在地在地在地在地在地在地在地在地

1、儀表電子（乙級(jí)）模擬測(cè)驗(yàn)卷班級(jí)學(xué)號(hào)姓名得回次範(fàn)圍分一、是非題：（共計(jì) 50 題，每題 1 分，答錯(cuò)一題倒扣1 分）() 人員因受傷超過(guò)一天者，而無(wú)法正?；謴?fù)工作的傷害，稱(chēng)為失能傷害，又稱(chēng)失時(shí)傷害。() 若預(yù)知可能有危險(xiǎn)時(shí)，必不可協(xié)調(diào)相關(guān)人員，而自行離開(kāi)。() 霍兩元件是用來(lái)做壓力的檢測(cè)。() 光電晶體以開(kāi)基極作最大靈敏度。() 膜片是一種電壓對(duì)位移之轉(zhuǎn)換差。6. () 一般數(shù)位複用電表 (DMM) 之輸入阻抗為 1M 。7. () 數(shù)位電錶 (DMM) 之 PSPR 愈大時(shí)，表示此一 DMM 愈容易受雜訊之干擾。() 任何布林函數(shù)都可由二層間表示。() 數(shù)位電壓表所顯示交流電壓是峰值電壓。10

2、. () Johoson 計(jì)數(shù)單，由現(xiàn)態(tài)停次態(tài)，再改變1 位元，所以錯(cuò)誤機(jī)率小，可作為可靠之計(jì)數(shù)器。11. () 同樣記憶體容量做比較SRAM 所佔(zhàn)晶體面積比 DRAM 較小。12. () 格言碼是數(shù)碼一種，無(wú)2 進(jìn)制之關(guān)係，可用 XOR 做成，且不具有偵錯(cuò)能力。13. () 大多數(shù) AC 表都以正弦之平均值而言。14. () 其調(diào)幅波在示波器之波動(dòng)，如右圖所示則調(diào)幅度應(yīng)為0.5。615. () 單一 N 型半導(dǎo)體有較多自由電子，所以帶負(fù)電。() 單層線圈之電感量以函數(shù)的關(guān)為以N 2 成正比。() 電晶體用於小訊號(hào)放大電路時(shí)，其工作點(diǎn)必需位於工作區(qū)。() 場(chǎng)效電晶體可當(dāng)壓變阻 VVR 。19.

3、 () B 類(lèi)放大器是工作於負(fù)載線中央，所以失真小。() 儲(chǔ)存示波器內(nèi)部一定要具有記憶體。() 改善視頻放大器之響應(yīng)加入峰化線圈。() 光敏電阻由 Cds 做成，當(dāng)光線不照射時(shí)，呈現(xiàn)電阻值最大。23. () 脈波產(chǎn)生器 (Pulse Generator)可用來(lái)做激發(fā)位 IC 傳輸延遲特性之測(cè)定。24. () 一般函數(shù)波信號(hào)產(chǎn)生器之內(nèi)部電路均先產(chǎn)生正弦波信號(hào)。25. () 電子電壓表Ddbm 的刻度其參考準(zhǔn)位刻度在0.755V 位置。() 實(shí)際電橋被使用來(lái)做電容量測(cè)量的交流電橋。27. () 一波經(jīng)放大器 VP 後由示波容量得波形如右則放大器低頻及相位引前。28. () 指引 CPU 到主記憶指

4、令或資料的暫存器是SP。29. ()此圖為交流電流源。30. () 累積器內(nèi)容，位置向右移 1 位，其值乘 2。31. ()此為右圖之等效電路。() 洗製印刷電路中，可將電路板置氯化鈉中，增加腐蝕速度。() 文書(shū)處理是屬於系統(tǒng)程式的一部分() 輔助記憶體的存取速度較主記憶體為慢。35. () 16 位元的資料，以 2 的補(bǔ)數(shù)表示，則可以表示的範(fàn)圍為 +3276732768。36. () 使用示波器 R10 測(cè)試棒，可做頻率最佳補(bǔ)償。37. () CPU 送出的信號(hào)，若負(fù)載超過(guò)，不加緩衝器也可以正常工作。() 資料匯流排為一雙向的匯流排。() 電晶體在電路中，作為開(kāi)關(guān)時(shí)，主要工作於工作區(qū)與截止區(qū)

5、間交互作用。() 共集極放大器，電流增益為最大。但無(wú)電壓增益。41. () n 通道空乏基MOSFET 開(kāi)源期間加上一負(fù)電壓，通道為最大。() 影響放大器高頻響應(yīng)的電容為耦合電容。43. () 中國(guó) CMK 單線的長(zhǎng)度是以米(m) 表示，絞線的截面積是以米平方( m 2 )表示。() 某帶電的兩平行板間，其任何一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度均相等。45. () H 型 FET 是為提高 FET 的功率極限而設(shè)計(jì)的。() 一電解物，兩極析出物質(zhì)質(zhì)量，與其電荷成正比，與其化學(xué)速率成反比。47. () RLC 電路中，當(dāng) PF 為 1 時(shí)， V.I 之角度相差90 度。48. () COMS 轉(zhuǎn)態(tài)時(shí)幾乎不耗電。()

6、 直接交運(yùn)直流放大器較斬波 (CHOPPER) 型直流放太器具有較低的穩(wěn)定度。() 電晶體做小謝號(hào)放大，工作點(diǎn)在飽和區(qū)。二、選擇題：（共計(jì) 50 題，每題 1 分）1. () 加強(qiáng)輔導(dǎo)事業(yè)的自動(dòng)檢查及安全衛(wèi)生檢查的單位為勞委會(huì)衛(wèi)生署營(yíng)建會(huì)資策會(huì)。2. () 電器設(shè)備或電路著火時(shí) ，何種滅火器不能使用二氧化碳滅火器乾粉減火器水溶性滅火器海龍滅火器。3.()應(yīng)計(jì)是用來(lái)檢測(cè)壓力電壓電流頻率的變化。4.()太陽(yáng)電池是用何種效應(yīng)做能量轉(zhuǎn)換光導(dǎo)電效應(yīng)光伏打效應(yīng)光幅射效應(yīng)電爾效應(yīng) 。5.()席貝克效應(yīng)是一種熱電效應(yīng)光電效應(yīng)電壓效應(yīng)磁電效應(yīng)。6.()都卜勒測(cè)量器用於溫度壓力流量液位之測(cè)量 。7.() 下列元件

7、中，何者因停電而消失DRAMSRAMEEROMCOMS RAM 。8.() 若六級(jí)正反器串接，則最高可設(shè)計(jì)成除多少的電路？6436126。9.() TTL 諭出低電流 I GL 為16mA400 mA1.6mA40 A 。10.() 具有 8M bits 記憶容量之記憶體，其至少需具有多少位址線？23201210。11. () 2SK30 之電子元件為PNP 型電晶體NPN型電晶體P 通導(dǎo)FETN 通道 FET。12.()旋轉(zhuǎn)子喜爾接線柱天線座。13.()類(lèi)比的高頻信號(hào)連接時(shí)應(yīng)使用何種導(dǎo)線最適當(dāng)彩紅排線多蕊線披覆電覽線單蕊線 。14. () 數(shù)位 IC 中電路元件接腳常有一顆0.1f 電容器，

8、其作用整流濾波充放電消除雜訊。15. ()功率電晶體用散熱膏應(yīng)塗在變壓器週邊散熱片 2面塗膏功率電晶體雲(yún)母片兩面。16. () 目前半導(dǎo)體記憶體有取時(shí)(access time)最快者大約需時(shí)久約 1ms(毫秒 )約 1us(微秒 )約 100s約 10s(奈秒 )。17. () 十六進(jìn)制值為7B，轉(zhuǎn)成 10 進(jìn)制為173123121137。18. () 在 TTL 、 IC 中，共含樞密特反相器和一般反相器最大差別輸出電壓不同電源電壓不同扇入數(shù)不同臨限電壓不同。19. ()左圖等效電路是20. () 十六進(jìn)位數(shù)字 1B，其 2 補(bǔ)數(shù)表示法E4FBE5BF。21. () 以數(shù)位電表量測(cè)規(guī)格為 5

9、0Mv/100A分流器的電阻時(shí)，較佳的方式是採(cǎi)用五線式四線式三線式二線式 。22. () 示波器之 CRT 用來(lái)當(dāng)作亮度控制之部份為陰極柵極第二陽(yáng)極第一陽(yáng)極 。23. () 使用交流電橋做感測(cè)器量測(cè)時(shí)，下列何種有較高的準(zhǔn)確度歐文海氏史林馬克士威 。() 一般示波器在使用觀查有關(guān)電源電路時(shí)，應(yīng)使用何種觸發(fā)來(lái)源較易獲得穩(wěn)定波形INTEXTLINE以上皆非。25. () 示波器之水平掃描信號(hào)通常使用方波三角波鋸齒波正弦波。26. () 電腦中文系統(tǒng)的執(zhí)行速度比較慢中文字以2 個(gè)位元組代表一字中文在繪圖模式下進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)錯(cuò)誤大多數(shù)系統(tǒng)未採(cǎi)用向量字 。27. () 失真分析儀可用來(lái)測(cè)量失真原因分析失真原

10、因評(píng)定放大器品 質(zhì)測(cè)量失真百分比 。28. () 使用線上實(shí)體模擬器(ICE) 時(shí)，下列那種元件一定要自待測(cè)系統(tǒng)中拔出？DecoderCPUROMI/O 。29. () 示波器在量測(cè)高頻信號(hào)時(shí)，一般需使用那種模式A-BCHOPALTA+B 。() 以下何者為示波器，測(cè)示棒的等效電路31. () 同步示波器，在測(cè)試波形時(shí) ，觸發(fā)準(zhǔn)位 (trigger level) 為 +1V，觸斜率 (trigger slope) 為 +，則其波形應(yīng)為32. () 有關(guān) IEEE-488 標(biāo)準(zhǔn)，下列敘述何者錯(cuò)誤？俗稱(chēng) GPIB 它是以並列方式輸出共有三條交握線 ，八條資料線NDAC 由發(fā)話器送出採(cǎi)用負(fù)邏輯。33

11、. () 欲測(cè)量極低頻率 (1Hz 以下 ) 信號(hào)的頻率時(shí)，使用下列何種儀器最佳?一般示波器儲(chǔ)存式示波器高頻計(jì)數(shù)器週期計(jì)數(shù)器 。34. () 在積體電路採(cǎi)用耦合方式通常用RC 耦合阻抗耦合變壓器耦合直接耦合。35. () 下列何者不是負(fù)回授優(yōu)點(diǎn)減少失真提高放大信號(hào)數(shù)提高輸入阻抗直接耦合 。36. () 下列何種顯示器耗電量最少LEDLCDPLASMAVGA 。37. () FET 的導(dǎo)電載子是電洞視通道而定電子正離子 。38. () 具有偵錯(cuò)和校正能力的編碼系統(tǒng)為漢明碼BCD碼ASCII碼EBCDIC 碼 。39. () 右圖之電路名稱(chēng)為積分器微分器電壓隨耦器比較器。40. () 下圖表示P

12、型 MOSFETN 型 JFETP 型 JFETN 型 MOSFET 。41. () 在以下電路的各種組態(tài)中，具有最高輸入阻抗的是CSCDCCCG。42. () 增強(qiáng)型 MOSFET之洩極與源極視偏壓而定視通道種類(lèi)而定不通相通。43. () 檢修電熱器時(shí)，若剪短電熱線僅原來(lái)的30%，則接至電熱器，之電功率變?yōu)樵瓉?lái)的0.640.81.250.25倍。44. () AC300V ， 60Hz若經(jīng)全波整流，則電路的輸出波形同脈動(dòng)直流，其頻率為30Hz60Hz120Hz210Hz。45. () 道波因數(shù)越大，濾波器效果越好差不變不一定 。46. () 電晶體作定電流時(shí)，何者應(yīng)保持定值VBEVCEVBCVCC 。47. () 當(dāng) S1 、On 時(shí)， VO =?12V8V4V0V 。48. () 一個(gè)矽二極體，最大額定功率0.5W，