shè)備應(yīng)用工藝研究開發(fā)和生產(chǎn)制造國家重點科研生產(chǎn)單位。-上海微電子裝備國企SMEE主要致力于半導(dǎo)體裝備、泛半導(dǎo)體裝備、高端智能裝備開發(fā)、設(shè)計、制造、銷售及技術(shù)服務(wù)。低端光刻機國外設(shè)備廠性質(zhì)業(yè)務(wù)范圍ASML企業(yè)荷蘭ASML為半導(dǎo)體生產(chǎn)商提供光刻機及相關(guān)服務(wù)，他產(chǎn)品是當前應(yīng)用最為廣泛高端光刻機型。Lam Research美國薄膜沉積、等離子刻蝕、光刻、晶片清洗等前道工藝方案及設(shè)備。營業(yè)收入80億美元。

28、尼康企業(yè)日本光學(xué)產(chǎn)品，光刻機。Canon企業(yè)日本光學(xué)產(chǎn)品，光刻機。ABM企業(yè)美國主要經(jīng)營光罩對準曝光機（光刻機），單獨曝光系統(tǒng),光強儀/探針。光刻機系統(tǒng)極為復(fù)雜，是當前國內(nèi)與國外差距最大集成電路設(shè)備。 四、芯片制造第35頁4.2.5 集成電路制造光刻工藝設(shè)備-反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)（RIE）國內(nèi)設(shè)備廠性質(zhì)業(yè)務(wù)范圍年產(chǎn)值中電科四十八所研究所國家微級電子、太陽能電池、光電材料、電力電子、磁性材料專用設(shè)備研發(fā)及生產(chǎn)專業(yè)機構(gòu)。-北方華創(chuàng)國企半導(dǎo)體、真空裝備、鋰電池，精密元件。16.22億中微半導(dǎo)體設(shè)備合資一家面向全球微觀加工高端設(shè)備企業(yè)，為半導(dǎo)體行業(yè)及其它高科技領(lǐng)域服務(wù)。，主營業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體刻蝕系統(tǒng)。17億人

29、民幣左右國外設(shè)備廠性質(zhì)業(yè)務(wù)范圍Evatech日本主營清洗機，顯影機，刻蝕機，OLED用蒸鍍設(shè)備，OLED玻璃基板等。NANO-MASTER美國主要包含薄膜工藝沉積和刻蝕設(shè)備，兆聲清洗刻蝕系統(tǒng),光學(xué)涂覆系統(tǒng)、空間器件測試系統(tǒng)等。JuSung韓國半導(dǎo)體設(shè)備、顯示器、光伏電池、照明設(shè)備SAMCO日本半導(dǎo)體制造設(shè)備，包含沉積、刻蝕，清洗設(shè)備。集成電路刻蝕設(shè)備與國外差距相對較小，一些國產(chǎn)設(shè)備含有一定競爭力。 四、芯片制造第36頁4.2.6 集成電路制造摻雜工藝設(shè)備-離子注入機國內(nèi)設(shè)備廠性質(zhì)業(yè)務(wù)范圍年產(chǎn)值北京中科信（中電科四十八所）國企國家微級電子、太陽能電池、光電材料、電力電子、磁性材料專用設(shè)備研發(fā)及生

30、產(chǎn)專業(yè)機構(gòu)。-國外設(shè)備廠性質(zhì)業(yè)務(wù)范圍應(yīng)用材料，收購Varian美國收購后壯大了離子注入機市場份額，應(yīng)用材料企業(yè)是當前世界上最大半導(dǎo)體設(shè)備廠家，業(yè)務(wù)范圍廣泛，包含半導(dǎo)體，平板，及太陽能相關(guān)設(shè)備。AXCELIS美國該企業(yè)主要產(chǎn)品為高能離子注入機。AIBT美國該企業(yè)主要產(chǎn)品低能離子注入機。離子注入機是當代集成電路制造中極為昂貴和復(fù)雜機器之一，其工作原理結(jié)合了加速器物理、真空系統(tǒng)、機械傳送和系統(tǒng)控制等技術(shù)。當前國內(nèi)極少單位有能力研發(fā)，與國外差距巨大。 四、芯片制造第37頁目 錄1234芯片原材料介紹5芯片制造背景介紹芯片設(shè)計芯片封測6投資分析第38頁395.1.1 封裝工藝過程芯片封裝前段操作后段操作

31、硅片減薄芯片切割硅片貼裝芯片互連塑料封裝去飛邊毛刺切筋成形上焊錫打碼 五、芯片封測5.1 芯片封裝第39頁405.1.2 芯片封裝廠現(xiàn)實狀況-排名廠家國籍/地域營收（億$）市場占比（%）1日月光（ASE）臺灣48.7125.12安靠（Amker）美國38.9420.13長電科技（JCET）中國大陸28.9914.94矽品（SPIL）臺灣26.4113.65力成（Powertech）臺灣15.017.76聯(lián)合科技（UTAC）新加坡8.754.57天水華天（Huatian）中國大陸8.234.28通富微電（TFAMD）中國大陸6.883.59京元電子（KYEC）臺灣6.243.210南茂科技（Ch

32、ipMos）臺灣5.833.0前十大企業(yè)累計193.99100 五、芯片封測第40頁5.1.3 封裝設(shè)備引線鍵合機國內(nèi)設(shè)備廠性質(zhì)業(yè)務(wù)范圍年產(chǎn)值中國電科央企覆蓋電子信息全領(lǐng)域，為各種平臺提供各類關(guān)鍵元器件企業(yè)集團尚進自動化民企專注半導(dǎo)體封裝設(shè)備和精密自動化裝備高科技企業(yè)廣東華中科技大學(xué)工業(yè)技術(shù)研究院校辦企業(yè)數(shù)控裝備、電子制造、信息技術(shù)、材料模具等順昱自動化民企研發(fā)生產(chǎn)全自動超聲波粗鋁絲壓焊機、鋁帶鍵合機、超聲波金絲球焊機、超聲波鋁絲壓焊機等半導(dǎo)體封裝設(shè)備國外設(shè)備廠性質(zhì)業(yè)務(wù)范圍PALOMAR美國半導(dǎo)體設(shè)備開發(fā)與研究，服務(wù)于軍工及高科技領(lǐng)域高端封裝設(shè)備供給。F&K德國提供從單機到完整全自動生產(chǎn)線任何

33、封裝問題處理方案。全自動引線鍵合機 五、芯片封測第41頁42國內(nèi)設(shè)備廠性質(zhì)業(yè)務(wù)范圍年產(chǎn)值煌牌企業(yè)民營工業(yè)機器人集成、SMT自動設(shè)備、元利盛臺企電子實裝與封裝整合技術(shù)翌貝拓企業(yè)民營Led貼片機及自動化設(shè)備處理方案北京博瑞精電民營SMT整體流程設(shè)備ASM香港半導(dǎo)體封裝及電子產(chǎn)品生產(chǎn)全部工藝步驟提供技術(shù)和處理方案設(shè)備制造商國外設(shè)備廠性質(zhì)業(yè)務(wù)范圍雅馬哈日本半導(dǎo)體電子產(chǎn)品、音效產(chǎn)品、樂器等大型集團JUKI日本SMT貼片機及工業(yè)縫紉機西門子德國電氣化、自動化和數(shù)字化產(chǎn)品三星韓國多元化集團日立日本家用電器、電腦產(chǎn)品、半導(dǎo)體、產(chǎn)業(yè)機械等產(chǎn)品環(huán)球儀器美國電路板裝配設(shè)備供給商高速貼片機5.1.3 封裝設(shè)備貼片機 五、芯片封測第42頁43國內(nèi)設(shè)備廠性質(zhì)業(yè)務(wù)范圍年產(chǎn)值A(chǔ)SM香港半導(dǎo)體封裝及電子產(chǎn)品