【大綱創(chuàng)新設(shè)計(jì)】高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課件 新人教選修3

1．基態(tài)原子核外電子排布(鮑林近似能級(jí)圖)2．原子的成鍵特征與分子構(gòu)型關(guān)系 sp雜化：直線形(如BeCl2、HgCl2)；sp2雜化：平面三角形(如BF3、BCl3)；sp3雜化：四面體形(如CH4、CCl4)、三角錐形(如NH3)、V形(如H2O)。3．Cu與Cr原子的電子排布式本章重點(diǎn)提示1．σ鍵和π鍵的區(qū)別

從軌道重疊方式來看可分為σ鍵和π鍵，σ鍵是指原子軌道以“頭碰頭”^方式相互重疊導(dǎo)致電子在核間出現(xiàn)的概率增大而形成的共價(jià)鍵；π鍵是指原子軌道以“肩并肩”方式相互重疊導(dǎo)致電子在核間出現(xiàn)的概率增大而形成的共價(jià)鍵。2．極性鍵和非極性鍵的區(qū)別3．共價(jià)鍵的極性與分子極性關(guān)系4．元素的電離能與電負(fù)性的區(qū)別5．氫鍵與化學(xué)鍵的區(qū)別拓展：對于非極性鍵、極性鍵與非極性分子和極性分子，其相互關(guān)系可由下面的框架來歸納記憶。1．晶體熔、沸點(diǎn)遵循下列規(guī)律

晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)決定了它的物理性質(zhì)。 當(dāng)我們見到一組物體要比較它們的熔沸點(diǎn)大小時(shí)，應(yīng)遵循以下分析順序： (1)劃分晶體類型。一般來說，晶體熔沸點(diǎn)大小順序?yàn)椋涸泳w>離子晶體>分子晶體。金屬晶體比較復(fù)雜，要根據(jù)具體物質(zhì)。 (2)都是原子晶體，比較鍵長，鍵長越短，鍵能越大，熔沸點(diǎn)越高。如金剛石和晶體硅，由于金剛石的鍵長小于晶體硅的鍵長，金剛石的熔沸點(diǎn)比晶體硅的熔沸點(diǎn)高。(3)都是離子晶體，比較微粒間距離和離子所帶電荷數(shù)，微粒間距離越小，鍵能越大，熔沸點(diǎn)越高；離子所帶電荷數(shù)越多，熔沸點(diǎn)越高。NaCl比CsCl熔沸點(diǎn)高。(4)都是分子晶體，首先看是否存在氫鍵，相對分子質(zhì)量相差不大的，存在氫鍵的熔沸點(diǎn)較高。如不存在氫鍵，則比較相對分子質(zhì)量，相對分子質(zhì)量越大，范德華力越大，熔沸點(diǎn)越高。(5)都是金屬晶體，比較金屬離子半徑和離子所帶電荷數(shù)，金屬離子半徑越大，熔沸點(diǎn)越低，所帶電荷數(shù)越多，熔沸點(diǎn)越高。以上為理論推導(dǎo)，實(shí)際可能有特殊情況，故應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況再進(jìn)行驗(yàn)證。2．用均攤法解析晶體的計(jì)算 (1)長方體形(正方體)晶胞中不同位置的粒子對晶胞的貢獻(xiàn) ①處于頂點(diǎn)的粒子，同時(shí)為8個(gè)晶胞共有，每個(gè)粒子對晶胞的貢獻(xiàn)為。 ②處于棱上的粒子，同時(shí)為4個(gè)晶胞共有，每個(gè)粒子對晶胞的貢獻(xiàn)為。 ③處于面上的粒子，同時(shí)為2個(gè)晶胞共有，每個(gè)粒子對晶胞的貢獻(xiàn)為。 ④處于體內(nèi)的粒子，則完全屬于該晶胞，對晶胞的貢獻(xiàn)為1。 (2)非長方體形(正方體)晶胞中粒子對晶胞的貢獻(xiàn)視具體情況而定。如石墨晶胞每一層內(nèi)碳原子排成六邊形，其頂點(diǎn)(1個(gè)碳原子)對六邊形的貢獻(xiàn)為。表述1表述2A在水中，NaCl的溶解度比I2的溶解度大NaCl晶體中Cl－與Na＋間的作用力大于碘晶體中分子間的作用力B通常條件下，CH4分子比PbH4分子穩(wěn)定性高Pb的原子半徑比C的大，Pb與H之間的鍵能比C與H間的小C在形成化合物時(shí)，同一主族元素的化合價(jià)相同同一主族元素原子的最外層電子數(shù)相同DP4O10、C6H12O6溶于水后均不導(dǎo)電P4O10、C6H12O6均屬于共價(jià)化合物一、分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)【例1】(2009·上海綜合)下列有關(guān)物質(zhì)性質(zhì)、結(jié)構(gòu)的表述均正確，且存在因果關(guān)系的是()解析：A項(xiàng)I2是非極性分子，在水中的溶解度??；C項(xiàng)氧族元素中的氧元素，鹵素中的氟元素與同族的其他元素的化合價(jià)不完全相同；D項(xiàng)，P4O10溶于水后和水反應(yīng)生成H3PO4，其溶液導(dǎo)電。答案：B二、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)【例2】(2009·山東理綜，32)C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。 (1)寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式_____________________________。

從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?/p>

。 (2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為________，微粒間存在的作用力是________。(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為________(填元素符號(hào))。MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點(diǎn)比CaO的高，其原因是________________。(4)C、Si為同一主族的元素，CO2和SiO2化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成σ鍵和π鍵，SiO2中Si與O原子間不形成上述π鍵。從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述π鍵。__________________________________________________________。解析析：：(1)根根據(jù)據(jù)基基態(tài)態(tài)原原子子核核外外電電子子排排布布的的規(guī)規(guī)律律去去寫寫；；在在C、、Si和和O元元素素中中，，吸吸引引電電子子的的能能力力由由強(qiáng)強(qiáng)到到弱弱的的順順序序是是O>C>Si。。(2)在在SiC晶晶體體結(jié)結(jié)構(gòu)構(gòu)中中，，每每個(gè)個(gè)C原原子子與與Si原原子子形形成成四四個(gè)個(gè)完完全全相相同同的的C——Si鍵鍵，，所所以以C原原子子的的雜雜化化方方式式為為sp3雜化化。。微微粒粒間間存存在在的的作作用用力力是是共共價(jià)價(jià)鍵鍵。。(3)SiC的的電電子子總總數(shù)數(shù)為為20，，所所以以M的的電電子子數(shù)數(shù)為為(20－－8)＝12個(gè)個(gè)，，故故M為為Mg；；MgO和和CaO均均屬屬于于離離子子晶晶體體，，Mg2＋＋半徑徑比比Ca2＋＋小，，MgO中中離離子子鍵鍵強(qiáng)強(qiáng)，，晶晶格格能能大大，，故故熔熔點(diǎn)點(diǎn)高高。。(4)ππ鍵鍵是是由由p--p軌軌道道肩肩并并肩肩重重疊疊而而形形成成的的，，且且ππ鍵鍵強(qiáng)強(qiáng)弱弱與與重重疊疊的的程程度度成成正正比比。。而而Si原原子子的的原原子子半半徑徑較較大大，，Si、、O原原子子間間距距離離較較大大，，p--p軌軌道道肩肩并并肩肩重重疊疊程程度度較較小小，，不不能能形形成成穩(wěn)穩(wěn)定定的的ππ鍵鍵。。答案案：(1)1s22s22p63s23p2O>C>Si(2)sp3共價(jià)價(jià)鍵鍵(3)MgMg2＋＋半徑徑比比Ca2＋＋小，MgO晶格格能能大大(4)C的原原子子半半徑徑較較小小，C、、O原子子能