Module制程及設(shè)備介紹教程課件

Module制程及設(shè)備介紹Module制程及設(shè)備介紹目錄Module產(chǎn)品結(jié)構(gòu)Module工藝流程CFOGLine工藝流程及設(shè)備LOCALine工藝流程及設(shè)備專題ACFFinePitch目錄Module產(chǎn)品結(jié)構(gòu)Module產(chǎn)品結(jié)構(gòu)-LCD（IPhone）3L01L02L03L05L04L06L010L08L09L07L011L012L013L00Module產(chǎn)品結(jié)構(gòu)-LCD（IPhone）3L01L02LModule產(chǎn)品結(jié)構(gòu)-LCD（中大尺寸）Module產(chǎn)品結(jié)構(gòu)-LCD（中大尺寸）Module產(chǎn)品結(jié)構(gòu)-OLED5L02L01L03L04L05L07L08L06L09Module產(chǎn)品結(jié)構(gòu)-OLED5L02L01L03L04L0OLEDModule工藝流程COGFOG1AOIDispenserFOG2OTP三合一AgingCGLVIFQC內(nèi)包外包OQC出貨一次覆膜Ass’yFI&TPTest對比LCD工藝流程，OLEDModule增加FOG2，OTP，CGL三個工藝；Aging確定放在LOCA工序后；OLEDModule工藝流程COGFOG1AOIDispeCOGLineCOGLineCOGLineFlowSupplySupplyloaderCleanerCOGACFCOG預(yù)壓COG本壓FOGACFFOG預(yù)壓FOG本壓AOIBuffer點膠TPFOGACF點膠固化封膠封膠固化TPFOG預(yù)壓TPFOG本壓SupplyOTPCOGLineFlowSupplySupplyloadePAD清洗PAD清洗技術(shù)

除去屏端子部的異物、污物，防止屏破裂、端子短路、端子腐蝕等發(fā)生。異物、污物指導(dǎo)電性異物、玻璃粉、皮脂及其他的物質(zhì)。

IPA

擦拭布

PAD清洗PAD清洗技術(shù)IPAPAD清洗1.定義

溶劑清洗Cell電極溶劑、導(dǎo)電粉屑、玻璃屑等異物,plasma清潔有機異物，使ACF與面板接續(xù)性良好。2.材料1)CleanWipe2)50%

IPA（異丙醇）水溶液3.工藝參數(shù)1）WipeSpeed：150±50mm/s2）Pressure：0.150±0.05Mpa4.KeyPoint1)IPA溶液供給量，夾頭的間隙、壓力、時間、速度；2)CellLead與CellMark保證被清洗PAD清洗1.定義ACF貼付ＡＣＦ貼付技術(shù)

連接用材料貼到屏端子上OLED

CELLＢａｃｋｕｐ壓頭緩沖材ＡＣＦOLED

CELLＢａｓｅｆｉｌｍ剝離L1L2ACF寬度1.2mm~1.5mm加熱加壓：由ACF的粘著性而貼付加熱：低溫、防止ACF主劑硬化

加壓：低圧、防止ACF導(dǎo)電粒子被破壞

Basefilm剝離

剝離時、防止ACF主劑卷曲、防止剝離靜電貼付位置：覆蓋連接部的端子（TIALTI）

在屏長邊,覆蓋屏兩邊的mark

短邊,從端子端覆蓋

ACF貼付ＡＣＦ貼付技術(shù)OLEDCELLＢａｃｋｕｐ壓頭緩ACF貼付1.定義將ACF貼付于面板電極端處，作為IC與面板引腳接續(xù)介質(zhì)。2.材料1)ACF:1.0\1.2\1.5\2.0等寬度a.貼附兩側(cè)的良好導(dǎo)電性b.平行方向的高阻抗c.硬化后拉力的高強度2)SiliconeSheet:隔熱,保持貼附的平整度．3.工藝條件溫度:80±10℃（常規(guī)）時間:1s（常規(guī)）壓力:ACF貼附面積*3Mpa（常規(guī)）

4.KeyPoint1)ACF貼附位置的準(zhǔn)確性，覆蓋整個ICbonding區(qū)域

2)ACF無氣泡FPC\TPFPCBonding的內(nèi)容與上相同。ACF貼付1.定義FPC\TPFPCBonding的內(nèi)COG預(yù)定位IC

機械手臂從ICTray中抓取IC，并搬送到指定位置，壓著Head吸取并搬送到壓著位置；搬送搬送ARM吸取IC，搬送到壓著位置對位

通過MARK的認識自動實現(xiàn)IC和屏的高精度對位

預(yù)固定（加熱加壓）

平行度：安裝錯位防止加熱：低溫、防止ACF住劑硬化

加壓：低圧、防止ACF導(dǎo)電粒子被破壞３番chuck1番chuck２番chuck４番chuckCCD1CCD2COG預(yù)定位IC３番chuck1番chuck２番chuck1.定義將IC引腳與面板引腳精確重和搭載在一起。2.材料

IC

3.工藝條件實際溫度:50±10℃(常規(guī)）壓力:20N±5N(常規(guī)）

時間:0.5sec（常規(guī)）4.KeyPoint1)IC的搬送良好，mark清晰；2)ICBonding的高精準(zhǔn)度FPC\TPFPCBonding的內(nèi)容與上相同COG預(yù)定位1.定義FPC\TPFPCBonding的內(nèi)容與上相同加熱加壓：由ACF的硬化而固著加熱：ACF主劑的硬化加圧：導(dǎo)電粒子的扁平化

平行度：安裝錯位防止（確保連接面積）（確保連接強度）加熱加壓的均一化注）防止對其他部材的影響：偏光板燒傷壓頭緩沖材GLASSGLASSＰｉｔｃｈ：3０μｍ～COG本壓接加熱加壓：由ACF的硬化而固著加熱：ACF主劑的硬化加圧：導(dǎo)1.定義將已與面板引腳對位后的IC加壓加熱使ACF硬化，做一永久性結(jié)合2.材料TeflonSheet:0.03mm厚度*40mm寬度（常規(guī)）隔熱，防止ACF粘附刀頭3.工藝條件溫度：190±10℃，Backup80±10℃（常規(guī)）壓力：ICbump面積*70Mpa±10Mpa（常規(guī)）時間：5s（常規(guī)）4.KeyPoint1)熱壓刀頭的平整度、下降速度、平臺的高度；

2)Bonding位置FPC\TPFPCBonding的內(nèi)容與上相同COG本壓接1.定義FPC\TPFPCBonding的內(nèi)容與上相同保護連接部：防止過度的水分，不純物的侵入Dispenser

用UV硬化膠水覆蓋屏端子露出部及IC，F(xiàn)PC引線露出部，據(jù)此，防止由異物、水分等引起的端子間短路和端子腐蝕；

水分，不純物FPC水分，不純物DispenserIC保護連接部：防止過度的水分，不純物的侵入Dispenser水1.定義將UV膠噴涂至panel端子部配線部分及FPC與端子間隙。2.材料

UV膠，粘度400mpas

3.工藝條件

封膠最小厚度0.2mm，封膠厚度精度±0.025mm

封膠GapMin=0.3mm(Gap指ICtoCF間距)

點膠寬度0.4-1.1mm

4.KeyPoint1)噴射UV膠的精度

2)噴射UV膠的厚度Dispenser1.定義Dispenser典型設(shè)備介紹COG:松下FPX005CGFOG:松下FPX105FGDisp：景泰JTA-03HTPFOG:AdvancelBMX-6001TP典型設(shè)備介紹COG:松下FPX005CGFOG:松下FPX1LOCALineLOCALineLOCALineFlowloaderCleanerDispenserAttach&Precure檢查MainCureAss'yAgingFIPQCFIPQCVIPackingVILOCALineFlowloaderCleanerDis天馬有機發(fā)光技術(shù)機密資料TM-OLEDConfidentialandInternalUseOnlyLOCA全貼合背景介紹工藝技術(shù)路線天馬TP貼合情況

上海天馬具有框貼設(shè)備；廈門天馬具有OCA，LOCA均為半自動設(shè)備，以O(shè)CA為主；

TP貼合工藝框貼全貼合LOCAOCA果凍膠路線1路線2CoverGlassRollerOCASlitNozzle果凍膠CoverGlassDispLOCA天馬有機發(fā)光技術(shù)機密資料天馬有機發(fā)光技術(shù)機密資料TM-OLEDConfidentialandInternalUseOnly全貼合工藝的對比

果凍膠目前應(yīng)用在10inch以上機種較多，小尺寸自動化設(shè)備還不成熟；OCA和LOCA適合小尺寸應(yīng)用，經(jīng)過工藝對比，LOCA為今后TP貼合發(fā)展主流方向，所以我們選擇LOCALOCA果凍膠果凍膠果凍膠天馬有機發(fā)光技術(shù)機密資料天馬有機發(fā)光技術(shù)機密資料TM-OLEDConfidentialandInternalUseOnly什么是LOCA？LOCA定義

液態(tài)光學(xué)透明膠（LiquidOpticalClearAdhesive），用于透明光學(xué)元件的特種膠黏劑。無色透明、透光率極高，通過可見光、UV、中高溫、潮氣等方式固化。具有粘接強度良好、固化收縮率小、耐黃變、硬度偏軟等化學(xué)特性。LOCA評估項目LOCA評估項目貼合品質(zhì)光學(xué)性能機械性能氣泡，溢膠，內(nèi)縮，黃化等透過率，霧度，黃變指數(shù)等不同斷裂方式下LOCA的黏著力天馬有機發(fā)光技術(shù)機密資料LOCA工藝流程

LOCAOLEDCover6LOCA工藝流程LOCAOLEDCo涂布單元工藝要點水膠溫度溶濟涂布量(mg)水膠溫度與涂布量變化圖

如圖假設(shè)設(shè)定為315kpa的場合，溫度變化1℃就變化24mg，變化0.5℃就變化12mg

溫度穩(wěn)定保證是必須的水膠溫度對涂布量穩(wěn)定的影響很大。(溫度升高，LOCA粘度下降，相同壓力涂布量將增加）涂布單元工藝要點水膠溫度溶濟涂布量(mg)水膠溫度與涂布量涂布單元工藝要點涂布圖形SONY最早時的涂布軌跡（2速度）SONY優(yōu)化后的涂布軌跡（3速度）SONY優(yōu)化后的涂布軌跡（3速度）SHARP使用的涂布軌跡（4角）EID使用的涂布軌跡（點）涂布軌跡將直接影響到LOCA擴散狀態(tài)，因此選擇一種好的涂布軌跡尤為重要。一般需要考慮下記幾方面：1、設(shè)備硬件

2、不良狀況（氣泡，不足，溢出等）3、設(shè)備產(chǎn)能

4、制程、材料等涂布單元工藝要點涂布圖形SONY最早時的涂布軌跡（2速度）S貼合單元Concept貼合主流程圖貼合Concept根據(jù)理論膜厚設(shè)定貼附Gap（起始Gap=理論膜厚+50um）根據(jù)實際貼合情況Tuning貼合Gap（由大到小）根據(jù)溢膠，氣泡情況調(diào)節(jié)貼合參數(shù)（貼合速度，預(yù)固化時間等）根據(jù)實際量測的偏移數(shù)據(jù)進行CCDoffset補正。Lens入料Lens對位貼合+預(yù)固化出料

貼合分流程圖lenspanelprecure打開Panel入料Panel對位針對大氣貼合，貼合過程中的預(yù)固化為控制溢膠的一種有效手段，預(yù)固化的打開時間及累計能量直接影響到對貼合產(chǎn)品溢膠的控制。貼合單元Concept貼合主流程圖貼合Concept根據(jù)理貼合單元工藝要點貼合GAP更換LOCA時點檢膠量點檢膠量貼合機Z軸

原點復(fù)位CG厚度

測定產(chǎn)品投入時面板厚度

測定調(diào)用設(shè)備DM

LOCA厚度計算產(chǎn)品

總厚度計算下壓

總高度調(diào)用設(shè)備DM

置臺零點驅(qū)動驅(qū)進

電機上升設(shè)定參考補正量實測數(shù)據(jù)補差后數(shù)據(jù)計算后標(biāo)準(zhǔn)偏差設(shè)定的基準(zhǔn)參考值實測過程：1、每更換LOCA時，需要點檢LOCA余量。

2、產(chǎn)品投入時，測定CG、面板的厚度，并調(diào)用數(shù)據(jù)區(qū)DM的LOCA厚度設(shè)定，并計算產(chǎn)品理論總厚度。

3、根據(jù)產(chǎn)品理論總厚度、數(shù)據(jù)區(qū)DM置臺零點，計算理論最終上升高度。

4、將上升高度傳給驅(qū)動電機。說明：1、可補償玻璃蓋、面板本身公差，設(shè)置最佳貼附Gap。

2、采用高精度的步進電機（精度1pps=0.0004mm），厚度精度實現(xiàn)um級。

貼合單元工藝要點貼合GAP更換LOCA時點檢膠量點檢膠量貼貼合單元工藝要點貼合速度氣泡發(fā)生率(%)貼合速度(mm/sec)貼合速度與氣泡發(fā)生率的關(guān)系低速：1250pps/s=0.5m/sP1：STAGE置臺原點P1：高速終了點P2：低速終了點P3：最終貼合點高速：500000pps/s=200mm/s中速：500pps/s=0.2mm/s貼合流程各段速度過程：1、OLED置臺從待機位置高速(200mm/s)上升至預(yù)定位置。一般從貼合最終位置起往下1.7~2.5mm。

2、再以中速(0.5mm/s)使LOCA緩慢接觸偏光板。速度過快，氣泡發(fā)生率將急速增加。

3、最終于低速(0.2mm/s)上升至最終高度。當(dāng)LOCA已基本覆蓋完全時，較低的速度也不會增加氣泡發(fā)生率，一般設(shè)置在最終位置往上0.03mm，以此提升貼合質(zhì)量。說明：多段速度控制可使氣泡發(fā)生率、生產(chǎn)性最優(yōu)化。貼合單元工藝要點貼合速度氣泡發(fā)生率(%)貼合速度(mm/s貼合單元工藝要點預(yù)固化LED型UVUV光照射區(qū)域×4硬化應(yīng)力TopuvBottomuvBottomuv過程：1、位置確定后，需要將LOCA硬化后，產(chǎn)品位置才不會變化，因此需要將lOCA進行預(yù)固化。2、有些則為防止溢膠會在貼合過程中提前打開預(yù)固化，降低邊緣膠量的流動性。3、圖一為點光源預(yù)固化方式，上光源為主要固化光源，下光源為輔助光源（lens油墨遮擋上光源，影響固化效果）4、圖二為線光源預(yù)固化方式，兩邊線光源水平照射LOCA，達到最佳固化效果。圖一圖二線光源線光源UV光貼合單元工藝要點預(yù)固化LED型UVUV光照射區(qū)域×4硬化應(yīng)本固化單元產(chǎn)品預(yù)固化完成，確認無品質(zhì)問題后會進行本固化，對LOCA進行全面性固化（總體固化率要求98%以上）本固化設(shè)備本固化工藝要點LEDLampLEDLampCoverlens250mW/cm2175mW/cm2光強計LOCA能累計的能量取決于coverlens如例，透過率=（175/250）×100%=70%累計光能量(mj/cm2)=照度(mw/cm2)x照射時間(sec)所以本固前要測試coverlens的透過率。本固化單元產(chǎn)品預(yù)固化完成，確認無品質(zhì)問題后會進行本固化，對Aging高溫環(huán)境中切換驅(qū)動條件，同時，在一定時間內(nèi)驅(qū)動（顯示）模塊。目的：①初期不良檢測②產(chǎn)品枯化加溫BoothAging高溫環(huán)境中切換驅(qū)動條件，同時，在一定時間內(nèi)驅(qū)動（顯檢查連接夾具信號發(fā)生器目的：①不良品檢查②等級區(qū)分ＰＣ檢查連接夾具信號發(fā)生器目的：ＰＣACFACFACF外觀Conductingparticle(Metalcoatedplasticball:3-10um)(Niparticle:2-3um)Adhesive(Thermosettingresin-epoxy/acrylicester)SideviewofACFSeparator(PETfilm)【StandardPackage】*Protectedwithtransparentplasticreel*50-100Mlength*1.0-5.0mmwidth*15-30umthicknessACF=AdhesiveFilmwithdispersedconductingparticlesACF外觀ConductingparticleAdhesiACF各向異性導(dǎo)電粒子數(shù)和連接阻抗的關(guān)系A(chǔ)CF各向異性導(dǎo)電粒子數(shù)和連接阻抗的關(guān)系A(chǔ)CF硬化過程接著時間(S)相對粘度反應(yīng)率(%)接著劑流動上下回路導(dǎo)通硬化接著固定ACF硬化過程接著時間(S)相對粘度反應(yīng)率(%)接著劑流動ACF硬化過程SEMImage5um16-25umXYdirectionZdirectionConductingParticleAdhesiveFilmPlasticballNi/AuThinLayerAdhesiveResinConductingParticleACFElectrodeHeatandPressureSubstrateFPC(TCP)orICInsulationConductivityACF硬化過程SEMImage5um16-25umXYdMetalcoatedPlasticparticleφ3～4umφ8umφ10umφ3umPureNickelparticle（Sphereshape）Pitch:35–100umPitch:100–200umPitch:

200um<FinerPitchHighVoltageMetalcoatedPlasticparticleMetalcoatedNickelparticlePureNickelparticle（Starshape）forMetalelectrodesforITOorITO/MetalelectrodesACF的導(dǎo)電粒子Metalcoatedφ3～4umφ8umφ10umφ3u導(dǎo)電粒子--金球SmallGravity,SphereShape,NarrowSizeDistribution,

ElasticallyDeformed5umStructureofMetalCoatedPlasticBallPlasticBallNi/AuThinLayerAppliedNi/AucoatedplasticballsforACFforthefirsttimeintheworld(1987)andrealizedfinepitchconnection.10umGlassPolyimideConductiveParticleCopperCrossSectionalImage(SEM)導(dǎo)電粒子--金球SmallGravity,Sphere導(dǎo)電粒子--鎳粒子Ni粒子(NiParticle)SEMImageElectrodeonTCPElectrodeonPWB導(dǎo)電粒子--鎳粒子Ni粒子SEMImageElectroACF的導(dǎo)通特性01020300100200300400500600接続抵抗

ContactResistance(Ω)HighHumidityTest(85℃/85%RH)Time(h)010203040500100200300400500600接続抵抗ContactResistance(Ω)ThermalCycleTest(-40℃/100℃)Cycle4050170℃-15s180℃-15s190℃-15s170℃-15s180℃-15s190℃-15s(COF(Plating)

/ITOcoatedglassPitch50μm)(COF(Plating)

/ITOcoatedglassPitch50μm)ACF的導(dǎo)通特性0102030010020030040050ACFDataSheet-FOGACFDataSheet-FOGACFDataSheet-FOBACFDataSheet-FOBBondingTemperature40506070809010011012013014015016017018019020021022002468101214161820Time(s)240250260270280290300310320Cushionmaterial：Siliconesheet0.2mmtHeattool：3㎜widthHeattoolTCPThermocoupleAnisolmLCDTooltemperatureTeflonfilmBondingTemperature40506070809導(dǎo)電粒子破裂Failure<60%*Excellent70–80%*Excellent80–90%*Failure>90%*Particlesize:10umTestcondition85degC85%RHRecommendedappearanceofparticledeformationforAC-7106U.(Suitablebondingpressuredependsonthesubstrates.)導(dǎo)電粒子破裂FailureExcellentExcellenACF制作流程導(dǎo)電粒子分級導(dǎo)電粒子鍍金樹脂原料配合涂工干燥切斷卷曲Ｓｌｉｔ干燥在Carrierfilm上涂布樹脂和粒子混合原反根據(jù)使用寬度ＳｌｉｔＮｉ／Ａｕ鍍金Plastic粒子基板用的Ｎｉ金屬粒子ACF制作流程導(dǎo)電粒子分級導(dǎo)電粒子鍍金樹脂原料配合涂工干燥切FinePitchFinePitchFinePitch的目的及優(yōu)勢

Fine

pitch的目的在于優(yōu)化設(shè)計,減少IC使用數(shù)量,減少Film面積,降低成本可以減少搭載設(shè)備數(shù)量,降低設(shè)備投資提高設(shè)備節(jié)拍對于良率有改善的可能FinePitch的目的及優(yōu)勢Finepitch的目的FinePitch設(shè)計需要考慮的內(nèi)容

面板尺寸解析度

IC最大Channel數(shù)面板走線布線空間,走線阻抗

COF的長寬與機構(gòu)搭配性

Lead與Space寬度比例

ACF導(dǎo)電粒子大小,密度

Bonding設(shè)備的精度壓接寬度設(shè)計相關(guān)工藝/設(shè)計相關(guān)工藝/設(shè)備相關(guān)FinePitch設(shè)計需要考慮的內(nèi)容面板尺寸設(shè)計相關(guān)工藝Module設(shè)計總體說明-1Module設(shè)計總體說明-1Module設(shè)計總體說明-2Unit:mm313.53238.035.35144.3776.03276.0322.041.566A.ACenter15”2.51.01.033.45161.18261.18261.18261.182Module設(shè)計總體說明-2Unit:mm313.532壓接端子Pitch說明XOLBpad674*0.055=37.07mmCFEdgeArrayEdge500um55um500um1000um250um100um500um300um500um300um33

um22um1000umChannel:618Outputpin:674Pitch:55um壓接端子Pitch說明XOLBpad674*0.055FinePitch說明-1ElectrodepitchElectrodepitchCuwidthCuspaceITOwidthITOspaceMinimuminsulationgapGlassTCPorCOFACFMisalignmentcausedACFtapewidthBondingtoolwidthElectrodeonTCPorCOFElectrodeonGlassMinimumcontactareaMinimumcontactareaCrosssectionalviewTopviewCuCuITOITOFinePitch說明-1ElectrodepitchEFinePitch說明-2ElectrodepitchCuwidthITOwidthITOspaceGlassTCPorCOFACFX①Misalignmentcaused設(shè)備偏移精度M②Minimuminsulationgap最小絕緣距離G③

Minimum

contactwidth最小接觸寬度W④

Electrodepitch電極Pitch

PWM-XGM+XP=W+M-X+G+M+X=W+G+2MP=W+G+2MFinePitch說明-2ElectrodepitchCACF特性說明能夠達到Pitch最小ACF特性說明能夠達到Pitch最小FinePitch能力計算ElectrodepitchCuwidthITOwidthITOspaceMinimuminsulationgap＝10umGlassTCPorCOFACFMisalignmentcaused＝±5umACFtapewidthBondingtoolwidthMinimumcontactareaMinimumcontactareaCuCuITOITO510115假定ITO電極寬度=COF電極寬度Minimumcontact

width

＝Minimumcontactarea/Bondingtoolwidth=8500/800=11um根據(jù)以上條件得出可以Fine

pitch能力為31umFinePitch能力計算ElectrodepitchCFinePitch總結(jié)

Lead與Space寬度比例對Fine

pitch無影響他們的寬度主要由W,G決定

ACF導(dǎo)電粒子大小,密度

Bonding設(shè)備的精度壓接寬度主要影響因素FinePitch總結(jié)Lead與Space寬度比例對FiThanksThanksModule制程及設(shè)備介紹Module制程及設(shè)備介紹目錄Module產(chǎn)品結(jié)構(gòu)Module工藝流程CFOGLine工藝流程及設(shè)備LOCALine工藝流程及設(shè)備專題ACFFinePitch目錄Module產(chǎn)品結(jié)構(gòu)Module產(chǎn)品結(jié)構(gòu)-LCD（IPhone）63L01L02L03L05L04L06L010L08L09L07L011L012L013L00Module產(chǎn)品結(jié)構(gòu)-LCD（IPhone）3L01L02LModule產(chǎn)品結(jié)構(gòu)-LCD（中大尺寸）Module產(chǎn)品結(jié)構(gòu)-LCD（中大尺寸）Module產(chǎn)品結(jié)構(gòu)-OLED65L02L01L03L04L05L07L08L06L09Module產(chǎn)品結(jié)構(gòu)-OLED5L02L01L03L04L0OLEDModule工藝流程COGFOG1AOIDispenserFOG2OTP三合一AgingCGLVIFQC內(nèi)包外包OQC出貨一次覆膜Ass’yFI&TPTest對比LCD工藝流程，OLEDModule增加FOG2，OTP，CGL三個工藝；Aging確定放在LOCA工序后；OLEDModule工藝流程COGFOG1AOIDispeCOGLineCOGLineCOGLineFlowSupplySupplyloaderCleanerCOGACFCOG預(yù)壓COG本壓FOGACFFOG預(yù)壓FOG本壓AOIBuffer點膠TPFOGACF點膠固化封膠封膠固化TPFOG預(yù)壓TPFOG本壓SupplyOTPCOGLineFlowSupplySupplyloadePAD清洗PAD清洗技術(shù)

除去屏端子部的異物、污物，防止屏破裂、端子短路、端子腐蝕等發(fā)生。異物、污物指導(dǎo)電性異物、玻璃粉、皮脂及其他的物質(zhì)。

IPA

擦拭布

PAD清洗PAD清洗技術(shù)IPAPAD清洗1.定義

溶劑清洗Cell電極溶劑、導(dǎo)電粉屑、玻璃屑等異物,plasma清潔有機異物，使ACF與面板接續(xù)性良好。2.材料1)CleanWipe2)50%

IPA（異丙醇）水溶液3.工藝參數(shù)1）WipeSpeed：150±50mm/s2）Pressure：0.150±0.05Mpa4.KeyPoint1)IPA溶液供給量，夾頭的間隙、壓力、時間、速度；2)CellLead與CellMark保證被清洗PAD清洗1.定義ACF貼付ＡＣＦ貼付技術(shù)

連接用材料貼到屏端子上OLED

CELLＢａｃｋｕｐ壓頭緩沖材ＡＣＦOLED

CELLＢａｓｅｆｉｌｍ剝離L1L2ACF寬度1.2mm~1.5mm加熱加壓：由ACF的粘著性而貼付加熱：低溫、防止ACF主劑硬化

加壓：低圧、防止ACF導(dǎo)電粒子被破壞

Basefilm剝離

剝離時、防止ACF主劑卷曲、防止剝離靜電貼付位置：覆蓋連接部的端子（TIALTI）

在屏長邊,覆蓋屏兩邊的mark

短邊,從端子端覆蓋

ACF貼付ＡＣＦ貼付技術(shù)OLEDCELLＢａｃｋｕｐ壓頭緩ACF貼付1.定義將ACF貼付于面板電極端處，作為IC與面板引腳接續(xù)介質(zhì)。2.材料1)ACF:1.0\1.2\1.5\2.0等寬度a.貼附兩側(cè)的良好導(dǎo)電性b.平行方向的高阻抗c.硬化后拉力的高強度2)SiliconeSheet:隔熱,保持貼附的平整度．3.工藝條件溫度:80±10℃（常規(guī)）時間:1s（常規(guī)）壓力:ACF貼附面積*3Mpa（常規(guī)）

4.KeyPoint1)ACF貼附位置的準(zhǔn)確性，覆蓋整個ICbonding區(qū)域

2)ACF無氣泡FPC\TPFPCBonding的內(nèi)容與上相同。ACF貼付1.定義FPC\TPFPCBonding的內(nèi)COG預(yù)定位IC

機械手臂從ICTray中抓取IC，并搬送到指定位置，壓著Head吸取并搬送到壓著位置；搬送搬送ARM吸取IC，搬送到壓著位置對位

通過MARK的認識自動實現(xiàn)IC和屏的高精度對位

預(yù)固定（加熱加壓）

平行度：安裝錯位防止加熱：低溫、防止ACF住劑硬化

加壓：低圧、防止ACF導(dǎo)電粒子被破壞３番chuck1番chuck２番chuck４番chuckCCD1CCD2COG預(yù)定位IC３番chuck1番chuck２番chuck1.定義將IC引腳與面板引腳精確重和搭載在一起。2.材料

IC

3.工藝條件實際溫度:50±10℃(常規(guī)）壓力:20N±5N(常規(guī)）

時間:0.5sec（常規(guī)）4.KeyPoint1)IC的搬送良好，mark清晰；2)ICBonding的高精準(zhǔn)度FPC\TPFPCBonding的內(nèi)容與上相同COG預(yù)定位1.定義FPC\TPFPCBonding的內(nèi)容與上相同加熱加壓：由ACF的硬化而固著加熱：ACF主劑的硬化加圧：導(dǎo)電粒子的扁平化

平行度：安裝錯位防止（確保連接面積）（確保連接強度）加熱加壓的均一化注）防止對其他部材的影響：偏光板燒傷壓頭緩沖材GLASSGLASSＰｉｔｃｈ：3０μｍ～COG本壓接加熱加壓：由ACF的硬化而固著加熱：ACF主劑的硬化加圧：導(dǎo)1.定義將已與面板引腳對位后的IC加壓加熱使ACF硬化，做一永久性結(jié)合2.材料TeflonSheet:0.03mm厚度*40mm寬度（常規(guī)）隔熱，防止ACF粘附刀頭3.工藝條件溫度：190±10℃，Backup80±10℃（常規(guī)）壓力：ICbump面積*70Mpa±10Mpa（常規(guī)）時間：5s（常規(guī)）4.KeyPoint1)熱壓刀頭的平整度、下降速度、平臺的高度；

2)Bonding位置FPC\TPFPCBonding的內(nèi)容與上相同COG本壓接1.定義FPC\TPFPCBonding的內(nèi)容與上相同保護連接部：防止過度的水分，不純物的侵入Dispenser

用UV硬化膠水覆蓋屏端子露出部及IC，F(xiàn)PC引線露出部，據(jù)此，防止由異物、水分等引起的端子間短路和端子腐蝕；

水分，不純物FPC水分，不純物DispenserIC保護連接部：防止過度的水分，不純物的侵入Dispenser水1.定義將UV膠噴涂至panel端子部配線部分及FPC與端子間隙。2.材料

UV膠，粘度400mpas

3.工藝條件

封膠最小厚度0.2mm，封膠厚度精度±0.025mm

封膠GapMin=0.3mm(Gap指ICtoCF間距)

點膠寬度0.4-1.1mm

4.KeyPoint1)噴射UV膠的精度

2)噴射UV膠的厚度Dispenser1.定義Dispenser典型設(shè)備介紹COG:松下FPX005CGFOG:松下FPX105FGDisp：景泰JTA-03HTPFOG:AdvancelBMX-6001TP典型設(shè)備介紹COG:松下FPX005CGFOG:松下FPX1LOCALineLOCALineLOCALineFlowloaderCleanerDispenserAttach&Precure檢查MainCureAss'yAgingFIPQCFIPQCVIPackingVILOCALineFlowloaderCleanerDis天馬有機發(fā)光技術(shù)機密資料TM-OLEDConfidentialandInternalUseOnlyLOCA全貼合背景介紹工藝技術(shù)路線天馬TP貼合情況

上海天馬具有框貼設(shè)備；廈門天馬具有OCA，LOCA均為半自動設(shè)備，以O(shè)CA為主；

TP貼合工藝框貼全貼合LOCAOCA果凍膠路線1路線2CoverGlassRollerOCASlitNozzle果凍膠CoverGlassDispLOCA天馬有機發(fā)光技術(shù)機密資料天馬有機發(fā)光技術(shù)機密資料TM-OLEDConfidentialandInternalUseOnly全貼合工藝的對比

果凍膠目前應(yīng)用在10inch以上機種較多，小尺寸自動化設(shè)備還不成熟；OCA和LOCA適合小尺寸應(yīng)用，經(jīng)過工藝對比，LOCA為今后TP貼合發(fā)展主流方向，所以我們選擇LOCALOCA果凍膠果凍膠果凍膠天馬有機發(fā)光技術(shù)機密資料天馬有機發(fā)光技術(shù)機密資料TM-OLEDConfidentialandInternalUseOnly什么是LOCA？LOCA定義

液態(tài)光學(xué)透明膠（LiquidOpticalClearAdhesive），用于透明光學(xué)元件的特種膠黏劑。無色透明、透光率極高，通過可見光、UV、中高溫、潮氣等方式固化。具有粘接強度良好、固化收縮率小、耐黃變、硬度偏軟等化學(xué)特性。LOCA評估項目LOCA評估項目貼合品質(zhì)光學(xué)性能機械性能氣泡，溢膠，內(nèi)縮，黃化等透過率，霧度，黃變指數(shù)等不同斷裂方式下LOCA的黏著力天馬有機發(fā)光技術(shù)機密資料LOCA工藝流程

LOCAOLEDCover6LOCA工藝流程LOCAOLEDCo涂布單元工藝要點水膠溫度溶濟涂布量(mg)水膠溫度與涂布量變化圖

如圖假設(shè)設(shè)定為315kpa的場合，溫度變化1℃就變化24mg，變化0.5℃就變化12mg

溫度穩(wěn)定保證是必須的水膠溫度對涂布量穩(wěn)定的影響很大。(溫度升高，LOCA粘度下降，相同壓力涂布量將增加）涂布單元工藝要點水膠溫度溶濟涂布量(mg)水膠溫度與涂布量涂布單元工藝要點涂布圖形SONY最早時的涂布軌跡（2速度）SONY優(yōu)化后的涂布軌跡（3速度）SONY優(yōu)化后的涂布軌跡（3速度）SHARP使用的涂布軌跡（4角）EID使用的涂布軌跡（點）涂布軌跡將直接影響到LOCA擴散狀態(tài)，因此選擇一種好的涂布軌跡尤為重要。一般需要考慮下記幾方面：1、設(shè)備硬件

2、不良狀況（氣泡，不足，溢出等）3、設(shè)備產(chǎn)能

4、制程、材料等涂布單元工藝要點涂布圖形SONY最早時的涂布軌跡（2速度）S貼合單元Concept貼合主流程圖貼合Concept根據(jù)理論膜厚設(shè)定貼附Gap（起始Gap=理論膜厚+50um）根據(jù)實際貼合情況Tuning貼合Gap（由大到?。└鶕?jù)溢膠，氣泡情況調(diào)節(jié)貼合參數(shù)（貼合速度，預(yù)固化時間等）根據(jù)實際量測的偏移數(shù)據(jù)進行CCDoffset補正。Lens入料Lens對位貼合+預(yù)固化出料

貼合分流程圖lenspanelprecure打開Panel入料Panel對位針對大氣貼合，貼合過程中的預(yù)固化為控制溢膠的一種有效手段，預(yù)固化的打開時間及累計能量直接影響到對貼合產(chǎn)品溢膠的控制。貼合單元Concept貼合主流程圖貼合Concept根據(jù)理貼合單元工藝要點貼合GAP更換LOCA時點檢膠量點檢膠量貼合機Z軸

原點復(fù)位CG厚度

測定產(chǎn)品投入時面板厚度

測定調(diào)用設(shè)備DM

LOCA厚度計算產(chǎn)品

總厚度計算下壓

總高度調(diào)用設(shè)備DM

置臺零點驅(qū)動驅(qū)進

電機上升設(shè)定參考補正量實測數(shù)據(jù)補差后數(shù)據(jù)計算后標(biāo)準(zhǔn)偏差設(shè)定的基準(zhǔn)參考值實測過程：1、每更換LOCA時，需要點檢LOCA余量。

2、產(chǎn)品投入時，測定CG、面板的厚度，并調(diào)用數(shù)據(jù)區(qū)DM的LOCA厚度設(shè)定，并計算產(chǎn)品理論總厚度。

3、根據(jù)產(chǎn)品理論總厚度、數(shù)據(jù)區(qū)DM置臺零點，計算理論最終上升高度。

4、將上升高度傳給驅(qū)動電機。說明：1、可補償玻璃蓋、面板本身公差，設(shè)置最佳貼附Gap。

2、采用高精度的步進電機（精度1pps=0.0004mm），厚度精度實現(xiàn)um級。

貼合單元工藝要點貼合GAP更換LOCA時點檢膠量點檢膠量貼貼合單元工藝要點貼合速度氣泡發(fā)生率(%)貼合速度(mm/sec)貼合速度與氣泡發(fā)生率的關(guān)系低速：1250pps/s=0.5m/sP1：STAGE置臺原點P1：高速終了點P2：低速終了點P3：最終貼合點高速：500000pps/s=200mm/s中速：500pps/s=0.2mm/s貼合流程各段速度過程：1、OLED置臺從待機位置高速(200mm/s)上升至預(yù)定位置。一般從貼合最終位置起往下1.7~2.5mm。

2、再以中速(0.5mm/s)使LOCA緩慢接觸偏光板。速度過快，氣泡發(fā)生率將急速增加。

3、最終于低速(0.2mm/s)上升至最終高度。當(dāng)LOCA已基本覆蓋完全時，較低的速度也不會增加氣泡發(fā)生率，一般設(shè)置在最終位置往上0.03mm，以此提升貼合質(zhì)量。說明：多段速度控制可使氣泡發(fā)生率、生產(chǎn)性最優(yōu)化。貼合單元工藝要點貼合速度氣泡發(fā)生率(%)貼合速度(mm/s貼合單元工藝要點預(yù)固化LED型UVUV光照射區(qū)域×4硬化應(yīng)力TopuvBottomuvBottomuv過程：1、位置確定后，需要將LOCA硬化后，產(chǎn)品位置才不會變化，因此需要將lOCA進行預(yù)固化。2、有些則為防止溢膠會在貼合過程中提前打開預(yù)固化，降低邊緣膠量的流動性。3、圖一為點光源預(yù)固化方式，上光源為主要固化光源，下光源為輔助光源（lens油墨遮擋上光源，影響固化效果）4、圖二為線光源預(yù)固化方式，兩邊線光源水平照射LOCA，達到最佳固化效果。圖一圖二線光源線光源UV光貼合單元工藝要點預(yù)固化LED型UVUV光照射區(qū)域×4硬化應(yīng)本固化單元產(chǎn)品預(yù)固化完成，確認無品質(zhì)問題后會進行本固化，對LOCA進行全面性固化（總體固化率要求98%以上）本固化設(shè)備本固化工藝要點LEDLampLEDLampCoverlens250mW/cm2175mW/cm2光強計LOCA能累計的能量取決于coverlens如例，透過率=（175/250）×100%=70%累計光能量(mj/cm2)=照度(mw/cm2)x照射時間(sec)所以本固前要測試coverlens的透過率。本固化單元產(chǎn)品預(yù)固化完成，確認無品質(zhì)問題后會進行本固化，對Aging高溫環(huán)境中切換驅(qū)動條件，同時，在一定時間內(nèi)驅(qū)動（顯示）模塊。目的：①初期不良檢測②產(chǎn)品枯化加溫BoothAging高溫環(huán)境中切換驅(qū)動條件，同時，在一定時間內(nèi)驅(qū)動（顯檢查連接夾具信號發(fā)生器目的：①不良品檢查②等級區(qū)分ＰＣ檢查連接夾具信號發(fā)生器目的：ＰＣACFACFACF外觀Conductingparticle(Metalcoatedplasticball:3-10um)(Niparticle:2-3um)Adhesive(Thermosettingresin-epoxy/acrylicester)SideviewofACFSeparator(PETfilm)【StandardPackage】*Protectedwithtransparentplasticreel*50-100Mlength*1.0-5.0mmwidth*15-30umthicknessACF=AdhesiveFilmwithdispersedconductingparticlesACF外觀ConductingparticleAdhesiACF各向異性導(dǎo)電粒子數(shù)和連接阻抗的關(guān)系A(chǔ)CF各向異性導(dǎo)電粒子數(shù)和連接阻抗的關(guān)系A(chǔ)CF硬化過程接著時間(S)相對粘度反應(yīng)率(%)接著劑流動上下回路導(dǎo)通硬化接著固定ACF硬化過程接著時間(S)相對粘度反應(yīng)率(%)接著劑流動ACF硬化過程SEMImage5um16-25umXYdirectionZdirectionConductingParticleAdhesiveFilmPlasticballNi/AuThinLayerAdhesiveResinConductingParticleACFElectrodeHeatandPressureSubstrateFPC(TCP)orICInsulationConductivityACF硬化過程SEMImage5um16-25umXYdMetalcoatedPlasticparticleφ3～4umφ8umφ10umφ3umPureNickelparticle（Sphereshape）Pitch:35–100umPitch:100–200umPitch:

200um<FinerPitchHighVoltageMetalcoatedPlasticparticleMetalcoatedNickelparticlePureNickelparticle（Starshape）forMetalelectrodesforITOorITO/MetalelectrodesACF的導(dǎo)電粒子Metalcoatedφ3～4umφ8umφ10umφ3u導(dǎo)電粒子--金球SmallGravity,SphereShape,NarrowSizeDistribution,

ElasticallyDeformed5umStructureofMetalCoatedPlasticBallPlasticBallNi/AuThinLayerAppliedNi/AucoatedplasticballsforACFforthefirsttimeintheworld(1987)andrealizedfinepitchconnection.10umGlassPolyimideConductiveParticleCopperCrossSectionalImage(SEM)導(dǎo)電粒子--金球SmallGravity,Sphere導(dǎo)電粒子--鎳粒子Ni粒子(NiParticle)SEMImageElectrodeonTCPElectrodeonPWB導(dǎo)電粒子--鎳粒子Ni粒子SEMImageElectroACF的導(dǎo)通特性01020300100200300400500600接続抵抗

ContactResistance(Ω)HighHumidityTest(85℃/85%RH)Time(h)010203040500100200300400500600接続抵抗ContactResistance(Ω)ThermalCycleTest(-40℃/100℃)Cycle4050170℃-15s180℃-15s190℃-15s170℃-15s180℃-15s190℃-15s(COF(Plating)

/ITOcoatedglassPitch50μm)(COF(Plating)

/ITOcoatedglassPitch50μm)ACF的導(dǎo)通特性0102030010020030040050ACFDataSheet-FOGACFDataSheet-FOGACFDataSheet-FOBACFDataSheet-FOBBondingTemperature40506070809010011012013014015016017018019020021022002468101214161820Time(s)240250260270280290300310320Cushionmaterial：Siliconesheet0.2mmtHeattool：3㎜widthHeattoolTCPThermocoupleAnisolmLCDTooltemperatureTeflonfilmBondingTemperature40506070809導(dǎo)電粒子破裂Failure<60%*Excellent70–80%*Excellent80–90%*Failure>90%*Particlesize:10umTestc