氯化鋇分析-影響沉淀純凈的因素

任務(wù)二、沉淀?xiàng)l件的選擇學(xué)習(xí)情境八：氯化鋇分析化學(xué)分析學(xué)習(xí)情境八：氯化鋇分析任務(wù)二、沉淀?xiàng)l件的選擇四、影響沉淀純凈的因素1、沉淀的類型

①晶形沉淀，直徑>0.1m②無(wú)定形沉淀，直徑

<0.02ma.粗晶形：MgNH4PO4b.細(xì)晶形：BaSO4特點(diǎn)：顆粒大、結(jié)構(gòu)緊密、體積小、雜質(zhì)少、易過(guò)濾洗滌

Fe(OH)3、Al(OH)3、大多數(shù)硫化物

特點(diǎn)：含水多、疏松、體積大、雜質(zhì)多、難過(guò)濾洗滌③凝乳狀沉淀，d介于1、2之間，0.02－.01mAgCl沉淀類型晶形沉淀凝乳狀無(wú)定形沉淀CaC2O4，BaSO4膠體MgNH4PO4AgClFe(OH)3顆粒直徑0.1～1m0.02～0.1m<0.02m2、沉淀的形成過(guò)程

究竟生成哪一種類型的↓？主要取決于：↓本身的性質(zhì)（內(nèi)因）形成↓的過(guò)程↓的后處理（外因）四、影響沉淀純凈的因素成核作用均相成核異相成核長(zhǎng)大凝聚定向排列構(gòu)晶離子晶核沉淀顆粒構(gòu)晶離子：構(gòu)成↓的離子，如Ba2+、SO42-均相成核：由構(gòu)晶離子通過(guò)締合作用自發(fā)形成晶核異相成核：構(gòu)晶離子在外來(lái)固體微粒的誘導(dǎo)下成核無(wú)定形;V1>V2晶形;V1<V2成核作用均相成核異相成核長(zhǎng)大凝聚定向排列構(gòu)晶離子晶核沉淀顆粒無(wú)定形;V1>V2晶形;V1<V2長(zhǎng)大：溶液中有了晶核后，過(guò)飽和溶液中的溶質(zhì)就可在晶核上沉積出來(lái)，晶核逐漸長(zhǎng)成↓顆粒。有的過(guò)飽和溶液就是析不出↓顆粒，原因：無(wú)晶核或晶種。

前已述及，由構(gòu)晶離子組成的晶核叫均相成核；不純微粒也可起晶種的作用叫異相成核。

顯然，我們能做的就是盡量減少晶核的數(shù)目，除了將容器洗干凈，讓雜質(zhì)微粒降到最小（異相成核無(wú)法避免，只能減少），我們能否讓均相成核減少，以至讓其趨近于零呢？成核作用均相成核異相成核長(zhǎng)大凝聚構(gòu)晶離子晶核沉淀顆粒無(wú)定形;V1>V2晶形;V1<V2構(gòu)晶離子聚集形成晶核，其形成速度稱為聚集速度。（Va）構(gòu)晶離子在晶核上沉積使晶核長(zhǎng)大成為沉淀顆粒，其速度稱為定向速度。（Vc）沉淀形成過(guò)程為兩個(gè)階段：四、影響沉淀純凈的因素Va〉Vc形成晶形沉淀。Va〈Vc形成非晶形沉淀。（無(wú)定形沉淀）沉淀的類型取決于Va與Vc的大?。核?、影響沉淀純凈的因素物質(zhì)的極性，極性強(qiáng)的物質(zhì)，Vc速度大。影響Vc的因素：影響Va的因素有哪些？在水中溶解度大的易形成晶形沉淀還是非晶形沉淀？四、影響沉淀純凈的因素S:晶核的溶解度Q：加入沉淀劑瞬間溶質(zhì)的總濃度Q-S：過(guò)飽和度K：常數(shù)，與沉淀的性質(zhì)、溫度、介質(zhì)有關(guān)相對(duì)過(guò)飽和度自發(fā)產(chǎn)生晶核的相對(duì)過(guò)飽和值馮·韋曼(VonWeimarn)提出了一個(gè)經(jīng)驗(yàn)公式：

對(duì)同一種而言，晶核形成速度Va與溶液中的相對(duì)過(guò)飽和度成正比。四、影響沉淀純凈的因素馮·韋曼(VonWeimarn)經(jīng)驗(yàn)式指出：四、影響沉淀純凈的因素影響沉淀純度的因素共沉淀

后沉淀

吸附

吸留與包夾

混晶

3、影響沉淀純度的因素（1）影響純度的因素四、影響沉淀純凈的因素共沉淀現(xiàn)象：當(dāng)沉淀析出時(shí)，溶液中可溶性雜質(zhì)沉積與沉淀同時(shí)析出的現(xiàn)象Fe3+SO42-Fe3+SO42-Fe3+SO42--Ba2+-SO42--Ba2+-SO42--Ba2+--SO42--Ba2+-SO42--Ba2+-SO42---Ba2+-SO42--Ba2+-SO42--Ba2+--SO42--Ba2+-SO42--Ba2+-SO42--

共沉淀現(xiàn)象①表面吸附—沉淀表面吸附雜質(zhì)的現(xiàn)象表面沉淀

第二吸附層溶液

第一吸附層雙電層吸附規(guī)律：A.第一吸附層先吸附構(gòu)晶離子再吸附與構(gòu)晶離子大小相近、電荷相同的離子B.第二吸附層與構(gòu)晶離子生成難溶化合物或解離度小的化合物的離子優(yōu)先其次是電荷高的再次是濃度大的吸附量（污染程度）a.的總表面積↗，吸附量↗；b.C雜質(zhì)↗，吸附量↗；c.T↗，吸附量↘（吸附是一放熱過(guò)程）消除方法：洗滌（原則——少量多次，盡量瀝干）設(shè)有30mL洗滌液

（1）30mL一次用完；（2）30mL分3次洗每次10mL。

（設(shè)雜質(zhì)量為10mg，每次殘留液為1mL。）四、影響沉淀純凈的因素（1）30mL一次用完大于稱量誤差?。。?）30mL分3次洗每次10mL。遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于稱量誤差！?。≌n外作業(yè)：

設(shè)有30mL洗滌液

（1）30mL一次用完；（2）30mL分3次洗每次10mL。

（設(shè)雜質(zhì)量為10mg，每次殘留液為0.5mL。）

②混晶或固溶體：半徑相同、晶體結(jié)構(gòu)相同，極易混晶（固體溶液）。消除方法：分離③吸留或包夾

速度太快，被吸附在表面的雜質(zhì)離子還來(lái)不及離開，就被沉積上來(lái)的離子所覆蓋。消除方法：再（無(wú)法用洗滌的方法除之）（2）后沉淀當(dāng)析出后，在放置過(guò)程中，溶液中的可溶性雜質(zhì)慢慢到原來(lái)表面的現(xiàn)象。后沉淀引入雜質(zhì)的量比共沉淀要多，且隨著放置的時(shí)間延長(zhǎng)而增多。

例如：控制[S2-],可使CuS，而ZnS不。但放置后CuS吸附S2-

，使[S2-]局部過(guò)濃，而使ZnS。后沉淀消除方法：不要陳化CuSSSZn共↓和后↓的區(qū)別：t↗,后↓↗。4、提高純度的方法（1）步驟（先