GB/T 12560-1999半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T12560—1999idtIEC747-11：1985QC750100半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范SemiconductordevicesSectionalspecificationfordiscretedevices1999-08-02發(fā)布2000-03-01實(shí)施國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T12560-1999前言IEC前言1范圍總則2.1引用標(biāo)準(zhǔn)2.2，溫度的推薦值（優(yōu)選值）2.3電壓和電流的推薦值（優(yōu)選值）2.4引出端識(shí)別2.5型號(hào)的色標(biāo)2.6與制造過程有關(guān)的定義3質(zhì)量評(píng)定程序3.1初始制造階段3.2結(jié)構(gòu)相似器件3.3結(jié)構(gòu)相似性程序3.4鑒定批準(zhǔn)的檢驗(yàn)要求3.5質(zhì)量一致性檢驗(yàn)3.6D組檢驗(yàn)·3.7選?……·3.8油樣要求4試驗(yàn)和測試方法

GB/T12560-1999前本規(guī)范是根據(jù)國際電工委員會(huì)IEC747-11《半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范》第一版(1985)及其兩份修訂單(1991年11月第一次修訂,1996年5月第二次修訂)對GB/T12560—1990進(jìn)行修訂的。本規(guī)范等同采用該國際標(biāo)準(zhǔn)。本規(guī)范與前版的主要差別是在標(biāo)準(zhǔn)文本前面增加了目次，以便查閱;增加了前言與IEC前言。2增加了2.6"與制造過程有關(guān)的定義"，給出了“生產(chǎn)線"和“生產(chǎn)批”的定義。增加了3.3“結(jié)構(gòu)相似性程序",規(guī)定了結(jié)構(gòu)相似性的原則、應(yīng)用條件、一般規(guī)則和對應(yīng)各項(xiàng)試驗(yàn)的判別規(guī)則。標(biāo)準(zhǔn)中的條款號(hào)以及表的編號(hào)作了相應(yīng)的修改。4增加了3.4.1“小批量程序",規(guī)定了批量小于200只器件的檢驗(yàn)批的抽樣要求和授子鑒定批準(zhǔn)時(shí)應(yīng)滿足的附加要求5對表3中B5分組和表4中C5分組試驗(yàn)內(nèi)容作了修改，對不同封裝的器件應(yīng)經(jīng)受的試驗(yàn)項(xiàng)目與條件分別做了規(guī)定、6對表4中C7分組“穩(wěn)態(tài)濕熱”試驗(yàn)作了修改，對不同封裝的器件分別做了規(guī)定"7對第4章中引用的IEC標(biāo)準(zhǔn)和國家標(biāo)準(zhǔn)的試驗(yàn)和測試方法按最新版本的IEC標(biāo)準(zhǔn)和國家標(biāo)準(zhǔn)作了修改和補(bǔ)充,并補(bǔ)充了IEC747-4(1991年第一版,1993年第一次修訂）半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第四部分：微波二極管和晶體管》中列出的部分微波二極管電參數(shù)的試驗(yàn)和測試方法以及相應(yīng)的國家標(biāo)準(zhǔn)中的試驗(yàn)和測試方法。這些方法在IEC747-11中尚未列入，本規(guī)范對這些方法的引用代號(hào)未做編排本規(guī)范與IEC747-11的主要差別是：本規(guī)范2.6.1注中的“晶片加工”,IEC747-11為“擴(kuò)散”本規(guī)范引用的國家標(biāo)準(zhǔn)及其對應(yīng)的國際標(biāo)準(zhǔn)如下：IC標(biāo)準(zhǔn)8半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第1部分：總則GB/T17573-1998TEC747-1:1993半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范GB/T4589.1-1989TEC747-10:1984GB/T4937-1995半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法TEC749:1984本規(guī)范引用的國際標(biāo)準(zhǔn)：IECQQC001002《程序規(guī)則》本規(guī)范自實(shí)施之日起,代替GB/T12560一1990《半導(dǎo)體器件分分立器件分規(guī)范》本規(guī)范由中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部提出。本規(guī)范由全國半導(dǎo)體分立器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口，本規(guī)范由南京電子器件研究所負(fù)責(zé)起草。本規(guī)范主要起草人：黃玉英、金鎮(zhèn)鈴、趙英本規(guī)范首次發(fā)布時(shí)間：1990年12月6日。

GB/T12560-1999IEC的言1）IEC（國際電工委員會(huì)）在技術(shù)問題上的正式?jīng)Q議或協(xié)議是由對這些間題特別關(guān)切的國家委員會(huì)參加的技術(shù)委員會(huì)制定的，對所涉及的問題盡可能地代表了國際上的一致意見。2）這些決議或協(xié)議，以推薦標(biāo)準(zhǔn)的形式供國際上使用.并在此意義上為各國家委員會(huì)所認(rèn)可。3)為了促進(jìn)國際間的統(tǒng)一,IEC希望各國家委員會(huì)，在本國條件許可的情況下,采用IC標(biāo)準(zhǔn)的文本作為其國家標(biāo)準(zhǔn)。IEC標(biāo)準(zhǔn)與相應(yīng)國家標(biāo)準(zhǔn)之間的差異，應(yīng)盡可能地在國家標(biāo)準(zhǔn)中指出。本標(biāo)準(zhǔn)由國際電工委員會(huì)第47技術(shù)委員會(huì)(半導(dǎo)體器件)制定。本標(biāo)準(zhǔn)是半導(dǎo)體分立器件(不包括光電子器件)分規(guī)范，屬于IEC電子元器件質(zhì)量評(píng)定體系范睦本標(biāo)準(zhǔn)文本以下列文件為依據(jù)：6個(gè)月法表決報(bào)告47（C0)89547（C0938表決批準(zhǔn)本標(biāo)準(zhǔn)的詳細(xì)資料可在上表所列的表決報(bào)告中套閥本標(biāo)準(zhǔn)封面上的QC號(hào)為國際電工委員會(huì)電子元器件質(zhì)量評(píng)定體系(IECQ)的規(guī)范號(hào)

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范GB/T12560-1999idtIEC747-11：1985750100Semiconductordevices代替GB/T12560—1990Sectionalspecificationfordiscretedevices圍本規(guī)范適用于除光電子器件之外的半導(dǎo)體分立器件，2總則本規(guī)范應(yīng)與有關(guān)的總規(guī)范一同使用。本規(guī)范給出了有關(guān)評(píng)定半導(dǎo)體器件所需的質(zhì)量評(píng)定程序、檢驗(yàn)要求、篩選序列、抽樣要求、試驗(yàn)和測試方法的細(xì)節(jié)。2.1引用標(biāo)準(zhǔn)GB/T4589.1—1989半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范2.2溫度的推薦值(優(yōu)選值)見GB/T17573第W篇，第5章2.3電壓和電流的推薦值（優(yōu)選值）見GB/T17573第M篇，第6章2.4引出端識(shí)別2.4.1二極管用下述方法之一清晰地表示二極管的極性1）整流二極管圖形符號(hào)，箭頭指向陰極端。2）按下述色標(biāo)：-A20外形(IEC191-2《半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第2部分尺寸》,GB/T7581《半導(dǎo)體分立器件外形尺寸》中的D2-04A)和更小外形的二極管；用一條明顯的色帶或一色點(diǎn)在這些二極管的陰極端進(jìn)行標(biāo)志。但當(dāng)用色帶識(shí)別型號(hào)時(shí)，可采用將第一條色帶寬度加倍的方法來識(shí)別陰極端。如果二極管的管殼比A1B(IEC191-2,GB/T7581的D2-03B)還小，其陰極端色標(biāo)有可能與型號(hào)標(biāo)志混滑時(shí),則后者應(yīng)予省略。-比A20外形更大的二極管：陰極端應(yīng)使用紅色。2.4.2品體管應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中規(guī)定引出端的識(shí)別2.4.3閘流晶體管(