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文檔簡(jiǎn)介
VLSI設(shè)計(jì)導(dǎo)論
清華大學(xué)計(jì)算機(jī)系
2023/1/131
集成電路與計(jì)算機(jī)
Design
Manufacture
Testing
Packaging
EDAToolsComputer2023/1/132
第一章概論
第一節(jié)引言信息產(chǎn)業(yè)值占國(guó)民經(jīng)濟(jì)總值的40%~60%是支柱微電子工業(yè)是國(guó)民經(jīng)濟(jì)信息化的基石集成電路是微電子技術(shù)的核心
2023/1/1331948年,美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了點(diǎn)接觸晶體管1949年,肖克利(W.Shockley)提出結(jié)型晶體管的設(shè)想1951年,制成了第一枚面結(jié)型的晶體管1930年,利利費(fèi)爾德(Lillienfenld)和海爾(Heil)提出了利用半導(dǎo)體表面場(chǎng)效應(yīng)原理制造固體放大器40年代末,肖克利(W.Shockley)和皮爾遜(G.L.Pearson)研究了這個(gè)問(wèn)題。1960年,卡恩格(D.Kanng)和阿塔納(M.M.Atalla)用熱氧化硅結(jié)構(gòu)制造了第一枚絕緣柵MOS晶體管。2023/1/1341952年,英國(guó)科學(xué)家達(dá)默提出電路集成化的最初設(shè)想。1959年,美國(guó)得克薩斯儀器公司的一位工程師基爾比,按照上述設(shè)想,制成了世界上第一塊集成電路。1959年,美國(guó)仙童公司赫爾尼等人發(fā)明的“平面工藝”,被移到集成電路的制作中,使集成電路很快從實(shí)驗(yàn)室研制階段進(jìn)入工業(yè)生產(chǎn)階段。1959年,得克薩斯儀器公司首先宣布建成世界上第一條集成電路生產(chǎn)線。1962年,世界上出現(xiàn)了第一塊集成電路正式商品,這預(yù)示著第三代電子器件已正式登上電子學(xué)舞臺(tái)。2023/1/135一、集成電路的發(fā)展自從1959年集成電路誕生以來(lái),經(jīng)歷了小規(guī)模(SSI)、中規(guī)模(MSI)、大規(guī)模(LSI)的發(fā)展過(guò)程,目前已進(jìn)入超大規(guī)模(VLSI)和甚大規(guī)模集成電路(ULSI)階段,進(jìn)入片上系統(tǒng)(SOC)的時(shí)代。第一代16位的8086芯片中,共容納了約2.8萬(wàn)個(gè)晶體管。32位以上的586級(jí)計(jì)算機(jī)微處理器,如“奔騰”芯片內(nèi)的晶體管數(shù)目則高達(dá)500萬(wàn)以上。目前一個(gè)芯片已經(jīng)可以集成上億個(gè)晶體管。目前商業(yè)化半導(dǎo)體芯片的線寬為0.09~0.13μm,今后發(fā)展的趨勢(shì)是0.065μm甚至0.045μm以下。
2023/1/136Moore’sLawandFutureICTechnologiesMooreLaw---芯片集成度每18個(gè)月將翻一番。---至少還會(huì)適用15年!(firstpublishedin1965)1997NationalTechnologyRoadmapforSemiconductors2023/1/137
集成電路的發(fā)展特點(diǎn)九十年代以來(lái),集成電路工藝發(fā)展非常迅速,已從亞微米(0.5到1微米)、深亞微米(小于0.5微米)到超深亞微米或納米(小于0.25微米)。其主要特點(diǎn):特征尺寸越來(lái)越小芯片面積越來(lái)越大單片上的晶體管數(shù)越來(lái)越多時(shí)鐘頻率越來(lái)越高電源電壓越來(lái)越低布線層數(shù)越來(lái)越多
I/O引線越來(lái)越多2023/1/138
表1發(fā)展規(guī)劃代次的指標(biāo)年份
199719992001200320062009 2012最小線寬
0.25
0.18
0.15
0.13
0.10
0.07
0.01(μm)DRAM容量256M1G1G~4G4G16G64G256G
每片晶體管數(shù)11
21
40
76
200
520
1400(M)
芯片尺寸300440385430520620750 (平方毫米)
頻率(兆赫)750120014001600200025003000
金屬化層層數(shù)
66-77 7 7-88-99
最低供電電壓
1.8-2.5
11.5-1.8
1.2-1.5
1.2-1.5
0.9-1.2
0.6-0.9
0.5-0.6(v)
最大晶圓直徑
200300
300
300
300
450
450
(mm)2023/1/139
工藝特征尺寸2023/1/1310
單個(gè)芯片上的晶體管數(shù)2023/1/1311
芯片面積2023/1/1312
電源電壓
2023/1/1313
金屬布線層數(shù)2023/1/1314
時(shí)鐘頻率2023/1/1315集成電路朝著幾個(gè)方向發(fā)展:一是在發(fā)展微細(xì)加工技術(shù)的基礎(chǔ)上,開(kāi)發(fā)超高速、超高集成度的電路。二是迅速、全面地利用已達(dá)到的或已成熟的工藝技術(shù)、設(shè)計(jì)技術(shù)、封裝技術(shù)和測(cè)試技術(shù)等發(fā)展各種專(zhuān)用集成電路(ASIC)。三是開(kāi)發(fā)產(chǎn)品的電路規(guī)模增加。四是開(kāi)發(fā)產(chǎn)品的復(fù)雜程度加深。五是開(kāi)發(fā)產(chǎn)品的上市時(shí)限緊迫。
2023/1/1316
器件及互連線延遲00.511.522.533.54199719992001200320062009延遲值(ns)器件內(nèi)部延遲2厘米連線延遲(優(yōu)化)2厘米連線延遲(未優(yōu)化)2厘米連線延遲約束2023/1/1317
市場(chǎng)窗口
2023/1/1318
世界集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀世界集成電路加工工藝水平為0.13微米,正在向0.09微米過(guò)渡。系統(tǒng)芯片(SOC)正在成為集成電路產(chǎn)品的主流。超大規(guī)模集成電路IP復(fù)用(IPReuse)水平日益提高。集成電路設(shè)計(jì)業(yè)、制造業(yè)、封裝業(yè)三業(yè)并舉,相對(duì)游離。設(shè)計(jì)能力滯后于制造工藝,設(shè)計(jì)工具落后于設(shè)計(jì)水平。2023/1/1319二、集成電路設(shè)計(jì)與EDA軟件工具集成電路產(chǎn)業(yè)是以市場(chǎng)、設(shè)計(jì)、制造、應(yīng)用為主要環(huán)節(jié)的系統(tǒng)工程。設(shè)計(jì)是連接市場(chǎng)和制造之間的橋梁,是集成電路產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的入口。成功的產(chǎn)品來(lái)源于成功的設(shè)計(jì)。成功的設(shè)計(jì)取決于優(yōu)秀的設(shè)計(jì)工具。
2023/1/1320
IC設(shè)計(jì)的發(fā)展設(shè)計(jì)附屬于制造,手工設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)業(yè)獨(dú)立,F(xiàn)abless,DesignHouse。設(shè)計(jì)追求時(shí)間和成品率。SOC+IP+VDSM+大規(guī)模的設(shè)計(jì)。2023/1/1321
2023/1/1322集成電路計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)的發(fā)展70年代,第一代的ICCAD系統(tǒng)為IC設(shè)計(jì)師提供方便的版圖編輯、設(shè)計(jì)驗(yàn)證和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換等功能。80年代,ICCAD技術(shù)進(jìn)入了第二代,為設(shè)計(jì)師提供了方便的原理圖編輯、仿真和物理版圖的布圖、驗(yàn)證功能。90年代,ICCAD技術(shù)進(jìn)入了第三代,包括有系統(tǒng)級(jí)的設(shè)計(jì)及驗(yàn)證工具。目前,第四代ICCAD工具―EDA工具正在研發(fā)中,主要是面向VDSM工藝、IP核復(fù)用和SOC設(shè)計(jì)。
2023/1/1323
ICCAD的發(fā)展第一代:七十年代以Applicon,Calma,CompterVision為代表的版圖編輯+DRC。第二代:八十年代以Mentor,Daisy,Valid為代表的ICCAD系統(tǒng),原理圖輸入、模擬、分析、自動(dòng)布圖及驗(yàn)證。第三代:九十年代以Cadence,Synopsys,Avant!等為代表的EDA系統(tǒng),包括有系統(tǒng)級(jí)的設(shè)計(jì)工具。第四代:正在研制面向VDSM+SOC+IP的新一代EDA系統(tǒng)。Cadence,Synopsys,Magma.
設(shè)計(jì)工具改進(jìn)所增加的設(shè)計(jì)能力必須超過(guò)工藝增長(zhǎng)速度,才能適應(yīng)工藝的快速發(fā)展。2023/1/1324目前EDA面臨的關(guān)鍵問(wèn)題:(1)設(shè)計(jì)方法學(xué)的研究:理論和設(shè)計(jì)流程。(2)IP核的復(fù)用技術(shù)。(3)功耗、噪聲和電遷移的分析工具。(4)超深亞微米的布圖設(shè)計(jì)工具。(5)針對(duì)大規(guī)模芯片的阻、容、感提取工具。(6)MFD可制造性設(shè)計(jì)工具。(7)復(fù)雜芯片的物理驗(yàn)證、形式驗(yàn)證工具。(8)確認(rèn)和測(cè)試工具。2023/1/1325三、VLSI設(shè)計(jì)步驟1、系統(tǒng)規(guī)范化說(shuō)明(SystemSpecification)
包括系統(tǒng)功能、性能、物理尺寸、設(shè)計(jì)模式、制造工藝、設(shè)計(jì)周期、設(shè)計(jì)費(fèi)用等等。2、功能設(shè)計(jì)及描述(FunctionDesign)
將系統(tǒng)功能的實(shí)現(xiàn)方案設(shè)計(jì)并用VHDL等硬件描述語(yǔ)言描述出來(lái)。3、寄存器傳輸級(jí)設(shè)計(jì)(RTLDesign)
將系統(tǒng)功能結(jié)構(gòu)化,確定系統(tǒng)的時(shí)序,給出系統(tǒng)的狀態(tài)圖及各子模塊之間的數(shù)據(jù)流圖。4、邏輯設(shè)計(jì)(LogicDesign)
通常以文本、原理圖、邏輯圖表示設(shè)計(jì)結(jié)果,有時(shí)也采用布爾表達(dá)式來(lái)表示設(shè)計(jì)結(jié)果。2023/1/13264、電路設(shè)計(jì)(CircuitDesign)
電路設(shè)計(jì)是將邏輯設(shè)計(jì)表達(dá)式轉(zhuǎn)換成電路實(shí)現(xiàn)。5、物理設(shè)計(jì)(Ph
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