DRAM模塊行業(yè)分析報告 2022年DRAM模塊行業(yè)發(fā)展前景及規(guī)模分析-

1、DRAM模塊行業(yè)分析報告 2022年DRAM模塊行業(yè)發(fā)展前景及規(guī)模分析_產(chǎn)品定義及統(tǒng)計范圍DRAM 的英文全稱是Dynamic RAM，翻譯成中文就是動態(tài)隨機存儲器。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM 必須隔一段時間刷新(refresh)一次。如果存儲單元沒有被刷新，數(shù)據(jù)就會丟失。 DRAM用于通常的數(shù)據(jù)存取。我們常說內(nèi)存有多大，主要是指DRAM的容量?；竞喗樗械腄RAM基本單位都是由一個晶體管和一個電容器組成。電容器的狀態(tài)決定了這個DRAM單位的邏輯狀態(tài)是1還是0，但是電容的被利用的這個特性也是它的缺點。一個電容器可以存儲一定量的電子或者是電荷。一個充電的電容器在

2、數(shù)字電子中被認為是邏輯上的1，而空的電容器則是0。電容器不能持久的保持儲存的電荷，所以內(nèi)存需要不斷定時刷新，才能保持暫存的數(shù)據(jù)。電容器可以由電流來充電-當然這個電流是有一定限制的，否則會把電容擊穿。同時電容的充放電需要一定的時間，雖然對于內(nèi)存基本單位中的電容這個時間很短，只有大約0.2-0.18微秒，但是這個期間內(nèi)存是不能執(zhí)行存取操作的。DRAM制造商的一些資料中顯示，內(nèi)存至少要每64ms刷新一次，這也就意味著內(nèi)存有1%的時間要用來刷新。內(nèi)存的自動刷新對于內(nèi)存廠商來說不是一個難題，而關鍵在于當對內(nèi)存單元進行讀取操作時保持內(nèi)存的內(nèi)容不變-所以DRAM單元每次讀取操作之后都要進行刷新:執(zhí)行一次回寫

3、操作，因為讀取操作也會破壞內(nèi)存中的電荷，也就是說對于內(nèi)存中存儲的數(shù)據(jù)是具有破壞性的。所以內(nèi)存不但要每64ms刷新一次，每次讀操作之后也要刷新一次。這樣就增加了存取操作的周期，當然潛伏期也就越長。 SRAM，靜態(tài)(Static)RAM不存在刷新的問題，一個SRAM基本單元包括4個晶體管和2個電阻。它不是通過利用電容充放電的特性來存儲數(shù)據(jù)，而是利用設置晶體管的狀態(tài)來決定邏輯狀態(tài)-同CPU中的邏輯狀態(tài)一樣。讀取操作對于SRAM不是破壞性的，所以SRAM不存在刷新的問題。SRAM不但可以運行在比DRAM高的時鐘頻率上，而且潛伏期比DRAM短的多。SRAM僅僅需要2到3個時鐘周期就能從CPU緩存調(diào)入需要

4、的數(shù)據(jù)，而DRAM卻需要3到9個時鐘周期(這里我們忽略了信號在CPU、芯片組和內(nèi)存控制電路之間傳輸?shù)臅r間)。DRAM模塊行業(yè)目前現(xiàn)狀分析國內(nèi)DRAM發(fā)展之苦中國是世界最大的電子產(chǎn)品制造國，根據(jù)歷年來海關總署統(tǒng)計的半導體產(chǎn)業(yè)進出口數(shù)據(jù)，可以看到國內(nèi)企業(yè)每一年花在存儲器采購上的資金，高達幾千億美元，并且在一直往上攀升。但由于沒有掌握相關核心技術，我國在DRAM的產(chǎn)品定價上一直受制于國際巨頭，手機、PC廠商經(jīng)常遇到DRAM缺貨情況。而頭部廠商對DRAM市場的壟斷和價格操縱，使國內(nèi)的企業(yè)深受其苦。其實這很大程度上是我們的產(chǎn)業(yè)基礎沒有打扎實，我們可以回顧下國內(nèi)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程中的一些關鍵性節(jié)點。1975年

5、，北京大學物理系半導體研究組在109廠采用硅柵NMOS技術，試制出中國大陸第一塊1K DRAM，比美國、日本晚五年；1978年中科院半導體所成功研制4K DRAM；1981年中科院半導體研究所成功研制16K DRAM（比韓國晚兩年）；1985年中科院微電子中心研制成功64K DRAM（比韓國晚一年）；1993年無錫華晶制造出第一塊256K DRAM（比韓國晚7年）；1997年亞洲金融危機爆發(fā)，華晶遭遇巨額虧損，最終只能選擇轉型；1999年上海華虹量產(chǎn)出64M的DRAM，但由于市場環(huán)境惡化，華虹失去日本企業(yè)NEC的技術支持，華虹宣布退出DRAM并轉型做晶圓代工業(yè)務；2004年中芯國際開始進軍DR

6、AM領域；2008年中芯國際深陷與臺積電的官司，被迫放棄了DRAM業(yè)務，標志著大陸企業(yè)在DRAM領域的嘗試，均已失敗告終。不難看出，存儲器和芯片市場都是國內(nèi)相當薄弱的環(huán)節(jié)，要想發(fā)展則需要從國外壟斷企業(yè)中搶奪市場份額。統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2017年中國DRAM模塊市場規(guī)模482.33億元，到2021年中國DRAM模塊市場規(guī)模676.04億元，增長率42.99%。2017-2022年中國DRAM模塊市場規(guī)模如下：圖表：2017-2022年中國DRAM模塊市場規(guī)模DRAM模塊產(chǎn)業(yè)鏈分析所有的DRAM基本單位都是由一個晶體管和一個電容器組成。圖表：DRAM模塊產(chǎn)業(yè)鏈資料來源：DRAM模塊中國企業(yè)SWOT分析

7、DRAM 市場長期呈寡頭壟斷格局，寡頭壟斷市場會造成定價機制的扭曲， 導致供需變化與價格之間的傳導較為緩慢，導致供需錯配及較大幅度的價格 變動。存儲芯片新品上市時，受益于業(yè)界產(chǎn)量有限及具備技術領先性，存儲芯 片定價較高；隨后受上游市場格局特性及存儲晶圓、存儲芯片之間存在生產(chǎn)、 銷售周期間隔等因素影響，存儲新品的銷售價格變動滯后于存儲器產(chǎn)品銷售 單價及下游需求的變化，產(chǎn)量的調(diào)整遲滯于下游市場需求的變化，導致上游存 儲原廠出現(xiàn)產(chǎn)能過剩，價格顯著下跌，原廠業(yè)績受損。與所有半導體產(chǎn)品一樣，少數(shù)公司傾向于控制特定產(chǎn)品的多數(shù)市場份額，DRAM也不例外，存儲器行業(yè)科技含量高，高昂的研發(fā)成本使得資本支出大且增速高于其他行業(yè)，從而壟斷格局牢固，巨頭優(yōu)勢下馬太效應愈演愈烈。市場數(shù)據(jù)顯示，目前DRAM市場基本被三星電子、SK海力士、美光三家企業(yè)瓜分。具體來看，三星在DRAM市場的占比達到