有機發(fā)光二極管專利態(tài)勢發(fā)布

有機發(fā)光二極管(OLED)

專利態(tài)勢電學發(fā)明審查部2011.122主要內(nèi)容專利運用管理分析專利文獻數(shù)據(jù)全球?qū)＠l(fā)展態(tài)勢中國專利發(fā)展態(tài)勢主要申請人分析重點技術分析產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況3研發(fā)始于歐美；顯示產(chǎn)業(yè)化集中在韓國、日本、中國大陸和臺灣。

“863計劃”中“高清晰度平板顯示專項”《當前優(yōu)先發(fā)展的高技術產(chǎn)業(yè)化重點領域指南》《國務院關于加快培育和發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的決定》產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況大陸主要集中在長三角、珠三角以及京津地區(qū)?！秶抑虚L期科技發(fā)展規(guī)劃綱要》《鼓勵進口技術和產(chǎn)品目錄（2011版）》《產(chǎn)業(yè)結構調(diào)整指導目錄（2011年本）》5個19個40個10個技術分解項目有機材料無機材料……基板結構有源基板TFT…………光學輔助層結構增加色純結構濾光層顏色轉(zhuǎn)換層………………應用……顯示像素結構像素排列OLED材料基板材料結構封裝工藝和設備中國總量：10153件全球總量：70423項專利文獻數(shù)據(jù)量6區(qū)域分析.技術構成分析總量趨勢分析二一三四申請人分析全球?qū)＠麘B(tài)勢7年份柯達US4769292雙層出光興產(chǎn)JP2672325B2小分子旭硝子JP2790353B2多層CDTWO9013148高分子柯達EP71749有源矩陣三洋EP732868全彩精工愛普生JP10050124背光源西門子DE29621618柔性光源ForrestWO9828767磷光先鋒商品化維信諾2.7英寸PMOLED索尼24英寸LTBS面板飛利浦13英寸高分子AM三星40英寸a-SiAM奇美25英寸

LTPsAM索尼銷售電視SMD成立LG15英寸電視柯達US4356429蒽出光興產(chǎn)JP6223970蒸鍍工藝全球?qū)＠麘B(tài)勢8全球?qū)＠麘B(tài)勢專利年申請量總體呈快速增長態(tài)勢，日本和美國前期專利布局較多，韓國增長最快全球申請99％在中國、日本、韓國、美國和歐洲9專利申請流向圖全球?qū)＠麘B(tài)勢美國市場最受全球申請人重視美國和日本最重視中國市場10申請目的地申請量發(fā)展趨勢全球?qū)＠麘B(tài)勢11全球OLED各技術分支發(fā)展趨勢全球?qū)＠麘B(tài)勢專利申請逐漸由上游專利向下游專利轉(zhuǎn)移12全球OLED主要申請人排名排名前20名前10名前30名占總量比例53％42％23％全球?qū)＠麘B(tài)勢大型跨國企業(yè)申請量大，集中趨勢明顯13申請人多邊申請量國別起始年度07年比例08年比例09年比例分支主要流向國家三星3912韓國199612.1%12.2%10.5%結構、封裝、應用、工藝和設備美國、日本、中國半導體能源2085日本19957.2%6.7%6.5%結構、材料美國、中國、韓國精工愛普生1849日本19969.9%11.7%10.2%結構、封裝、應用、工藝和設備美國、中國LG1184韓國199714.3%12.2%12.0%封裝、應用、工藝和設備美國、中國、日本索尼897日本199517.3%19.4%10.8%結構、封裝美國、中國、韓國富士701日本199510.1%13.9%12.3%材料、應用美國、中國、韓國伊斯曼柯達669美國198010.7%4.8%0.5%材料、結構、應用日本、中國、韓國飛利浦633歐洲199410.3%9.4%11.2%應用中國、美國、日本佳能630日本199618.8%16.1%13.4%結構、材料美國、中國、韓國出光興產(chǎn)507日本198815.8%9.1%6.5%材料美國、中國、韓國、歐洲先鋒496日本19916.8%4.4%3.8%材料、結構美國、中國友達光電481中國19986.8%3.6%5.8%結構美國夏普465日本199110.8%12.7%15.8%結構美國、中國、韓國松下343日本19937.6%11.6%18.6%材料、美國、中國西門子（歐司朗）306歐洲199614.8%14.2%7.4%應用美國、日本、中國松下、夏普、索尼、佳能等申請人保持高度活躍全球?qū)＠麘B(tài)勢綜合技術實力居前企業(yè)有三星、精工愛普生和LG14技術構成分析.申請人分析總體趨勢分析二一三四區(qū)域分析中國專利態(tài)勢15國內(nèi)外申請人發(fā)明申請量發(fā)展趨勢中國專利態(tài)勢總體申請發(fā)展迅速，中國申請發(fā)展穩(wěn)定16OLED專利申請量構成類型國內(nèi)國外合計申請授權有效申請授權有效申請授權有效發(fā)明專利量275812281088706133943303981946224391發(fā)明構成28.1%26.6%24.8%71.9%73.4%75.2%實用新型專利量32232224412122334334246實用新型構成96.4%96.4%99.2%3.6%3.6%0.8%專利總量3080155013327073340633051015349564637專利構成30.3%31.3%28.7%69.7%68.7%71.3%

中國專利態(tài)勢在中國專利申請中外國申請人申請量占優(yōu)。中國總申請中，發(fā)明比例接近97%。17各國在中國申請量發(fā)展趨勢中國專利態(tài)勢日韓申請人重視在中國的專利布局18各技術分支申請量發(fā)展趨勢中國專利態(tài)勢各技術分支總體穩(wěn)定中國材料技術分支申請近期發(fā)展較快19材料技術點申請量發(fā)展趨勢中國專利態(tài)勢發(fā)光層材料屬于技術熱點之一結構（2629）基板結構（955）光學輔助層結構（697）增強色純結構（185）增強亮度結構（229）增強對比度結構（58）黑矩陣(58)偏振結構(40)顏色轉(zhuǎn)化層（68）濾光層（128）精工愛普生；三洋；三星出光興產(chǎn)富士電機錸寶科技三星；松下；精工愛普生半導體能源；三星；LG三星；友達光電；LG索尼；三星；精工愛普生光散射層（30）光增強層（130)……2011年度專利分析普及推廣項目21中國大陸申請量集中區(qū)域圖濟南北京天津合肥福州江蘇南寧貴陽昆明武漢重慶蘭州銀川呼和浩特西寧上海烏魯木齊太原北京沈陽吉林廣東四川陜西申請量排名北京上海廣東江蘇吉林四川陜西中國專利態(tài)勢22中國專利申請OLED主要申請人中國專利態(tài)勢大型跨國企業(yè)在中國具有量、質(zhì)優(yōu)勢23中國專利申請中國內(nèi)申請人排名中國專利態(tài)勢中國臺灣地區(qū)企業(yè)具有產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢國內(nèi)科研機構具有相當技術實力24戰(zhàn)略研究---韓國三星.布局研究---日本出光興產(chǎn)申請人主體是企業(yè)，是技術發(fā)展的主要推動力量。研究主要申請人，學習其發(fā)展規(guī)律和成功經(jīng)驗。主要申請人25韓國三星--全球?qū)＠暾埲虿季指黝I域均衡發(fā)展主要市場以美國、中國、日本為重點區(qū)域技術面廣，產(chǎn)業(yè)鏈齊全主要申請人26韓國三星--中國專利申請中國布局量大面廣技術方面以材料和結構為重主要申請人27主要申請人—韓國三星現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移進行全球合作全領域開發(fā)生產(chǎn)戰(zhàn)略布局完善發(fā)展競爭戰(zhàn)略主要申請人28日本出光興產(chǎn)--全球?qū)＠暾埲虿季郑汉献鲀?yōu)先本土為重，主要市場美國、中國、日本、歐洲均衡布局技術優(yōu)勢主要在材料技術主要申請人29日本出光興產(chǎn)--中國專利申請中國布局總量不大近五年數(shù)量逐年下降技術布局主要為材料技術，近年材料比例增大主要申請人30主要申請人—日本出光興產(chǎn)

索尼(2005年)東芝(2008年)

松下(2011年)UDC(2006年)GOT(2011年)出光興產(chǎn)LG(2009年)主要申請人31關鍵技術研究內(nèi)容.重點技術-多晶硅TFT前沿技術-氧化物TFT關鍵技術突破是技術進步、行業(yè)發(fā)展的必經(jīng)之路。研究關鍵技術，有助于業(yè)內(nèi)企業(yè)明晰技術發(fā)展方向。關鍵技術關鍵技術有機材料無機材料……基板結構有源基板…………光學輔助層結構增加色純結構濾光層顏色轉(zhuǎn)換層………………應用……顯示像素結構像素排列OLED材料基板材料結構封裝工藝和設備TFT33技術的專利現(xiàn)狀TFT技術申請量分布關鍵技術TFT申請量構成TFT技術中日本申請量和質(zhì)均居領先地位。多晶硅技術為量產(chǎn)熱點技術，氧化物技術為前沿技術。34四種TFT主要申請人分布序號a-SiP-SiOTFT氧化物申請人國別申請人國別申請人國別申請人國別1三星韓國三星韓國三星韓國半導體能源日本2夏普日本精工愛普生日本柯尼卡日本三星韓國3LG韓國夏普日本理光日本精工愛普生日本4精工愛普生日本索尼日本精工愛普生日本夏普日本5索尼日本日立顯示器日本住友化學日本LG韓國關鍵技術主要TFT技術申請量日韓企業(yè)占領先地位35熱點技術--多晶硅TFT技術主要涉及方向多晶硅的形成方法與有源層配套的部件結構多晶硅有源層性能的改進關鍵技術中國專利申請集中于多晶硅有源層的形成工藝和方法。國外專利申請廣泛，涉及多晶硅形成方法、性能的改善以及適用結構。如CN102082098A；KR100721957B1；US7524728B2等如JP3894441B2;CN1941298A;CN101131964A等例如US7297980B2;KR20110053041A;EP1939933A3等36前沿技術--氧化物TFT技術主要涉及方向關鍵技術國內(nèi)外研發(fā)方向一致：氧化物有源層材料的開發(fā)或形成有源層的方法。有源層材料有源層配套的部件氧化物形成方法如CN101615582A；US7804231B2等如CN102064109A;JP2010278412A等如CN101488459A;US8017513B等37從多晶硅TFT專利技術來看，國外的申請人研發(fā)方向具有前瞻性。從氧化物TFT專利技術來看，國外的產(chǎn)學研結合較為緊密。關鍵技術專利運用管理分析專利引進交叉許可專利訴訟豐田、昭和電工、