互感器介損原理及測(cè)試方法的總結(jié)_第1頁(yè)
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實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案互感器介損測(cè)試方法總結(jié)一、規(guī)程規(guī)定9.0.2測(cè)量繞組的絕緣電阻,應(yīng)符合下列規(guī)定:3測(cè)量電容式電流互感器的末屏及電壓互感器接地端(N)對(duì)外殼(地)的絕緣電阻,絕緣電阻值不宜小于1000M。。若末屏對(duì)地絕緣電阻小于1000M。時(shí),應(yīng)測(cè)量其tanb;9.0.3電壓等級(jí)35kV及以上互感器的介質(zhì)損耗角正切值tanb測(cè)量應(yīng)符合如下規(guī)定:1互感器的繞組tanb測(cè)量電壓應(yīng)在10kV測(cè)量,tanb不應(yīng)大于表9.0.3中數(shù)據(jù)。當(dāng)對(duì)絕緣有懷疑時(shí),可采用高壓法進(jìn)行試驗(yàn),在(0.5?1)Um*5范圍內(nèi)進(jìn)行,tanb變化量不應(yīng)大于0.2%,電容變化量不應(yīng)大于0.5%;2末屏tanb測(cè)量電壓為2kV。注:本條主要適用于油浸式互感器。SF6氣體絕緣和環(huán)氧樹(shù)脂絕緣結(jié)構(gòu)互感器不適用,注硅脂等干式互感器可以參照?qǐng)?zhí)行。表9.0.3tanb (%)限值額定電壓種類(lèi)20?35kV66~110kV220kV330?500kV油浸式電流互感器2.50.80.60.5充硅脂及其它干式電流互感器0.50.50.5油浸式電壓互感器繞組32.5串級(jí)式電壓互感器支架6油浸式電流互感器末屏2注:電壓互感器整體及支架介損受環(huán)境條件(特別是相對(duì)濕度)影響較大,測(cè)量時(shí)要加以考慮。二、介損原理精彩文檔實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案IU1、并聯(lián)等值電路(圖a、b)IU1、并聯(lián)等值電路(圖a、b)(c)CSUc在交流電U的作用下介質(zhì)中的電流為I。U與I之間的夾角為仍即功率因數(shù)角;其余角為6,即介質(zhì)損耗角根據(jù)圖a可得:I1

tan6=黃=WCPR則介質(zhì)損耗為:P=UIR=UIctan8=U2*w*Cp*tan82、串聯(lián)等值電路(圖c、d)tan8tan8=U^=i/wCs=w*Cs*ru2wCstan5P=?2*r=1+tan251由于tan26<<1,所以Cs=Cp=C,R>>r,因此以上兩種電路可以以一個(gè)共同的表達(dá)式表示:P=U2wCtanS由此可見(jiàn),介損與tan8成正比,即可用tan8表示介損的大小。同類(lèi)試品絕緣的優(yōu)劣,可直接由tan8的大小來(lái)判斷。3、綜合電路精彩文檔

實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案C1taiS1+C2taiS2+...+Cnt5m多個(gè)并聯(lián)等值電路并聯(lián):tan6= C1+C2+...+Cntan61tan62++...C1C2多個(gè)串聯(lián)等值電路串聯(lián):tan8= 1 1 —+ +...C1C2C1tai62(1+ta61)C2tai61(1+ta62)兩個(gè)并聯(lián)等值電路串聯(lián):tan?= C1(1+ta61)+C2(1+ta62)由以上分析還可得出,tan而集中性缺陷是不能靈敏反應(yīng)的,因此對(duì)能分解測(cè)量的盡量拄接測(cè)量,比如變壓器的套管等三、電容、介損的測(cè)量電容式電壓互感器儀器:AI6000精密測(cè)試儀工修做Jft臉At-6000Q5A朝此平玩精聲升BJ摳總磷:tR精彩文檔①山工修做Jft臉At-6000Q5A朝此平玩精聲升BJ摳總磷:tR精彩文檔①山,實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案正接法:測(cè)量整節(jié)電容Cx——試品一端對(duì)地有可靠絕緣時(shí)用此方法步驟:準(zhǔn)備工作包括收集廠家數(shù)據(jù),抄寫(xiě)名牌包括電容量;打開(kāi)PT本體端子箱蓋,短接所有二次繞組并接地;打開(kāi)XL與N之間的連片,使XL懸空,見(jiàn)示意圖;打開(kāi)Xl與E之間的連片;將儀器的“高壓測(cè)量”端通過(guò)專(zhuān)用線(xiàn)(屏蔽線(xiàn))與PT高壓端相連,Cx與N相連,見(jiàn)示意圖用10KV電壓測(cè)量,結(jié)果即是總的電容和介損。屏蔽線(xiàn)PV1T2 CFT1芯線(xiàn)線(xiàn)試品輸入Cx標(biāo)準(zhǔn)電容輸入可?低壓輸出測(cè)量接地T1芯線(xiàn)線(xiàn)試品輸入Cx標(biāo)準(zhǔn)電容輸入可?低壓輸出測(cè)量接地正接法測(cè)量PT整節(jié)電容和介損反接法:同樣測(cè)量Cx 試品有一端固定接地時(shí)用此方法步驟:連片都連好,注意保護(hù)間隙不要接觸;N與E儀器接外殼地線(xiàn);精彩文檔實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案c、c、高壓測(cè)量端接(芯線(xiàn))PT一次,裝置可靠接地;d、d、用10KV電壓測(cè)量,結(jié)果同正接法一樣是整節(jié)電容和介損。T1Amu芯線(xiàn)反接法測(cè)量T1Amu芯線(xiàn)反接法測(cè)量PT整節(jié)電容和介損3.1.3自激法測(cè)量測(cè)量3.1.3自激法測(cè)量測(cè)量C1和C2及tanS1和tanS2方法1:精彩文檔實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案屏蔽線(xiàn)+芯線(xiàn)PV1—工—高壓測(cè)量試品輸入Cx標(biāo)準(zhǔn)電容輸入低壓輸出測(cè)量接地自激法測(cè)量實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案屏蔽線(xiàn)+芯線(xiàn)PV1—工—高壓測(cè)量試品輸入Cx標(biāo)準(zhǔn)電容輸入低壓輸出測(cè)量接地自激法測(cè)量C1和C2步驟:a、N和E之間的連片斷開(kāi),其他連片連好;b、E接地,N和Cx連接,“高壓測(cè)量”接PT高壓端;c、用2KV電壓測(cè)量。方法2:如果用方法1測(cè)量時(shí)總出現(xiàn)電容值有一個(gè)不準(zhǔn)確的情況,可以把接于本體端子箱N(xiāo)的線(xiàn)和接于高壓端的線(xiàn)交換下,再進(jìn)行測(cè)量。(注:此法也是用于正接法)精彩文檔

實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案注意:二次回路檢查時(shí)12禁出現(xiàn)以下情況:E-電磁單元的一次接地端,N-電容分壓器低壓端小E開(kāi)路或者接地不良;當(dāng)不使用載波設(shè)備時(shí),N和E開(kāi)路;阻尼接入端?@-2,2,3a-3az,da-da開(kāi)路或者接觸不良。3.2CT介損的測(cè)量首先:斷開(kāi)地刀、隔刀、開(kāi)關(guān)項(xiàng)目包括:按下列順序可減少拆線(xiàn)次數(shù)序號(hào)項(xiàng)目方法測(cè)試電壓備注1一次f末屏正接法10KV末屏與地?cái)嚅_(kāi)2末屏f地反接法2KV末屏與地?cái)嚅_(kāi)3一次f地反接法10KV末屏接地步驟:正接法測(cè)量一次對(duì)末屏介損精彩文檔

實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案拆下本體端子箱末屏引出線(xiàn)(CT和地線(xiàn)的連接線(xiàn));測(cè)試儀的:高壓測(cè)量---一次,Cx-----CT(末屏)。見(jiàn)下圖:一次導(dǎo)體試品輸入Cx標(biāo)準(zhǔn)電容輸入低壓輸出測(cè)量接地線(xiàn)芯鋼管支撐(并做二次引線(xiàn)管)CT本體出線(xiàn)二次屏蔽筒高壓屏蔽罩高強(qiáng)瓷套管T末屏引出端子步驟:反接法測(cè)量末屏對(duì)地介損末屏引線(xiàn)CT保持與地?cái)嚅_(kāi);高壓測(cè)量接末屏CT引線(xiàn),見(jiàn)下圖:精彩文檔實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案試品輸入Cx標(biāo)準(zhǔn)電容輸入任低壓輸出測(cè)量接地一次導(dǎo)體鋼

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