第1章 電路和電路元件(葉挺秀)

《電工電子學(xué)》

1.1電路和電路的基本物理量1.2電阻、電感和電容元件1.3獨(dú)立電源元件

1.4二極管

1.5雙極晶體管

1.6絕緣柵場效晶體管

第1章電路和電路元件1.1.1電路1.1.2電路元件和電路模型1.1.3電流、電壓及其參考方向1.1.4電路功率1.1電路和電路的基本物理量放大器揚(yáng)聲器話筒手電筒電路擴(kuò)音器示意圖1、電路的概念電路是電流的通路，是為了實(shí)現(xiàn)某種應(yīng)用目的，將若干電工、電子器件或設(shè)備按一定方式所組成的整體。1.1.1電路發(fā)電機(jī)升壓變壓器降壓變壓器電燈電動機(jī)電爐...輸電線電源:

提供電能的裝置中間環(huán)節(jié)：傳遞、分配和控制電能的作用負(fù)載:取用電能的裝置2、電路的分類

依據(jù)電路的作用，可將電路分為兩類。

(1)用于實(shí)現(xiàn)電能傳輸和轉(zhuǎn)換的電路

強(qiáng)電電路——電壓較高、電流和功率較大電力系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖(2)實(shí)現(xiàn)信號傳遞與處理的電路直流電源直流電源:

提供能源負(fù)載信號源:

提供信息放大器揚(yáng)聲器話筒弱電電路——電壓較低、電流和功率較小擴(kuò)音器示意圖1.1.2電路元件和電路模型（1）實(shí)際電路元件和理想電路元件實(shí)際電路元件：構(gòu)成電路的電工、電子器件或設(shè)備。理想電路元件：具有某種確定的電磁性質(zhì)的假想元件，它們及其組合，可以反映出實(shí)際電路元件的電磁性質(zhì)和電路的電磁現(xiàn)象。理想電路元件主要有電阻元件、電感元件、電容元件和電源元件等。開關(guān)R+RoE–S+U–I燈泡電池導(dǎo)線（2）實(shí)際電路和電路模型實(shí)際電路：用實(shí)際原件構(gòu)成的電路電路模型：將實(shí)際原件都由其相應(yīng)的模型表示后就夠成實(shí)際電路的電路模型。1.1.3電流、電壓及其參考方向1.電流及其參考方向電流：電路中帶電粒子在電源的作用下有規(guī)則的移動形成電流。電流的實(shí)際方向：正電荷移動的方向。電流的大?。弘姾闪繉r(shí)間的變化率：直流電流——電流的大小和方向不隨時(shí)間變化。電流的參考方向——任意假定的實(shí)際方向(用箭頭表示)。交流電流——電流的大小和方向隨時(shí)間變化。i

參考方向AB電流的單位：1kA=103A，1mA=10-3A，1A=10-6AA（安培）、kA、mA、Ai>0i<0實(shí)際方向?qū)嶋H方向電流的參考方向與實(shí)際方向的關(guān)系：i

參考方向ABi

參考方向ABb.i<0，電流的實(shí)際方向與參考方向相反；a.i>0，電流的實(shí)際方向與參考方向相同；例1:判斷各支路電流的實(shí)際方向2.電壓及其參考方向電流的參考方向有兩層含義：1）電流的參考方向可以任意指定。2）在指定的參考方向下，從電流數(shù)值的正、負(fù)來確定的實(shí)際方向。

電壓：是描述電場力對電荷做功的物理量，定義為單位正電荷從一點(diǎn)移至另一點(diǎn)電場力作的功：電壓的實(shí)際方向——高電位指向低電位的方向，即電位真正降低的方向。acb例：已知：Va=2V,Vb=-2V,分析各點(diǎn)之間的電壓及電壓的實(shí)際方向單位V(伏)、kV、mV、V直流電壓：電壓的大小和極性不隨時(shí)間變化。交流電壓：電壓的大小和極性隨時(shí)間變化。電壓的參考方向：任意假定的實(shí)際方向,用“+”“-”符號表示。U+電壓的參考方向與實(shí)際方向的關(guān)系：a.u>0，電壓的實(shí)際方向與參考方向相同；b.u<0，電壓的實(shí)際方向與參考方向相反；3、關(guān)聯(lián)參考方向

對于一個(gè)元件或一段電路，如果其電壓和電流的參考方向一致，則稱這種參考方向?yàn)殛P(guān)聯(lián)參考方向。反之，稱為非關(guān)聯(lián)參考方向。RU+–IRU+–I關(guān)聯(lián)參考方向非關(guān)聯(lián)參考方向＋－uBAi例：電壓電流參考方向如圖中所標(biāo)，問：對A、B兩部分電路電壓電流參考方向關(guān)聯(lián)否？答：A電壓、電流參考方向非關(guān)聯(lián)；

B電壓、電流參考方向關(guān)聯(lián)。1.電功率P與u,i的關(guān)系電流：單位時(shí)間內(nèi)通過導(dǎo)體橫截面的電量電壓：單位正電荷由a點(diǎn)移到b點(diǎn)時(shí)所做的功功率：單位時(shí)間內(nèi)元件吸收或發(fā)出的能量單位：W(瓦)伏特V安培A1.1.4電路功率2.電路吸收或發(fā)出功率的判斷

u,i

取關(guān)聯(lián)參考方向P=ui

表示元件吸收的功率P>0

吸收正功率(實(shí)際吸收)P<0

吸收負(fù)功率(實(shí)際發(fā)出)P=ui

表示元件發(fā)出的功率P>0

發(fā)出正功率(實(shí)際發(fā)出)P<0

發(fā)出負(fù)功率(實(shí)際吸收)

u,i

取非關(guān)聯(lián)參考方向+-iu+-iu在時(shí)間t1到t2期間，元件（或電路）吸收的電能為：

單位為焦耳（J），實(shí)際采用千瓦小時(shí)（KW.h），

1KW.h=1000W×3600s=3.6×106J=1度電。3.電能電流、電壓、功率的符號和單位電量名稱

符號基本單位

常用工程單位

電流I

直流）i

交流）AkA、mA、μA、nA電壓U

直流）u

交流）VkV、mV、μV功率P(平均功率)WkW、mW安全用電小常識

對于電氣設(shè)備來說，為了安全起見，都有其額定功率、額定電壓和額定電流，使用時(shí)不注意不能超過其額定值，否則會損壞設(shè)備。1.2.1電阻元件1.2電阻、電感和電容元件1.2.2電感元件

1.2.3電容元件1.2.4實(shí)際元件的主要參數(shù)及電路模型1、伏安特性IUOIUO線性電阻非線性

電阻

(電阻R的單位：Ω、kΩ)1.2.1

電阻元件Rui+－R為常量R為變量膜電阻器線繞電阻器水泥電阻器熱敏電阻器p

ui(–Ri)i–i2R-

u2/Rp

uii2Ru2/RRui+-Rui-+2、電阻功率

3、電阻耗能

電阻元件在任何時(shí)刻總是消耗功率的4、工作參數(shù)（舉例）標(biāo)稱電阻值、允許偏差、額定功率pn1.2.2電感元件不同類電感器陶瓷電感器標(biāo)準(zhǔn)電感器電路符號+-u(t)iL把金屬導(dǎo)線繞在一骨架上構(gòu)成一實(shí)際電感線圈，當(dāng)電流通過線圈時(shí)，將產(chǎn)生磁通，是一種抵抗電流變化、儲存磁能的部件。電流通過一匝線圈產(chǎn)生(磁通)電流通過N匝線圈產(chǎn)生(磁鏈)i(t)i(t)+-u(t)電感L——表征元件儲存電磁能能力的參數(shù)，是不隨電路情況變化的量。密繞長線圈L的大小取決于磁導(dǎo)率、線圈匝數(shù)、線圈截面積及長度。單位：H(亨利)，常用H，mH表示。韋安關(guān)系伏安關(guān)系通直流、阻交流+-u(t)iL1、伏安關(guān)系電感電壓u

的大小取決于i的變化率,與i

的大小無關(guān)。2.電感的功率和儲能

功率儲能=當(dāng)電流增大時(shí)，磁場能增大，電感元件從電路吸收能量；當(dāng)電流減小時(shí)，磁場能減小，電感元件向電路提供給電路。3、工作參數(shù)標(biāo)稱電感值L、額定電流in電容器

在外電源作用下，正負(fù)電極上分別帶上等量異號電荷，撤去電源，電極上的電荷仍可長久地聚集下去，是一種儲存電能的部件。_+qqU1.2.3電容元件C＋－u+q-q電路符號部分電容器的照片

電解電容器

普通電容器

電力電容器單相電動機(jī)電容器1.伏安關(guān)系其中：C為電容，常數(shù)，恒大于0，單位為法拉F，常用F，pF等表示。電容C表征元件儲存電荷的能力的參數(shù)，不隨電路情況變化。極板電容的大小取決于介電常數(shù)、極板相對的面積及極板間距。C＋－u+q-q庫伏關(guān)系電容電流

i的大小取決于電容電壓

u

的變化率,而與該時(shí)刻電壓

u

的大小無關(guān)。隔斷直流，通交流2.電容的功率和儲能功率儲能

當(dāng)電壓增大時(shí)，電場能增大，電容元件從電路吸收電能；當(dāng)電壓減小時(shí)，電場能減小，電容元件向電路提供能量。3、工作參數(shù)標(biāo)稱電容值L、額定電壓un

1.2.4實(shí)際元件的主要參數(shù)及電路模型主要參數(shù)（額定參數(shù)）：電阻器：標(biāo)稱電阻值、允許偏差、額定功率電感器：標(biāo)稱電感值、額定電流電容器：標(biāo)稱電容值、額定電壓電路模型:理想電路模型：電阻器R、電感器L、電容器C實(shí)際電路模型：理想元件模型的不同組合。1、電組的串/并聯(lián)2、電容的串/并聯(lián)電容的串聯(lián)等效電容電容的并聯(lián)等效電容3、電感的串/并聯(lián)電感的串聯(lián)等效電感的并聯(lián)等效電路模型:

電壓源(一般)直流電壓源a,直流電壓源：

b,正弦電壓源：

性質(zhì)1、電壓源兩端電壓由電源本身決定，與端子電流及外電路無關(guān)，該電壓稱為激勵電壓。性質(zhì)2、電壓源端子電流由激勵電壓及外電路共同決定。1.3.1電壓源和電流源(內(nèi)阻等于0的理想情況)1.3獨(dú)立電源元件1、理想電壓源電路模型2.理想電流源

可由穩(wěn)流電子設(shè)備產(chǎn)生，如晶體管的集電極電流與負(fù)載無關(guān)；光電池在一定光線照射下光電子被激發(fā)產(chǎn)生一定值的電流等。性質(zhì)1、電流源的輸出電流由電源本身決定，與兩端電壓及外電路無關(guān)，該輸出電流稱為激勵電流。性質(zhì)2、電流源的兩端電壓由激勵電流及外電路共同決定。a,直流電流源：

b,正弦電流源：

I解：分析：IS

固定不變,US

固定不變。IsU=?＋－IUS+-R所以：

I=Is，

U=I·R－US[例1.3.1]已知：Is

，US

，R

問：I

等于多少？U又等于多少？解：1.Uab=US

,I=US/R=4/2=2A

2.若R減小為1Ω，I=US

/R=4A↑

電流源的功率不變！電壓源的功率IUs=I–IS=3A↑P=USIUs

=12W增大！[例1.3.2]已知：Is，US

，R試分析：1.I等于多少？2.若使R減小為1Ω，I如何變？兩個(gè)電源的功率如何變？US+bRIsIa-1A4V2Ω1.3.2實(shí)際電源的模型1、實(shí)際電源實(shí)際電源一般不具有理想電源的特性，由于內(nèi)在電阻的影響，電源提供的電壓或電流都會發(fā)生變化。U=Us-RI實(shí)際電壓源U

O

I

US輸出電壓隨端電流的增加而減小，R越小，越接近理想電壓源。實(shí)際電壓源不允許短路。I+_USR+U_I=Is-U/R實(shí)際電流源U

O

I

IS輸出電流隨端電壓的增加而減小，R越大，越接近理想電流源。實(shí)際電流源不允許開路。IR+U_IS練習(xí)B+-uiC+-ui2.一端口電路的等效變換BACA（1）概念：對A電路中的電流、電壓和功率而言，滿足：等效111等效變換等效電路可以具有完全不同的結(jié)構(gòu)，但對任一外電路來說，它們卻具有完全相同的影響，適合用來求解外電路中的相關(guān)物理量。等效電阻Req：其值決定于原電路中各阻值及其連接方式（2）等效條件：兩個(gè)一端口電路，如果端口具有相同得伏安特性,則稱它們是等效的電路。B+-uiC+-uiu=f(i)u=g(i)f(i)=g(i)3.兩種實(shí)際電源模型的等效互換I+_USR+U_IR/+U_ISU=Us-RII=Is-U/R/——————I+_USR+U_IR/+U_ISIR/+_等效條件：等效電路特點(diǎn)：（1）兩電源模型的內(nèi)阻相等；（2）電壓源電壓參考方向與電流源電流參考方向相反.I+_USR+U_IR/+U_IS+15V_+8V775A3472AI＝？例.U=Us-RIU=R/Is-IR/1.4二極管1.4.1PN結(jié)及其單向?qū)щ娦?.4.2二極管的特性和主要參數(shù)1.4.3二極管的工作點(diǎn)和理想特性1.4.4穩(wěn)壓二極管1.4.5發(fā)光二極管和光電二極管一、本征半導(dǎo)體純凈的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體為本證半導(dǎo)體。純凈：半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到99.9999999%，常稱為“九個(gè)9”。晶體結(jié)構(gòu)：以硅原子(Si)為例：硅原子在空間形成排列整齊的點(diǎn)陣，稱為晶格。本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)示意圖在常溫下，由于熱激發(fā)，極少數(shù)的價(jià)電子獲得足夠的能量而脫離共價(jià)鍵的束縛，成為自由電子，同時(shí)共價(jià)鍵上留下一個(gè)空位，稱為空穴，帶正電。形成電子空穴對。

外加電場時(shí)，帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴均參與導(dǎo)電，形成電子電流和空穴電流，運(yùn)動方向相反。本征半導(dǎo)體中的電流時(shí)是兩個(gè)電流之和。運(yùn)載電荷的粒子稱為載流子。二、本征半導(dǎo)體中的兩種載流子本征激發(fā)：半導(dǎo)體在熱激發(fā)下產(chǎn)生自由電子空穴對的現(xiàn)象。復(fù)合：自由電子在運(yùn)動的過程中如果與空穴相遇，就會填補(bǔ)空穴，使兩者同時(shí)消失。在動態(tài)平衡時(shí)載流子濃度一定。

在純凈的硅晶體中摻入五價(jià)元素（如磷P），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導(dǎo)體。含有的粒子：自由電子（多子）空穴（少子），不能移動的正離子。N型半導(dǎo)體主要靠自由電子，摻入P元素越多，導(dǎo)電性越強(qiáng)。三、N型半導(dǎo)體空穴P型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電，摻入硼元素越多，導(dǎo)電性越強(qiáng)。四、P型半導(dǎo)體

在純凈的硅晶體中摻入三價(jià)元素（如硼B(yǎng)），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半導(dǎo)體。

含有的粒子：自由電子（少子）空穴（多子），不能移動的硼負(fù)離子。??電子1.4.1PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦?/p>

一、PN結(jié)的形成

擴(kuò)散運(yùn)動：物質(zhì)總是從濃度高的地方向濃度低的地方運(yùn)動。氣體、液體、固體均有之。

自由電子從N區(qū)向P區(qū)擴(kuò)散，空穴從N區(qū)向P區(qū)擴(kuò)散。擴(kuò)散運(yùn)動使交界面形成空間電荷區(qū)，產(chǎn)生內(nèi)電場。少子在電場力的作用下產(chǎn)生的運(yùn)動稱為漂移運(yùn)動

當(dāng)多子擴(kuò)散和少子漂移達(dá)到動態(tài)平衡，形成PN結(jié)內(nèi)電場抑制多子的擴(kuò)散，有利少子的飄移。二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)加正向電壓：內(nèi)外電場方向相反，耗盡層變窄，擴(kuò)散運(yùn)動加劇，由于外電源的作用，形成擴(kuò)散電流，PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。PN結(jié)加反向電壓：內(nèi)外電場方向相同，耗盡層變寬，阻止擴(kuò)散運(yùn)動，有利于漂移運(yùn)動，形成漂移電流。由于電流很小，故可近似認(rèn)為其截止。結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。PN結(jié)加正向電壓導(dǎo)通，加反向電壓截止，導(dǎo)通方向：P→N1.4.2二極管的特性和主要參數(shù)二極管=PN結(jié)+引線+管殼。二極管符號DPN陽極陰極材料開啟電壓導(dǎo)通電壓（正向壓降）反向飽和電流硅Si0.5V0.5~0.8V1μA以下鍺Ge0.1V0.1~0.3V幾十μA1.二極管的伏安特性二極管兩湍的電壓與流過的電流之間的關(guān)系曲線。練習(xí)：正向特性：當(dāng)二極管所加正向電壓大于開啟電壓時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)。反向特性：當(dāng)二極管加反向電壓時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)開啟電壓死區(qū)導(dǎo)通區(qū)截止區(qū)擊穿區(qū)反向飽和電流擊穿電壓

2、二極管的參數(shù)(1)最大整流電流IF：二極管長期使用時(shí)，允許流過二極管的最大正向平均電流。(2)反向擊穿電壓UBR和最高反向工作電壓URM：二極管反向擊穿時(shí)的電壓值。擊穿時(shí)反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐模踔吝^熱而燒壞。手冊上給出的最高反向工作電壓UWRM一般是UBR的一半。(3)反向電流IR：二極管未擊穿時(shí)的反向電流，值越小，單向?qū)щ娦栽胶谩?4)最高工作頻率fM

在實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)根據(jù)管子所用的場合，按其所承受的最高反向電壓、最大正向平均電流、工作頻率、環(huán)境溫度等條件，選擇滿足要求的二極管。1.4.3二極管的工作點(diǎn)和理想特性1、二極管的工作點(diǎn)

靜態(tài)電阻：直流電路中二極管的兩端電壓與斷電流的比值：動態(tài)電阻

UD=US－RIDUDUSIDQNOMUSRiDuD二極管自身的特性曲線與電路約束關(guān)系曲線的交點(diǎn)稱為二極管的工作點(diǎn)Q（UD,ID）.練習(xí)：在上面的電路圖中，US=4.7V、R=2V、二極管的導(dǎo)通電壓取0.7V，求工作點(diǎn)Q.解：UD=0.7V,ID=(4.7-0.7)/2=2A2、二極管的理想特性考慮正向?qū)▔航岛雎哉驅(qū)▔航?/p>

3、二極管電路的分析方法

分析關(guān)鍵：判斷二極管是否導(dǎo)通。--方法：單個(gè)二極管：陽極電位高于陰極電位且足夠大。二極管特性曲線理想二極管：導(dǎo)通時(shí)正向壓降為零，截止時(shí)反向電流為零的二極管。多個(gè)二極管：二極管都處于開路狀態(tài)下，開路電壓大的優(yōu)先導(dǎo)通。例1設(shè)右圖中二極管導(dǎo)通時(shí)的正向壓降為0.7V，試分析D1、D2的工作情況并求I值。

解：D1、D2都處于開路狀態(tài)時(shí)，Va=12V,Vb=－3V,Vc=0V,開路電壓：Uab=15V,Uac=12V,D1優(yōu)先導(dǎo)通。D1一旦導(dǎo)通，Uab=0.7V,Va=－3+0.7=－2.3V，D2處于反向截止?fàn)顟B(tài)。多個(gè)二極管：二極管都處于開路狀態(tài)下，開路電壓大的優(yōu)先導(dǎo)通。進(jìn)入穩(wěn)壓區(qū)的最小電流

1.伏安特性由一個(gè)PN結(jié)組成，反向擊穿后在一定的電流范圍內(nèi)端電壓基本不變，為穩(wěn)定電壓。2.主要參數(shù)穩(wěn)定電壓UZ、穩(wěn)定電流IZ最大功耗PZM＝IZMUZ動態(tài)電阻rz＝ΔUZ/ΔIZ1.4.4穩(wěn)壓二極管

穩(wěn)壓二極管又稱齊納二極管，是一種用特殊工藝制造的硅半導(dǎo)體二極管；這種管子的雜質(zhì)濃度比較大，空間電荷區(qū)內(nèi)的電荷密度也大，因而該區(qū)域很窄，容易形成強(qiáng)電場。當(dāng)反向電壓加到某一定值時(shí)，反向電流急增，產(chǎn)生反向擊穿不至于損壞的最大電流穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿區(qū)。3.穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用舉例－+UIIZ+++URUZUO－－－ILIDZRRL例：1、UI=10V,若穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓為6V，電路正常工作時(shí)，UO=?2、若IZ=5mA,IZM=25mA,RL=600歐，求穩(wěn)壓管正常工作時(shí)，R的取值范圍？解：1、UO=6V，2、1.4.5發(fā)光二極管和光電二極管1.發(fā)光二極管工作在正向偏置狀態(tài)，正向?qū)ê蟀l(fā)光，導(dǎo)通壓降大于普通二極管。2.光電二極管工作在反向偏置狀態(tài)，光照射后反向?qū)?，?dǎo)通電流與光照強(qiáng)度相關(guān)。部分二極管的照片整流二極管穩(wěn)壓二極管發(fā)光二極管光電二極管1.5雙極晶體管1.5.1基本結(jié)構(gòu)和電流放大作用1.5.2特性曲線和主要參數(shù)1.5.3簡化的小信號模型雙極晶體管簡稱晶體管、三極管。1.基本結(jié)構(gòu)和符號

NPN型PNNCEB集電結(jié)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)BECPNP型BECPNCEB集電結(jié)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)P1.基本結(jié)構(gòu)和符號●兩個(gè)PN結(jié)：發(fā)射結(jié)、集電結(jié)●三個(gè)電極：發(fā)射極E、基極B、集電極C●三個(gè)區(qū)：發(fā)射區(qū)—雜質(zhì)濃度高（多數(shù)載流子最多）集電區(qū)—雜質(zhì)濃度高,比發(fā)射區(qū)稍低基區(qū)—雜質(zhì)濃度相對很低2.電流放大作用條件：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置?！钶d流子的運(yùn)動和電流的形成：

發(fā)射結(jié)外電場→發(fā)射區(qū)大量電子載流子向基區(qū)運(yùn)動，電源向發(fā)射區(qū)補(bǔ)充電子→發(fā)射極電流IE。

進(jìn)入基區(qū)的電子載流子少量與基區(qū)空穴復(fù)合，電源UBB向基區(qū)補(bǔ)充空穴→基極電流IB。

集電結(jié)外電場→基區(qū)的大部分電子載流子進(jìn)入集電區(qū)，并由電源收集→集電極電流IC。NNPEBCIC+UBB-+UCC-IBIERBRC☆電流放大作用：小的基極電流變化量→大的集電極電流變化量，具有電流放大作用，電流控制作用——電流控制型器件。IE=IB+ICIB+IC≈IE改變UBE→IB變化→ΔIB，ΔIB→ΔIC、ΔIEΔIB+ΔIC≈ΔIE1.5.2特性曲線和主要參數(shù)1.共發(fā)射極輸入、輸出特性曲線☆輸入特性曲線：與二極管正向特性曲線類似?！钶敵鎏匦郧€：iB=f(uBE)|UCE=常數(shù)iC=f(uCE)|iB=常數(shù)BEC－+uBE－+uCEiCiB80400.40.8UCE>1VuBE/VOiB/μA2uCE/VOiC/mA4682468100μAIB=0飽和區(qū)截止區(qū)放大區(qū)80μA60μA40μA20μA截止區(qū)：IB=0曲線一下區(qū)域特點(diǎn)：集電結(jié)、發(fā)射結(jié)均反向偏置，無放大作用，IC=ICEO≈0

，集電極與發(fā)射極相當(dāng)于斷開的開關(guān)——用于開關(guān)電路。飽和區(qū)：UCE<UBE的區(qū)域特點(diǎn)：發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均正向偏置，無放大作用,有IC，但UCE=UCES≈0（約0.3V），集電極與發(fā)射極相當(dāng)于接通的開關(guān)——用于開關(guān)電路。2uCE/VOiC/mA4682468100μAIB=0飽和區(qū)截止區(qū)放大區(qū)80μA60μA40μA20μA放大區(qū)：IC=βIB特點(diǎn)：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置，有放大作用——用于放大電路。2.主要參數(shù)電流放大系數(shù)

穿透電流ICEO集電極最大允許電流ICM集電極最大允許耗散功率PCM集電極—發(fā)射極反向擊穿電壓U(BR)CEO1.5.3簡化的小信號模型1.受控源概念受控源——非獨(dú)立電源輸出電壓或電流受電路中另一電壓或電流的控制。電壓控制電壓源（VCVS）電壓控制電流源（VCCS）電流控制電壓源（CCVS）電流控制電流源（CCCS）四種類型：四種受控源符號：