標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 14264-1993 半導(dǎo)體材料術(shù)語》是中國關(guān)于半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的一份國家標(biāo)準(zhǔn)，發(fā)布于1993年。該標(biāo)準(zhǔn)旨在統(tǒng)一和規(guī)范半導(dǎo)體材料相關(guān)的專業(yè)術(shù)語，以便于行業(yè)內(nèi)外人士在交流、科研、生產(chǎn)及貿(mào)易活動中能夠準(zhǔn)確理解并使用這些術(shù)語，減少溝通誤解，提升工作效率。下面列舉了標(biāo)準(zhǔn)中涵蓋的部分關(guān)鍵術(shù)語及其簡要說明：

  1. 半導(dǎo)體（Semiconductor）：指一種電導(dǎo)率介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，其電導(dǎo)率可以通過摻雜或其他手段進(jìn)行調(diào)整。

  2. 本征半導(dǎo)體（Intrinsic Semiconductor）：未經(jīng)過摻雜處理，純凈狀態(tài)下的半導(dǎo)體材料，其電導(dǎo)性能主要由材料本身的電子和空穴對決定。

  3. N型半導(dǎo)體（N-type Semiconductor）：通過摻入 pentavalent（五價）元素如磷、砷等，使半導(dǎo)體中自由電子濃度大于空穴濃度的半導(dǎo)體材料。

  4. P型半導(dǎo)體（P-type Semiconductor）：通過摻入 trivalent（三價）元素如硼、鎵等，使半導(dǎo)體中空穴濃度大于自由電子濃度的半導(dǎo)體材料。

  5. PN結(jié)（PN Junction）：由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體接觸形成的區(qū)域，具有單向?qū)щ娦?，是許多半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)。

  6. 摻雜（Doping）：在半導(dǎo)體材料中故意引入少量其他元素以改變其電導(dǎo)特性，分為N型摻雜和P型摻雜。

  7. 載流子（Carrier）：在半導(dǎo)體中參與導(dǎo)電的粒子，包括自由電子和空穴。

  8. 禁帶（Energy Gap或Band Gap）：半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)中價帶頂和導(dǎo)帶底之間的能量區(qū)間，決定了材料成為導(dǎo)體或絕緣體的性質(zhì)。

  9. 遷移率（Mobility）：描述載流子在電場作用下移動速度的物理量，直接影響半導(dǎo)體的電導(dǎo)性能。

  10. 復(fù)合（Recombination）：半導(dǎo)體中的自由電子與空穴相遇并結(jié)合消失的過程，影響半導(dǎo)體的電荷平衡狀態(tài)。

這些術(shù)語只是標(biāo)準(zhǔn)中的一部分，實際標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)列出了更多與半導(dǎo)體材料制備、性質(zhì)分析、器件應(yīng)用相關(guān)的專業(yè)詞匯及其定義，為半導(dǎo)體行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)化工作提供了重要的語言基礎(chǔ)。


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  • 1993-03-12 頒布
  • 1993-12-01 實施
?正版授權(quán)
GB/T 14264-1993半導(dǎo)體材料術(shù)語_第1頁
GB/T 14264-1993半導(dǎo)體材料術(shù)語_第2頁
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UDC669.87H80中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14264-93半導(dǎo)體材料術(shù)語Semiconductormaterials-Termsanddefinitions1993-03-12發(fā)布1993-12-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體材料術(shù)語GB/T14264-93SemiconductormaterialsTermsanddefinitions主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體材料及其生長工藝、加工、晶體缺陷和表面治污等方面的主要術(shù)語和定義本標(biāo)準(zhǔn)適用于元素和化合物半導(dǎo)體材料。一般術(shù)語2.1半導(dǎo)體semiconductor電阻率介于導(dǎo)體與絕緣體之間，其范圍為10-～10"0·cm的一種固體物質(zhì)。在較寬的溫度范圍內(nèi)，電阻率隨溫度的升高而減小。電流是由帶正電的空穴和帶負(fù)電的電子的定向傳輸實現(xiàn)的。半導(dǎo)體按其結(jié)構(gòu)可分為三類：單品體、多晶體和非晶體。2.2元素半導(dǎo)體elementalsemiconductor由一種元素組成的半導(dǎo)體。硅和錯是最常用的元素半導(dǎo)體。2.3化合物半導(dǎo)體compoundsemiconductor由兩種或兩種以上的元素化合而成的半導(dǎo)體，如砷化像、緣鋁砷等2.4本征半導(dǎo)體intrinsicsemiconductor晶格完整且不含雜質(zhì)的單品半導(dǎo)體，其中參與導(dǎo)電的電子和空穴數(shù)目相等。這是一種實際上難以實現(xiàn)的理想情況。實用上所說的本征半導(dǎo)體是指僅含極痕量雜質(zhì)，導(dǎo)電性能與理想情況很相近的半導(dǎo)體。2.5導(dǎo)電類型conductivitytype半導(dǎo)體材料中多數(shù)教流子的性質(zhì)所決定的導(dǎo)電特性2.6n-型半導(dǎo)體n-typesemiconductor多數(shù)載流子為電子的半導(dǎo)體2.7p-型半導(dǎo)體p-typesemiconductor多數(shù)載流子為空穴的半導(dǎo)體。2.8空穴hole半導(dǎo)體價帶結(jié)構(gòu)中一種流動空位，其作用就像一個具有正有效質(zhì)量的正電子電荷一樣。2.9受主accepter半導(dǎo)體中其能級位于禁帶內(nèi)，能“接受”價帶激發(fā)電子的雜質(zhì)原子或晶格缺陷，形成空穴導(dǎo)電：2.10施主donor半導(dǎo)體中其能級位于禁帶內(nèi)，能向?qū)А笆┓拧彪娮拥碾s質(zhì)原子或品格缺陷,形成電子導(dǎo)電。2.111載流子carrier固體中一種能傳輸電荷的載體,又稱荷電載流子

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