標準解讀

《GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測定 直排四探針法》這一標準相比于之前的《GB 1552-1979》、《GB 5251-1985》以及《GB 6615-1986》，主要在以下幾個方面進行了調(diào)整和更新：

  1. 適用范圍的明確與擴展：新標準明確了其適用于硅、鍺單晶材料電阻率的測定，特別強調(diào)了直排四探針法的應(yīng)用，這相比之前的標準可能有更具體的測量技術(shù)和對象界定。

  2. 技術(shù)方法的改進：《GB/T 1552-1995》詳細規(guī)定了直排四探針法的操作步驟、儀器校準、數(shù)據(jù)處理等技術(shù)細節(jié)，旨在提高測量精度和重復(fù)性。相比舊標準，可能引入了更先進的測量理論或?qū)嵺`指導，以適應(yīng)科技進步和行業(yè)需求的變化。

  3. 精度要求的提升：新標準對測量結(jié)果的精度和誤差范圍提出了更嚴格的要求，反映了對材料性能測試準確性的更高追求，有助于確保半導體材料質(zhì)量控制的一致性和可靠性。

  4. 術(shù)語和定義的更新：為了與國際標準接軌和科技進步相適應(yīng)，標準中可能對一些專業(yè)術(shù)語和定義進行了修訂或新增，使得標準內(nèi)容更加清晰、規(guī)范，便于業(yè)界理解和應(yīng)用。

  5. 試驗條件與環(huán)境控制：標準可能對測試環(huán)境（如溫度、濕度等）和樣品制備過程中的控制條件給出了更具體的規(guī)定，以減少外界因素對測量結(jié)果的影響。

  6. 校驗與驗證程序：增加了對測量設(shè)備的校驗要求和驗證測試方法的描述，確保測量系統(tǒng)的可靠性和測量結(jié)果的有效性。

  7. 標準化和兼容性：新標準可能更加注重與其他國內(nèi)外相關(guān)標準的協(xié)調(diào)一致，提高了標準的通用性和互操作性，方便國際交流和技術(shù)合作。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 1551-2009
  • 1995-04-18 頒布
  • 1995-12-01 實施
?正版授權(quán)
GB/T 1552-1995硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法_第1頁
GB/T 1552-1995硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法_第2頁
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UDC669.7821.783：621.317.33H21中華人民共和國國家標準GB/T1552-1995硅、錯單晶電阻率測定直排四探針法Testmethodformeasuringresistivityofmonocrystalsiliconandgermaniumwithacoliinearfour-probearray1995-04-18發(fā)布1995-12-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準硅、錯單晶電阻率測定GB/T1552-1-1995深TestmethodformeasuringresistivityofmonocrystalsiliconGB5251-GB6615-86andgermaniumwithacollinearfour-probearray主題內(nèi)容與適用范圍本標準規(guī)定了用直排四探針測量硅、錯單品電阻率的方法、本標準適用于測量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點的最近距離二者均大于探針間距的4倍的硅、錯單晶的體電阻率以及測量直徑大于探針間距的10倍、厚度小于探針間距4倍的硅、錯單晶圓片（簡稱圓片)的電阻率。測量范圍為硅：1×10-～3×10°0·cm,錯：1×10-～1×10°·cm。方法提要排列成一直線的四根探針垂直地壓在近似為半無窮大的平坦試樣表面上，將直流電流了在兩外探針間通入試樣,測量內(nèi)側(cè)兩探針間所產(chǎn)生的電勢差V，根據(jù)測得的電流和電勢差值，按式（1）計算電阻率。對圓片試樣還應(yīng)根據(jù)幾何修正因子進行計算。測量示意圖見圖1?！ぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぃ?）式中：--電阻率,0·cmn；測得的電勢差,mV；T-通入的電流,mA;S--探針間距，cm。TTTTTTT圖1直排四探針測量示意圖3儀器與設(shè)備3.1探針裝置由下

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