硅片技術(shù)標準

硅片技術(shù)標準硅片技術(shù)標準硅片技術(shù)標準資料僅供參考文件編號：2022年4月硅片技術(shù)標準版本號：A修改號：1頁次：1.0審核：批準:發(fā)布日期：單晶硅片技術(shù)標準1范圍本要求規(guī)定了單晶硅片的分類、技術(shù)要求、包裝以及檢驗規(guī)范等本要求適用于單晶硅片的采購及其檢驗。2規(guī)范性引用文件ASTMF42-02

半導體材料導電率類型的測試方法ASTMF26

半導體材料晶向測試方法

ASTMF84

直線四探針法測量硅片電阻率的試驗方法ASTMF1391-93

太陽能硅晶體碳含量的標準測試方法ASTMF121-83

太陽能硅晶體氧含量的標準測試方法ASTMF1535

用非接觸測量微波反射所致光電導性衰減測定載流子復合壽命的實驗方法

3術(shù)語和定義TV：硅片中心點的厚度，是指一批硅片的厚度分布情況；TTV：總厚度誤差，是指一片硅片的最厚和最薄的誤差（標準測量是取硅片5點厚度：邊緣上下左右6mm處4點和中心點）；位錯：晶體中由于原子錯配引起的具有伯格斯矢量的一種線缺陷；位錯密度：單位體積內(nèi)位錯線的總長度(cm/cm3)，通常以晶體某晶面單位面積上位錯蝕坑的數(shù)目來表示；崩邊：晶片邊緣或表面未貫穿晶片的局部缺損區(qū)域，當崩邊在晶片邊緣產(chǎn)生時，其尺寸由徑向深度和周邊弦長給出；裂紋、裂痕：延伸到晶片表面，可能貫穿，也可能不貫穿整個晶片厚度的解理或裂痕；四角同心度：單晶硅片四個角與標準規(guī)格尺寸相比較的差值。密集型線痕：每1cm上可視線痕的條數(shù)超過5條4分類單晶硅片的等級有A級品和B級品，規(guī)格為：125′125Ⅰ(mm)、125′125Ⅱ(mm)、156

′156(mm)。5技術(shù)要求外觀

見附錄表格中檢驗要求。外形尺寸

方片TV為200±20um,測試點為中心點；

方片TTV小于30um，測試點為邊緣6mm處4點、中心1點；

硅片TTV以五點測量法為準，同一片硅片厚度變化應小于其標稱厚度的15%；

相鄰C段的垂直度：90

o±；

其他尺寸要求見表1。表1

單晶硅片尺寸要求規(guī)格

（mm）尺寸（mm）A（邊長）B（直徑）C（直線段長）D（弧長投影）Max.Min.Max.Min.Max.Min.Max.Min.

125′125Ⅰ

125′125Ⅱ

156′156

注1：A、B、C、D分別參見圖1。

圖1

硅單晶片尺寸示意圖材料性質(zhì)導電類型：

序號硅片類型摻雜劑1N型磷(Phosphorous)2P型硼(Boron)硅片電阻率：見下表；硅片少子壽命：見下表（此壽命為2mm樣片鈍化后的少子壽命）；晶向：表面晶向<100>+/°；

位錯密度≤3000pcs/cm2；氧碳含量：氧含量≤20ppma，碳含量≤。

6檢測環(huán)境、檢測設備和檢測方法檢測環(huán)境：室溫，有良好照明（光照度≥1000Lux）。檢測設備：游標卡尺（）、厚度測試儀/千分表（）、水平測試臺面、四探針測試儀、少子壽命儀、氧碳含量測試儀、光學顯微鏡、角度尺等。檢測項目：導電類型、氧碳含量、單晶晶向、單晶位錯密度、電阻率、少子壽命、外形尺寸。檢測方案：外觀和尺寸進行全檢，材料的性能和性質(zhì)以單晶鑄錠頭尾部參數(shù)為參考，并提供每個批次硅片的檢測報告。檢驗結(jié)果的判定檢驗項目的合格質(zhì)量水平詳見附錄表A《檢驗項目、檢驗方法及檢驗規(guī)則對照表》。

7包裝、儲存和運輸要求

每包400枚，每箱6包共2400枚。需提供明細裝箱單，包裝上要有晶體編號，清單和實物一一對應，每個小包裝要有晶體編號，不同晶體編號放在同一包裝要能明確區(qū)分開。

產(chǎn)品應儲存在清潔、干燥的環(huán)境中：溫度：10℃～40℃；濕度：≤60%；避免酸堿腐蝕性氣氛；避免油污、灰塵顆粒氣氛。產(chǎn)品運輸過程中輕拿輕放、嚴禁拋擲，且采取防震、防潮措施。檢驗項目檢驗要求檢測工具抽樣計劃驗收標準硅片等級A級品B級品外

觀崩邊/硅落崩邊硅落長寬≦*不穿透。崩邊長寬≦1mm*1mm不穿透。硅落長寬厚≦**100um。目

測粗糙度測試儀日光燈(≥1000Lux)全

檢數(shù)量≤2數(shù)量≤4切割線痕線痕深度≦15um，但無密集線痕。線痕深度≦30um。缺角/缺口缺口長寬≦*。無V型缺口、缺角長寬≦1mm*，無可見有棱角的缺角，數(shù)量≤2。毛邊/亮點長度≦10mm,深度不能延伸到硅片表面。長不限,深度不能延伸到硅片表面。表面清潔度無油污，無殘膠，無明顯水跡。輕微可清洗的污跡可放行。如硅片之間的摩擦產(chǎn)生的印跡以及≦2個針尖狀的無凹凸的印跡。無成片的油污，殘膠，水跡。劃傷無肉眼可見有深度感的劃傷。日光燈下無明顯深度感的劃傷。其他無孿晶、slip、應力、裂紋、凹坑、氣孔及明顯劃傷。無孿晶、slip、應力、裂紋、氣孔及明顯凹坑、劃傷。尺

寸規(guī)格（㎜）寸尺電子卡尺萬能角規(guī)切片前全檢晶錠尺寸邊長（㎜）直徑（㎜）其它尺寸（㎜）垂直度（O）MaxMinMaxMin具體見上表1和圖190±125′125Ⅰ125′125Ⅱ156′156TV200±20μm（中心點）200±30μm測厚儀/

千分表

抽檢TTV≤30μm

（中心1點和邊緣6mm位置4點）≤50μm翹曲度≤70μm≤100μm性

能位錯密度≤3000/cm2≤3000/cm2顯微鏡截取晶錠頭尾部2mm樣片進行測試.。退火后測電阻率。鈍化后測試少子壽命。導電型號N型/P型N型/P型型號儀電阻率Ω.cm—Ω.cm

/

Ω.cm—Ω.cm電阻率測試儀氧含量≤20ppmaFTIR氧碳含量測試儀碳含量≤少子壽命≥100μs

/

≥15μs壽命測試儀多晶硅片技術(shù)標準1范圍本要求規(guī)定了多晶硅片的分類、技術(shù)要求、包裝以及檢驗規(guī)范等本要求適用于多晶硅片的采購及其檢驗。2規(guī)范性引用文件ASTMF42-02

半導體材料導電率類型的測試方法

ASTMF84

直線四探針法測量硅片電阻率的試驗方法ASTMF1391-93

太陽能硅晶體碳含量的標準測試方法ASTMF121-83

太陽能硅晶體氧含量的標準測試方法ASTMF1535

用非接觸測量微波反射所致光電導性衰減測定載流子復合壽命的實驗方法

3術(shù)語和定義TV：硅片中心點的厚度，是指一批硅片的厚度分布情況；TTV：總厚度誤差，是指一片硅片的最厚和最薄的誤差（標準測量是取硅片5點厚度：邊緣上下左右4點和中心點）；崩邊：晶片邊緣或表面未貫穿晶片的局部缺損區(qū)域，當崩邊在晶片邊緣產(chǎn)生時，其尺寸由徑向深度和周邊弦長給出；裂紋、裂痕：延伸到晶片表面，可能貫穿，也可能不貫穿整個晶片厚度的解理或裂痕；四角同心度：多晶硅片四個角與標準規(guī)格尺寸相比較的差值。密集型線痕：每1cm上可視線痕的條數(shù)超過5條4分類多晶硅片的等級有A級品和B級品，規(guī)格為：156mm

′156mm。5技術(shù)要求外觀

見附錄表格中檢驗要求。外形尺寸

方片TV為200±20um,測試點為中心點；

方片TTV小于30um，測試點為邊緣6mm處4點、中心1點；

硅片TTV以五點測量法為準，同一片硅片厚度變化應小于其標稱厚度的15%；

相鄰C段的垂直度：90

o±。

其他尺寸要求見表1。表1

多晶硅片尺寸要求規(guī)格

（mm）尺寸（mm）A（邊長）B（對角線）C（直線段長）D（弧長投影）Max.Min.Max.Min.Max.Min.Max.Min.

156′156

注1：A、B、C、D分別參見圖1。

圖1

硅多晶片尺寸示意圖

材料性質(zhì)導電類型：P型，摻雜劑：B，硼(Boron)；硅片電阻率：摻硼多晶片：電阻率為1Ω·cm～3Ω·cm；多晶硅少子壽命≥2us；氧碳含量：氧含量≤12ppma，碳含量≤12ppma。

6檢測環(huán)境、檢測設備和檢測方法檢測環(huán)境：室溫，有良好照明（光照度≥1000Lux）。檢測設備：游標卡尺（）、厚度測試儀/千分表（）、水平測試臺面、四探針測試儀、少子壽命儀、氧碳含量測試儀、光學顯微鏡、角度尺等。檢測項目：導電類型、氧碳含量、電阻率、少子壽命、外形尺寸。檢測方案：外觀和尺寸進行全檢，材料的性能和性質(zhì)以多晶鑄錠頭尾部參數(shù)為參考，并提供每個批次硅片的檢測報告。檢驗結(jié)果的判定7包裝、儲存和運輸要求每包400枚，每箱6包共2400枚。需提供明細裝箱單，包裝上要有晶體編號，清單和實物一一對應，每個小包裝要有晶體編號，不同晶體編號放在同一包裝要能明確區(qū)分開。產(chǎn)品應儲存在清潔、干燥的環(huán)境中：溫度：10℃～40℃；濕度：≤60%；避免酸堿腐蝕性氣氛；避免油污、灰塵顆粒氣氛。產(chǎn)品運輸過程中輕拿輕放、嚴禁拋擲，且采取防震、防潮措施。

8．附錄A

《多晶硅片檢驗項目、檢驗方法及檢驗規(guī)則對照表》。

注：本《多晶硅片技術(shù)標準》中未明示事項或?qū)Ξa(chǎn)品檢驗標準存在異議，均以附件《太陽能級多晶硅片國家標準》為準。外觀可以見FTS限度樣本。檢驗項目檢驗要求檢測工具抽樣計劃驗收標準硅片等級A級品B級品外

觀崩邊/

硅落崩邊硅落長寬≦*不穿透。崩邊長寬≦1mm*1mm不穿透。硅落長寬厚≦**100um目

測粗糙度測試儀日光燈(≥1000Lux)全

檢數(shù)量≤2數(shù)量≤4切割線痕線痕深度≦15um，但無密集線痕。線痕深度≦30um。缺角/缺口缺口長寬≦*。無V型缺口、缺角長寬≦1mm*，無可見有棱角的缺角，數(shù)量≤2毛邊/亮點長度≦10mm,深度不能延伸到硅片表面。長不限,深度不能延伸到硅片表面。表面清潔度無油污，無殘膠，無明顯水跡。輕微可清洗的污跡可放行。如硅片之間的摩擦產(chǎn)生的印跡以及≦2個針尖狀的無凹凸的印跡無成片的油污，殘膠，水跡。劃傷無肉眼可見有深度感的劃傷。日光燈下無明顯深度感的劃傷。其他無應力、裂紋、凹坑、氣孔及明顯劃傷，微晶數(shù)目≦10pcs/cm無應力、裂紋、氣孔及明顯凹坑、劃傷，微晶數(shù)目≦10pcs/cm尺寸規(guī)格（㎜）尺寸電子卡尺萬能角規(guī)全檢晶錠尺寸邊長(mm)直徑