三極管-社內(nèi)常見(jiàn)形式及以往不良情況

三極管常見(jiàn)形式及以往不良1、社內(nèi)常見(jiàn)形式②引腳插入式封裝形式是THM(ThroughHoleMount）①表面貼裝元件封裝形式是SMD(SurfaceMountedDevices）2、基本構(gòu)造引腳（銅合金）引線（金）本體（環(huán)氧樹(shù)脂）硅片引線（金）引腳成分（錫\銀\銅）母材（鐵鎳合金）表面處理：銅）硅片本體（環(huán)氧樹(shù)脂）【三極管常見(jiàn)形式及以往不良】1/7①內(nèi)部擊穿3、以往不良情況三極管失效形式①內(nèi)部擊穿②外觀破損引起的內(nèi)部斷路通過(guò)三極管的電壓應(yīng)為0.7V左右，實(shí)際已經(jīng)超出3倍，說(shuō)明已經(jīng)擊穿。測(cè)試內(nèi)容ICT測(cè)試基準(zhǔn)ICT首次測(cè)試FCT:NG

ICT再次測(cè)試B-E（V）0.7±30%0.742.02B-C（V）0.7±30%0.752.02C-E（V）0.26V以下0.040.49ICT判定OKNGa室外板上的出現(xiàn)三極管內(nèi)部擊穿不良。ICTFCTOKNGNG【三極管常見(jiàn)形式及以往不良】2/7放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)ECB例舉：NPN型發(fā)射極基極集電極PNNBCE第一步檢測(cè)UBC和UBE確認(rèn)PN結(jié)正向?qū)妷旱诙綑z測(cè)UCE確認(rèn)飽和狀態(tài)下的電壓值要接近于0V,遠(yuǎn)小于0.2V步驟項(xiàng)目名稱標(biāo)準(zhǔn)期望值上限下限模式類型高點(diǎn)低點(diǎn)位置隔離點(diǎn)StepPart

NameBOM-VExpect-VHLim%LLim%MTypeHiNLoNDIYG11Q-BC0.7V0.7V30300Q12002Q-BE0.7V0.7V30300Q13003Q-CEB1.5V0.2V30-14Q2301如何判斷三極管好壞硅：0.7V鍺：0.2V①內(nèi)部擊穿內(nèi)部擊穿是指三極管的PN結(jié)不能產(chǎn)生壓降限制電流的現(xiàn)象，電阻為0Ω或斷開(kāi)。【三極管常見(jiàn)形式及以往不良】3/7G1HI-PLO-PCEB截止區(qū)基極無(wú)電流UCER=∞

I=0放大區(qū)IB越大，RCE越小，ICE越大IB越小，RCE越大，ICE越小VC＞VB＞VEG1HI-PLO-PCEB有電流反向電壓截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏UBE＜0.7VUBE＞0.7V放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏UC＞UE＞UBUBC＜0.7V【三極管常見(jiàn)形式及以往不良】4/7ICT治具部分下針點(diǎn)三極管①VBC②VBE③VCEG1HI-PLO-Pamp：電流放大器ADC：模數(shù)轉(zhuǎn)換器，作用是將模擬量轉(zhuǎn)換為數(shù)字量，用于采集模擬信號(hào)，同時(shí)轉(zhuǎn)換為單片機(jī)識(shí)別的數(shù)值DAC：數(shù)模轉(zhuǎn)化器，將數(shù)字轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)UBC與VBE同時(shí)達(dá)到0.7V導(dǎo)通后（飽和），可測(cè)取VCE電壓值CEB飽和區(qū)飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏UBE＞UCEUBE＞0.7VUBC＞0.7V【三極管常見(jiàn)形式及以往不良】5/7③元件受外力破損ε室內(nèi)板上的三極管外部樹(shù)脂曾出現(xiàn)裂紋，造成元件失效。三極管的環(huán)氧樹(shù)脂有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？Q601元件開(kāi)裂環(huán)氧樹(shù)脂耐化學(xué)藥劑耐熱電氣絕緣性能良好收縮率小耐候性差抗沖擊強(qiáng)度低，質(zhì)地脆優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)【三極管常見(jiàn)形式及以往不良】6/7元件外表耐外力的試驗(yàn)測(cè)針推力計(jì)三極管試驗(yàn)