標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 15651.3-2003 半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第5-3部分:光電子器件 測(cè)試方法》作為中國國家標(biāo)準(zhǔn),規(guī)定了光電子器件的測(cè)試原則、測(cè)試條件、測(cè)試項(xiàng)目及其具體方法。然而,您提供的信息中并未直接給出另一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)以進(jìn)行對(duì)比。不過,我可以基于此類標(biāo)準(zhǔn)更新的一般規(guī)律和行業(yè)發(fā)展趨勢(shì),概述此類標(biāo)準(zhǔn)更新時(shí)可能包含的一些典型變更方向,盡管這些并不直接對(duì)應(yīng)于某個(gè)特定的前一版本與GB/T 15651.3-2003之間的差異。
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測(cè)試項(xiàng)目的增補(bǔ)或修訂:新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)根據(jù)技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)需求,增加新的光電子器件特性測(cè)試項(xiàng)目,如光電轉(zhuǎn)換效率、響應(yīng)時(shí)間、工作溫度范圍等指標(biāo),同時(shí)對(duì)原有測(cè)試項(xiàng)目的方法或要求進(jìn)行細(xì)化或調(diào)整,以適應(yīng)新型器件的特性評(píng)估需求。
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測(cè)試方法的優(yōu)化與標(biāo)準(zhǔn)化:為了提高測(cè)試精度和可重復(fù)性,新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)引入更先進(jìn)的測(cè)量技術(shù)和校準(zhǔn)方法,包括使用更精確的儀器設(shè)備、改進(jìn)信號(hào)處理算法等,同時(shí)也可能對(duì)測(cè)試環(huán)境條件(如溫度、濕度、光照等)提出更嚴(yán)格的要求。
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兼容性和互操作性考量:隨著國際標(biāo)準(zhǔn)化工作的推進(jìn),新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)更加注重與其他國家和地區(qū)同類標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)調(diào)一致,確保測(cè)試結(jié)果的國際可比性和器件在全球市場(chǎng)的互換性。
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安全與環(huán)保要求的加強(qiáng):鑒于環(huán)境保護(hù)和用戶安全的重要性日益提升,新標(biāo)準(zhǔn)在測(cè)試方法中可能會(huì)加入對(duì)光電子器件在電磁兼容性、有害物質(zhì)限制等方面的評(píng)估要求。
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術(shù)語定義的更新與統(tǒng)一:為避免歧義,新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)對(duì)關(guān)鍵術(shù)語和定義進(jìn)行修訂或補(bǔ)充,確保與國際通用標(biāo)準(zhǔn)或最新科技發(fā)展保持同步。
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可實(shí)施性的增強(qiáng):通過簡(jiǎn)化操作步驟、明確測(cè)試報(bào)告格式要求等方式,新標(biāo)準(zhǔn)旨在提高實(shí)際應(yīng)用中的可操作性和執(zhí)行效率。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2003-11-24 頒布
- 2004-08-01 實(shí)施
文檔簡(jiǎn)介
ICS31.260L50中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T15651.3-2003/IEC60747-5-3:1997半導(dǎo)體分立器件和集成電路第5-3部分:光電子器件測(cè)試方法Discretesemiconductordevicesandintegratedcireuits-Part5-3:Optoelectronicdevices-Measuringmethods(IEC60747-5-3:1997,IDT)2003-11-24發(fā)布2004-08-01實(shí)施中華人民共和國發(fā)布國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局
GB/T15651.3-2003/IEC60747-5-3:1997前言池圍2規(guī)范性引用文件3光發(fā)射器件測(cè)試方法3.1發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度(小)3.2紅外發(fā)射二極管輻射強(qiáng)度(L)3.3L峰值發(fā)射波長(A)、光譜輻射帶寬(A)和縱模數(shù)(ua)3.4不帶尾纖的激光二極管發(fā)射源的長度、寬度和象散性.3.5光發(fā)射器件的半強(qiáng)度角和角偏差·……………·……··……··…………4光敏器件的測(cè)試方法·:··:··::::··························:··4.1光電二極管(包括帶或不帶尾纖的器件)在光輻射下的反向電流(IRm或1r。)和光電品體管光輻射下的集電極電流(Iam或1a。)4.2光電二極管的暗電流1wm和光電品體管的暗電流1cmo.laeo.lam104.3光電品體管的集電極一發(fā)射極飽和電壓Vcr-"5光電合器測(cè)試方法…………5.1電流傳輸比(hrap)……………125.2輸入一輸出電容(C)5.3輸入一輸出隔離電阻(rm·5.4隔離試驗(yàn)………………5.5光電幫合器的局部放電·…15光電柵合器的集電極一發(fā)射極的飽和電壓Vom"5.65.721附錄A(資料性附錄)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)照表20
GB/T15651.3-2003/IEC60747-5-3:1997言本系列標(biāo)準(zhǔn)的預(yù)計(jì)結(jié)構(gòu)為:-第5-1部分:光電子器件總則·第5-2部分:光電子器件基本額定值和特性:-第5-3部分:光電子器件測(cè)試方法。本部分等同采用IEC60747-5-3:1997《半導(dǎo)體分立器件和集成電路第5-3部分.光電子器件測(cè)試方法》英文版)。為為了與GB/T11499規(guī)定的參數(shù)符號(hào)統(tǒng)一,本部分將暗電流的符號(hào)規(guī)定為1ww·為便于使用.本部分作了下列編輯性修改:A)“IEC60747的本部分"字樣改為"本部分":用小數(shù)點(diǎn)"."代替原文中作為小數(shù)點(diǎn)的逗號(hào)".";C)刪除了本國際標(biāo)準(zhǔn)的前言,增加了本部分的前言;d)所有圖形均增加了圖題;e))為了與GB/T1.1的規(guī)定協(xié)調(diào)統(tǒng)一,對(duì)部分條號(hào)作了調(diào)整;5.1.3和5.1.4中"IR”改為“1mm,”或"1Ra”;g)_5.6.1.4和5.6.1.5中"基極電流1a"改為“輸人電流1e";h)圖25的說明中"lam.”改為"la”,"1aom”改為“.”。本部分的附錄A為資料性附錄。本部分由中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部提出:本部分由中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所(CESI)歸口。本部分起草單位:華禹光谷股份有限公司半導(dǎo)體廠本部分主要起草人:陳蘭、那仁、王守華。即將出版。
GB/T15651.3一2003/IEC60747-5-3:1997半導(dǎo)體分立器件和集成電路第5-3部分:光電子器件測(cè)試方法1范圍本部分適用于光電子器件的測(cè)試方法.用于光纖系統(tǒng)或子系統(tǒng)的除外規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過GB/T15651的本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文件.其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本部分.然而.鼓勵(lì)根據(jù)本部分達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本部分。GB/T2421—1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第1部分:總則(idtIEC60068-1:1988)IEC60270:1981局部放電測(cè)量法光發(fā)射器件測(cè)試方法3.1發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度(I)3.1.1目的測(cè)量半導(dǎo)體發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度該方法適用于三種狀態(tài)下對(duì)發(fā)光強(qiáng)度的測(cè)量狀態(tài)1將發(fā)光二極管繞機(jī)械軸旋轉(zhuǎn),測(cè)量發(fā)光強(qiáng)度的最
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