晶瑞股份專題研究：守正出奇的半導(dǎo)體材料國產(chǎn)先行者

晶瑞股份專題研究：守正出奇的半導(dǎo)體材料國產(chǎn)先行者1

守正出奇的國內(nèi)半導(dǎo)體材料領(lǐng)軍我們認(rèn)為半導(dǎo)體新材料企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力來自于三個(gè)方面：獨(dú)家工藝或設(shè)備、穩(wěn)定生產(chǎn)及穩(wěn)固的卡位。復(fù)盤公司，經(jīng)過二十余年投入，晶瑞股份成功研制出高純濃硫

酸、高純氨水及高純雙氧水的提純方法，同時(shí)不斷攻克光刻膠配方技術(shù)，成功打破

了國際壟斷，業(yè)已成為國內(nèi)諸多半導(dǎo)體下游廠商材料主供應(yīng)商之一。1.1

專注半導(dǎo)體領(lǐng)域新材料公司蘇州晶瑞化學(xué)股份有限公司是一家集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售于一體的科技型新材料

公司，為國內(nèi)外新興科技領(lǐng)域提供關(guān)鍵材料和技術(shù)服務(wù)。主要產(chǎn)品包括超凈高純?cè)?/p>

劑、光刻膠、功能性材料、鋰電池材料等，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、面板顯示、LED等泛

半導(dǎo)體領(lǐng)域及鋰電池、太陽能光伏等新能源行業(yè)。公司經(jīng)過多年研發(fā)和積累，部分

超凈高純?cè)噭┻_(dá)到國際最高純度等級(jí)（G5），打破了國外技術(shù)壟斷；光刻膠產(chǎn)品規(guī)模

化生產(chǎn)

24

年，達(dá)到國際中高級(jí)水準(zhǔn)，是國內(nèi)最早規(guī)模量產(chǎn)光刻膠的少數(shù)幾家企業(yè)之

一。公司實(shí)際控制人為羅培楠女士，通過新銀國際（BVI）持有晶瑞股份控股股東新

銀國際（香港）100%股權(quán)，通過內(nèi)生+外延的發(fā)展方式，集團(tuán)逐漸形成存量基礎(chǔ)業(yè)務(wù)、

并購賦能業(yè)務(wù)及新建業(yè)務(wù)和產(chǎn)能等三大架構(gòu)。2020

年公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入

4.03

億元，較去年同期上升

135.06%；營業(yè)成本

3.27

億元，較去年同期上升

159.43%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)

2303.03

萬元，比上年同期上升

441.19%；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)

2092.32

萬元，比上年同期上升

2766.53%。營收增速迅猛的原因在于我國半導(dǎo)體材料行業(yè)國

產(chǎn)替代進(jìn)程提速、新能源行業(yè)高速發(fā)展，下游客戶對(duì)產(chǎn)品需求旺盛，公司充分把握

行業(yè)發(fā)展機(jī)遇，完善產(chǎn)業(yè)鏈布局，積極開拓市場(chǎng)，同時(shí)隨著全球疫情影響修復(fù)，整

體經(jīng)濟(jì)環(huán)境復(fù)蘇，公司各類銷售訂單量?jī)r(jià)齊升，營業(yè)收入較去年同期大幅增長(zhǎng)。1.2

助力國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)獨(dú)立公司已經(jīng)形成半導(dǎo)體+新能源雙輪驅(qū)動(dòng)業(yè)務(wù)格局。為了打造電子級(jí)硫酸產(chǎn)業(yè)鏈，

公司正在投資建設(shè)年產(chǎn)9萬噸電子級(jí)硫酸改擴(kuò)建項(xiàng)目，一期3萬噸產(chǎn)線主體已于2021

年

5

月已完成項(xiàng)目備案、環(huán)境影響評(píng)價(jià)批復(fù)等程序，未來將逐步改變我國目前半導(dǎo)

體級(jí)硫酸主要依賴進(jìn)口的局面，同時(shí)有利于滿足未來持續(xù)增長(zhǎng)的半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。

公司在眉山投資建設(shè)

8.7

萬噸光電顯示、半導(dǎo)體用新材料項(xiàng)目，有利于企業(yè)維護(hù)和

拓展優(yōu)質(zhì)客戶，充分發(fā)揮公司產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，開拓西南地區(qū)市場(chǎng)，進(jìn)一步擴(kuò)大市

場(chǎng)份額。公司產(chǎn)品等級(jí)不斷提升，在中高端客戶市場(chǎng)的客戶儲(chǔ)備和開拓也取得一定突破。光刻膠及配套材料方面，根據(jù)

2020

年報(bào)顯示，公司生產(chǎn)的

i線光刻膠已向

合肥長(zhǎng)鑫、士蘭微、揚(yáng)杰科技、福順微電子等行業(yè)頭部公司供貨。公司在

2016

年與日本三菱化學(xué)株式會(huì)社在蘇州設(shè)立了

LCD用彩色光刻膠共同研究所，并于

2019

年開始批量生產(chǎn)供應(yīng)顯示面板廠家。同時(shí)公司依托設(shè)立在公

司的國家CNAS實(shí)驗(yàn)室及江蘇省集成電路精細(xì)化學(xué)品工程技術(shù)中心等研發(fā)平

臺(tái)，開發(fā)了系列配套材料用于光刻膠產(chǎn)品配套，為客戶提供了完善的技術(shù)

解決方案，并向半導(dǎo)體公司實(shí)現(xiàn)批量供貨。超凈高純?cè)噭┓矫?，高純雙氧水、高純氨水及在建的高純硫酸等品質(zhì)已達(dá)

SEMI最高等級(jí)

G5

水準(zhǔn)，金屬雜質(zhì)含量均低于

10ppt，可基本解決高純化學(xué)

品這一大類芯片制造材料的本地化供應(yīng)。2020

年報(bào)顯示已投產(chǎn)主導(dǎo)產(chǎn)品獲

得中芯國際、華虹宏力、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、士蘭微等國內(nèi)知名半導(dǎo)體客戶的采購。

公司其他多種超凈高純?cè)噭┤?/p>

BOE、硝酸、鹽酸、氫氟酸等產(chǎn)品品質(zhì)全面達(dá)

到

G3、G4

等級(jí)，可滿足平板顯示、LED、光伏太陽能等行業(yè)客戶需求。鋰電池材料方面，2020

年公司研發(fā)的

CMCLi粘結(jié)劑生產(chǎn)線順利落成，并實(shí)

現(xiàn)量產(chǎn)，規(guī)模達(dá)千噸級(jí)，實(shí)現(xiàn)了我國在該領(lǐng)域零的突破，打破了高端市場(chǎng)

被國外企業(yè)壟斷的格局。同年公司順利完成對(duì)載元派爾森的收購，一舉進(jìn)

入三星環(huán)新的供應(yīng)體系，其主要產(chǎn)品

NMP全年產(chǎn)銷兩旺，市場(chǎng)空間較大。2

打造半導(dǎo)體“過程材料”平臺(tái)型公司我們認(rèn)為全球半導(dǎo)體“不對(duì)稱競(jìng)爭(zhēng)”是引發(fā)我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)獨(dú)立性變革的根本

原因，也是持續(xù)動(dòng)力。同時(shí)制造、封裝等工藝的創(chuàng)新已達(dá)極限，未來半導(dǎo)體行業(yè)將

由“過程材料”從分子層面進(jìn)行支撐，“過程材料”即生產(chǎn)過程中被消耗掉的、不遺

留在產(chǎn)品中的輔助材料。晶瑞股份有望將憑借自身在高純?cè)噭╊I(lǐng)域品種齊全、領(lǐng)先的提純技術(shù)等特點(diǎn)，

未來持續(xù)擴(kuò)大濕化學(xué)品領(lǐng)域的市場(chǎng)。此外，鑒于當(dāng)前半導(dǎo)體領(lǐng)域的風(fēng)向標(biāo)由光刻機(jī)

光源研發(fā)轉(zhuǎn)移至光刻膠的研發(fā)，晶瑞股份有望憑借技術(shù)先發(fā)及配方優(yōu)勢(shì)繼續(xù)鞏固光

刻膠行業(yè)領(lǐng)軍者地位。2.1

半導(dǎo)體“過程材料”從分子層面支撐整個(gè)產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自上而下可以分為設(shè)計(jì)、制造及封裝測(cè)試等三個(gè)環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體材

料主要應(yīng)用在中游圓晶制造端。整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)流程可以歸納為，設(shè)計(jì)公司

設(shè)計(jì)出集成電路，然后委托晶圓制造公司進(jìn)行制造，最后再由封測(cè)廠商對(duì)集成電路

進(jìn)行封裝測(cè)試。在制造和封裝的過程中，還會(huì)涉及到很多高精度的設(shè)備和高純度的

材料。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游由為設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)環(huán)節(jié)提供軟件及知識(shí)產(chǎn)權(quán)、硬件

設(shè)備、原材料等生產(chǎn)資料的核心產(chǎn)業(yè)組成。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的中游可以分為半導(dǎo)體芯

片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)、制造環(huán)節(jié)和封裝測(cè)試環(huán)節(jié)。廣義的半導(dǎo)體材料是指半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中用到的各種材料，例如前端芯片制造用

大尺寸硅片，晶片拋光用拋光液和拋光墊，貫穿半導(dǎo)體各個(gè)工藝制程的電子特種氣

體，IC制作過程中用的光掩膜版、光刻膠等。典型的半導(dǎo)體材料是指電阻率在

10-3Ω·cm～108Ω·cm、導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，主要包括半金屬、

元素半導(dǎo)體材料和化物半導(dǎo)體材料等。我國晶圓制造材料銷售額增速遠(yuǎn)超封裝材料增速。從占比來看，2011

年我國晶

圓制造材料與封裝材料市場(chǎng)份額基本都在

50%左右，平分秋色。而到

2020

年我國晶

圓制造材料占比上升至63.11%，封裝材料下降至36.89%。從絕對(duì)數(shù)額來看，2016-2020年我國晶圓制造材料年均復(fù)合增速為

18.3%，封裝材料同期的復(fù)合增速為

9.18%，晶

圓制造材料的增速接近于封裝材料的兩倍，重要性日益提高。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占

比為

32.9%。其次為氣體，占比為

14.1%，光掩膜排名第三，占比為

12.6%，其后分

別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、建設(shè)靶材，比分別為

7.2%、6.9%、6.1%、4%和

3%。我們認(rèn)為未來，國內(nèi)圓晶廠商擴(kuò)建、技術(shù)革新增加用量、政策面推動(dòng)、國家基

金支持及國產(chǎn)替代等五大因素將有力推動(dòng)半導(dǎo)體“過程”材料市場(chǎng)的成長(zhǎng)。產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移推動(dòng)國內(nèi)圓晶廠建設(shè)我國集成電路大部分依賴進(jìn)口。目前我國根據(jù)海關(guān)統(tǒng)計(jì)，2020

年中國進(jìn)口集成

電路

5435

億塊，同比增長(zhǎng)

22.1%；進(jìn)口金額

3500.4

億美元，同比增長(zhǎng)

14.6%。2020

年中國集成電路出口

2598

億塊，同比增長(zhǎng)

18.8%，出口金額

1166

億美元，同比增長(zhǎng)

14.8%。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐步東移，國產(chǎn)化進(jìn)程加速?？傮w來看，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總共經(jīng)歷了三

次大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移：第一次是

20

世紀(jì)

70-80

年代，由美國向日本轉(zhuǎn)移，日本借助家電產(chǎn)業(yè)和大型機(jī)

DRAM市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)美國的趕超；第二次在

20

世紀(jì)

80-90

年代，

由美國、日本向韓國和中國臺(tái)灣轉(zhuǎn)移，韓國借助

PC及移動(dòng)通信發(fā)展成為

DRAM的主

要生產(chǎn)者，而中國臺(tái)灣則通過在晶圓代工、封裝測(cè)試領(lǐng)域的垂直分工奠定了半導(dǎo)體

代工領(lǐng)域的龍頭地位。第三次轉(zhuǎn)移逐步向中國大陸轉(zhuǎn)移，國產(chǎn)化替代已成為主旋律。中國大陸圓晶廠產(chǎn)量占比全球總產(chǎn)量逐年提升。ESIA將半導(dǎo)體產(chǎn)能歸一化為

200

毫米晶圓當(dāng)量后的統(tǒng)計(jì)結(jié)果顯示，中國大陸圓晶廠產(chǎn)量從

1995

年占全球產(chǎn)量的

14.4%上升到

2020

年的

22.8%，同期歐洲從

9.4%下降到

7.2%。近五年，除中國大陸

以外的所有半導(dǎo)體產(chǎn)區(qū)的份額均出現(xiàn)下降。美國從

2015

年的

12.6%下降到了

2020

年的

10.6%，中國臺(tái)灣地區(qū)也從

2015

年的

18.8%略降到了

2020

年的

17.8%。中國大陸晶圓廠進(jìn)入投產(chǎn)高峰期，持續(xù)驅(qū)動(dòng)晶圓制造材料板塊發(fā)展。截止

2020

年第四季

度，12

英寸生產(chǎn)線投產(chǎn)的

26

條，合計(jì)裝機(jī)產(chǎn)能約

103

萬片，較

2019

年增長(zhǎng)

15%，8

英寸生產(chǎn)線投產(chǎn)的

24

條，合計(jì)裝機(jī)產(chǎn)能約

117

萬片，較

2019

年增長(zhǎng)

17%；2020

年

在建未完工、開工建設(shè)或簽約的

12

英寸生產(chǎn)線有

15

條，月規(guī)劃產(chǎn)能達(dá)

62

萬片；在

建未完工、開工建設(shè)或簽約的

8

英寸生產(chǎn)線有

7

條，月規(guī)劃產(chǎn)能達(dá)

26

萬片。技術(shù)迭代增加濕化學(xué)品用量，同時(shí)催生更多品類光刻膠高純?cè)噭┲饕脕砬逑葱酒圃爝^程中的沾污，隨著制程工藝精細(xì)化發(fā)展，所

需的高純?cè)噭┝恳搽S之增加。芯片制造需要在無塵室中進(jìn)行，如果在制造過程中，

有沾污現(xiàn)象，將影響芯片上器件的正常功能。據(jù)估計(jì)，80%的芯片電學(xué)失效都是由沾

污帶來的缺陷引起的。沾污雜質(zhì)是指半導(dǎo)體制造過程中引入的任何危害芯片成品率

及電學(xué)性能的物質(zhì)，具體的沾污包括顆粒、有機(jī)物、金屬和自然氧化層等，因而通

常采用高純酸堿及其混合溶液來進(jìn)行清洗。一般來說，工藝越精細(xì)對(duì)于控污的要求越高，而且難度越大，隨著半導(dǎo)體芯片

工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入

28

納米、14

納米等更先進(jìn)等級(jí)，工藝流程的延長(zhǎng)且越趨復(fù)雜，產(chǎn)

線成品率也會(huì)隨之下降。造成這種現(xiàn)象的一個(gè)原因就是先進(jìn)制程對(duì)雜質(zhì)的敏感度更

高，小尺寸污染物的高效清洗更困難，解決的方法主要是增加清洗步驟。在

80-60nm制程中，清洗工藝大約

100

多個(gè)步驟，而到了

10nm制程，增至

200

多個(gè)清洗步驟。

因而也需要更多的濕化學(xué)品。隨著光刻技術(shù)的不斷深入發(fā)展，光刻膠的品類也在逐漸增加。從

1959

年被發(fā)

明以來，光刻膠就是半導(dǎo)體工業(yè)最核心的工業(yè)材料之一，

在大規(guī)模集成電路的制造

過程中，光刻和刻蝕技術(shù)是精細(xì)線路圖形加工中最重要的工藝，決定著芯片的最小

特征尺寸，占芯片制造時(shí)間的

40-50%，占制造成本的

30%?，F(xiàn)代微電子（集成電路）

工業(yè)按照摩爾定律在不斷發(fā)展，即集成電路的集成度每

18

個(gè)月翻一番；芯片的特征

尺寸每

3

年縮小

2

倍，芯片面積增加

15

倍，芯片中的晶體管數(shù)增加約

4

倍，即每過

3

年便有一代新的集成電路產(chǎn)品問世?，F(xiàn)在世界集成電路水平已由微米級(jí)（10μｍ）、

亞微米級(jí)（10～0.35μｍ）、深亞微米級(jí)（0.35μｍ以下）進(jìn)入到納米級(jí)（90～65ｎ

ｍ）階段，對(duì)光刻膠分辨率等性能的要求不斷提高。因?yàn)楣饪棠z的可分辨線寬

δ＝

ｋλ／ＮＡ，因此縮短曝光波長(zhǎng)和提高透鏡的開口數(shù)（Ｎ可提高光刻膠的分辨率）。光刻技術(shù)隨著集成電路的發(fā)展，光刻技術(shù)已經(jīng)經(jīng)歷了從紫外寬譜（300~450nm），G線(436nm)，Ｉ線（365nm），KrF（248nm），ARF（193nm）

F2（157nm），到

EUV（13.5nm）

階段，用于滿足世界集成電路更高密度的堆積和更先進(jìn)的制程工藝。政策支持，相關(guān)利好政策推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。半導(dǎo)體材料行業(yè)作為支撐半導(dǎo)體發(fā)展的上游行業(yè)，近年來得到了國家一系列相

關(guān)政策的支持。為實(shí)現(xiàn)集成電路跨越式的發(fā)展，2014

年國務(wù)院發(fā)布《國家集成電路

發(fā)展推進(jìn)綱要》，提出到

2020

年，集成電路產(chǎn)業(yè)與國際先進(jìn)水平差距逐步縮?。坏?/p>

2030

年，集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達(dá)到國際先進(jìn)水平，一批企業(yè)進(jìn)入國際第一梯隊(duì)

的發(fā)展目標(biāo)。2016

年以后，大量政策開始出臺(tái)，戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的加速發(fā)展，為我

國集成電路產(chǎn)業(yè)帶來強(qiáng)力支撐，體現(xiàn)了國家對(duì)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展高度重視。資金支持，大基金助力半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展。國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，主要為推進(jìn)中國芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而設(shè)立。大基金

一期主要投資于半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域，投資期為五年，累計(jì)投資約

60

家企業(yè)。大

基金二期主要投資方向?yàn)橐黄谕顿Y較少的半導(dǎo)體制造設(shè)備和半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。二期

在資金規(guī)模上遠(yuǎn)超一期，一二期資金協(xié)同配合以完成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局。國產(chǎn)替代迫在眉睫復(fù)盤日韓貿(mào)易沖突，光刻膠和高純?cè)噭┍涣腥肴毡緦?duì)韓限制關(guān)鍵材料。2019

年

8

月，日本對(duì)韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行出口管制，其中包含氟化聚酰亞胺、光刻膠、高純

氟化氫等三種半導(dǎo)體材料。韓國貿(mào)易協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)顯示，日本企業(yè)生產(chǎn)的顯示器制造所

需的氟化多聚物和光刻膠，產(chǎn)量幾乎占到全球總供應(yīng)的

100%；氟化氫占全球供應(yīng)量

的近

70%。韓國從日本進(jìn)口的大部分是關(guān)鍵材料和零部件，這些材料和零部件主要用

于生產(chǎn)韓國主要出口產(chǎn)品，此次與日本的貿(mào)易爭(zhēng)端直接沖擊了韓國屏幕、芯片生產(chǎn)

和半導(dǎo)體行業(yè)。面對(duì)制裁，韓國不斷投入以尋求自我突破或研發(fā)替代材料。為減少對(duì)日本的依

賴，韓國政府推出了一項(xiàng)綜合研發(fā)計(jì)劃，包括在未來七年內(nèi)投入

64.8

億美元用于本

土材料、元器件等的研發(fā)，同時(shí)將投入

41.2

億美元提高關(guān)鍵工業(yè)材料的研發(fā)能力。氟化氫較快地實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)化，LG在

9

月便宣布使用韓國生產(chǎn)的氟化氫替代

了日本進(jìn)口材料，Soulbrain和

SKMaterials緊隨其后，擴(kuò)大了半導(dǎo)體氟

化氫的生產(chǎn)。除獨(dú)立生產(chǎn)外，韓國同時(shí)從中國大陸和中國臺(tái)灣省以及美國進(jìn)口

以替代日本產(chǎn)品。2020

年，韓國從日進(jìn)口氟化氫降至

93.8

億美元，是

17

年來首次低于

100

億美元，相較

2018

年

668.6

億美元的進(jìn)口額下降了

86%。光刻膠方面，韓國的解決措施更多依賴于與日本公司的合作，通過合資企

業(yè)繞開日本政府的限制。TaiyoHoldings通過和其韓國子公司

TaiyoInk合營投資建設(shè)

EUV光刻膠產(chǎn)線，TOK和三星合資設(shè)立的

TOKAdvancedMaterials在韓生產(chǎn)

EUV光刻膠以供應(yīng)三星需求，三星同時(shí)從

JSR在比利時(shí)

的合資企業(yè)進(jìn)口光刻膠。此外，據(jù)韓國貿(mào)易、工業(yè)和能源部，韓國從美國

吸引了價(jià)值

3000

億美元的

EUV相關(guān)投資。2021

年

1~5

月，日本進(jìn)口光刻膠

占比

85.2%，相較

2019

年同期的

91.9%，下降了

6.7

個(gè)百分點(diǎn)。整體上看，韓國的不利局面并沒有得到根本的扭轉(zhuǎn)。文在寅在

2021

年

7

月的一次講話中提出韓國關(guān)鍵工業(yè)材料的獨(dú)立獨(dú)立自主取得了重大進(jìn)展，但韓國的去日化

依然遠(yuǎn)未成功。韓國對(duì)日貿(mào)易逆差額依然居高不下，僅在

2019

年出現(xiàn)下降，此后反

而呈擴(kuò)大態(tài)勢(shì)。據(jù)

KITA數(shù)據(jù)，2021

年

1~5

月期間韓國對(duì)日貿(mào)易逆差達(dá)到

102

億美元，

相較去年同期大幅度增長(zhǎng)

34%，其中進(jìn)口半導(dǎo)體設(shè)備金額相較去年同期增長(zhǎng)

55%，高

端化學(xué)品進(jìn)口額增長(zhǎng)

12%。同時(shí)

KITA預(yù)測(cè)

2021

年韓國對(duì)日貿(mào)易逆差將超過

2020

年。我國半導(dǎo)體國產(chǎn)化率極低，以史為鑒，國產(chǎn)替代已迫在眉睫。根據(jù)中國電子工

業(yè)材料協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，全球微電子化學(xué)品市場(chǎng)主要被歐美、日本和亞太企業(yè)占據(jù)，目前

國際大型微電子化學(xué)廠商主要集中在歐洲、美國和日本等地區(qū)，主要包括日本的

TOK、

JSR、富士、信越化學(xué)、住友化學(xué)、，歐洲的

AZEM、

E.Merck和韓國的東進(jìn)世美等。

隨著產(chǎn)業(yè)向中國轉(zhuǎn)移、美國對(duì)中國科技技術(shù)的打壓和配套產(chǎn)業(yè)鏈的完善，未來進(jìn)口

替代是趨勢(shì)所向，其中大部分中低端產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，國內(nèi)企業(yè)已在光刻膠等

高端產(chǎn)品進(jìn)口替代上取得突破，進(jìn)口替代趨勢(shì)愈加明顯。2.2

超高/高純?cè)噭┮殉蔀橹袌?jiān)力量公司超凈高純?cè)噭┲饕獞?yīng)用在半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)過程。隨著公司年產(chǎn)

9

萬噸超大

規(guī)模集成電路用半導(dǎo)體級(jí)高純硫酸技改項(xiàng)目的實(shí)施，部分硫酸產(chǎn)能將由基礎(chǔ)化工行

業(yè)類別轉(zhuǎn)化為超凈高純?cè)噭┬袠I(yè)類別，公司產(chǎn)品將進(jìn)一步朝著半導(dǎo)體材料領(lǐng)域傾斜。我們認(rèn)為種類豐富、品質(zhì)高及注重專利保護(hù)等三大因素助力公司脫穎而出。品類豐富可以滿足下游多樣化需求超凈高純?cè)噭┦强刂祁w粒和雜質(zhì)含量的電子工業(yè)用化學(xué)試劑。按性質(zhì)可劃分為：

酸類、堿類、有機(jī)溶劑類和其它類。晶瑞股份的超凈高純?cè)噭┒嗫町a(chǎn)品達(dá)到

G4

等級(jí)，其中超凈高純雙氧水、超凈高

純硫酸、超凈高純氨水三大類產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)整體技術(shù)突破，達(dá)到

G5

等級(jí)，是國內(nèi)唯一

一家同時(shí)供應(yīng)硫酸、雙氧水、氨水三種高純?cè)噭┑钠髽I(yè)，適用于

4

納米以上集成電

路加工工藝。公司目前已投產(chǎn)產(chǎn)品已獲得上海華虹、中芯國際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)

鑫等知名半導(dǎo)體客戶的采購或認(rèn)證。公司產(chǎn)品品質(zhì)極高，硫酸、氨水及雙氧水均為G5

級(jí)別

集成電路集成度越高，對(duì)高純?cè)噭╊w?？刂频囊笤絿?yán)格。一般認(rèn)為，產(chǎn)生集

成電路斷絲、短路等物理性故障的雜質(zhì)大小為最小線寬的

1/4,產(chǎn)生腐蝕或漏電等化

學(xué)性故障的雜質(zhì)大小為最小線寬的

1/10。隨著集成電路線寬尺寸減小，對(duì)專用化學(xué)

品中的金屬雜質(zhì)、塵埃含量、塵埃粒徑等指標(biāo)提出了更高的要求，對(duì)超凈高純?cè)噭?/p>

的需求日益增加。晶瑞股份的超凈高純?cè)噭┢焚|(zhì)行業(yè)領(lǐng)先。1975

年國際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織

(SEMI)制定了國際統(tǒng)一的超凈高純?cè)噭?biāo)準(zhǔn)，以對(duì)應(yīng)不同線寬的集成電路應(yīng)用。目

前我國大多數(shù)企業(yè)的工藝水平在

SEMIG1

至

G2

之間，較好的能達(dá)到

SEMIG3

級(jí)別，僅

有少數(shù)國內(nèi)企業(yè)部分產(chǎn)品能達(dá)到

SEMIG4

及以上的等級(jí)。其中晶瑞股份的濃硫酸、氨

水及雙氧水等三項(xiàng)產(chǎn)品的提純技術(shù)已經(jīng)能達(dá)到

SEMIG5

級(jí)別。公司注重專利申請(qǐng)以防止競(jìng)爭(zhēng)者復(fù)刻通過多年創(chuàng)新，公司取得了一系列擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)并已經(jīng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的科研

成果。公司擁有江蘇省工程技術(shù)中心，江蘇省企業(yè)技術(shù)中心等省級(jí)研發(fā)平臺(tái)，擁有

國家

CNAS認(rèn)證實(shí)驗(yàn)室一個(gè)。近十年先后承擔(dān)了國家重大科技專項(xiàng)、863

計(jì)劃等一

大批國家科技項(xiàng)目。研發(fā)生產(chǎn)銷售微電子業(yè)用超純電子材料如電子級(jí)雙氧水、電子

級(jí)氨水、電子級(jí)硝酸等。2.3

半導(dǎo)體光刻膠有望成為未來支柱集成電路制造工藝繁多復(fù)雜，其中光刻、刻蝕和薄膜沉積是半導(dǎo)體制造三大核

心工藝。制造芯片的過程需要數(shù)十層光罩，集成電路制造主要是通過薄膜沉積、光

刻和刻蝕三大工藝循環(huán)，把所有光罩的圖形逐層轉(zhuǎn)移到晶圓上。其中薄膜沉積工藝

主要功效是在晶圓上沉積一層待處理的薄膜，光刻技術(shù)主要功效是把光罩上的圖形

轉(zhuǎn)移到光刻膠，刻蝕工藝主要功效是把光刻膠上圖形轉(zhuǎn)移到薄膜，最后去除光刻膠

后，就完成圖形從光罩到晶圓的轉(zhuǎn)移。光刻膠的質(zhì)量決定著刻蝕的質(zhì)量。光刻膠是利用光化學(xué)反應(yīng)經(jīng)光刻工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，由成膜劑、光敏劑、

溶劑和添加劑等主要化學(xué)品

成分和其他助劑組成，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微

細(xì)圖形線路的加工制作，是微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性材料。由于集成電路一般有十幾

層結(jié)構(gòu)，每層結(jié)構(gòu)加工則需要十幾個(gè)刻蝕步驟，只有每個(gè)刻蝕步驟的合格率均達(dá)到

99.99%，才能實(shí)現(xiàn)總體合格率

90%以上，因此高品質(zhì)光刻膠的作用不言而喻。過去光刻膠品類隨著光刻機(jī)迭代而更新，而光刻機(jī)的迭代實(shí)質(zhì)其實(shí)是光源的迭代更新。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻

膠見光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。這就是光刻的作用，類似照相機(jī)照相。照相機(jī)拍攝的照片是印在

底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。簡(jiǎn)單點(diǎn)來說，光刻機(jī)

就是放大的單反，光刻機(jī)就是將光罩上的設(shè)計(jì)好集成電路圖形通過光線的曝光印到

光感材料上，形成圖形。過去的幾十年中，光刻的曝光波長(zhǎng)已從汞燈的

436nm縮小到

356nm，進(jìn)而到深

紫外波長(zhǎng)

248nm的

KrF準(zhǔn)分子激光，193nm的

ArF準(zhǔn)分子激光和更短波長(zhǎng)的

157nmF2

準(zhǔn)分子激光。目前光源創(chuàng)新已達(dá)極致，未來光刻膠的研發(fā)將接棒光刻機(jī)的研發(fā)，占據(jù)推動(dòng)整

個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的主導(dǎo)地位。根據(jù)瑞利公式，為了提高分辨率，獲得較窄的光刻線寬，

常用的方法有采用更短的曝光波長(zhǎng)或更大的數(shù)值孔徑。然而，孔徑的增加會(huì)受到焦

深的限制。因此，提高分辨率的最直接辦法就是采用更短波長(zhǎng)的光源。隨著特征尺寸的不斷變小，傳統(tǒng)的光學(xué)投影光刻已經(jīng)達(dá)到了物理極限，要研發(fā)

相應(yīng)的光刻設(shè)備所付出的技術(shù)和資金代價(jià)都十分高昂。目前正在研發(fā)的

EUV光源有

激光等離子體源（LPP）技術(shù)和放電等離子體源（DPP）技術(shù)等兩種光源。LPP技術(shù)是

采用高功率激光轟擊氙（Xe）或錫（Sn）等靶材產(chǎn)生等離子體，由等離子體釋放極

紫外光。DPP技術(shù)在放電氣體中加入脈沖高電壓，產(chǎn)生等離子釋放極紫外光。而

LPP技術(shù)被認(rèn)為是

EUV光源的最佳候選者，主要是因?yàn)?/p>

LPPEUV光源發(fā)光區(qū)域小，發(fā)出

的極紫外輻射可以很好地收集，能達(dá)到大規(guī)模生產(chǎn)制造所需要的功率。而

DPPEUV光源功率還達(dá)不到要求。LPP技術(shù)的靶材由氙轉(zhuǎn)變?yōu)殄a后，具有更高的轉(zhuǎn)換效率（CE）。

因而

LPPEUV光源是下一代光刻光源中最有希望的，進(jìn)而繼

193

nm浸沒式光刻技術(shù)

后成為集成電路制造領(lǐng)域的主流光刻技術(shù)。我們認(rèn)為種類豐富、配方能力及注重專利保護(hù)等兩大因素助力公司在光刻膠產(chǎn)業(yè)脫穎而出。品類豐富，能滿足下游多樣需求蘇州瑞紅

1993

年開始光刻膠生產(chǎn)，承擔(dān)并完成了國家

02

專項(xiàng)“i線光刻膠產(chǎn)品開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目。公司光刻膠產(chǎn)品序列齊全，產(chǎn)業(yè)化規(guī)模、盈利能力均處于行業(yè)領(lǐng)先水平，其中

i線光刻膠已向國內(nèi)的知名大尺寸半導(dǎo)體廠商供貨，

KrF（248nm深紫外）光刻膠完成

中試，產(chǎn)品分辨率達(dá)到了

0.25～0.13μm的技術(shù)要求，建成了中試示范線。此外，公

司在

2016

年與日本三菱化學(xué)株式會(huì)社在蘇州設(shè)立了

LCD用彩色光刻膠共同研究所，

為三菱化學(xué)的彩色光刻膠在國內(nèi)的檢測(cè)以及中國國內(nèi)客戶評(píng)定檢測(cè)服務(wù)，并于

2019

年開始批量生產(chǎn)供應(yīng)顯示面板廠家。公司于

2020

年下半年購買

ASML1900Gi型光刻

機(jī)設(shè)備，

ArF高端光刻膠研發(fā)工作正式啟動(dòng)，旨在研發(fā)滿足

90-28nm芯片制程的ArF(193nm)光刻膠，滿足當(dāng)前集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵材料市場(chǎng)需求。配方工藝為最核心工藝公司生產(chǎn)的光刻膠對(duì)應(yīng)的核心生產(chǎn)工藝為產(chǎn)品配方技術(shù)、超潔凈技術(shù)和質(zhì)量控

制技術(shù)，其中配方技術(shù)為最核心工藝。公司擁有

100

級(jí)凈化灌裝線，生產(chǎn)人員在潔

凈環(huán)境下根據(jù)公司自主研發(fā)的產(chǎn)品配方對(duì)原材料進(jìn)行配比溶解，經(jīng)調(diào)整后，進(jìn)行精

密過濾，最后灌裝形成光刻膠成品；同時(shí)，公司擁有國內(nèi)一流的光刻膠檢測(cè)評(píng)價(jià)技

術(shù)，為了保證公司產(chǎn)品質(zhì)量，在每一步工藝流程后均會(huì)對(duì)公司產(chǎn)品進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)分

析，以滿足客戶對(duì)光刻膠的分辨率、感光靈敏度等技術(shù)指標(biāo)要求。以專利保護(hù)構(gòu)建護(hù)城河公司具有悠久的光刻膠研發(fā)和生產(chǎn)歷史，具有較多的技術(shù)沉淀、應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)和市

場(chǎng)基礎(chǔ)，利于新品的研發(fā)和產(chǎn)品的推廣。公司生產(chǎn)工藝流程和設(shè)備完善、質(zhì)量控制

體系完善。光刻膠配套材料包括緩沖蝕刻液、鋁蝕刻液、清洗液、顯影液、稀釋劑、

剝離液、硅蝕刻液等十幾個(gè)品種，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于超大規(guī)模集成電路、液晶面板、

LED、觸摸屏、光伏電池、鋰電池等行業(yè)。2.4

對(duì)標(biāo)信越夯實(shí)領(lǐng)軍者地位信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社成立于

1926

年，于

1949

年在東京證券交易所上市，是

日本最大的化工企業(yè)。信越化學(xué)是全球半導(dǎo)體材料巨頭，在半導(dǎo)體硅、光掩膜等領(lǐng)

域占據(jù)了全球最大的市場(chǎng)份額。公司主要業(yè)務(wù)包括

PVC/聚氯乙烯、有機(jī)硅、特種化

學(xué)品、半導(dǎo)體硅和電子與功能性材料五個(gè)板塊。信越化學(xué)經(jīng)營風(fēng)格穩(wěn)健，長(zhǎng)期保持著超過

80%的凈資產(chǎn)比。十年來公司營業(yè)收入

和歸母凈利潤(rùn)穩(wěn)步上升。2020

財(cái)年（2020

年

4

月至

2021

年

3

月）受疫情影響，市

場(chǎng)形勢(shì)不佳，需求縮減，公司營收和歸母凈利潤(rùn)出現(xiàn)小幅度下降，分別為

15435

億

日元（141.6

億美元）和

3140

億日元（28.8

億美元），同比下降

3%和

6%，證明公司

具有較強(qiáng)的風(fēng)險(xiǎn)應(yīng)對(duì)能力。分業(yè)務(wù)板塊看，PVC/聚氯乙烯是公司最大的業(yè)務(wù)板塊，營業(yè)收入占比

31%。電子與

功能性材料板塊

2020

財(cái)年?duì)I業(yè)收入

2348

億日元，占比

16%。在各個(gè)板塊中，電子與功

能性材料的營業(yè)利潤(rùn)率始終保持在較高的水平，并呈現(xiàn)出緩慢增長(zhǎng)的趨勢(shì)，半導(dǎo)體硅的

營業(yè)利潤(rùn)率近年來出現(xiàn)了較大幅度的增長(zhǎng)，從

2017

年的

22%增長(zhǎng)到了

2020

年的

39%。信越及晶瑞半導(dǎo)體材料品類眾多，且貼近下游客戶信越公司半導(dǎo)體材料種類豐富，涵蓋高品質(zhì)硅片、光刻膠、切割拋光、樹脂密

封等等，完全覆蓋下游需求。信越光刻膠產(chǎn)品包括

SIPR、SEPR、SAIL等六個(gè)系列，

覆蓋了

i線、干式

ArF、浸沒式

ArF、KrF和

EUV，主要用于半導(dǎo)體制造和磁頭制造。

SIPR等

i線產(chǎn)品主要用于半導(dǎo)體、GaAs（砷化鎵）、薄膜磁頭（thin-filmmagneticheads）、MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）、凸塊制造（bump）等，KrF和

ArF產(chǎn)品用于半導(dǎo)體蝕

刻，此外，在前沿的微型化領(lǐng)域，公司也實(shí)現(xiàn)了多層光刻膠產(chǎn)品的量產(chǎn)。信越公司產(chǎn)地分布貼近下游圓晶廠，可以更及時(shí)服務(wù)客戶。信越光刻膠生產(chǎn)基

地布局在日本新潟縣和中國臺(tái)灣省云林縣。其中中國臺(tái)灣生產(chǎn)基地于

2018

年

11

月

設(shè)立，是信越在海外設(shè)立的首個(gè)光刻膠生產(chǎn)基地，該基地旨在利用中國臺(tái)灣作為主

要光刻膠需求地的區(qū)位優(yōu)勢(shì)。2020

年

10

月，信越宣布投資

300

億日元（2.85

億美

元）擴(kuò)張中國臺(tái)灣和日本的光刻膠產(chǎn)線，建設(shè)完成后中國臺(tái)灣工廠將增產(chǎn)

50%，并新

建

EUV光刻膠產(chǎn)能以滿足臺(tái)積電等客戶的需求，日本工廠將增產(chǎn)

20%。公司通過外延并購豐富產(chǎn)品類型，目前已形成高純半導(dǎo)體用試劑及光刻膠組合

拳產(chǎn)品。公司圍繞泛半導(dǎo)體材料和新能源材料兩個(gè)方向，通過并購行業(yè)優(yōu)質(zhì)資源來擴(kuò)充自身實(shí)力。2017

年收購蘇州瑞紅股份，完成光刻膠業(yè)務(wù)布局；2017

年及

2019

年分階段收購電子級(jí)硫酸公司江蘇陽恒，一舉增強(qiáng)了公司濕化學(xué)品研制能力；2019

年發(fā)行股份及支付現(xiàn)金購買載元派爾森，完成鋰電池行業(yè)布局；2021

年收購晶之瑞

（蘇州）微電子科技有限公司，進(jìn)一步豐富了自身的產(chǎn)品類型。未來，公司依然通過內(nèi)生增長(zhǎng)和外延并購，將公司打造成產(chǎn)品種類全、技術(shù)水

平高，具有國際競(jìng)爭(zhēng)力的微電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)。晶瑞股份生產(chǎn)基地基本選在我國圓晶廠密集地區(qū)。我國的晶圓廠，熟悉半導(dǎo)體

的朋友都會(huì)有所了解，我們?cè)诖箨懹写罅康木A廠正在建設(shè)，分布在不同的區(qū)域，

華北、華南、華中都有，華東的數(shù)量是最多的。信越憑借半導(dǎo)體器件卡位半導(dǎo)體市場(chǎng)，晶瑞則憑借光刻膠率先研發(fā)實(shí)現(xiàn)卡位信越化學(xué)以半導(dǎo)體器件迅速切入半導(dǎo)體市場(chǎng)，完成卡位后快速導(dǎo)入光刻膠及高

純度硅片產(chǎn)品。信越集團(tuán)于

1979

年便設(shè)立

S.E.H.

America公司，開始生產(chǎn)

IC掩膜

板用合成石英基板，隨后于

1984

年設(shè)立

S.E.H.

Europe（英國），并完成鉭酸鋰（LT）

產(chǎn)品的生產(chǎn)，隨后十余年內(nèi)逐步開發(fā)出超高純氮化硼（PBN）成型產(chǎn)品、超小型光隔

離器及光掩膜防塵用保護(hù)罩、蒙版，成功打入了美國及韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。隨后公司于

1998

年實(shí)現(xiàn)了光刻膠生產(chǎn)商業(yè)化，并成功導(dǎo)入韓國三星等企業(yè)中。

根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，2020

年，信越化學(xué)在全球光刻膠市場(chǎng)占有約

13%的份額。

其中在目前光刻技術(shù)最前沿的

EUV光刻領(lǐng)域，信越化學(xué)是全球?yàn)閿?shù)不多具備

EUV光

刻膠生產(chǎn)能力的企業(yè)之一，和

JSR共同占據(jù)了約

90%的市場(chǎng)份額。相比行業(yè)內(nèi)其他公司，晶瑞股份子公司蘇州瑞紅為國內(nèi)最早一批投入光刻膠研

發(fā)的企業(yè)。蘇州瑞紅

1993

年開始光刻膠的生產(chǎn)，是國內(nèi)最早規(guī)?；a(chǎn)光刻膠的

企業(yè)之一，承擔(dān)了國家重大科技項(xiàng)目

02

專項(xiàng)

“i線光刻膠產(chǎn)品開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”

項(xiàng)目，在國內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)目前集成電路芯片制造領(lǐng)域大量使用的核心光刻膠的量產(chǎn)，

可以實(shí)現(xiàn)

0.35μm的分辨率，在業(yè)內(nèi)建立了較高技術(shù)聲譽(yù)。2021

年

6

月

22

日，晶

瑞股份在投資者互動(dòng)平臺(tái)中表示，公司的KrF光刻膠完成中試，建成了中試示范線，

目前已進(jìn)入客戶測(cè)試階段，達(dá)到0.15μm的分辨率，測(cè)試通過后即可進(jìn)入量產(chǎn)階段，

滿足當(dāng)前集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵材料市場(chǎng)需求?？v觀行業(yè)其他公司，研發(fā)時(shí)間大多晚于

晶瑞股份，且相關(guān)配方已被公司申請(qǐng)專利保護(hù)，因而行業(yè)內(nèi)其他公司的研制路徑及

方式必然存在不同。雖然該領(lǐng)域產(chǎn)品通過下游驗(yàn)證后性能相似，但其配方及研制方

法均為各家企業(yè)獨(dú)創(chuàng)。信越及晶瑞均十分重視研發(fā)投入及專利保護(hù)信越十分重視知識(shí)產(chǎn)權(quán)，從

90

年代開始大量布局光刻膠相關(guān)專利，到

2011

年

左右達(dá)到頂峰。同時(shí)公司也注重在海外的專利布局，其在韓國、中國大陸、中國臺(tái)灣和美國都擁有大量的專利。通過早期大規(guī)模布局，公司得以鞏固其技術(shù)壁壘。晶瑞股份取得了一大批擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)并產(chǎn)業(yè)化的科研成果。2020

年公司研

發(fā)投入為

3384.7

萬元，穩(wěn)定的研發(fā)投入及優(yōu)秀的研發(fā)創(chuàng)新能力使公司擁有較強(qiáng)的技

術(shù)優(yōu)勢(shì)和競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力，將持續(xù)為公司帶來穩(wěn)定的經(jīng)濟(jì)效益。截至

2020

年期末，公司及

下屬子公司共擁有專利

72

項(xiàng)，其中發(fā)明專利

45

項(xiàng)。2.5

面板和光伏制造精度的“半導(dǎo)體化”打開新篇章平板顯示工藝中，光刻的清洗和蝕刻環(huán)節(jié)需要大量超凈高純?cè)噭?，顯影和剝離

環(huán)節(jié)中需要顯影液、剝離液等功能性材料，光刻膠也是制作

TFT-LCD關(guān)鍵器件彩色

濾光片的核心材料，約占

TFT-LCD總成本的

4%。目前，國內(nèi)超凈高純?cè)噭┮约肮?/p>

能性材料的技術(shù)儲(chǔ)備已經(jīng)基本達(dá)到平板顯示市場(chǎng)要求，隨著國內(nèi)平板顯示行業(yè)的增

長(zhǎng)以及微電子化學(xué)產(chǎn)業(yè)技術(shù)的進(jìn)步，超凈高純?cè)噭┘肮饪棠z市場(chǎng)需求將進(jìn)一步增大。濕化學(xué)品方面，濕電子化學(xué)品發(fā)揮顯影、光刻和清洗功效。濕電子化學(xué)品在液

晶顯示器（LCD）

生產(chǎn)過程中，主要用于面板制造中基板上顆粒和有機(jī)物的清洗、光刻膠的顯影

和去除、電極的刻蝕等，濕化學(xué)品中所含的金屬離子和個(gè)別塵埃顆粒，

都會(huì)讓

面板產(chǎn)生極大缺陷，所以工藝化學(xué)品的純度和潔凈度對(duì)平板顯示器的成品率

有

著十分重要的影響。隨著中國政策的扶持和龍頭企業(yè)十幾年來的建設(shè)發(fā)展，國內(nèi)

高世代線紛紛建成投產(chǎn)，顯示產(chǎn)業(yè)已經(jīng)由日韓向中國轉(zhuǎn)移，中國在全球平板顯示產(chǎn)

業(yè)中的地位逐步穩(wěn)固，根據(jù)賽迪顧問數(shù)據(jù)，2020

年我國

LCD產(chǎn)能占全球產(chǎn)能的

50%，

穩(wěn)居全球第一，OLED領(lǐng)域產(chǎn)能也在不斷釋放，未來增長(zhǎng)可期。從全球

TFT-LCD產(chǎn)業(yè)格局來看，韓國、中國臺(tái)灣、日本是全球主要的

TFT-LCD生產(chǎn)地，中國大陸

TFT-LCD產(chǎn)業(yè)正在快速崛起。隨著中國高世代線的加快建設(shè)，中

國大陸在全球平板顯示產(chǎn)業(yè)中的地位將會(huì)快速提升。液晶面板產(chǎn)業(yè)為國家重點(diǎn)戰(zhàn)略

扶持產(chǎn)業(yè)，近年來得到高速發(fā)展，國內(nèi)龍頭面板企業(yè)已經(jīng)建設(shè)了全球領(lǐng)先的高世代

液晶面板生產(chǎn)線。根據(jù)中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，

2020

年中國大陸

LCD面板、

OLED面板產(chǎn)能分別達(dá)

1.69

億平米、1509

萬平米。按照

80%的產(chǎn)能利用率，

測(cè)算

2020

年

LCD、

OLED面板制造對(duì)微電子化學(xué)品的需求量分別達(dá)

42

萬噸、27

萬噸，行業(yè)總需求為

69

萬噸，2014-2020

年復(fù)合增長(zhǎng)率為

28.15%，預(yù)計(jì)未來三年

將保持

25%以上的增速。光刻膠方面，根據(jù)法國知名調(diào)研機(jī)構(gòu)-Reportlinker于

2020

年

7

月公布的數(shù)據(jù)

顯示，2019

年，全球光刻膠在面板顯示(LCD)領(lǐng)域的應(yīng)用占比最大，約

27.8%;而在

PCB和半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用比例分別為

23%和

21.9%。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2020

年，全球光刻膠整體市場(chǎng)規(guī)模約

87

億美元。據(jù)

Reportlinker機(jī)構(gòu)的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，

2019-2026

年全球光刻膠市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率為

6.3%，前瞻據(jù)此以

6%左右的增速測(cè)

算，至

2026

年，全球光刻膠行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模將突破

120

億美元，面板光刻膠市場(chǎng)規(guī)模

將達(dá)

27

億美元。光伏電池是通過光電效應(yīng)將光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。按照基體材質(zhì)的不同，太

陽能電池可分為晶體硅太陽能電池和薄膜太陽能電池。以高純度硅材料作為主要原

料的晶體硅太陽能電池一直是市場(chǎng)主流產(chǎn)品，占據(jù)著光伏發(fā)電市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)地位。公司產(chǎn)品超凈高純?cè)噭?、功能性材料主要?yīng)用于上游多晶硅、單晶硅、硅片以

及中游的電池片制造工藝中清洗、蝕刻等環(huán)節(jié)。近年來，受歐洲市場(chǎng)對(duì)光伏電池的

需求拉動(dòng)，我國光伏太陽能電池制造主要用于向境外出口。經(jīng)過多年快速發(fā)展，我

國目前已成為全球最大的晶體硅太陽能電池生產(chǎn)國之一。《太陽能發(fā)展“十三五”規(guī)

劃》中明確提出，到

2020

年底，太陽能發(fā)電裝機(jī)達(dá)到

1.1

億千瓦以上，其中，光伏

發(fā)電裝機(jī)達(dá)到

1.05

億千瓦以上，在“十二五”基礎(chǔ)上每年保持穩(wěn)定的發(fā)展規(guī)模;太

陽能熱發(fā)電裝機(jī)達(dá)到

500

萬千瓦。太陽能熱利用集熱面積達(dá)到

8

億平方米。到

2020

年，太陽能年利用量達(dá)到

1.4

億噸標(biāo)準(zhǔn)煤以上。由此可見，光伏發(fā)電仍將是我國電

力生產(chǎn)行業(yè)重點(diǎn)發(fā)展方向。太陽能利用規(guī)模的擴(kuò)大會(huì)帶動(dòng)太陽能電池需求的增長(zhǎng)。

自

531

新政發(fā)布以來，光伏產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)價(jià)格已降低了

30%-40%，光伏平價(jià)上網(wǎng)加速

推進(jìn)中。同時(shí)受下游光伏企業(yè)對(duì)光伏電池降本增效的需求，以及高效太陽能電池