標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 12669-2012 半導(dǎo)體變流串級(jí)調(diào)速裝置總技術(shù)條件》相比于其前版《GB/T 12669-1990 半導(dǎo)體變流串級(jí)調(diào)速裝置總技術(shù)條件》，主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了更新與調(diào)整：

  1. 技術(shù)內(nèi)容的更新：新版標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)近二十年來半導(dǎo)體技術(shù)和電力電子技術(shù)的發(fā)展，對半導(dǎo)體變流串級(jí)調(diào)速裝置的技術(shù)要求進(jìn)行了全面修訂，納入了新的研究成果和應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，提高了技術(shù)指標(biāo)的先進(jìn)性和實(shí)用性。

  2. 安全要求增強(qiáng)：隨著對電氣設(shè)備安全性能要求的提高，2012版標(biāo)準(zhǔn)加強(qiáng)了對半導(dǎo)體變流串級(jí)調(diào)速裝置的安全性要求，包括絕緣性能、過載保護(hù)、故障報(bào)警等方面，確保設(shè)備運(yùn)行的安全可靠。

  3. 能效與環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)：考慮到節(jié)能減排的國際趨勢，新標(biāo)準(zhǔn)加入了能效比和電磁兼容性的相關(guān)規(guī)定，要求設(shè)備在設(shè)計(jì)和使用過程中需符合國家能效標(biāo)準(zhǔn)及環(huán)保要求，促進(jìn)綠色制造。

  4. 測試方法的改進(jìn)：為了更準(zhǔn)確、科學(xué)地評估半導(dǎo)體變流串級(jí)調(diào)速裝置的性能，2012版標(biāo)準(zhǔn)對測試項(xiàng)目和方法進(jìn)行了細(xì)化和優(yōu)化，增加了部分測試指標(biāo)，明確了測試條件和評判準(zhǔn)則，提高了測試的可操作性和準(zhǔn)確性。

  5. 適應(yīng)性擴(kuò)展：鑒于應(yīng)用領(lǐng)域的拓展，新標(biāo)準(zhǔn)拓寬了半導(dǎo)體變流串級(jí)調(diào)速裝置的適用范圍，涵蓋了更多種類的電機(jī)和不同工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用需求，增強(qiáng)了標(biāo)準(zhǔn)的通用性和適應(yīng)性。

  6. 標(biāo)準(zhǔn)化與國際接軌：2012版標(biāo)準(zhǔn)在制定過程中參考了國際上相關(guān)領(lǐng)域的先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)規(guī)范，力求與國際標(biāo)準(zhǔn)相協(xié)調(diào)，方便產(chǎn)品出口和技術(shù)交流。

  7. 術(shù)語和定義的規(guī)范：為適應(yīng)技術(shù)發(fā)展，新標(biāo)準(zhǔn)對一些專業(yè)術(shù)語和定義進(jìn)行了修訂或新增，使得表述更加準(zhǔn)確、清晰，便于行業(yè)內(nèi)統(tǒng)一理解和應(yīng)用。


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....

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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2012-06-29 頒布
  • 2012-11-01 實(shí)施
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GB/T 12669-2012半導(dǎo)體變流串級(jí)調(diào)速裝置總技術(shù)條件_第1頁
GB/T 12669-2012半導(dǎo)體變流串級(jí)調(diào)速裝置總技術(shù)條件_第2頁
GB/T 12669-2012半導(dǎo)體變流串級(jí)調(diào)速裝置總技術(shù)條件_第3頁
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GB/T 12669-2012半導(dǎo)體變流串級(jí)調(diào)速裝置總技術(shù)條件-免費(fèi)下載試讀頁

文檔簡介

ICS2916030

K62..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T12669—2012

代替

GB/T12669—1990

半導(dǎo)體變流串級(jí)調(diào)速裝置總技術(shù)條件

Generalspecificationforcascadespeedcontrolassembly

withsemiconductorconverter

2012-06-29發(fā)布2012-11-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T12669—2012

目次

前言…………………………

Ⅰ

范圍………………………

11

規(guī)范性引用文件…………………………

21

術(shù)語和定義………………

31

技術(shù)要求…………………

43

主要技術(shù)參數(shù)………………………

4.13

環(huán)境條件……………

4.23

基本要求……………

4.36

試驗(yàn)………………………

510

試驗(yàn)分類……………

5.110

試驗(yàn)項(xiàng)目……………

5.210

試驗(yàn)方法……………

5.312

標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存…………………

6、、、17

標(biāo)志…………………

6.117

包裝與運(yùn)輸…………………………

6.217

貯存…………………

6.318

GB/T12669—2012

前言

本標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替半導(dǎo)體變流串級(jí)調(diào)速裝置總技術(shù)條件

GB/T12669—1990《》。

本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要技術(shù)變化如下

GB/T12669—1990:

在范圍一章中增加了內(nèi)饋混極式無刷交流電機(jī)混極式無刷雙饋交流電機(jī)見第章

———“、”(1);

增加了斬波器逆變顛覆術(shù)語定義見及

———“”、“”(3.63.14);

增加適配電動(dòng)機(jī)額定功率額定電壓的內(nèi)容見

———“、”(4.1.1~4.1.2);

增加斬波器單元的技術(shù)特征的內(nèi)容見

———“”(4.3.7);

增加了超溫保護(hù)缺相保護(hù)逆變顛覆保護(hù)的內(nèi)容見

———“、、”(4.3.9);

將干擾與抗干擾試驗(yàn)改為試驗(yàn)見版

———“”“EMC”(4.3.13,19904.3.16);

增加了裝置應(yīng)具備的輸入輸出信號(hào)和裝置結(jié)構(gòu)與外形尺寸內(nèi)容見

———“”“”(4.3.16~4.3.17);

增加了超溫保護(hù)試驗(yàn)缺相保護(hù)試驗(yàn)?zāi)孀冾嵏脖Ｗo(hù)試驗(yàn)內(nèi)容見

———“”、“”、“”(5.3.10.5~5.3.10.7);

增加了試驗(yàn)內(nèi)容見

———“EMC”(5.3.12);

將高低溫循環(huán)試驗(yàn)高溫存放試驗(yàn)振動(dòng)試驗(yàn)跌落沖擊試驗(yàn)納入環(huán)境試驗(yàn)項(xiàng)目下

———“、”、“”、“”、“”“”

見

(5.3.15)。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國電力電子學(xué)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC60)。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位廣東華拿東方能源有限公司天津電氣傳動(dòng)設(shè)計(jì)研究所

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張淼董桂敏蘇勇華劉娟

:、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T12669—1990。

Ⅰ

GB/T12669—2012

半導(dǎo)體變流串級(jí)調(diào)速裝置總技術(shù)條件

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體變流串級(jí)調(diào)速裝置的術(shù)語和定義技術(shù)要求試驗(yàn)標(biāo)志包裝運(yùn)輸和貯存

、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于利用半導(dǎo)體電力變流器調(diào)節(jié)交流繞線轉(zhuǎn)子感應(yīng)電動(dòng)機(jī)內(nèi)饋混極式無刷交流電機(jī)和

、

混極式無刷雙饋交流電機(jī)速度的串級(jí)調(diào)速裝置以下簡稱裝置

()。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電工術(shù)語基本術(shù)語

GB/T2900.1—2008

電工術(shù)語電力電子技術(shù)

GB/T2900.33—2004

高度進(jìn)制為的面板架和柜的基本尺寸系列

GB/T3047.120mm、

電氣控制設(shè)備

GB/T3797—2005

半導(dǎo)體變流器基本要求的規(guī)定

GB/T3859.1—1993

外殼防護(hù)等級(jí)代碼

GB4208—2008(IP)

無金屬化孔單雙面印制板分規(guī)范

GB/T4588.1

有金屬化孔單雙面印制板分規(guī)范

GB/T4588.2

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.2—2006

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)射頻電磁場輻射抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.3—2006

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.4—2008

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)浪涌沖擊抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.5—2008()

電控設(shè)備用無焊繞接連接一般要求及試驗(yàn)方法

JB/T9664—1999

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T2900.1—2008、GB/T2900.33—2004。

31

.

半導(dǎo)體變流串級(jí)調(diào)速裝置cascadespeedcontrolassemblywithsemiconductorconverter

在繞線轉(zhuǎn)子感應(yīng)電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)子電路

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