silvacoTCAD仿真速成手冊(cè)

1、silvacoTCAD 仿真速成手冊(cè)kongfuzi433次 時(shí)間：2022226日 09:01silvaco TCAD 仿真速成手冊(cè)1章: 簡介SILVACO TCAD旨在幫助用戶在幾分鐘時(shí)間內(nèi)快速并成功安裝和運(yùn)行該軟件。該指南也演示如何快速有效查看手冊(cè)，查找仿真器中使用的全部本規(guī)章。關(guān)于進(jìn)一步的閱讀和參考，用戶可參照SILVACO網(wǎng)站的技術(shù)支2章: 快速入門: DeckBuild運(yùn)行時(shí)間環(huán)境窗口“DeckBuild“SILVACOTCADDeckbuild DOE，強(qiáng)大的參數(shù)提取程序和使得輸入文件中的參數(shù)變量化。學(xué)、磁力工藝類型，便于首次使用該工具的用戶。使用入門用戶可翻開一個(gè)把握窗口，創(chuàng)

2、立一個(gè)名目，用于保存該指南范例“tutorial,“ 的名目，在把握窗口鍵入：mkdirtutorialcdtutorialdeckbuild運(yùn)行環(huán)境：deckbuild2.1DeckBuild運(yùn)行時(shí)間環(huán)境。GUI示運(yùn)行輸入文件時(shí)創(chuàng)立的輸出。2.1 DeckBuild GUI: 載入和運(yùn)行范例輸入文件可以由用戶創(chuàng)立或者從范例庫中加載。 為了生疏軟件deckbuild運(yùn)行時(shí)間環(huán)境GUI載入范例，可點(diǎn)擊：MainControl.Examples(范例).472.2顯示首15個(gè)類型范例。要查看剩余的類別，則使用窗口右側(cè)的滑動(dòng)條滾動(dòng)選擇。2.2 15DeckBuild 范例別“MOS1MOSAppli

3、cation Examples，“ 2.3顯示15個(gè)范例。2.3 MOS 應(yīng)用范例列表“NMOS :Id/VgsandThresholdVoltageExtraction“，可查看該范例的解2.4顯示。 滾動(dòng)拉下窗口可掃瞄全部解釋。2.4 范例描述窗口DeckBuild“DeckBuild: “ 窗口右上部的“Load Example“ DeckBuild主2.5顯示。2.5 DeckBuild已載入輸入文件按下“run“ 按鈕即可運(yùn)行范例。運(yùn)行完成后，屏幕消滅兩個(gè)圖。Vg 相對(duì) Id2.62.7所示。 一旦選中“Load Example“ 按鈕，構(gòu)造文件和線圖既加載在當(dāng)前工作名目中，因此不必

4、運(yùn)行仿真即可掃瞄結(jié)果。2.6 顯示網(wǎng)路摻雜的工藝仿真構(gòu)造2.7VgId的器件仿真線圖: 查看結(jié)果SILVACO的掃瞄工具“TonyPlot“是一個(gè)功能豐富的繪圖工具。SILVACOTCAD軟件包將自動(dòng)包含僅該文件，供繪圖之用。例如在構(gòu)造文件繪圖中，假設(shè)想要繪制其他變量如“DonorConcentration“, 則如下點(diǎn)擊：Plot.Display.Define.Contours.然后向下滾動(dòng)選擇“Quantity:“ GUI 2.8。選擇的參量并點(diǎn)擊“Apply“。2.8 GUI運(yùn)行時(shí)常需要查看一個(gè)圖表的“cutline“OK,“ 然后返回主要視圖和選擇以下命令：Tools.Cutline.

5、方框，但在“cutline“ GUI中cutlinecutline起點(diǎn)處點(diǎn)擊并按住鼠標(biāo)左鍵。豎向直拖動(dòng)鼠標(biāo)，到cutline終點(diǎn)處松開鼠e圖表將自動(dòng)顯示當(dāng)前現(xiàn)實(shí)的參量的。cutline“OK“ 鍵。cutline圖上掩蓋顯示其他變量，則左擊線圖，使之變?yōu)楫?dāng)前視圖圖表的白色邊框表示它為激活現(xiàn)行圖表。然后點(diǎn)擊：Plot.Display.來選擇要掩蓋在線圖上的其它參量。 例如，假設(shè)在線圖上添加 Id 曲線也有相像命令，使它可以在線圖上掩蓋顯示其它電學(xué)參量。2.9Cutline圖“tonyplotDeckBuild中，通過高亮文件名并按以下挨次操作命令，直接繪制構(gòu)造。Tools.Plot.PlotSt

6、ructure要自動(dòng)繪制一個(gè)仿真中創(chuàng)立的構(gòu)造文件，只需簡潔添加語句：structure outfile=tonyplot至輸入文件，仿真器將保存創(chuàng)立的器件文件直至輸入文件中該 點(diǎn)。仿真器在到達(dá)該點(diǎn)之后，即自動(dòng)繪制構(gòu)造。用戶可在仿真過程中的任意點(diǎn)繪制任意數(shù)目的構(gòu)造文件。2.4: 自動(dòng)創(chuàng)立和編輯輸入文件TCAD 范例的結(jié)件。ASCII文本格式，因此它可使用任何 ASCII 工藝仿真輸入文件。步驟，該方法同樣用于創(chuàng)立整個(gè)輸入文件。一旦使用“l(fā)ine“和“init“ 語句參見載入范例的首幾行定義了仿真空間和初始襯底，工藝仿真則僅包含很多連續(xù)的集中、植入、蝕DeckBuild自動(dòng)編寫?；氐捷斎胛募姆独?/p>

7、中， 假設(shè)打算在第一步之后添加一個(gè)低能 P-well Commands.Process.Implant“DeckBuild: ATHENA Implant“ 視窗。創(chuàng)立額外10keV 硼注入, 1e11/cm2 7 27GUI 2.10所示。完成輸入信息后，點(diǎn)擊“Write“，輸入文件中則消滅一個(gè)行。2.10 GUI同樣的方式可創(chuàng)立淀積、注入、集中、電極、創(chuàng)立網(wǎng)格、晶元初始化，構(gòu)造文件保存等等. ASCII 文本，要在DeckBuild中附帶的復(fù)制、粘貼和刪除功能。3章: 簡易使用手冊(cè)和自學(xué)方法該手冊(cè)很厚，乍看可能使人有點(diǎn)畏縮的。所以本章節(jié)將為用戶演示如何簡便使用范例掃瞄手冊(cè)，從而找到特定信息

8、。2.2“SRH“參數(shù)的用途。它消滅在輸入文件中器件仿真局部，位于“models“開頭的語句行?！罢Z句“models“SRH“ 的作“models statement“ 的信息。SILVACOPDF格式的用戶手冊(cè)。要查找器件仿真ATLAS用戶手冊(cè)。通過在把握臺(tái)和端子窗口中鍵入“sman“ 可啟動(dòng)“sman“ 工具，再通過“sman“ 工具可獲得3.1所示。3.1 ATLAS PDF用戶手冊(cè)此手冊(cè)最顯著的特征是“語句“章節(jié)。它包含器件仿真器按字母挨次“models“ 語句，點(diǎn)擊左邊的書“+“擴(kuò)展符號(hào)。 按字母挨次向下滾動(dòng)選擇“Models“ Models 語句旁邊的“+“ 擴(kuò)展符號(hào)，可以查看其內(nèi)

9、容?！癝RH“等于 Schottky ReadHall“ 的組合縮寫，即可點(diǎn)擊 Recombination Models Flags“SRH“ “MODELS“ 標(biāo)題，回到該章節(jié)開頭。這個(gè)章節(jié)的開頭是另一個(gè)與模型語句有關(guān)的參數(shù)，“SRH“ 以及默認(rèn)數(shù)值和單位。 一旦知曉其類型，便可向下滾動(dòng)在描述章節(jié)“Edit.Find.“ 功能在描述局部搜尋“SRH“。不管使用何種方法，都可以找到描述SRH 3.2所示。3.2 查找到“SRH“參數(shù)您想要了解使用參數(shù)的規(guī)章和方程，語句章節(jié)中關(guān)于“SRH“ 的描述3-290 3-290，可找到3.3SRH模型的完整描述。3.3 SRH模型的完整描述。僅需簡潔點(diǎn)擊

10、幾次鼠標(biāo)，即可找到用戶把握的方程中參數(shù)的含數(shù)?，F(xiàn)在您應(yīng)當(dāng)清楚如何使用用戶的范例了。4章: 其他互聯(lián)網(wǎng)信息SILVACO 的網(wǎng)站供給豐富的技術(shù)信息，它位于信息庫局部： HYPERLINK “ :/ silvaco /tech_lib/index.html“ :/ silvaco /tech_lib/index.html信息分為如下四個(gè)類別1/ 仿真標(biāo)準(zhǔn)(SILVACO出版)2/ 陳述材料3/ SILVACO軟件的書籍4/ 發(fā)表論文(同行技術(shù)文獻(xiàn)評(píng)論)SILVACOTCAD季度刊物，它包括具體的應(yīng)用和技巧。 SILVACO網(wǎng)站供給多年來發(fā)表的全部仿真標(biāo)準(zhǔn)刊物。使用搜尋功能，可查找您關(guān)心的課題?！癙

11、resentationMaterials” PowerPoint SILVACO TCAD 軟件編進(jìn)學(xué)生作業(yè)中。其它SILVACO SILVACO 軟件的教科書。Technical Library技術(shù)庫局部的最終兩個(gè)局部排列出教科SILVACO 軟件開發(fā)中使用的多個(gè)類別。SILVACO供給的簡潔搜尋功能框，您可快速有效地找到所需信息。總之，期望我們?cè)谶@里通過范例，充分為用戶演示了如何簡潔SILVACOTCAD 仿真。Mar/1012人逢喜事精神爽0 Comments| Posted byjieyoungin Life72pines話說找個(gè)silvaco for linux運(yùn)行了，根本符合。話說

12、回學(xué)校之后買了電腦，現(xiàn)在還很爽呀！Funny Stuff, LifeHideFeb/1025Backupthecurrentsystem0 Comments| Posted byjieyoungin ubuntu4了,走之前必需將當(dāng)前這個(gè)ubuntu個(gè)xp今日的主要任務(wù)是備份一些ubuntu錄用戶級(jí)別的mplayer/.mplayer看IPV6IPTV.m3uconky/.conkyrcrotorrent/.rtorrent.rc始終使用的中科大的源文件 source.list現(xiàn)在使用的定制的screenlets /.screenlets 文件夾(firefox)中的書簽,chromeGoog

13、le account保存life areafeedlist.opml經(jīng)常使用的腳本以及其配置文件/scripts以上文件都比較小,同步到ubuntu one下面的東西不得不動(dòng)用移動(dòng)硬盤了H-spice,Modelsim matlab Tcad使用的icon theme 當(dāng)前使用的pointer保存的資料/Documents背景圖片,呵呵/usr/share/backgound十幾G:Tools HideFeb/1024懶羊羊語錄0 Comments| Posted byjieyoungin Life幸福的日子，就是吃飽了撐著去睡覺的日子。班長，你看我的眼神多堅(jiān)決。我又得意，又有責(zé)任感，我到底犯

14、了什么錯(cuò)？灰太狼，大笨狼，永久斗不過喜羊羊，還要侍侯紅太狼?，F(xiàn)在你們才是矮冬瓜，我是高冬瓜。我是懶羊羊，我愛吃東西，吃很多東西，吃完東西要睡覺，睡個(gè)大懶覺，懶覺睡多了，再吃東西，再睡懶覺。 07處處睡覺就是有好處。我又做噩夢(mèng)了，感覺像是與狼共枕。為什么受傷的總是我。10喜羊羊：假設(shè)灰太狼變好，你會(huì)怎么樣？懶羊羊：很難過，由于這樣就不好玩了。 11我還沒睡醒那埋怨中既然這樣，先睡個(gè)覺再說吧ZZZ別阻礙我睡覺抓狂中我不想當(dāng)上校，我當(dāng)炊事班班長行嗎？牛氣沖天牛氣沖天991%的努力。每年到了這個(gè)時(shí)候，我都要思考上很久很久，這無疑是我一生中最苦痛的時(shí)刻。 16我什么都不做，是為了大家有時(shí)機(jī)發(fā)揮自己的特長

15、。村長，我成認(rèn)我確實(shí)是一只沒有恒心，沒有意志的小羊。時(shí)機(jī)可是靠自己把握的。我是不會(huì)和一般的羊一般見識(shí)的。聰明的羊總是會(huì)有意想不到的收獲的。你們都欺侮我，我告知村長去。你們就不能照看一下現(xiàn)在是女孩子的我嗎？我是為睡覺而生的貴重的羊。救命??！村長，喜羊羊賣小孩啦我也是只廢羊，經(jīng)常被沸羊羊他們笑。青蛙大哥，你還是拜我為師吧！我有得意的外表，惹人憐愛的表情，遇到危急的時(shí)候總是會(huì)有人來救我的。Funny Stuff HideFeb/1023goatlasComments| Posted byjieyoungin Circuits接著上一篇,athena”go altas”(真是有點(diǎn)湯姆.李.瓊斯在”fu

16、gitive”中的那句”gogethim”的感覺)“# set material models設(shè)定材料模型models cvt srh print ” field dependentmobilityisused “srh 指定S-R-H復(fù)合模型使用固定壽命print 打印全部模型的狀態(tài)“contact name=gate n.poly,n.ployn+摻雜的多晶為電機(jī)的接觸材料“interface qf=3e10 設(shè)置半導(dǎo)體和絕緣體邊界的參數(shù)QF定電荷密度.“method newton” 設(shè)定用來解相應(yīng)算法的數(shù)值方式和方程.“solve init”指示atlas,init電壓設(shè)置為零.“sol

17、ve vdrain=0.1 就是指出了drain0.1解.Rampthegate”下面有用語句來了個(gè)像HSPICE如是又extractdevice parameter:extract name=”nvt” (xintercept(maxslope(curve(abs(v.”gate”),abs(i.”drain”)- abs(ave(v.”drain”)/2.0)extract name=”nbeta” slope(maxslope(curve(abs(v.”gate”),abs(i.”drain”) * (1.0/abs(ave(v.”drain”)extract name=”ntheta”

18、 (max(abs(v.”drain”) *$”nbeta”)/max(abs(i.”drain”)- (1.0 / (max(abs(v.”gate”) ($”nvt”)PS: 還要細(xì)細(xì)研習(xí)呀.TCAD HideFeb/10 23AthenaComment| Posted byjieyoungin Circuits接著上回的寫.下面是etch行”etchoxideall”刻蝕的材料,all表示全部指明的材料都被Etch掉“extract name=”gateox” thickness oxide mat.occno=1 x.val=0.05EXTRACT 是參數(shù)提取指令,它可以提起一些諸如材

19、料厚度,結(jié)深,極限摻雜水平,固然也包括諸如”薄模電阻”,閾值電壓,C-VVWF 的manualchapter5更具體的語法,多得不行了,這里只理解這一行就OK是一個(gè)值(也可以提取一個(gè)curve)thickness 厚度,oxide材料,mat.occno=1,x.val=0.05“depopolythick=0.2divi=100.2,DIVISION=10“etch poly left p1.x=0.35 快速產(chǎn)生一個(gè)橫截面為梯形的etch.“method fermi compress” method 為集中和氧化供給數(shù)值方式和模型.fermimodel,compressoxidation模

20、型.在文件的結(jié)尾,提取了:# extract final S/D Xj# extract the N+ regions sheet resistanc#extractthesheetrhounderthespacer,oftheLDDregion# extract the surface conc under the channel.# extract a curve of conductance versus bias.“structure outfile=mos1ex01_0.str” 將所描述的機(jī)構(gòu)放入文件mos1exo1_o.strtonyplot來:”tonyplotmos1ex01

21、_0.str -set mos1ex01_0.set”TCADHideFeb/1021 ATHENA1 Comment| Posted byjieyounginCircuits那天說的AtlasATLAS is a modular and extensible framework for one, two and three dimensional Atlas syntax的atlas輸入文件中的語法在它的手冊(cè)中找不到,今日才找到Athena，慚愧呀以Deckbuild中的一個(gè)例子來學(xué)習(xí)是example/atlas/mos1/mos1ex01.in),這個(gè)文件是先用Athena，然后用Atla

22、s，赫然寫著“go athena”“goatlas”竟然視而不見，再次慚愧.LINE 行 “l(fā)ine x loc=0.0 spac=0.1”規(guī)定了網(wǎng)格中的Line，它是垂直的y還是水平的 x，以及從今以后的線間距，直到遇到下一個(gè)LineINIT 行 “init orientation=100c.phos=1e14 space.mul=2”初始o(jì)rientation=100義的spacing2.DIFFUS行“diffus time=30 temp=1000 dryo2 press=1.00 hcl=3”初始化集中的時(shí)間30minutes熔爐溫度為1000攝氏度，集中環(huán)境為干氧，氧化劑中hcl的濃度為3%，pressure,表示環(huán)境中活潑氣體的氣壓ETCH行“etchoxidethick=0.02”說明白被刻蝕的是oxide，并且簡潔的在上面有0.02的厚度IMPLANT“implant boron dose=8e12 energy=100 pears ”是離子注入行，使用伯松分布