高K材料薄膜的制備

1、電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment高K柵介質(zhì)薄膜的制備報(bào)告人: 2014/11/291電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment緒論RCA清洗工藝高K柵介質(zhì)薄膜制備方法原子層沉積ALD參考文獻(xiàn)目錄2電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipmen

2、t緒論緒論摩爾定律：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,集成電路的集成度不斷增大,器件的尺寸不斷縮小。MOSFET尺寸縮小到0.1m以下EOT小于3nm。高K材料高介電常數(shù)確保足夠的物理厚度降低由隧穿引起的漏電流二氧化鉿：排除氧化層形成；優(yōu)良的界面特性；良好熱穩(wěn)定性與抗腐蝕性；低的漏電流 和超高穩(wěn)定度；高介電系數(shù)；較寬的禁帶寬度；高的折射率；較高的抗激光損傷閾值；與Si有很好的晶格匹配；在紫外到紅外范圍內(nèi)透射率較高3電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical I

3、nsulation and Power EquipmentRCA標(biāo)準(zhǔn)清洗工藝RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗法(Radio Corporation of American (RCA) standard cleaning procedure)是1965年由Kern等人在RCA實(shí)驗(yàn)室首創(chuàng)的，并由此而得名。不同的清洗工藝是針對(duì)不同的表面結(jié)構(gòu)和污染物種類而制定的。在隨后的沖洗、烘干過(guò)程中污染物顆粒將會(huì)留在清洗液中,從而達(dá)到清洗效果。然而,污染物顆粒并不能完全進(jìn)入清洗液中而被沖洗掉。硅片清洗流程中便采用了反復(fù)利用強(qiáng)氧化劑生成氧化膜然后再腐蝕的方法來(lái)達(dá)到更好的清洗效果。一般來(lái)講其表面污染物主要包含有機(jī)雜質(zhì)沾污、顆粒沾污和金

4、屬離子沾污。因此,清洗溶液的選擇要根據(jù)污染物的特點(diǎn)而制定。有機(jī)雜質(zhì)沾污有機(jī)劑的溶解作用金屬離子沾污化學(xué)方法4電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power EquipmentRCA標(biāo)準(zhǔn)清洗工藝含硫酸的酸性過(guò)氧化氫含胺的弱堿性過(guò)氧化氫氫氟酸溶液含鹽酸的酸性過(guò)氧化氫RCA清洗流程主要有:SC一1DHFSC一21、SC一1SC一1溶液主要用來(lái)去除顆粒沾污和部分金屬雜質(zhì)。2、DHF氫氟酸溶液可用于去除SC一1溶液清洗時(shí)產(chǎn)生的自然氧化膜,化學(xué)反應(yīng)式為:SiO2+6HF H2SiF6+2H2O2.3、SC一2溶液

5、SC一2酸性溶液可再次對(duì)自然氧化膜進(jìn)行腐蝕從而達(dá)到對(duì)金屬雜質(zhì)的清洗效果。5電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment在120oC的溫度下的SPM溶液（H2SO4:H2O2=1:3）中清洗5分鐘，以除去硅片表面的有機(jī)物與金屬污染物；在去離子水（DI Water）中漂洗，以除去SPM和雜質(zhì)；在HF溶液（HF:H2O=1:50）清洗1分鐘，除去硅片表面的SiO2；在DI Water中漂洗，以除去殘留的HF溶液；在80-90oC條件下的SC-1溶液（NH4OH:H2O2:H2O=1:1

6、:5）中清洗10分鐘，依靠NH4OH的溶解能力和H2O2的強(qiáng)氧化能力將有機(jī)污染物或附著的顆粒去除掉，同時(shí)NH4OH也可與某些金屬污染物反應(yīng)形成絡(luò)合物而除去這些金屬污染物；在DI Water中漂洗，以除去SC-1溶液和雜質(zhì)；在HF溶液（HF:H2O=1:50）中清洗1分鐘，除去硅片表面的SiO2；在DI Water中再次漂洗，以除去殘留的HF酸；在80-90oC下的SC-2溶液（HCl:H2O2:H2O=1:1:6）中清洗10分鐘，以去除堿金屬（如Na、Ca、K等）及過(guò)渡元素的污染物；在DI Water中漂洗，以除去多于的SC-2溶液；在HF溶液（HF:H2O=1:50）清洗1分鐘，除去硅片表面

7、的SiO2，最后用純凈的N2吹干；RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗工藝6電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment高K柵介質(zhì)薄膜制備方法化學(xué)氣相沉積（CVD）原子層沉積（ALD）物理氣相沉積（PVD）真空蒸鍍?yōu)R射鍍膜電弧等離子體鍍膜離子鍍膜分子束外延7電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment制備方法沉積原理沉積過(guò)程均勻性臺(tái)階覆蓋性膜厚控制化學(xué)成分沉積溫度沉積速率ALD表面反應(yīng)層

8、狀生長(zhǎng)優(yōu)秀優(yōu)秀反應(yīng)循環(huán)次數(shù)均勻，雜質(zhì)少低慢PVD蒸發(fā)-凝固成核長(zhǎng)大一般一般沉積時(shí)間雜質(zhì)少低快CVD氣相反應(yīng)成核長(zhǎng)大較好較好沉積時(shí)間氣相分壓易含雜質(zhì)高高表2- 1常用高k柵介質(zhì)制備工藝比較高K柵介質(zhì)薄膜制備方法8電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment 化學(xué)氣相沉積/物理氣相沉積物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)技術(shù)表示在真空條件下，采用物理方法，將材料源固體或液體表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過(guò)低壓氣體（或等離子體）過(guò)程

9、，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。 鍍料的氣化鍍料原子、分子或離子的遷移鍍料原子、分子或離子在基體上沉積物理氣相沉積技術(shù)工藝步驟物理氣相沉積技術(shù)工藝優(yōu)點(diǎn)過(guò)程簡(jiǎn)單對(duì)環(huán)境改善，無(wú)污染耗材少成膜均勻致密與基體的結(jié)合力強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Chemical vapor deposition，CVD)是反應(yīng)物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成固態(tài)物質(zhì)沉積在加熱的固態(tài)基體表面，進(jìn)而制得固體材料的工藝技術(shù)。9電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment原子層沉積法ALD的發(fā)展和優(yōu)點(diǎn)ZnS:

10、Mn薄膜上世紀(jì)70年代III-V族半導(dǎo)體薄膜、非晶（多晶）薄膜上世紀(jì)80年代納米級(jí)薄膜20世紀(jì)80年代原子層沉積在薄膜制備上的優(yōu)點(diǎn)可以通過(guò)控制反應(yīng)周期數(shù)簡(jiǎn)單精確地控制薄膜的厚度，形成達(dá)到原子層厚度精度的薄膜；不需要控制反應(yīng)物流量的均一性前驅(qū)體是飽和化學(xué)吸附，保證生成大面積均勻性的薄膜可生成極好的三維保形性化學(xué)計(jì)量薄膜，可作為臺(tái)階覆蓋和納米孔材料的圖層可以沉積多組分納米薄層和混合氧化物薄膜生長(zhǎng)可在低溫（從室溫到400oC）下進(jìn)行可廣泛適用于各種形狀的襯底。10電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Powe

11、r Equipment原子層沉積法ALD的原理和工藝流程原子層沉積技術(shù)的原理原子層沉積的基礎(chǔ)是位于襯底表面的交替飽和反應(yīng)，這一過(guò)程中，前體反應(yīng)物交替獨(dú)立地進(jìn)入反應(yīng)腔，但是彼此并不直接發(fā)生反應(yīng)，而是與前面已經(jīng)吸附在襯底表面的其他前體反應(yīng)物進(jìn)行反應(yīng)。所以使用ALD生長(zhǎng)的薄膜，具有良好的保持性、一致性、可重復(fù)和數(shù)字化精確控制性等優(yōu)點(diǎn)ALD自限制生長(zhǎng)原理原子層沉積的表面吸附反應(yīng)具有自限制性即在單周期薄膜沉積過(guò)程中,第一種反應(yīng)前驅(qū)體輸入到襯底材料表面并通過(guò)化學(xué)吸附(飽和吸附)沉積在表面。當(dāng)?shù)诙N前驅(qū)體通入反應(yīng)腔,就會(huì)與己吸附于襯底材料表面的第一種前驅(qū)體發(fā)生反應(yīng)。兩種前驅(qū)體之間會(huì)發(fā)生置換反應(yīng)并產(chǎn)生相應(yīng)的副

12、產(chǎn)物,直到吸附在表面的第一種前驅(qū)體提供的反應(yīng)空位完全消耗,反應(yīng)會(huì)自動(dòng)停止并形成需要的薄膜。11電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment原子層沉積法ALD的原理和工藝流程原子層沉積法的工藝流程圖12電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment原子層沉積法ALD前驅(qū)體特性在原子層沉積過(guò)程中,要生長(zhǎng)出高質(zhì)量的薄膜,反應(yīng)前驅(qū)體應(yīng)具有一定的揮發(fā)性和穩(wěn)定性。而前驅(qū)體和襯底材

13、料以及前驅(qū)體之間的反應(yīng)是能夠?qū)崿F(xiàn)原子層沉積的重要因素。反應(yīng)前驅(qū)體的揮發(fā)性原子層沉積要求反應(yīng)前驅(qū)體在進(jìn)入反應(yīng)器時(shí)具有很好的揮發(fā)性,這樣能夠保證反應(yīng)劑有效的傳輸,使原子層沉積反應(yīng)不受前驅(qū)體流量控制。反應(yīng)前驅(qū)體的化學(xué)穩(wěn)定性及其反應(yīng)性該技術(shù)所使用的前驅(qū)體物質(zhì)必須能夠迅速在材料表面進(jìn)行化學(xué)吸附,保證在較短的循環(huán)時(shí)間內(nèi)在材料表面達(dá)到飽和吸附;或與材料表面基團(tuán)快速有效的反應(yīng)(吸附),使表面膜具有高的純度,避免在反應(yīng)器中發(fā)生氣相反應(yīng)而增加薄膜缺陷惰性氣體的清理作用原子層沉積過(guò)程中,在不同前驅(qū)體脈沖注入之間必須要通入惰性氣體以清理反應(yīng)器。13電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory

14、 of Electrical Insulation and Power EquipmentALD前驅(qū)體種類ALD淀積材料金屬源氧源工藝Al2O3AlCl3Al(OCH(CH3)2)3*Al(OCH(CH3)2)3*Al(CH3)2ClAl(CH3)3H2OH2O2O2AlCl3+H2OAl(CH3)3+H2OTiO2TiCl4, TiO4Ti(OC2H5)4*Ti(OCH(CH3)2)4*H2OH2O2O2TiCl4+H2OTi(OC2H5)4+H2OTi(OCH(CH3)2)4+H2OZrO2ZrCl4, ZrI4Zr(OC(CH3)3)4*H2OH2O2ZrCl4+H2OHfO2HfCl4

15、, HfCl4Hf(NO3)4H2OO2HfCl4+H2OHf(NO3)4+H2O常用高k柵介質(zhì)材料及其ALD淀積工藝14電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment原子層沉積技術(shù)的應(yīng)用晶體管柵極介電層(high一k)和金屬柵電極(metalgate)微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS）光電子材料和器件集成電路互連線擴(kuò)散阻擋層平板顯示器(有機(jī)光發(fā)射二極管材料,OLED）互連線勢(shì)壘層互連線銅電鍍沉積籽晶層(Seedlayer)DRAM、MRAM介電層嵌入式電容各類薄膜(l00nm）15電力設(shè)

16、備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment原子層沉積技術(shù)實(shí)例南開(kāi)大學(xué)的張俊杰等人采用美國(guó)cambridgeNanoTech公司生產(chǎn)的Savannah一100型原子層沉積器制備沉積了HfO2薄膜。ALD程序控制界面a、打開(kāi)N2,動(dòng)力氣壓強(qiáng)設(shè)定:0.5Mpa,載氣壓強(qiáng)設(shè)定:0.14Mpa;b、打開(kāi)電源控制箱c、打開(kāi)機(jī)械泵d、打開(kāi)控制軟件(反應(yīng)腔與泵之間的閥自動(dòng)打開(kāi)e、設(shè)定溫度，注意觀察設(shè)定溫度與檢測(cè)溫度f(wàn)、當(dāng)反應(yīng)腔溫度達(dá)到60左右,點(diǎn)擊vent按鈕,給腔內(nèi)充氣,然后開(kāi)蓋放入硅片,關(guān)閉g、

17、繼續(xù)抽真空,直至腔內(nèi)壓強(qiáng)平穩(wěn)h、設(shè)定前驅(qū)體溫度i、設(shè)定反應(yīng)配方:生長(zhǎng)50nm的HfO2薄膜j、反應(yīng)結(jié)束取出樣品,關(guān)閉設(shè)備。16電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment原子層沉積技術(shù)實(shí)例HfO2薄膜的高溫?zé)崽幚韺悠吩诒?、乙醇溶液中超聲清洗后?jīng)氮?dú)獯蹈?放入退火爐中進(jìn)行氮?dú)夥諊邷責(zé)崽幚順悠窐?biāo)號(hào)退火溫度退火時(shí)間1N/AN/A260030min380030min490030min5100030min樣品高溫退火參數(shù)退火過(guò)程采用的設(shè)備是天津中環(huán)實(shí)驗(yàn)電爐有限公司生產(chǎn)的三段式真空管式

18、爐，最高溫度可達(dá)1200。17電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment原子層沉積技術(shù)實(shí)例真空蒸鍍鋁電極真空鍍膜就是在真空容器中把蒸發(fā)金屬源材料加熱到相當(dāng)高的溫度,使其原子或分子獲得足夠的能量,脫離材料表面的束縛而蒸發(fā)到真空中成為蒸氣原子或分子,并以直線運(yùn)動(dòng)穿過(guò)空間,當(dāng)遇到待淀積的基片(如硅片)時(shí),就沉積在基片表面,形成一層薄的金屬膜.真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備示意圖蒸鋁前的準(zhǔn)備工作1、硅片的處理2、鋁的清潔處理3、蒸發(fā)源加熱器的清潔處理18電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Ke

19、y Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment薄膜測(cè)試原子力顯微鏡(AFM)基本原理將一個(gè)對(duì)微弱力極其敏感的微懸臂一端固定,另一端有一個(gè)微小的針尖,針尖與樣表面輕輕接觸,由于針尖頂端原子與樣品表面之間存在極其微弱的排斥力,通過(guò)在掃描時(shí)控制這個(gè)力的恒定,帶有針尖的微懸臂將對(duì)應(yīng)于針尖與樣品表面原子間作用力的等位面,而在垂直于樣品表面的方向上起伏運(yùn)動(dòng)。然后通過(guò)光學(xué)檢測(cè)法或者隧道電流檢測(cè)法,測(cè)得微懸臂對(duì)應(yīng)于掃描各點(diǎn)的位置變化,從而可以獲得樣品表面的形貌信息。激光檢測(cè)原子力顯微鏡探針工作示意圖原子力顯微鏡可用來(lái)研究包括絕緣體在內(nèi)的固體材

20、料表面結(jié)構(gòu),對(duì)樣品無(wú)特殊要求。19電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment薄膜測(cè)試原子力顯微鏡(AFM)筆者選取了未經(jīng)過(guò)退火的HfO2薄膜和在N2條件下經(jīng)600、1000高溫退火30分鐘的HfO2薄膜進(jìn)行了原子力顯微鏡測(cè)試a)未退火樣品、b)600、c)1000退火樣品的原子力顯微測(cè)試圖像a)為未經(jīng)退火樣品的AFM掃描圖像,掃描范圍500nmX500nm,凹凸范圍14nm,表面粗糙 度為0.767nm;b)為600退火后樣品的AFM掃描圖像,掃描范圍562.9nmx562.9

21、nm,凹凸范圍20nm, 表面粗糙度為1.500nm;c)為1000退火后樣品的AFM掃描圖像,掃描范圍1.75mXI.75m,凹凸范圍24nm,表面粗糙度2.693nm。20電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment薄膜測(cè)試X射線光電子能譜(XPS)基本原理當(dāng)具有一定能量的X射線作用于樣品表面時(shí),由于光電效應(yīng),可將樣品表面原子中電子激發(fā)出來(lái),產(chǎn)生光電子。這些光電子帶有樣品表面信息,并具有特征動(dòng)能。然后通過(guò)能量分析器收集并研究它們的能量分布,經(jīng)檢測(cè)記錄光電子信號(hào)強(qiáng)度與光電子能量

22、的關(guān)系曲線,即得到X射線光電子能譜。多功能電子能譜儀X射線能譜儀的主要結(jié)構(gòu):進(jìn)樣室、超高真空系統(tǒng)、X射線激發(fā)源、離子源、電子能量分析器、檢測(cè)器系統(tǒng)、荷電中和系統(tǒng)及計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)采集和處理系統(tǒng)等組成。這些部件都包含在一個(gè)超高真空封套中,通常用不銹鋼制造,一般用金屬作電磁屏蔽21電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment薄膜測(cè)試X射線光電子能譜(XPS)XPS除了可以根據(jù)測(cè)得的電子結(jié)合能確定樣品的化學(xué)成份外,最重要的應(yīng)用在于確定元素的化合價(jià)態(tài)。XPS可以分析導(dǎo)體、半導(dǎo)體甚至絕緣體表面的

23、價(jià)態(tài),這也是XPS的一大特色,是區(qū)別于其它表面分析方法的主要特點(diǎn)。此外,配合離子束剝離技術(shù)和變角XPS技術(shù),還可以進(jìn)行薄膜材料的深度分析和界面分析。優(yōu)點(diǎn)可測(cè)除H、He以外的所有元素，無(wú)強(qiáng)矩陣效應(yīng)亞單層靈敏度：探測(cè)深度120單層，依賴材料和實(shí)驗(yàn)參數(shù)定量元素分析優(yōu)異的化學(xué)信息，化學(xué)位移和衛(wèi)星結(jié)構(gòu)與完整的標(biāo)準(zhǔn)化合物數(shù)據(jù)庫(kù)聯(lián)合使用X射線束造成的損傷通常微不足道詳細(xì)的電子結(jié)構(gòu)和某些幾何信息缺點(diǎn)由于XPS通常采集了更多的細(xì)節(jié)信息，典型的數(shù)據(jù)采集比較慢使用Ar離子濺射作深度剖析時(shí)，不容易在實(shí)際濺射的同時(shí)采集XPS數(shù)據(jù)橫向分辨路較低，15（小面積），3（成像）XPS分析技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)22電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)

24、實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment薄膜測(cè)試X射線光電子能譜(XPS)XPS測(cè)試結(jié)果分析全譜掃描在HfO2樣品中筆者對(duì)未退火、600退火和1000退火的樣品進(jìn)行了XPS全譜掃描，如下圖所示?？梢钥闯?在表面元素分析中,檢測(cè)到了鉛(Hf 4f,Hf 4d,Hf 4p)、碳(C 1s)、硅(Si 2P,Si 2s)、氧(O 1s)元素的光電子峰位。我們認(rèn)為,退火后Si光電子峰值有所增強(qiáng),這是高溫退火時(shí)襯底中硅元素?cái)U(kuò)散的結(jié)果.試樣C（at.%)O(at.%)Hf(at.%)O:Hf未退火39.5645

25、.2915.152.989:160020.9859.4019.623.028:1100026.7455.7717.503.187:1HfO2薄膜XPS表面元素含量分析報(bào)告23電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment薄膜測(cè)試X射線衍射(XRD)X射線的衍射圖案能夠提供結(jié)構(gòu)、相、擇優(yōu)晶體取向(織構(gòu))及其它諸如平均晶粒尺寸、結(jié)晶、應(yīng)力和晶體缺陷的結(jié)構(gòu)參數(shù)。它是一項(xiàng)無(wú)損傷晶體材料進(jìn)行特征描述的技術(shù),可以進(jìn)行物相分析、晶體結(jié)構(gòu)分析、晶粒度測(cè)定、晶體定向、宏觀應(yīng)力分析等工作。X射線與物質(zhì)相互作用時(shí),從能量轉(zhuǎn)換角度而言會(huì)出現(xiàn)散射、吸收、透過(guò)現(xiàn)象。其中散射分為相干散射和不相干散射。X射線熒光衍射基本原理：利用初級(jí)X射線光子或其他微觀離子激發(fā)待測(cè)物質(zhì)中的原子，使之產(chǎn)生熒光(次級(jí)X射線)而進(jìn)行物質(zhì)成分分析和化學(xué)態(tài)研究的方法。當(dāng)原子受到X射線光子(原級(jí)X射線)或其他微觀粒子的激發(fā)使原子內(nèi)層電子電離而出現(xiàn)空位，原子內(nèi)層電子重新配位，較外層的電子躍遷到內(nèi)層電子空位，并同時(shí)放射出次級(jí)X射線光子，此即X射線熒光。