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思考題:一、選擇題石墨爐原子吸收分析和分子熒光分析分別利用的是:A)原子內(nèi)層電子和分子內(nèi)層電子躍遷 B)原子核和分子內(nèi)層電子躍遷C)原子外層電子和分子外層電子躍遷 C)原子外層電子和分子振動(dòng)躍(其中:K和R):A)A=(2-1)bC B)A=K2AS-K1AR C)A=K2A2-K1A1 D)A=下列有關(guān)雙波長(zhǎng)光度分析的哪種說(shuō)法是不正確的?背景吸收可用于扣除混濁液背景校正D)下列哪種方法不屬于雙波長(zhǎng)光度分析?雙峰雙小波長(zhǎng)法導(dǎo)數(shù)光譜: 為幾階導(dǎo)數(shù)光譜?A)一階; B)二階; C)三階; D)四階下圖是各等到測(cè)組份的吸收光譜,請(qǐng)問哪種可用三波長(zhǎng)法得到準(zhǔn)確結(jié)果?GFAAS的升溫程序如下:灰化、干燥、原子化和凈化;B)C)干燥、灰化、原子化和凈化;D)GFAAS升溫過(guò)程中,通何種載氣最佳?A)O2; B)N2; C)Ar; D)CO2何種曲線可用于了解基體成份對(duì)等測(cè)原子信號(hào)的影響?A)蒸發(fā)曲線;B)原子化曲線輪廓;C)分解-原子化曲線;D)峰值吸收曲線對(duì)于GFAAS中基體干擾消除方法,下列哪種說(shuō)法不對(duì)?石墨爐平臺(tái)原子化技術(shù)屬正常Zeeman分裂的是:A)1S0-1P1; B)2S1/2-2P3/2; C)6S5/2-6P7/2; D)4S1/2-4P1/2反常Zeeman4S1/2-4P3/2的譜線數(shù)有:A)三條; B)四條; C)五條; D)六條與經(jīng)典AES相比,關(guān)于ICP-AES分析,下列哪種說(shuō)法不對(duì)?A)ICP-AES的基體干擾效應(yīng)??;B)由于溫度高,因而電離干擾要嚴(yán)重些;C)離子線比原子線強(qiáng)得多; D)更低的檢出限、更大的線性范圍ICP光源中,一旦ICP開始工作后,可以停止的是:A)外管氣;B)中間管氣;C)內(nèi)管氣;D)感應(yīng)線圈中的冷卻水MFS分析中,含重原子(如Br的分子易發(fā)生:A)振動(dòng)弛豫;B)內(nèi)部轉(zhuǎn)換;C)體系間竄躍;D)熒光發(fā)射二、判斷對(duì)錯(cuò)熒光也叫二次光,都屬吸收光譜的范疇。長(zhǎng),而不須進(jìn)一步確認(rèn)。但準(zhǔn)確度將有所下降。可通過(guò)導(dǎo)數(shù)光譜中相鄰兩峰的峰值之比來(lái)衡量吸收曲線的對(duì)稱性。光。因而熒光分析的應(yīng)用不如UV-vis法廣泛。(ic)去活化過(guò)程往往發(fā)生在單重態(tài)和三重態(tài)之間。當(dāng)溫度升高,則ic增加。Stokes熒光波長(zhǎng)比激發(fā)光的波長(zhǎng)要長(zhǎng);而反Stokes熒光波長(zhǎng)則相反。光譜和發(fā)射光譜中的精細(xì)振動(dòng)結(jié)構(gòu)消失。所謂“熒光猝滅”就是熒光完全消失。AAS一樣,GFAAS信號(hào)測(cè)量方法也是多采用峰高法而少用峰面積法。AAS相比,GFAAS法的基體干擾較嚴(yán)重,測(cè)量的精度較差,但其絕對(duì)檢出限低。效地消除基體成份的影響、提高檢測(cè)能力等。與普通原子吸收法相比,Zeeman原子吸收將得到更高的靈敏度。ZeemanZeeman上使吸收線產(chǎn)生Zeeman分裂的稱為反Zeeman調(diào)制。ICP二、填空題:雙峰雙波長(zhǎng)是以 最大吸收波長(zhǎng)為測(cè)量波長(zhǎng),以 最大吸收長(zhǎng)為參比波長(zhǎng)。等吸收法通常要求共存(干擾)組份在所選定的兩個(gè)波長(zhǎng)處有等吸收值,但當(dāng)共存組份沒吸收峰時(shí),就不能使用此法。此時(shí)可采用 法。獲得導(dǎo)數(shù)光譜的方法包括電學(xué)方法、 法和雙波長(zhǎng)掃描法;導(dǎo)數(shù)光譜的測(cè)量法包括 和代數(shù)計(jì)算法。導(dǎo)數(shù)光譜法的特(優(yōu)點(diǎn)包括: 、 和 (出三個(gè)即可。由三重態(tài)到 的躍遷而產(chǎn)生的輻射稱為磷光,觀測(cè)磷光時(shí)通常要用液氮冷凍的方法。分子共軛鍵大則熒光發(fā)射強(qiáng)熒光峰向 波方向移動(dòng)給電子取代基將 (強(qiáng)或減弱;得電子取代基將使熒光強(qiáng)度 (加強(qiáng)或減弱。Zeeman效應(yīng)校正背景方法可分為光源調(diào)制法和 ,后者通常是在上施加磁場(chǎng)。點(diǎn)燃ICP的方法有熱致電離法和 法。四、簡(jiǎn)答題:列出影響熒光強(qiáng)度的主要因素,并分別作出說(shuō)明。何為基體效應(yīng)?基體改進(jìn)劑的作用如何?請(qǐng)畫出下列兩種譜線的Zeeman分裂圖,各產(chǎn)生幾條譜線?1P-1D和

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