高中化學(xué)第3章章末復(fù)習(xí)課教案新人教版選修3

高中化學(xué)第3章章末復(fù)習(xí)課教課方案新人教版選修3高中化學(xué)第3章章末復(fù)習(xí)課教課方案新人教版選修35/5高中化學(xué)第3章章末復(fù)習(xí)課教課方案新人教版選修3章末復(fù)習(xí)課晶體組成與晶胞的計(jì)算均攤法確定晶胞的化學(xué)組成方法晶胞中任意地址上的一個(gè)原子若是是被n個(gè)晶胞所共有，那么每個(gè)原子對(duì)這個(gè)晶胞的貢1獻(xiàn)就是n。種類-1-①長(zhǎng)方體(或正方體)晶胞②非長(zhǎng)方體(或非正方體)晶胞該類晶胞中粒子對(duì)晶胞的貢獻(xiàn)視詳盡情況而定：a.石墨晶胞中每一層內(nèi)碳原子排成六邊1形，其極點(diǎn)(1個(gè)碳原子)對(duì)六邊形的貢獻(xiàn)為。3b．正三棱柱形晶胞2．依照晶胞的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和有關(guān)數(shù)據(jù)，求算晶體的密度或晶胞的體積或晶胞參數(shù)a(晶胞邊長(zhǎng))NM關(guān)系式：ρ＝(V表示晶胞體積，ρ表示晶體的密度，NA表示阿伏加德羅常數(shù)，NVNA表示一個(gè)晶胞實(shí)質(zhì)含有的微粒數(shù)，M表示微粒的摩爾質(zhì)量)。計(jì)算模式一個(gè)晶胞中微粒數(shù)目晶體的求一個(gè)晶胞的質(zhì)量摩爾質(zhì)量密度阿伏加德羅常數(shù)求一個(gè)晶胞的體積——晶胞邊長(zhǎng)或微粒半徑1．氧與鈉所形成的一種離子化合物Na2O晶體的晶胞以以下列圖所示，則圖中黑球代表的離子是________(填離子符號(hào))。[解析]由“均攤法”可知晶胞中白球有4個(gè)，黑球有8個(gè)，由化學(xué)式Na2O知黑球代表鈉離子。[答案]Na＋2．晶胞參數(shù)是用來(lái)描述晶胞的大小和形狀的。已知Ge單晶的晶胞與金剛石相似，其參-2-數(shù)a＝565.76pm，則其密度為－3________g·cm(列出計(jì)算式即可)。11[解析]每個(gè)晶胞中含有鍺原子8×8＋6×2＋4＝8(個(gè))，每個(gè)晶胞的質(zhì)量為8×73g·mol－1－1－1038×73g·molNA，晶胞的體積為(565.76×10cm)，因此晶胞的密度為NA×565.76×10－10cm3。8×737[答案]6.02×565.763×103．GaAs的熔點(diǎn)為1238℃，密度為ρg·cm－3，其晶胞結(jié)構(gòu)以下列圖。該晶體的種類為________，Ga與As以________鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGag·mol－1和MAsg·mol－1，原子半徑分別為rGapm和rAspm，阿伏加德羅常數(shù)的值為A，則GaAs晶胞中原子的體積N占晶胞體積的百分率為________。[解析]GaAs的熔點(diǎn)為1238℃，其熔點(diǎn)較高，據(jù)此推知GaAs為原子晶體，Ga與As原子之間以共價(jià)鍵鍵合。解析GaAs的晶胞結(jié)構(gòu)，4個(gè)Ga原子處于晶胞體內(nèi)，8個(gè)As原子處于晶胞的極點(diǎn)、6個(gè)As原子處于晶胞的面心，結(jié)合“均攤法”計(jì)算可知，每個(gè)晶胞中含有4個(gè)11rGapm＝rGa×10Ga原子，含有As原子個(gè)數(shù)為8×8＋6×2＝4(個(gè))，Ga和As的原子半徑分別為－10cm，rpm＝r×10－10cm，則原子的整體積為V4r×10－103－103As原子AsGaAs16π－30(r3＋r33。又知Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為Mg·mol－1和Mg·mol－1GaAsGaAs胞的密度為ρg·cm－3，則晶胞的體積為V晶胞＝4(Ga＋As)/Acm3，故GaAs晶胞中原子的MMρN原子16π×10－303＋r33AsVGa×100%＝×100%＝體積占晶胞體積的百分率為V晶胞4MGa＋MAs3AcmρN4π10－30×AGa3＋As3Nρrr×100%。3MGa＋MAs4π10－30×Nρr3＋r3As[答案]原子晶體共價(jià)AGa3MGa＋MAs×100%晶體熔、沸點(diǎn)的比較方法-3-1.在相同條件下，不相同狀態(tài)的物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低的一般規(guī)律是固體>液體>氣體。比方：NaBr(固)>Br2>HBr(氣)。2．不相同種類晶體的熔、沸點(diǎn)的比較規(guī)律一般來(lái)說(shuō)，不相同種類晶體的熔、沸點(diǎn)的高低序次為原子晶體>離子晶體>分子晶體。比方：金剛石>食鹽>干冰。而金屬晶體的熔、沸點(diǎn)高低懸殊較大，如鎂和汞。3．同各種類晶體的比較規(guī)律原子晶體：熔、沸點(diǎn)的高低取決于共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)和鍵能。鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，共價(jià)鍵越牢固，物質(zhì)熔、沸點(diǎn)越高，反之越低。比方：晶體硅、金剛石和碳化硅三種晶體中，因鍵長(zhǎng)C—C<C—Si<Si—Si，因此熔、沸點(diǎn)由高到低為金剛石>碳化硅>晶體硅。離子晶體：熔、沸點(diǎn)的高低，取決于離子鍵的強(qiáng)弱。一般來(lái)說(shuō)，離子半徑越小，離子所帶電荷越多，離子鍵就越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)就越高，反之越低。比方：MgO>CaO，NaF>NaCl＞NaBr＞NaI，KF＞KCl>KBr>KI，CaO＞KCl。金屬晶體：金屬晶體中金屬陽(yáng)離子所帶電荷越多，半徑越小，金屬陽(yáng)離子與自由電子靜電作用越強(qiáng)，金屬鍵越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)越高，反之越低。比方：Na<Mg<Al，Li>Na>K。合金的熔、沸點(diǎn)一般比它各組分純金屬的熔、沸點(diǎn)低。如鋁硅合金<純鋁(或純硅)。分子晶體：熔、沸點(diǎn)的高低，取決于分子間作用力的大小。分子晶體分子間作用力越大，物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高，反之越低。(含有氫鍵的分子晶體，熔、沸點(diǎn)失態(tài)的高)比方：H2O>H2Te>H2Se>H2S，C2H5OH>CH3—O—CH3。①組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高。比方：CH4＜SiH4<GeH4<SnH4。②組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)(相對(duì)分子質(zhì)量周邊)，分子極性越大，其熔、沸點(diǎn)就越高。比方：熔、沸點(diǎn)CO>N2，CH3OH>CH3—CH3。③在高級(jí)脂肪酸形成的油脂中，不飽和程度越大，熔、沸點(diǎn)越低。比方：C17H35COOH(硬脂酸)>C17H33COOH(油酸)。④烴、鹵代烴、醇、醛、羧酸等有機(jī)物一般隨著分子里碳原子數(shù)增加，熔、沸點(diǎn)高升。比方：C2H6>CH4，C2H5Cl>CH3Cl，CH3COOH＞HCOOH。⑤同分異構(gòu)體：鏈烴及其衍生物的同分異構(gòu)體隨著支鏈增加，熔、沸點(diǎn)降低。比方：CH3(CH2)3CH3(正)>CH3CH2CH(CH3)2(異)>(CH3)4C(新)。-4-4．以下各組物質(zhì)中，按熔點(diǎn)由低到高排列正確的選項(xiàng)是()A．O2、I2、HgB．Si、SiC、金剛石C．H2O、H2S、H2SeD．NaCl、KCl、CsClB[A項(xiàng)，Hg的熔點(diǎn)比I2低；B項(xiàng)，鍵能：C—C>C—Si>Si—Si，熔點(diǎn)Si<SiC<金剛石，正確；C項(xiàng)，HO分子間有氫鍵，沸點(diǎn)最高，錯(cuò)誤；＋＋＋2格能逐漸減小，熔點(diǎn)逐漸降低，錯(cuò)誤。]5．(1)GaF3的熔點(diǎn)高于1000℃，GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃，其原因是____________________________。(2)比較以下鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)，解析其變化規(guī)律及原因__________。GeCl4GeBr4GeI4熔點(diǎn)/℃－49.526146沸點(diǎn)/℃83.1186約400[答案](1)GaF為離子晶體，GaCl為分子晶體33(2)GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸點(diǎn)依次增高。原因是分子結(jié)構(gòu)相似，相對(duì)分子質(zhì)量依次增大，分子間相互作用力逐漸增強(qiáng)6．(1)K和Cr屬于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同，但金屬K的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)等都比金屬Cr低，原因是______________________。以下列圖為S8的結(jié)構(gòu)，其熔點(diǎn)和沸點(diǎn)要比二氧化硫的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)高很多，主要原因?yàn)開_________________。(3)NaF的熔點(diǎn)________(填“＞”“＝”或“＜”)的熔點(diǎn)，其原因是_______________