標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 15651.3-2003 半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第5-3部分：光電子器件 測(cè)試方法》作為中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定了光電子器件的測(cè)試原則、測(cè)試條件、測(cè)試項(xiàng)目及其具體方法。然而，您提供的信息中并未直接給出另一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)以進(jìn)行對(duì)比。不過(guò)，我可以基于此類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)更新的一般規(guī)律和行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，概述此類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)更新時(shí)可能包含的一些典型變更方向，盡管這些并不直接對(duì)應(yīng)于某個(gè)特定的前一版本與GB/T 15651.3-2003之間的差異。

  1. 測(cè)試項(xiàng)目的增補(bǔ)或修訂：新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)根據(jù)技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)需求，增加新的光電子器件特性測(cè)試項(xiàng)目，如光電轉(zhuǎn)換效率、響應(yīng)時(shí)間、工作溫度范圍等指標(biāo)，同時(shí)對(duì)原有測(cè)試項(xiàng)目的方法或要求進(jìn)行細(xì)化或調(diào)整，以適應(yīng)新型器件的特性評(píng)估需求。

  2. 測(cè)試方法的優(yōu)化與標(biāo)準(zhǔn)化：為了提高測(cè)試精度和可重復(fù)性，新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)引入更先進(jìn)的測(cè)量技術(shù)和校準(zhǔn)方法，包括使用更精確的儀器設(shè)備、改進(jìn)信號(hào)處理算法等，同時(shí)也可能對(duì)測(cè)試環(huán)境條件（如溫度、濕度、光照等）提出更嚴(yán)格的要求。

  3. 兼容性和互操作性考量：隨著國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化工作的推進(jìn)，新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)更加注重與其他國(guó)家和地區(qū)同類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)調(diào)一致，確保測(cè)試結(jié)果的國(guó)際可比性和器件在全球市場(chǎng)的互換性。

  4. 安全與環(huán)保要求的加強(qiáng)：鑒于環(huán)境保護(hù)和用戶(hù)安全的重要性日益提升，新標(biāo)準(zhǔn)在測(cè)試方法中可能會(huì)加入對(duì)光電子器件在電磁兼容性、有害物質(zhì)限制等方面的評(píng)估要求。

  5. 術(shù)語(yǔ)定義的更新與統(tǒng)一：為避免歧義，新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)對(duì)關(guān)鍵術(shù)語(yǔ)和定義進(jìn)行修訂或補(bǔ)充，確保與國(guó)際通用標(biāo)準(zhǔn)或最新科技發(fā)展保持同步。

  6. 可實(shí)施性的增強(qiáng)：通過(guò)簡(jiǎn)化操作步驟、明確測(cè)試報(bào)告格式要求等方式，新標(biāo)準(zhǔn)旨在提高實(shí)際應(yīng)用中的可操作性和執(zhí)行效率。


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  • 2004-08-01 實(shí)施
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GB/T 15651.3-2003半導(dǎo)體分立器件和集成電路第5-3部分：光電子器件測(cè)試方法_第1頁(yè)
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ICS31.260L50中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T15651.3-2003/IEC60747-5-3:1997半導(dǎo)體分立器件和集成電路第5-3部分：光電子器件測(cè)試方法Discretesemiconductordevicesandintegratedcireuits-Part5-3：Optoelectronicdevices-Measuringmethods(IEC60747-5-3：1997，IDT)2003-11-24發(fā)布2004-08-01實(shí)施中華人民共和國(guó)發(fā)布國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

GB/T15651.3-2003/IEC60747-5-3：1997前言池圍2規(guī)范性引用文件3光發(fā)射器件測(cè)試方法3.1發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度（小）3.2紅外發(fā)射二極管輻射強(qiáng)度（L）3.3L峰值發(fā)射波長(zhǎng)(A)、光譜輻射帶寬(A)和縱模數(shù)(ua)3.4不帶尾纖的激光二極管發(fā)射源的長(zhǎng)度、寬度和象散性.3.5光發(fā)射器件的半強(qiáng)度角和角偏差·……………·……··……··…………4光敏器件的測(cè)試方法·：··:··::：：··························：··4.1光電二極管(包括帶或不帶尾纖的器件)在光輻射下的反向電流（IRm或1r。）和光電品體管光輻射下的集電極電流（Iam或1a。）4.2光電二極管的暗電流1wm和光電品體管的暗電流1cmo.laeo.lam104.3光電品體管的集電極一發(fā)射極飽和電壓Vcr-"5光電合器測(cè)試方法…………5.1電流傳輸比(hrap）……………125.2輸入一輸出電容(C）5.3輸入一輸出隔離電阻（rm·5.4隔離試驗(yàn)………………5.5光電幫合器的局部放電·…15光電柵合器的集電極一發(fā)射極的飽和電壓Vom"5.65.721附錄A（資料性附錄）標(biāo)準(zhǔn)對(duì)照表20

GB/T15651.3-2003/IEC60747-5-3：1997言本系列標(biāo)準(zhǔn)的預(yù)計(jì)結(jié)構(gòu)為：-第5-1部分：光電子器件總則·第5-2部分：光電子器件基本額定值和特性：-第5-3部分：光電子器件測(cè)試方法。本部分等同采用IEC60747-5-3:1997《半導(dǎo)體分立器件和集成電路第5-3部分.光電子器件測(cè)試方法》英文版）。為為了與GB/T11499規(guī)定的參數(shù)符號(hào)統(tǒng)一，本部分將暗電流的符號(hào)規(guī)定為1ww·為便于使用.本部分作了下列編輯性修改：A）“IEC60747的本部分"字樣改為"本部分"：用小數(shù)點(diǎn)"."代替原文中作為小數(shù)點(diǎn)的逗號(hào)"."；C）刪除了本國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的前言，增加了本部分的前言；d）所有圖形均增加了圖題；e)）為了與GB/T1.1的規(guī)定協(xié)調(diào)統(tǒng)一,對(duì)部分條號(hào)作了調(diào)整；5.1.3和5.1.4中"IR”改為“1mm，”或"1Ra”；g）_5.6.1.4和5.6.1.5中"基極電流1a"改為“輸人電流1e"；h）圖25的說(shuō)明中"lam.”改為"la”,"1aom”改為“.”。本部分的附錄A為資料性附錄。本部分由中華人民共和國(guó)信息產(chǎn)業(yè)部提出：本部分由中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所(CESI)歸口。本部分起草單位：華禹光谷股份有限公司半導(dǎo)體廠本部分主要起草人：陳蘭、那仁、王守華。即將出版。

GB/T15651.3一2003/IEC60747-5-3:1997半導(dǎo)體分立器件和集成電路第5-3部分：光電子器件測(cè)試方法1范圍本部分適用于光電子器件的測(cè)試方法.用于光纖系統(tǒng)或子系統(tǒng)的除外規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過(guò)GB/T15651的本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文件.其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本部分.然而.鼓勵(lì)根據(jù)本部分達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本部分。GB/T2421—1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第1部分：總則(idtIEC60068-1:1988)IEC60270:1981局部放電測(cè)量法光發(fā)射器件測(cè)試方法3.1發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度（I)3.1.1目的測(cè)量半導(dǎo)體發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度該方法適用于三種狀態(tài)下對(duì)發(fā)光強(qiáng)度的測(cè)量狀態(tài)1將發(fā)光二極管繞機(jī)械軸旋轉(zhuǎn)，測(cè)量發(fā)光強(qiáng)度的最

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