電子元件知識(shí)講義

電子元件知識(shí)講義電阻器分類：按結(jié)構(gòu):固定阻值和可變電阻器；按材料：合金型、薄膜型和合成型；按功率：1/16W、1/8W、1/4W、1W、2W、5W等；按誤差范圍：普通型（±5％、±10％、±20％）和精密型（±2％、±1％、±0.5％）電阻器電阻器的技術(shù)指標(biāo)1、額定功率：電阻器長時(shí)間工作而不影響其性能條件下所允許消耗的最大功率。一般設(shè)計(jì)值為額定功率值的0.3-0.52、精度：實(shí)際值與標(biāo)稱值的相對(duì)誤差?！?0％、

±10％、±5％、±2％、±1％、±0.5％）等電阻器電阻器標(biāo)志方法：1、色環(huán)標(biāo)志法。色別第一環(huán)第二環(huán)第三環(huán)第四環(huán)第五環(huán)第一位數(shù)第二位數(shù)第三位數(shù)應(yīng)乘倍數(shù)精度黑000100±10％棕111101±1％紅222102±2％橙333103－黃444104－綠555105±0.5％藍(lán)666106±0.2％紫777107±0.1％灰888108－白999109－金－－－10－1±5％銀－－－10－2±10％2、文字符號(hào)直標(biāo)法。A、標(biāo)稱電阻電阻的單位有Ω（歐）、kΩ(千歐103）MΩ(兆歐106）GΩ(吉?dú)W109）TΩ(太歐1012）遇到小數(shù)時(shí)，常以Ω、k、m取代小數(shù)點(diǎn)，如0.5Ω，可以寫成Ω5，5.1KΩ可以寫成5k1

B、精度精度可以用不同的字母表示，如下表：誤差±.001%±.002%±.005%±0.01%±0.02%±0.05%±0.1%符號(hào)EXYHUWB誤差±0.2%±0.5%±1%±2%±5%±10%±20%符號(hào)CDFGJKMC、材料電阻材料用符號(hào)表示，如下表：符號(hào)TJXHYCSIN材料碳膜金屬膜線繞合成膜氧化膜沉積膜有機(jī)實(shí)芯玻璃釉膜無機(jī)實(shí)芯電阻器電阻器的特點(diǎn)及應(yīng)用金屬膜電阻穩(wěn)定性好，溫度系數(shù)校，噪聲小，常用在要求較高的電路中，適合高頻電路應(yīng)用金屬氧化膜電阻有極好的脈沖、高頻特性，外型與金屬膜電阻相似。碳膜電阻溫度系數(shù)為負(fù)值，噪聲大，精度等級(jí)低，常用于一般要求電路中。繞線電阻精度高，但分布參數(shù)大，不適合高頻。敏感電阻又稱半導(dǎo)體電阻，通常有光敏、溫敏、熱敏、壓敏等，可以用作傳感器檢測(cè)對(duì)應(yīng)的物理量。電阻器電阻器質(zhì)量的判斷1、外觀與引線：要求無缺陷、斷裂、氧化和霉變2、萬用表歐姆檔測(cè)量：如果讀數(shù)與標(biāo)稱值相差太大或不穩(wěn)定，則不能使用部分電阻器外觀部分電阻器外觀電位器1、主要技術(shù)指標(biāo)A、標(biāo)稱阻值:與電阻器的標(biāo)稱阻值相同B、額定功率：在兩個(gè)固定端上允許耗散的最大功率C、滑動(dòng)噪聲：在滑動(dòng)端滑動(dòng)的時(shí)候，在滑動(dòng)端與固定端間的電壓出現(xiàn)無規(guī)律的波動(dòng)現(xiàn)象。要求越小越好。D、分辨率:可以實(shí)現(xiàn)的最精細(xì)的調(diào)節(jié)能力，繞線電位器分辨率低。E、阻值變化規(guī)律:分線性變化，指數(shù)變化和對(duì)數(shù)變化等形式電位器2、質(zhì)量判斷法A、靜態(tài)檢測(cè)用萬用標(biāo)歐姆檔測(cè)試兩個(gè)固定端阻值，如果和標(biāo)稱值接近，就進(jìn)行下一步；B、動(dòng)態(tài)測(cè)試用萬用表測(cè)試電位器的滑動(dòng)端和固定端，并連續(xù)調(diào)節(jié)滑動(dòng)端，如果讀數(shù)連續(xù)，無明顯的波動(dòng)，就說明元件是好的。電位器3、電位器的選用原則A、高頻電路中選用薄膜電位器；B、電壓均勻變化的場合選用直線式電位器；C、音量控制選用指數(shù)式電位器；D、高精度場合選用繞線多圈電位器；E、高分辨率場合選用非線繞電位器、多圈微調(diào)電位器；F、普通場合選用碳膜電位器。電位器電容器1、主要技術(shù)指標(biāo)A、容量及精度B、額定電壓C、損耗角：漏電流會(huì)使電容消耗一定能量，這種損耗引起的相移角稱為損耗角。電容器2、電容的國標(biāo)參數(shù)標(biāo)志法：分四部分A、第一部分為主稱字母，用C表示電容；B、第二部分為介質(zhì)材料。各字母表示意義如下：C、第三部分為特征，體現(xiàn)容量。符號(hào)ADCYBFL材料鉭電容瓷片鋁云母聚苯乙烯聚四氟乙烯滌綸D、第四部分為表示序號(hào)，一般都沒有標(biāo)。例：CC104:表示1UF的瓷片電容，有的只標(biāo)105，前兩位為數(shù)值，后以為表加零個(gè)數(shù)，單位PF。電容器3、電容的選用A、額定電壓降額使用，實(shí)際電壓是耐壓的0.3-0.5；B、當(dāng)電容的精度決定電路指標(biāo)，如頻率、定時(shí)時(shí)間等的時(shí)候，要選用高精度電容；C、高頻電路中選用低損耗角的電容；D、在集成塊的電源和地間的退耦電容一般用獨(dú)石電容；電容器電感器1、主要技術(shù)指標(biāo)A、電感量：H、MH、UHB、品質(zhì)因素QC、額定電流2、標(biāo)志方法：和電阻類似3、電感的選用：額定電流降額使用、高頻中使用高Q值，低損耗角的電感。電感器半導(dǎo)體器件1、命名法A、國際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件命名方法；分四部分表示第一部分：材料:A（鍺）、B（硅）、C（砷化鎵）、D（銻化銦）、F（復(fù)合材料）第二部分：主要特性:A（檢波、開關(guān)二極管）、B（變?nèi)荻O管）、C（低頻小功率三極管）、D（低頻大功率三極管）、E（隧道二極管）等第三部分：登記序號(hào)第四部分：分類號(hào)如BC588B為硅材料的低頻小功率三極管半導(dǎo)體器件1、命名法B、美國半導(dǎo)體器件命名方法：不表明用途分五部分表示第一部分表示用途類別：J（軍品）、無（民品）第二部分表示PN結(jié)數(shù)目:1（二極管）、2（三極管）、3（三個(gè)PN結(jié)）、N（N個(gè)PN結(jié)）第三部分：為N表示在美國電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記注冊(cè)第四部分：登記序號(hào)如2N2222表示三極管，具體作用要查手冊(cè)第五部分：同一型號(hào)中的檔位半導(dǎo)體器件2、測(cè)試A、二極管測(cè)試：用完用表測(cè)試正向電阻和反向電阻B、三極管