微電子學(xué)概論第一章

微電子學(xué)概論任課教師：邱成軍參考書《微電子學(xué)概論》張興，黃如，劉曉彥北京大學(xué)出版社，2000年1月《半導(dǎo)體器件物理與工藝》施敏科學(xué)出版社本課程的目的什么是微電子學(xué)和微電子學(xué)是研究什么的對微電子學(xué)的發(fā)展歷史、現(xiàn)狀和未來有一個比較清晰的認(rèn)識。初步掌握半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體器件物理、集成電路工藝、集成電路設(shè)計、集成電路CAD方法、MEMS技術(shù)等基本概念，對微電子學(xué)的整體有一個比較全面的認(rèn)識。主要內(nèi)容

微電子技術(shù)簡介半導(dǎo)體物理和器件物理基礎(chǔ)大規(guī)模集成電路基礎(chǔ)集成電路制造工藝集成電路設(shè)計集成電路設(shè)計的CAD系統(tǒng)幾類重要的特種微電子器件微機(jī)電系統(tǒng)微電子技術(shù)發(fā)展的規(guī)律和趨勢

第一章微電子學(xué)發(fā)展史科學(xué)技術(shù)作為革命的力量，推動著社會向前發(fā)展。當(dāng)前，我們正經(jīng)歷著一場新的技術(shù)革命，雖然第三次技術(shù)革命包含了新材料、新能源、生物工程、海洋工程、航空航天技術(shù)和電子信息技術(shù)等等，但影響最大、滲透性最強(qiáng)、最具有新技術(shù)革命代表性的乃是以微電子技術(shù)為核心的電子信息技術(shù)。第一章微電子學(xué)發(fā)展史微電子技術(shù)發(fā)展的理論基礎(chǔ)是19世紀(jì)末到20世紀(jì)30年代期間建立起來的現(xiàn)代物理學(xué)。這期間的重要發(fā)現(xiàn)包括1895年德國科學(xué)家倫琴發(fā)現(xiàn)的X射線、1896年貝克勒爾發(fā)現(xiàn)放射性、1897年英國科學(xué)家湯姆遜發(fā)現(xiàn)電子、1898年居里夫人發(fā)現(xiàn)鐳、1900年普朗克建立量子論、1905和1915年愛因斯坦提出的狹義相對論和廣義相對論等。第一章微電子學(xué)發(fā)展史正是這一系列的發(fā)明和發(fā)現(xiàn)揭示了微觀物理世界的基本規(guī)律，導(dǎo)致了海森伯、薛定格等建立起量子力學(xué)的理論體系，為現(xiàn)代電子信息技術(shù)革命奠定了理論基礎(chǔ)。實(shí)現(xiàn)社會信息化的網(wǎng)絡(luò)及其關(guān)鍵部件不管是各種計算機(jī)和/或通訊機(jī)，它們的基礎(chǔ)都是微電子。1946年第一臺計算機(jī)：ENIAC這樣的計算機(jī)能夠進(jìn)入辦公室、車間、連隊(duì)和家庭？當(dāng)時有的科學(xué)家認(rèn)為全世界只要4臺ENIAC目前，全世界計算機(jī)不包括微機(jī)在內(nèi)有幾百萬臺，微機(jī)總量約6億臺，每年由計算機(jī)完成的工作量超過4000億人年工作量1.1

晶體管的發(fā)明1833年英國物理學(xué)家法拉第發(fā)現(xiàn)氧化銀的電阻率隨溫度升高而增加。之后一些物理學(xué)家又先后發(fā)現(xiàn)了同晶體管有關(guān)的半導(dǎo)體的三個物理效應(yīng)，即晶體硒在光照射下電阻變小的光電導(dǎo)效應(yīng)、晶體硒和金屬接觸在光照射下產(chǎn)生電動勢的半導(dǎo)體光生伏特效應(yīng)和金屬與硅單晶接觸產(chǎn)生整流作用的半導(dǎo)體整流效應(yīng)。1.1

晶體管的發(fā)明1946年1月，Bell實(shí)驗(yàn)室成立了固體物理研究小組。在系統(tǒng)的研究過程中，該小組成功提出了表面態(tài)理論，開辟了新的研究思路，兼之對電子運(yùn)動規(guī)律的不斷探索，經(jīng)過無數(shù)次實(shí)驗(yàn)，第一個點(diǎn)接觸型晶體管終于在1947年12月誕生。1.1晶體管的的發(fā)明首先，小小組的領(lǐng)領(lǐng)導(dǎo)人肖肖克萊提提出了一一個假說說，認(rèn)為為半導(dǎo)體體表面存存在一個個與表面面俘獲電電荷相等等而符號號相反的的空間電電荷層，，使半導(dǎo)導(dǎo)體表面面與內(nèi)部部體區(qū)形形成一定定的電勢勢差，該該電勢差差決定了了半導(dǎo)體體的整流流功能；；通過電電場改變變空間電電荷區(qū)電電荷會導(dǎo)導(dǎo)致表面面電流的的改變，，產(chǎn)生了了放大作作用。1.1晶體管的的發(fā)明小組對N和P型硅以及及N型鍺的表表面設(shè)計計了一個個類似光光生伏特特實(shí)驗(yàn)的的裝置，，證實(shí)了了肖克萊萊的半導(dǎo)導(dǎo)體表面面空間電電荷假說說以及電電場效應(yīng)應(yīng)的預(yù)言言。之后后，小組組人員把把一片P型硅的表表面處理理成N型，滴上上一滴水水使之與與表面接接觸，在在水滴中中插入一一個涂有有蠟?zāi)さ牡慕饘籴樶?，在水水與硅之之間施加加8MHz的電壓，，從硅中中流到針針尖的電電流被改改變，從從而實(shí)現(xiàn)現(xiàn)了功率率放大。。1.1晶體管的的發(fā)明經(jīng)過改進(jìn)進(jìn)，最后后的結(jié)構(gòu)構(gòu)是在一一個楔形形的絕緣緣體上蒸蒸金，然然后用刀刀片將楔楔尖上的的金劃開開一條小小縫，即即將金分分割成間間距很小小的兩個個觸點(diǎn)，，將該楔楔形體與與鍺片接接觸，在在鍺片表表面形成成間距約約為0.005cm的兩個接接觸點(diǎn)，，它們分分別作為為發(fā)射極極和集電電極，襯襯底作為為基極，，其具體體結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。溝道長度為0.15微米的晶體管柵長為90納米的柵圖形照片1.1晶體管的的發(fā)明同年，肖肖克萊又又提出了了利用兩兩個P型型層中間間夾一N型層作作為半導(dǎo)導(dǎo)體放大大結(jié)構(gòu)的的設(shè)想，，并于1950年發(fā)明明了單晶晶鍺NPN結(jié)型型晶體管管。此后后，結(jié)型型晶體管管基本上上取代點(diǎn)點(diǎn)接觸型型晶體管管。幾種不同同類型的的晶體管管1.2集成電路路的發(fā)展展歷史集成電路路（IntegratedCircuit，，縮寫為IC）是指通過過一系列列特定的的加工工工藝，將將多個晶晶體管、、二極管管等有源源器件和和電阻、、電容等等無源器器件，按按照一定定的電路路連接集集成在一一塊半導(dǎo)導(dǎo)體單晶晶片（如如硅或GaAs等）或陶陶瓷等基基片上，，作為一一個不可可分割的的整體執(zhí)執(zhí)行某一一特定定功能的的電路組組件。硅單晶片片與加工工好的硅硅片1958年第一一塊集成成電路：：TI公司的Kilby，12個器件，，Ge晶片獲得2000年年Nobel物理獎封裝好的的集成電電路集成電路路芯片的的顯微照照片集成電路路的內(nèi)部部單元1.2集成電路路的發(fā)展展歷史世界上第第一塊集集成電路路是在鍺鍺襯底上上制作的的相移振振蕩和觸觸發(fā)器，，共有12個器器件。器器件之間間的隔離離采用的的是介質(zhì)質(zhì)隔離，，即將制制作器件件的區(qū)域域用黑蠟蠟保護(hù)起起來，之之后通過過選擇腐腐蝕在每每個器件件周圍腐腐蝕出溝溝槽，形形成多個個互不連連通的小小島，在在每個小小島上制制作一個個晶體管管；器件件之間互互連線采采用的是是引線焊焊接的方方法。1.2集成電路路的發(fā)展展歷史集成電路路的迅速速發(fā)展，，除了物物理原理理之外還還得益于于許多新新工藝的的發(fā)明。。重大的的工藝發(fā)發(fā)明主要要包括：：1950年美美國人奧奧爾和肖肖克萊發(fā)發(fā)明的離離子注入入工藝、、1956年美美國人富富勒發(fā)明明的擴(kuò)散散工藝、、1960年盧盧爾發(fā)明明的外延延生長工工藝、1970年斯皮皮勒發(fā)明明的光刻刻工藝。。這些關(guān)關(guān)鍵工藝藝為晶體體管從點(diǎn)點(diǎn)接觸結(jié)結(jié)構(gòu)向平平面型結(jié)結(jié)構(gòu)過渡渡并使其其集成化化提供了了基本的的技術(shù)支支持。1.2集成電路路的發(fā)展展歷史從此，電電子工業(yè)業(yè)進(jìn)入了了IC時代，經(jīng)經(jīng)過40余年的的發(fā)展，，集成電電路已經(jīng)經(jīng)從最初初的小規(guī)規(guī)模發(fā)展展到目前前的巨大大規(guī)模集集成電路路和系統(tǒng)統(tǒng)芯片，，單個電電路芯片片集成的的元件數(shù)數(shù)從當(dāng)時時的十幾幾個發(fā)展展到目前前的幾億億個甚至至幾十億億個。早期研制制和生產(chǎn)產(chǎn)的集成成電路都都是雙極極型的。。1962年以以后又出出現(xiàn)了由由金屬-氧化物物-半導(dǎo)導(dǎo)體（MOS））場效應(yīng)晶晶體管組組成的MOS集成電路路。1.2集成電路路的發(fā)展展歷史實(shí)際上，，遠(yuǎn)在1930年，德德國科學(xué)學(xué)家Lilienfield就提出了了關(guān)于MOS場效應(yīng)晶晶體管的的概念、、工作原原理以及及具體的的實(shí)施方方案，但但由于當(dāng)當(dāng)時材料料和工藝藝水平的的限制，，直到1960年，Kang和Atalla才研制出出第一個個利用硅硅半導(dǎo)體體材料制制成的MOS晶體管，，從此MOS集成電路路得到了了迅速發(fā)發(fā)展。1.2集成電路的的發(fā)展歷史史由于MOS集成電路具具有功耗低低、適合于于大規(guī)模集集成等優(yōu)點(diǎn)點(diǎn)，MOS集成電路在在整個集成成電路領(lǐng)域域中占的份份額越來越越大，已經(jīng)經(jīng)成為集成成電路領(lǐng)域域的主流。。雖然雙極極集成電路路在總份額額中占的比比例在減少少，但它的的絕對份額額依然在增增加，在一一些應(yīng)用領(lǐng)領(lǐng)域中的作作用短期內(nèi)內(nèi)也不會被被MOS集成電路替替代。1.2集成電路的的發(fā)展歷史史在早期的MOS技術(shù)術(shù)中，鋁柵柵P溝MOS晶體管管是最主要要的技術(shù)。。60年代代后期，多多晶硅取代代Al成為為MOS晶晶體管的柵柵材料。70年代中中期，利用用LOCOS隔離的的NMOS（全部N溝MOS晶體管））集成電路路開始商業(yè)業(yè)化。由于于NMOS器件具有有可靠性好好、制造成成本低等特特點(diǎn)，NMOS技術(shù)術(shù)成為70年代MOS技術(shù)發(fā)發(fā)展的主要要推動力。。1.2集成電路的的發(fā)展歷史史雖然早在1963年年就提出CMOS工藝，并研研制成功了了CMOS集成電路，，但由于工工藝技術(shù)的的限制，直直到80年年代CMOS才迅速成為為超大規(guī)模模集成（VLSI））電路的主流流技術(shù)。由由于CMOS具有功耗低低、可靠性性好、集成成密度高等等特點(diǎn)，目目前CMOS已成為集成成電路的主主流工藝。。1.3集成電路的的分類集成電路的的應(yīng)用范圍圍廣泛，門門類繁多，，其分類方方法也多種種多樣，其其中常見的的分類方法法主要包括括：按器件件結(jié)構(gòu)類型型、集成電電路規(guī)模、、使用的基基片材料、、電路功能能以及應(yīng)用用領(lǐng)域等進(jìn)進(jìn)行分類。。下面將簡簡要介紹按按以上幾種種常見的分分類方法進(jìn)進(jìn)行分類的的結(jié)果。1.3.1按器件結(jié)構(gòu)構(gòu)類型分類類根據(jù)集成電電路中有源源器件的結(jié)結(jié)構(gòu)類型和和工藝技術(shù)可以將將集成電路路分為三類類：（1）雙極極型集成電電路（2）金屬屬-氧化物物-半導(dǎo)體體（MOS）集成電路（3）雙極極-MOS（（BiMOS）集成電路1.3.1按器件結(jié)構(gòu)構(gòu)類型分類類（1）雙極極集成電路路：這種結(jié)結(jié)構(gòu)的集成成電路是半半導(dǎo)體集成成電路中最最早出現(xiàn)的的電路形式式。這種電電路采用的的有源器件件是雙極晶晶體管，這這正是取名名為雙極集集成電路的的原因。雙雙極晶體管管是由于它它的工作機(jī)機(jī)制依賴于于電子和空空穴兩種類類型的載流流子而得名名。1.3.1按器件結(jié)構(gòu)構(gòu)類型分類類（2）金屬屬-氧化物物-半導(dǎo)體體（MOS）集成電路：：這種電路路中所用的的晶體管為為MOS晶體管，故故取名為MOS集成電路。。MOS晶體管是由由金屬-氧氧化物-半半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)構(gòu)組成的場場效應(yīng)晶體體管，它主主要靠半導(dǎo)導(dǎo)體表面電電場感應(yīng)產(chǎn)產(chǎn)生的導(dǎo)電電溝道工作作。1.3.1按器件結(jié)結(jié)構(gòu)類型型分類（3）雙雙極-MOS（（BiMOS））集成電路路：同時時包括雙雙極和MOS晶體管的的集成電電路為BiMOS集成電路路。BiMOS集成電路路綜合了了雙極和和MOS器件兩者者的優(yōu)點(diǎn)點(diǎn)，但這這種電路路具有制制作工藝藝復(fù)雜的的缺點(diǎn)。。目前集集成電路路的主流流技術(shù)仍仍然是CMOS技術(shù)。雙極集成成電路：：主要由由雙極晶晶體管構(gòu)構(gòu)成NPN型雙極集集成電路路PNP型雙極集集成電路路金屬-氧氧化物-半導(dǎo)體體(MOS)集成電路路：主要要由MOS晶體管(單極晶晶體管)構(gòu)成NMOSPMOSCMOS(互補(bǔ)MOS)雙極-MOS(BiMOS)集成電路路：同時時包括雙雙極和MOS晶體管的的集成電電路為BiMOS集成電路路，綜合合了雙極極和MOS器件兩者者的優(yōu)點(diǎn)點(diǎn)，但制制作工藝藝復(fù)雜優(yōu)點(diǎn)是速速度高、、驅(qū)動能能力強(qiáng)，，缺點(diǎn)是功功耗較大大、集成成度較低低功耗低、、集成度度高，隨隨著特征征尺寸的縮縮小，速速度也可可以很高高1.3.1按器件結(jié)結(jié)構(gòu)類型型分類1.3.2按集成電電路規(guī)模模分類集成度：：每塊集集成電路路芯片中中包含的的元器件件數(shù)目小規(guī)模集集成電路路(SmallScaleIC，SSI)中規(guī)模集集成電路路(MediumScaleIC，，MSI)大規(guī)模集集成電路路(LargeScaleIC，LSI)超大規(guī)模模集成電電路(VeryLargeScaleIC，VLSI)特大規(guī)模模集成電電路(UltraLargeScaleIC，ULSI)巨大規(guī)模模集成電電路(GiganticScaleIC，GSI））1.3.2按集成電電路規(guī)模模分類1.3.3按結(jié)構(gòu)形形式的分分類（1）單片集成成電路：：它是指指電路中中所有的的元器件件都制作作在同一一塊半導(dǎo)導(dǎo)體基片片上的集集成電路路。這是是最常見見的一種種集成電電路，在在半導(dǎo)體體集成電電路中最最常用的的半導(dǎo)體體材料是是硅，除除此之外外，還有有GaAs等半導(dǎo)體體材料。。1.3.3按結(jié)構(gòu)形形式的分分類（2）混混合集成成電路：：是指將將多個半半導(dǎo)體集集成電路路芯片與與各種分分立元器器件通過過一定的的工藝進(jìn)進(jìn)行二次次集成，，構(gòu)成功功能器件件，該功功能器件件最后被被封裝在在一個管管殼中，，作為一一個整體體使用。。在混合合集成電電路中，，主要由由片式無無源元件件、半導(dǎo)導(dǎo)體芯片片、帶有有互連金金屬化層層的絕緣緣基板以以及封裝裝管殼組組成。1.3.3按結(jié)構(gòu)形形式的分分類根據(jù)制作作混合集集成電路路所采用用的工藝藝，還可可以將它它分為厚厚膜和薄薄膜混合合集成電電路。在在厚膜集集成電路路中，需需要采用用厚膜工工藝在陶陶瓷板上上制作電電阻和互互連線。。厚膜工工藝采用用的主要要材料是是各種漿漿料，如如氧化鈀鈀-銀等等電阻漿漿料、金金或銅等等金屬漿漿料以及及作為隔隔離介質(zhì)質(zhì)的玻璃璃漿料等等。1.3.3按結(jié)構(gòu)形形式的分分類各種漿料料通過絲絲網(wǎng)印刷刷的方法法涂敷到到基板上上，形成成電阻或或互連線線圖形，，圖形的的形狀、、尺寸和和精度主主要由絲絲網(wǎng)掩膜膜決定。。每次完完成漿料料印刷后后要進(jìn)行行干燥和和燒結(jié)。。薄膜集成成電路是是指利用用薄膜工工藝制作作電阻、、電容元元件和金金屬互連連線。它它采用的的工藝主主要有真真空蒸發(fā)發(fā)、濺射射等，各各種薄膜膜的圖形形通常采采用光刻刻、腐蝕蝕等工序序?qū)崿F(xiàn)。。1.3.4按電路功功能分類類（1）數(shù)數(shù)字集成成電路（（DigitalIC）：它是指處處理數(shù)字字信號的的集成電電路，即即采用二二進(jìn)制方方式進(jìn)行行數(shù)字計計算和邏邏輯函數(shù)數(shù)運(yùn)算的的一類集集成電路路。由于于這些電電路都具具有某種種特定的的邏輯功功能，因因此也稱稱它為邏邏輯電路路。1.3.4按電路功功能分類類根據(jù)它們們與輸入入信號時時序的關(guān)關(guān)系，又又可以將將該類集集成電路路分為組組合邏輯輯電路和和時序邏邏輯電路路。前者者的輸出出結(jié)果只只與當(dāng)前前的輸入入信號有有關(guān)，例例如反向向器、與與非門、、或非門門等都屬屬于組合合邏輯電電路；后后者的輸輸出結(jié)果果則不僅僅與當(dāng)前前的輸入入信號有有關(guān)，而而且還與與以前的的邏輯狀狀態(tài)有關(guān)關(guān)，例如如觸發(fā)器器、寄存存器、計計數(shù)器等等就屬于于時序邏邏輯電路路。1.3.4按電路功功能分類類（2）模模擬集成成電路（（AnalogIC））：它是指處處理模擬擬信號（（連續(xù)變變化的信信號）的的集成電電路。早早期的模模擬集成成電路被被稱為線線性IC，直到后來來又出現(xiàn)現(xiàn)了振蕩蕩器、定定時器以以及數(shù)據(jù)據(jù)轉(zhuǎn)換器器等許多多非線性性集成電電路以后后，才將將這類電電路叫做做模擬集集成電路路。1.3.4按電路功功能分類類模擬集成成電路又又可以分分為線性性和非線線性集成成電路。。線性集集成電路路又叫做做放大集集成電路路，這是是因?yàn)榉欧糯笃鞯牡妮敵鲂判盘栯妷簤翰ㄐ瓮ㄍǔＥc輸輸入信號號的波形形相似，，只是被被放大了了許多倍倍，它們們兩者之之間成線線性關(guān)系系。非線線性集成成電路則則是指輸輸出信號號與輸入入信號成成非線性性關(guān)系的的集成電電路。1.3.4按電路功功能分類類（3）數(shù)數(shù)?；旌虾霞呻婋娐罚―igital–AnalogIC））：既包含數(shù)數(shù)字電路路，又包包含模擬擬電路的的新型電電路稱為為數(shù)模混混合集成成電路。。早期由由于集成成電路工工藝和設(shè)設(shè)計技術(shù)術(shù)的限制制，通常常采用混混合集成成電路技技術(shù)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)這種電電路，直直到70年代，，隨著半半導(dǎo)體工工藝技術(shù)術(shù)的發(fā)展展，才研研制成功功單片數(shù)數(shù)模混合合集成電電路。1.3.4按電電路路功功能能分分類類最先先發(fā)發(fā)展展起起來來的的數(shù)數(shù)模?；旎旌虾想婋娐仿肥鞘菙?shù)數(shù)據(jù)據(jù)轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換換器器，，它它主主要要用用來來連連接接電電子子系系統(tǒng)統(tǒng)中中的的數(shù)數(shù)字字部部件件和和模模擬擬部部件件，，用用以以實(shí)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)數(shù)數(shù)字字信信號號和和模模擬擬信信號號的的相相互互轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換換。。因因此此它它可可以以分分為為數(shù)數(shù)模模（（D/A））轉(zhuǎn)換換器器和和模模數(shù)數(shù)（（A/D））轉(zhuǎn)換換器器兩兩種種。。除除此此之之外外，，數(shù)數(shù)模?；旎旌虾想婋娐仿愤€還有有電電壓壓-頻頻率率轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換換器器和和頻頻率率-電電壓壓轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換換器器等等等等。。1.3.5集成成電電路路的的分分類類小小結(jié)結(jié)集成成電電路路是是一一種種高高速速發(fā)發(fā)展展的的技技術(shù)術(shù)，，各各種種新新型型的的集集成成電電路路層層出出不不窮窮，，這這也也是是集集成成電電路路分分類類方方法法繁繁雜雜多多樣樣的的一一個個原原因因。。為為了了使使大大家家對對這這一一節(jié)節(jié)有有一一個個更更清清晰晰的的總總體體認(rèn)認(rèn)識識，，我我們們將將前前面面討討論論的的幾幾種種集集成成電電路路分分類類方方法法總總結(jié)結(jié)成成圖圖1-3。。1.3.5集成成電電路路的的分分類類小小結(jié)結(jié)按結(jié)結(jié)構(gòu)構(gòu)分分類類按規(guī)規(guī)模模分分類類按功功能能分分類類按應(yīng)應(yīng)用用領(lǐng)領(lǐng)域域分分類類集成成電電路路圖1-3集集成成電路路的分分類1.3.5集成電電路的的分類類小結(jié)結(jié)按結(jié)構(gòu)構(gòu)分類類單片集集成電電路混合集集成電電路雙極型型MOS型BiMOS型PMOSNMOSCMOSBiMOSBiCMOS厚膜混混合集集成電電路薄膜混混合集集成電電路1.3.5集成電電路的的分類類小結(jié)結(jié)按功能能分類類數(shù)字電電路模擬電電路數(shù)字模模擬混混合電電路組合邏邏輯電電路時序邏邏輯電電路線性電電路非線性性電路路1.4微電子子學(xué)的的特點(diǎn)點(diǎn)微電子子學(xué)是是研究究在固固體（（主要要是半半導(dǎo)體體）材材料上上構(gòu)成成的微微小型型化電電路、、子系系統(tǒng)及及系統(tǒng)統(tǒng)的電電子學(xué)學(xué)分支支。微微電子子學(xué)作作為電電子學(xué)學(xué)的一一門分分支學(xué)學(xué)科，，主要要是研研究電電子或或離子子在固固體材材料中中的運(yùn)運(yùn)動規(guī)規(guī)律及及其應(yīng)應(yīng)用，，并利利用它它實(shí)現(xiàn)現(xiàn)信號號處理理功能能的科科學(xué)。。微電電子學(xué)學(xué)是以以實(shí)現(xiàn)現(xiàn)電路路和系系統(tǒng)的的集成成為目目的的的，故故實(shí)用用性極極強(qiáng)。。1.4微電子子學(xué)的的特點(diǎn)點(diǎn)微電子子學(xué)中中所實(shí)實(shí)現(xiàn)的的電路路和系系統(tǒng)有有稱為為集成成電路路和集集成系系統(tǒng)，，是微微小型型化的的；在在微電電子學(xué)學(xué)中的的空間間尺度度通常常是以以微米米和納納米為為單位位的。。微電子子學(xué)是是信息息領(lǐng)域域的重重要基基礎(chǔ)學(xué)學(xué)科，，在信信息領(lǐng)領(lǐng)域中中，微微電子子學(xué)是是研究究并實(shí)實(shí)現(xiàn)信信息獲獲取、、傳輸輸、存存儲、、處理理和輸輸出的的科學(xué)學(xué)，是是研究究信息息載體體的科科學(xué)，，構(gòu)成成了信信息科科學(xué)的的基石石。1.4微電子子學(xué)的的特點(diǎn)點(diǎn)微電子