數(shù)據(jù)手冊-芯片參考jm12864m-2中文字庫

RAM（GDRAM電源：VDD3.3V~+5V(內(nèi)置升壓電路，無需負(fù)壓)；顯示內(nèi)容：128列×64行顯示角度：6：00LCDMCU接口：84位并行/3位串行LED背光外觀尺寸：93×70×12.5mm視域尺寸：73×39mm 128X64HZ1-2-3-LCD456789工作溫度(Ta)：-10～60℃(常溫20℃～70℃（寬溫8MPUMPU 第一字節(jié)：串口控制—A為數(shù)據(jù)傳送方向控制：HLCDMCU，LMCUC第二字節(jié)：(并行)84位—DDDD0000第三字節(jié)：(并行)84位—0000DDDD串行接口時序參數(shù)：(測試條件：T=25℃VDD=4.5V)1（RE=0（000000000120H設(shè)定DDRAM000000001X設(shè)定DDRAM到“00H令并不改變DDRAM00000001S指定在資料的與寫入時0000001DCBD=1：整體顯示C=1：游標(biāo)ONB=1ON000001XXDDRAM定00001X0XX RE=1RE=0設(shè) 0001543210設(shè)定CGRAM器址設(shè)M0016543210設(shè)定DDRAM器忙016543210寫入資料到的到10（讀從RAM資11（2（RE=1執(zhí)行時間RW76543210待命模0000000001將DDRAM填滿20H”，并且設(shè)定DDRAM的地址計數(shù)卷動地 IRAM000000001SR=0反白選00000001選擇4睡眠模式0000001XX擴(kuò)充功000011X1G0G=1：繪圖顯示G=0：繪圖顯示 IRAM址或卷0001ICONIRAM地址設(shè)定繪圖001CGRAM地址到1、當(dāng)模塊在接受指令前，微處理順必須先確認(rèn)模塊處于非忙碌狀態(tài)，即BF標(biāo)志時BF需為0，方可接受新的指令；如果在送出一個指令前并查BF標(biāo)志，那么一個指令和這個指令中間必須延具體1 LLLLLLLLLHDDRAM位址計數(shù)器調(diào)整為“00H” LLLLLLLLHX功能：把DDRAM位址計數(shù)器調(diào)整為“00H”DDRAM LLLLLLLHS4/ LLLLLLHDCB功能：D=1；整體顯示 LLLLLHXX功能：設(shè)定游標(biāo)的移動與顯示的移位控制位：這個指令并不改變DDRAM6 LLLLHX0XX功能：DL=1（必須設(shè)為1） 7、設(shè)定CGRAM位址 LLLH8DDRAM LLH功能：設(shè)定DDRAM位址到位址計數(shù)器 LH HL功能：寫入資料到的RAM（DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM）11RAM的值 HH功能：從RAM資料12待命模式 LLLLLLLLLH LLLLLLLLH LLLLLLLH LLLLLLHXX LLLLHHX1GL RE=0；基本指令集動作G=1；繪圖顯示ON 17、設(shè)定IRAM位址或卷動位址（017H） LLLH SR=0；AC3~AC0寫ICONRAM位18RAM位址 LLH2X3代碼（02H---11CGRAM的字型；ST7920AHCGROM字型、CGRAM字型及中文CGROMDDRAM中寫入的編碼選擇，各種字型詳細(xì)編碼如下：DDRAM02H-7FHCGRAM字型：將兩字節(jié)編碼寫入DDRAM0000H，0002H，0004H，0006H四種編碼DDRAMKA1A0H-F7FFH(GB碼)A140H-D75FH(BIG5碼)RAM，而地址計數(shù)器（AC）RAM的期間，繪圖RAM的步驟如下：2、先將水平的位元組坐標(biāo)（X）RAM地址；再將垂直的坐標(biāo)（Y）